JPH01128245A - 光磁気記録の記録方式 - Google Patents
光磁気記録の記録方式Info
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- JPH01128245A JPH01128245A JP62286534A JP28653487A JPH01128245A JP H01128245 A JPH01128245 A JP H01128245A JP 62286534 A JP62286534 A JP 62286534A JP 28653487 A JP28653487 A JP 28653487A JP H01128245 A JPH01128245 A JP H01128245A
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61M—DEVICES FOR INTRODUCING MEDIA INTO, OR ONTO, THE BODY; DEVICES FOR TRANSDUCING BODY MEDIA OR FOR TAKING MEDIA FROM THE BODY; DEVICES FOR PRODUCING OR ENDING SLEEP OR STUPOR
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- A61M39/10—Tube connectors; Tube couplings
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- A61M39/146—Tube connectors; Tube couplings for connecting tubes having sealed ends by cutting and welding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光磁気記録媒体の記録方式に係わる。
（従来の技術）
近年、レーザーを用いた高密度記録法として、レーザー
光を照射して記録媒体を局部加熱することによりビット
を書き込み、磁気光学効果を利用して読みだずという光
磁気記録か研究開発されている。その記録媒体としては
、希土類−遷移金属合金からなる非晶質磁性薄膜が注目
されている。
光を照射して記録媒体を局部加熱することによりビット
を書き込み、磁気光学効果を利用して読みだずという光
磁気記録か研究開発されている。その記録媒体としては
、希土類−遷移金属合金からなる非晶質磁性薄膜が注目
されている。
光磁気記録方式では、従来単一記録層、単一ヒームによ
り光変調方式で行われていたため、重ね書き（オーバー
ライ１〜）記録が不可能であった。そこで、重ね書き記
録を可能にする方法として、磁界変調方式、マルチビー
ムによる疑似重ね書き記録方式、２層膜による方式等が
考えられている。
り光変調方式で行われていたため、重ね書き（オーバー
ライ１〜）記録が不可能であった。そこで、重ね書き記
録を可能にする方法として、磁界変調方式、マルチビー
ムによる疑似重ね書き記録方式、２層膜による方式等が
考えられている。
（発明が解決しようとする問題点）
磁界変調方式は、高周波で強い磁場を発生させる必要が
あるが、通常の電磁石ではこれが困難であるために、ハ
ードディスク等に使われているスライダーを用い媒体と
電磁石とを近付けることによりこれを可能にしている。
あるが、通常の電磁石ではこれが困難であるために、ハ
ードディスク等に使われているスライダーを用い媒体と
電磁石とを近付けることによりこれを可能にしている。
しかし、この方法は光磁気記録の特徴である非接触性を
犠牲にする等の欠点がある。また、マルチビームによる
疑似オーバーライｌへ方式は、装置が複雑になる欠点を
有している。従来の２層膜を利用したオーバーライＩ・
方式（第３４回応用物理学関係連合講演会予稿集、２８
