JPH01143041A - 光磁気記録媒体の信号再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の信号再生方法Info
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- JPH01143041A JPH01143041A JP62301922A JP30192287A JPH01143041A JP H01143041 A JPH01143041 A JP H01143041A JP 62301922 A JP62301922 A JP 62301922A JP 30192287 A JP30192287 A JP 30192287A JP H01143041 A JPH01143041 A JP H01143041A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気相互作用によって情報ビット（磁区）
の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法に係わ
る。
の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法に係わ
る。
本発明は、基板上に主として信号再生に寄与する第１の
磁性膜と、中間膜となる第２の磁性膜と、記録保持に寄
与する第３の磁性膜との積層構造を有し、各磁性膜のキ
ュリー温度および保磁力の関係が特定された光磁気記録
媒体を用い、再生時に反磁場等と必要に応じて与えられ
る外部印加磁場による磁場によって第１の磁性膜の記録
磁区を拡大させてＳ／Ｎの向上をはかる。
磁性膜と、中間膜となる第２の磁性膜と、記録保持に寄
与する第３の磁性膜との積層構造を有し、各磁性膜のキ
ュリー温度および保磁力の関係が特定された光磁気記録
媒体を用い、再生時に反磁場等と必要に応じて与えられ
る外部印加磁場による磁場によって第１の磁性膜の記録
磁区を拡大させてＳ／Ｎの向上をはかる。
レーザ光照射による局部的加熱によって情報ビットすな
わちバブル磁区を形成し、これを光磁気相互作用によっ
て読み出す光磁気記録再生方法をとる場合、その光磁気
記録の記録密度を上げるには、そのビット長の短縮化即
ち情報磁区の微小化をはかることになるが、この場合通
常一般の光磁気記録再生方式では、その再生時のＳ／Ｎ
を確保する上で再生時のレーザー波長、レンズの開口数
等によって制約を受けている。例えば現状では、０．２
μｍの情報ビット （磁区）を、スポット径が１μｍの
レーザー光で読み出すことは不可能である。
わちバブル磁区を形成し、これを光磁気相互作用によっ
て読み出す光磁気記録再生方法をとる場合、その光磁気
記録の記録密度を上げるには、そのビット長の短縮化即
ち情報磁区の微小化をはかることになるが、この場合通
常一般の光磁気記録再生方式では、その再生時のＳ／Ｎ
を確保する上で再生時のレーザー波長、レンズの開口数
等によって制約を受けている。例えば現状では、０．２
μｍの情報ビット （磁区）を、スポット径が１μｍの
レーザー光で読み出すことは不可能である。
本発明は上述した再生時の条件から規定される記録密度
の制約の問題点を解決し、記録情報ビットの微小化をは
かった場合においても充分な再生出力従ってＳ／Ｎ （
Ｃ／Ｎ）を向上する。
の制約の問題点を解決し、記録情報ビットの微小化をは
かった場合においても充分な再生出力従ってＳ／Ｎ （
Ｃ／Ｎ）を向上する。
本発明は第１図に示すように光透過性基体（１）上に必
要に応じて同様に光透過性の保護膜ないしは干渉膜とし
ての誘電体膜（２）を被着形成し、この誘電体膜（２）
上に室ｑＴＲｒで互に磁気的に結合する第１の磁性膜（
１１）と、第２の磁性膜（１２）と、第３の磁性膜（１
３）の各垂直磁化膜を形成し、第１゜第２および第３の
各磁性膜（１１） 、 （１２）および（１３）の各キ
ュリー温度をＴＣｌ、 ＴＣ３およびＴＣ３とするとき
、Ｔ Ｃ２＞ Ｔ ＲＴで、かつＴＣ３ ＜ ＴＣＩ、
ＴＣ３とされ、第１の磁性膜（１１）の保磁力Ｈｃ１
が第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で充分
小さく、第３の磁性膜（１３）の保磁力ＨＣ３が室温Ｔ
ＲＴから第２の磁性膜（１２）のキュリー温度ＴＣ２よ
り高い所要の温度Ｔｐｓまでの温度範囲で所要の磁場よ
りも充分大きい光磁気記録媒体Ｓを用いる。
要に応じて同様に光透過性の保護膜ないしは干渉膜とし
ての誘電体膜（２）を被着形成し、この誘電体膜（２）
上に室ｑＴＲｒで互に磁気的に結合する第１の磁性膜（
１１）と、第２の磁性膜（１２）と、第３の磁性膜（１
３）の各垂直磁化膜を形成し、第１゜第２および第３の
各磁性膜（１１） 、 （１２）および（１３）の各キ
ュリー温度をＴＣｌ、 ＴＣ３およびＴＣ３とするとき
、Ｔ Ｃ２＞ Ｔ ＲＴで、かつＴＣ３ ＜ ＴＣＩ、
ＴＣ３とされ、第１の磁性膜（１１）の保磁力Ｈｃ１
が第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で充分
小さく、第３の磁性膜（１３）の保磁力ＨＣ３が室温Ｔ
ＲＴから第２の磁性膜（１２）のキュリー温度ＴＣ２よ