ｐ−ＺＬ−３，Ｐ７２１． ｌ−９８７）では、記録に
先立ち予め外部磁場により補助層の磁化を一方向にそろ
え、メモリー層のキュリー温度ＴＣＲ＋記録時に先行外
部磁場の方向と逆向きに印加されている外部磁場の大き
さと補助層の保磁力とが等しくなる温度をＴＢとしたと
きに、媒体の温度ＴをＴ（・Ｒ＜ＴくＴＢなる温度まて
昇温させた後冷却する時には、予め一方向にそろえられ
た補助層の磁化方向が記録層に転写され、媒体をＴ８以
」二に昇温した後に冷却する場合には、記録時に印加さ
れている磁場方向に記録層の磁化が向くと言った方法が
とられている。このために、記録に先立ち補助層を予め
消去するための先行外部磁場と記録時に印加する二つの
外部磁場が必要となり、装置が複雑になるといつな欠点
を有している。
犠牲にする等の欠点がある。また、マルチビームによる
疑似オーバーライｌへ方式は、装置が複雑になる欠点を
有している。従来の２層膜を利用したオーバーライＩ・
方式（第３４回応用物理学関係連合講演会予稿集、２８
ｐ−ＺＬ−３，Ｐ７２１． ｌ−９８７）では、記録に
先立ち予め外部磁場により補助層の磁化を一方向にそろ
え、メモリー層のキュリー温度ＴＣＲ＋記録時に先行外
部磁場の方向と逆向きに印加されている外部磁場の大き
さと補助層の保磁力とが等しくなる温度をＴＢとしたと
きに、媒体の温度ＴをＴ（・Ｒ＜ＴくＴＢなる温度まて
昇温させた後冷却する時には、予め一方向にそろえられ
た補助層の磁化方向が記録層に転写され、媒体をＴ８以
」二に昇温した後に冷却する場合には、記録時に印加さ
れている磁場方向に記録層の磁化が向くと言った方法が
とられている。このために、記録に先立ち補助層を予め
消去するための先行外部磁場と記録時に印加する二つの
外部磁場が必要となり、装置が複雑になるといつな欠点
を有している。
本発明の目的は、単一ビーム、単一磁場によりオーバー
ライ１〜が可能となる光磁気記録の記録方式を提供する
ことにある。
ライ１〜が可能となる光磁気記録の記録方式を提供する
ことにある。
（発明が解決しようとする手段）
本発明による記録方式は光磁気記録媒体の記録層として
垂直磁化膜からなる読み出し層と垂直磁化膜であるフェ
リ磁性体からなる書き込み層とが積層された２層膜を有
し、室温をＴｒ、読み出し層、書き込み層の室温での保
磁力をそれぞれＴ−（ＣＲＩ Ｈｃｗ＋読み出し層のキ
ュリー温度をＴＣＲ，書き込み層のキュリー温度をＴ。
垂直磁化膜からなる読み出し層と垂直磁化膜であるフェ
リ磁性体からなる書き込み層とが積層された２層膜を有
し、室温をＴｒ、読み出し層、書き込み層の室温での保
磁力をそれぞれＴ−（ＣＲＩ Ｈｃｗ＋読み出し層のキ
ュリー温度をＴＣＲ，書き込み層のキュリー温度をＴ。
Ｗ、書き込み層の補償温度をＴｃｏｍｐ、Ｗとしたとき
に、Ｈｃｗ＜ Ｈｃｎ 、でありかつＴ 、 ＜ Ｔ
ＣＲ＜ Ｔ ｃｏｍｐ、 ｗ＜ Ｔ ｃｗなる関係を満
足し、媒体温度ＴをＴ。Ｒ＜Ｔまで昇温した後Ｔ１直下
まで冷却した時に、書き込み層の磁化方向と逆方向に読
み出し層に磁化が転写される光磁気記録媒体において、
■］。い＜ Ｈｅｘｔ、 ’＜ ＨＣＲとなるように記
録媒体に垂直方向に外部磁場を印加し、外部磁場の大き
さ゛と読み出し層の保磁力とが等しくなる温度をＴＡ、
書き込み層の補償温度Ｔ ｃ’ｏ□Ｗよりも高温側で外
部磁場の大きさと書き込み層の保磁力とが等しくなる温
度をＴＢとしたときに、レーザー照射により記録媒体を
昇温し媒体温度ＴをＴＡくＴくＴ。□なる関係を満足す
るように昇温してから冷却する場合とＴ ＣＲ＜ Ｔ
＜ Ｔ Ｂなる温度まで昇温してから冷却する場合とを
含むことを特徴とする光磁気記録の記録方式である。
に、Ｈｃｗ＜ Ｈｃｎ 、でありかつＴ 、 ＜ Ｔ
ＣＲ＜ Ｔ ｃｏｍｐ、 ｗ＜ Ｔ ｃｗなる関係を満
足し、媒体温度ＴをＴ。Ｒ＜Ｔまで昇温した後Ｔ１直下
まで冷却した時に、書き込み層の磁化方向と逆方向に読
み出し層に磁化が転写される光磁気記録媒体において、
■］。い＜ Ｈｅｘｔ、 ’＜ ＨＣＲとなるように記
録媒体に垂直方向に外部磁場を印加し、外部磁場の大き
さ゛と読み出し層の保磁力とが等しくなる温度をＴＡ、
書き込み層の補償温度Ｔ ｃ’ｏ□Ｗよりも高温側で外
部磁場の大きさと書き込み層の保磁力とが等しくなる温
度をＴＢとしたときに、レーザー照射により記録媒体を
昇温し媒体温度ＴをＴＡくＴくＴ。□なる関係を満足す
るように昇温してから冷却する場合とＴ ＣＲ＜ Ｔ
＜ Ｔ Ｂなる温度まで昇温してから冷却する場合とを
含むことを特徴とする光磁気記録の記録方式である。
（作用）
本発明では、光磁気記録媒体の記録層として垂直磁化膜
であるフェリ磁性体からなる書き込み層と該書き込み層
の磁化方向を逆向きに転写する読み出し層とを設けた記
録媒体を利用する。第１図（ａ）’、（ｂ）には、この
記録媒体に要求される書き込み層“、読み出し層の保磁
力の温度特性を示す。第１図において、１，１゛は読み
出し層の保磁力の温度特性であり、２は書き込み層の保
磁力の温度特性である。第１図（ａ）は読み出し層の補
償温度が室温以上に存在しない場合であり、第１図（ｂ
）は書き込み層の補償温度が室温以上に存在する場合で
ある。本発明では読み出し層の補償温度が室温より高い
温度に存在する必要はないが、書き込み層の補償温度が
読み出し層のキュリー温度と書き込み層のキュリー温度
の間に存在し、光磁気記録媒体を読み出し層のキュリー
温度Ｔ”ｃｒｔ以上に昇温した後ＴＣＲ直下まで冷却し
た際に、読み出し層に転写される磁化方向が書き込み層
の磁化方向と逆方向になることが重要゛である。
であるフェリ磁性体からなる書き込み層と該書き込み層
の磁化方向を逆向きに転写する読み出し層とを設けた記
録媒体を利用する。第１図（ａ）’、（ｂ）には、この
記録媒体に要求される書き込み層“、読み出し層の保磁
力の温度特性を示す。第１図において、１，１゛は読み
出し層の保磁力の温度特性であり、２は書き込み層の保
磁力の温度特性である。第１図（ａ）は読み出し層の補
償温度が室温以上に存在しない場合であり、第１図（ｂ
）は書き込み層の補償温度が室温以上に存在する場合で
ある。本発明では読み出し層の補償温度が室温より高い
温度に存在する必要はないが、書き込み層の補償温度が
読み出し層のキュリー温度と書き込み層のキュリー温度
の間に存在し、光磁気記録媒体を読み出し層のキュリー
温度Ｔ”ｃｒｔ以上に昇温した後ＴＣＲ直下まで冷却し
た際に、読み出し層に転写される磁化方向が書き込み層
の磁化方向と逆方向になることが重要゛である。
６一
に示すように、室温における読み出し層の保磁力）シｎ
よりも小さいか書き込み層の保磁力Ｈ６Ｗよりも大きい
外部磁場３を印加する。第１図（ａ）。
よりも小さいか書き込み層の保磁力Ｈ６Ｗよりも大きい
外部磁場３を印加する。第１図（ａ）。
（ｂ）において、読み出し層の保磁力と外部磁場とが等
しくなる温度をＴＡ 、書き込み層の補償温度より高温
側で、書き込み層の保磁力と外部磁場とが等しくなる温
度をＴＢとする。外部磁場３を印加した状態で、第２図
中の書き込みレベル５の強度のレーザーを媒体に照射す
ることにより媒体の温度Ｔを第１図中のＴ Ａ ＜ Ｔ
＜ Ｔ ＯＲなる温度領域Ａ”まで昇温すると、読み
出し層の保磁力は外部磁場よりも小さくなるために、温
度領域Ａ′では読み出し層の磁化は常に外部磁場方向を
向くことになる。よって、媒体を室温まで冷却した時の
読み出し層の磁化方向は、第１図（ａ）では、外部磁場
方向を向くことになり、第１図（ｂ）では、読み出し層
の補償温度が室温以上に存在するために、外部磁場方向
と逆方向を向くことになる。次に、外部磁場３を印加し
た状態で、第２図り磁性媒体の温度Ｔを第１図中のＴ
ＣＲ＜ Ｔ ＜ Ｔ Ｂなる温度領域Ａまで昇温し冷却
する場合を考える。外部磁場３は、室温での書き込み層
の保磁力Ｈｃｗ、よりも大きいために、室温での書き込
み層の磁化は外部磁場方向を常に向くことになる。磁性
媒体をＴ。。＜ Ｔ ＜ Ｔ Ｂなる温度領域Ａまで昇
温し、媒体温度を読み出し層のキュリー温度ＴＣＲ直」
二まで冷却すると書き込み層の磁化方向は、外部磁場方
向を向いている。読み出し層、書き込み層として希土類
−遷移金属からなるフェリ磁性体である垂直磁化膜を用
いるとすると、書き込み層の補償温度はＴ。Ｒ以上にあ
るために、ＴＣＲ直上での書き込み層の磁化方向は、希
土類金属の磁化方向により決まる。さらに媒体の温度を
ＴＣＲより僅かに下げると、読み出し層の磁化か発生す
るか、読み出し層の補償温度はＴＣＲ以下に存在するた
めに、ここで発生する磁化方向は遷移金属の磁化方向に
より決まる。書き込み層の磁化方向か読み出し層に転写
される際、各層の希土類金属同士、及び遷移金属同士の
磁化がお互いに同じ方向にカップルするとすると、ＴＣ
Ｒ直下での読み出し層の磁化は、書き込み層の磁化と逆
方向を向くことになる。よって、媒体を室温まで冷却し
−た時の読み出し層の磁化方向は、第１図（ａ）の場合
には外部磁場と逆方向を向くことになり、第１図（ｂ）
の場合には、外部磁場方向を向くことになる。このよう
に、外部磁場中で磁性媒体に照射するレーザーパワーを
所望の記録パターンに応じて変化させることにより、単
一ビーム、単一静磁場による光磁気記録の重ね書きが可
能となる。
しくなる温度をＴＡ 、書き込み層の補償温度より高温
側で、書き込み層の保磁力と外部磁場とが等しくなる温
度をＴＢとする。外部磁場３を印加した状態で、第２図
中の書き込みレベル５の強度のレーザーを媒体に照射す
ることにより媒体の温度Ｔを第１図中のＴ Ａ ＜ Ｔ
＜ Ｔ ＯＲなる温度領域Ａ”まで昇温すると、読み
出し層の保磁力は外部磁場よりも小さくなるために、温
度領域Ａ′では読み出し層の磁化は常に外部磁場方向を
向くことになる。よって、媒体を室温まで冷却した時の
読み出し層の磁化方向は、第１図（ａ）では、外部磁場
方向を向くことになり、第１図（ｂ）では、読み出し層
の補償温度が室温以上に存在するために、外部磁場方向
と逆方向を向くことになる。次に、外部磁場３を印加し
た状態で、第２図り磁性媒体の温度Ｔを第１図中のＴ
ＣＲ＜ Ｔ ＜ Ｔ Ｂなる温度領域Ａまで昇温し冷却
する場合を考える。外部磁場３は、室温での書き込み層
の保磁力Ｈｃｗ、よりも大きいために、室温での書き込
み層の磁化は外部磁場方向を常に向くことになる。磁性
媒体をＴ。。＜ Ｔ ＜ Ｔ Ｂなる温度領域Ａまで昇
温し、媒体温度を読み出し層のキュリー温度ＴＣＲ直」
二まで冷却すると書き込み層の磁化方向は、外部磁場方
向を向いている。読み出し層、書き込み層として希土類
−遷移金属からなるフェリ磁性体である垂直磁化膜を用
いるとすると、書き込み層の補償温度はＴ。Ｒ以上にあ
るために、ＴＣＲ直上での書き込み層の磁化方向は、希
土類金属の磁化方向により決まる。さらに媒体の温度を
ＴＣＲより僅かに下げると、読み出し層の磁化か発生す
るか、読み出し層の補償温度はＴＣＲ以下に存在するた
めに、ここで発生する磁化方向は遷移金属の磁化方向に
より決まる。書き込み層の磁化方向か読み出し層に転写
される際、各層の希土類金属同士、及び遷移金属同士の
磁化がお互いに同じ方向にカップルするとすると、ＴＣ
Ｒ直下での読み出し層の磁化は、書き込み層の磁化と逆
方向を向くことになる。よって、媒体を室温まで冷却し
−た時の読み出し層の磁化方向は、第１図（ａ）の場合
には外部磁場と逆方向を向くことになり、第１図（ｂ）
の場合には、外部磁場方向を向くことになる。このよう
に、外部磁場中で磁性媒体に照射するレーザーパワーを
所望の記録パターンに応じて変化させることにより、単
一ビーム、単一静磁場による光磁気記録の重ね書きが可
能となる。
再生方法は、無磁場中で媒体温度ＴがＴ ＜ Ｔ ＣＲ
となる第２図中の読み出しレベル４のレーザー照射によ
り従来と同一方法により行うことができる。再生時には
外部磁場を必要としないが、再生時のレーザー照射によ
り読み出し層の温度が」二かり、読み出し層の温度がＴ
Ａ以上にならなければ外部磁場を印加したままで再生す
ることができる。
となる第２図中の読み出しレベル４のレーザー照射によ
り従来と同一方法により行うことができる。再生時には
外部磁場を必要としないが、再生時のレーザー照射によ
り読み出し層の温度が」二かり、読み出し層の温度がＴ
Ａ以上にならなければ外部磁場を印加したままで再生す
ることができる。
この方法では、従来の単一ビーム、単一磁場の光磁気記
録装置をそのまま利用することができ、＝９− 従来の２層膜を利用した重ね書き方法で必要とした先行
外部磁場を必要としないことを特徴としている。
録装置をそのまま利用することができ、＝９− 従来の２層膜を利用した重ね書き方法で必要とした先行
外部磁場を必要としないことを特徴としている。
（実施例）
第３図は、本発明を実施するための媒体構成図を示す。
第３図において７はポリカーボネイＩ−基板（ＰＣ）、
８は誘電体層、９は読み出し層、１０は書き込み層、１
１は保護膜層である。
８は誘電体層、９は読み出し層、１０は書き込み層、１
１は保護膜層である。
基板として用いたＰＣ基板７は、外径１．３０ｍｍφ、
内径１．５ｍｍφのグループ付き基板である。この基板
上に、誘電体層８、読み出し層９、書き込み層１０、保
護膜層１１をスパッター法により真空中で連続成膜を行
った。誘電体層８、保護膜層１１として膜厚８００人の
５ｊ３Ｎ４を用いた。
内径１．５ｍｍφのグループ付き基板である。この基板
上に、誘電体層８、読み出し層９、書き込み層１０、保
護膜層１１をスパッター法により真空中で連続成膜を行
った。誘電体層８、保護膜層１１として膜厚８００人の
５ｊ３Ｎ４を用いた。
読み出し層９、書き込み層１０としてそれぞれ■々膜厚
５００人Ｄ ｙ ０．２１ Ｆ ｅ ｏ、ｙ９Ｍ、（Ｇ
ｄｏ、５Ｔｂｏ−５＞ ０．２７ （Ｆ ｅ、）、ｇ５
Ｃｏｏ、Ｉｉ ） ｏ、７３膜を用いた。第４図に、読
み出し層の保磁力の温度特性１２と書き込み層の保磁力
の温度特性１３とを示す。読み出し層９、書き込み層１
０のキュリー温度はそれぞれ２１０°Ｃ１１２０°Ｃで
あり、書き込み層の補償温度は、１．８０’Ｃとなって
いる。
５００人Ｄ ｙ ０．２１ Ｆ ｅ ｏ、ｙ９Ｍ、（Ｇ
ｄｏ、５Ｔｂｏ−５＞ ０．２７ （Ｆ ｅ、）、ｇ５
Ｃｏｏ、Ｉｉ ） ｏ、７３膜を用いた。第４図に、読
み出し層の保磁力の温度特性１２と書き込み層の保磁力
の温度特性１３とを示す。読み出し層９、書き込み層１
０のキュリー温度はそれぞれ２１０°Ｃ１１２０°Ｃで
あり、書き込み層の補償温度は、１．８０’Ｃとなって
いる。
この記録媒体に垂直に２ＫＯｅの外部磁場を印加し、線
速１０ ｍ ／ ｓでオーバーライド特性の測定をおこ
なった。はじめに、第２図中の書き込みパワーレベル５
が４．．５ｍＷ、書き込み時のレーザー照射レベル６が
５．２ｍＷ、読み出し時のレーサー照射レベル４が１ｍ
Ｗの条件で、ＩＭＨｚの信号を記録・再生を行ったとこ
ろＣ／Ｎ比４８ｄＢが得られた。さらにこの上に、同一
条件により２ＭＨｚの信号を重ね書きしたところＣ／Ｎ
比４７ｄＢが得られた。
速１０ ｍ ／ ｓでオーバーライド特性の測定をおこ
なった。はじめに、第２図中の書き込みパワーレベル５
が４．．５ｍＷ、書き込み時のレーザー照射レベル６が
５．２ｍＷ、読み出し時のレーサー照射レベル４が１ｍ
Ｗの条件で、ＩＭＨｚの信号を記録・再生を行ったとこ
ろＣ／Ｎ比４８ｄＢが得られた。さらにこの上に、同一
条件により２ＭＨｚの信号を重ね書きしたところＣ／Ｎ
比４７ｄＢが得られた。
このように、本発明による光磁気記録の記録方式により
、単一ビーム、単一磁場の従来の光磁気記録装置を用い
て良好なオーバーライド特性を得ることができた。
、単一ビーム、単一磁場の従来の光磁気記録装置を用い
て良好なオーバーライド特性を得ることができた。
（発明の効果）
本発明によれば、従来の単一ビーム、単一静磁場の光磁
気記録装置によりレーザー照射強度の変調のみにより光
磁気記録媒体への重ね書きか可能となる。
気記録装置によりレーザー照射強度の変調のみにより光
磁気記録媒体への重ね書きか可能となる。
第１図は、本発明を実施するために用いる媒体の保磁力
の温度特性を示す図、第２図は本発明を実施するための
レーザパワーの変調法の説明図、第３図は、実施例に用
いた媒体の媒体構成図、第４図は、実施例に用いた読み
出し層、書き込み層の保磁力の温度特性を示す図 １．１” ・・読み出し層に要求される保磁力の温度特
性、２・・書き込み層に要求される保磁力の温度特性、
３・・・外部磁場レベル、４・・・読み出し時のレーザ
ー照射レベル、５・・・書き込み時のレーザー照射レベ
ル、６・・・書き込み時のレーザー照射レベル、７・・
・基板、８・・・誘電体層、９・・読み出し層、１０・
・・書き込み層、１１−・・保護膜層、１２・・・読み
出し層の保磁力の温度特性、１３・・・書き込み層の保
磁力の温度特性
の温度特性を示す図、第２図は本発明を実施するための
レーザパワーの変調法の説明図、第３図は、実施例に用
いた媒体の媒体構成図、第４図は、実施例に用いた読み
出し層、書き込み層の保磁力の温度特性を示す図 １．１” ・・読み出し層に要求される保磁力の温度特
性、２・・書き込み層に要求される保磁力の温度特性、
３・・・外部磁場レベル、４・・・読み出し時のレーザ
ー照射レベル、５・・・書き込み時のレーザー照射レベ
ル、６・・・書き込み時のレーザー照射レベル、７・・
・基板、８・・・誘電体層、９・・読み出し層、１０・
・・書き込み層、１１−・・保護膜層、１２・・・読み
出し層の保磁力の温度特性、１３・・・書き込み層の保
磁力の温度特性
Claims (1)
- 光磁気記録媒体の記録層として垂直磁化膜からなる読み
出し層と垂直磁化膜であるフェリ磁性体からなる書き込
み層とが積層された２層膜を有し、室温をＴ＿ｒ、読み
出し層、書き込み層の室温での保磁力をそれぞれＨ＿Ｃ
＿Ｒ、Ｈ＿Ｃ＿Ｗ、読み出し層のキュリー温度をＴ＿Ｃ
＿Ｒ、書き込み層のキュリー温度をＴ＿Ｃ＿Ｗ、書き込
み層の補償温度をＴ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿ｗとしたと
きに、Ｈ＿Ｃ＿Ｗ＜Ｈ＿Ｃ＿Ｒ、でありかつＴ＿ｒ＜Ｔ
＿Ｃ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿ｗ＜Ｔ＿Ｃ＿Ｗな
る関係を満足し、媒体温度ＴをＴ＿Ｃ＿Ｒ＜Ｔまで昇温
した後Ｔ＿Ｃ＿Ｒ直下まで冷却した時に、書き込み層の
磁化方向と逆方向に読み出し層に磁化が転写される光磁
気記録媒体において、Ｈ＿Ｃ＿Ｗ＜Ｈ＿ｅ＿ｘ＿ｔ＿．
＜Ｈ＿Ｃ＿Ｒとなるように記録媒体に垂直方向に外部磁
場を印加し、外部磁場の大きさと読み出し層の保磁力と
が等しくなる温度をＴ＿Ａ、書き込み層の補償温度Ｔ＿
ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿ｗよりも高温側で外部磁場の大き
さと書き込み層の保磁力とが等しくなる温度をＴ＿Ｂと
したときに、レーザー照射により記録媒体を昇温し媒体
温度ＴをＴ＿Ａ＜Ｔ＜Ｔ＿Ｃ＿Ｒなる関係を満足するよ
うに昇温してから冷却する場合とＴ＿Ｃ＿Ｒ＜Ｔ＜Ｔ＿
Ｂなる温度まで昇温してから冷却する場合とを含むこと
を特徴とする光磁気記録の記録方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286534A JPH01128245A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 光磁気記録の記録方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286534A JPH01128245A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 光磁気記録の記録方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128245A true JPH01128245A (ja) | 1989-05-19 |
Family
ID=17705652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62286534A Pending JPH01128245A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 光磁気記録の記録方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128245A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399227B1 (en) | 1992-12-01 | 2002-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| US10214624B2 (en) | 2014-12-11 | 2019-02-26 | Akzo Nobel Chemicals International B.V. | Apparatus and method for expanding thermally expandable thermoplastic microspheres to expanded thermoplastic microspheres |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155449A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | 光磁気記録方法 |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP62286534A patent/JPH01128245A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155449A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | 光磁気記録方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399227B1 (en) | 1992-12-01 | 2002-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| US6521357B1 (en) | 1992-12-01 | 2003-02-18 | Matsushita Electric Industrial Co,. Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| US6811889B2 (en) | 1992-12-01 | 2004-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium having a GDFECO readout magnetic film |
| US10214624B2 (en) | 2014-12-11 | 2019-02-26 | Akzo Nobel Chemicals International B.V. | Apparatus and method for expanding thermally expandable thermoplastic microspheres to expanded thermoplastic microspheres |
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