り高い所要の温度Ｔｐｓまでの温度範囲で所要の磁場よ
りも充分大きい光磁気記録媒体Ｓを用いる。
そして、その再生に当って第２の磁性膜（１２）のキュ
リー温度ＴＣ２以上の上述の所要温度Ｔｐｓで第１の磁
性膜（１１）の記録磁区すなわち情報ビットを、これに
加わる反磁場と、更に必要に応じて与える外部印加磁場
によって拡大させこの状態で読み出す。
リー温度ＴＣ２以上の上述の所要温度Ｔｐｓで第１の磁
性膜（１１）の記録磁区すなわち情報ビットを、これに
加わる反磁場と、更に必要に応じて与える外部印加磁場
によって拡大させこの状態で読み出す。
また第３の磁性膜（１３）上には必要に応じて表面保護
膜（４）を被着形成する。
膜（４）を被着形成する。
上述の光磁気記録媒体Ｓに対する記録即ち情報磁区の形
成は、通常のように、例えば初期状態における第１〜第
３の磁性膜（１１）〜（１３）の垂直磁化方向と逆向き
のバイアス磁界を印加した状態でレーザー光をフォーカ
シングさせて照射し、これによって第１〜第３の磁性膜
（１１）〜（１３）を、そのキュリー温度以上に加熱し
、かつレーザー光走査が去った後の冷却時に外部磁場お
よび浮遊磁場による方向に反転されたバブル磁区の形成
によって例えば“１”の情報の記録を行う。つまり、こ
の情報バブル磁区の有無によって“１”、“０”の２値
の情報の記録を行う。
成は、通常のように、例えば初期状態における第１〜第
３の磁性膜（１１）〜（１３）の垂直磁化方向と逆向き
のバイアス磁界を印加した状態でレーザー光をフォーカ
シングさせて照射し、これによって第１〜第３の磁性膜
（１１）〜（１３）を、そのキュリー温度以上に加熱し
、かつレーザー光走査が去った後の冷却時に外部磁場お
よび浮遊磁場による方向に反転されたバブル磁区の形成
によって例えば“１”の情報の記録を行う。つまり、こ
の情報バブル磁区の有無によって“１”、“０”の２値
の情報の記録を行う。
そして、特に本発明においては、このような情報の記録
がなされた光磁気記録媒体Ｓからの情報の読み出し、即
ち、その再生にあたって例えばレーザー光照射によって
その磁区の有無による光磁気相互作用によるカー回転角
ないしはファラデー回転角によってその記録の読み出し
を行うに当ってその読み山部の温度を所要の温度ＴＩＩ
Ｂに、つまり、第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ
２を超える温度としたことによって、第１および第３の
磁性膜（１１）および（１３）間の磁気的結合が切断さ
れる。したがってこの状態で、第１の磁性膜（１１）は
、第３の磁性膜（１３）による磁気的制約を受けること
なく、この記録情報磁区は、これに与えられる反磁場と
、更にこのとき必要に応じて与えられる外部印加磁場等
の和による所要の磁場によって、更にこの第１の磁性膜
（１１）がこの温度ＴＰＢで保磁力が低下していること
によって拡大する。
がなされた光磁気記録媒体Ｓからの情報の読み出し、即
ち、その再生にあたって例えばレーザー光照射によって
その磁区の有無による光磁気相互作用によるカー回転角
ないしはファラデー回転角によってその記録の読み出し
を行うに当ってその読み山部の温度を所要の温度ＴＩＩ
Ｂに、つまり、第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ
２を超える温度としたことによって、第１および第３の
磁性膜（１１）および（１３）間の磁気的結合が切断さ
れる。したがってこの状態で、第１の磁性膜（１１）は
、第３の磁性膜（１３）による磁気的制約を受けること
なく、この記録情報磁区は、これに与えられる反磁場と
、更にこのとき必要に応じて与えられる外部印加磁場等
の和による所要の磁場によって、更にこの第１の磁性膜
（１１）がこの温度ＴＰＢで保磁力が低下していること
によって拡大する。
したがってこの第１の磁性膜（１１）として、カー回転
角ないしはファラデー回転角が大きい磁性膜を用いれば
、主としてこの第１の磁性膜（１１）における記録情報
により、この情報磁区の実質的面積の増大によって、大
なる再生出力をとり出すことができ、Ｓ／Ｎ （Ｃ／Ｎ
）の向上がはかられる。
角ないしはファラデー回転角が大きい磁性膜を用いれば
、主としてこの第１の磁性膜（１１）における記録情報
により、この情報磁区の実質的面積の増大によって、大
なる再生出力をとり出すことができ、Ｓ／Ｎ （Ｃ／Ｎ
）の向上がはかられる。
そして、この情報磁区が拡大された状態、つまり実質的
にその読み出し磁区面積が増大した状態で再生を行うの
でその再生出力が増大し、これによってＳ／Ｎの向上が
はかられる。
にその読み出し磁区面積が増大した状態で再生を行うの
でその再生出力が増大し、これによってＳ／Ｎの向上が
はかられる。
そしてその再生後即ちレーザー光の走査によりその照射
部が移動した後、読み出し部が冷却されれば、第１〜第
３の磁性膜（１１）〜（１３）が例えば室温ＴＲＴに低
下冷却する過程で、高保磁力の第３の磁性膜（１３）が
磁気記録保持膜として作用し、これによる磁化によって
第２の磁性膜（１２）がその磁気的結合によって同一方
向に磁化され、更にこの第２の磁性膜（１２）の磁化に
よってこれと磁気的に結合する第１の磁性膜（１１）が
磁化され、初期の記録状態の情報ビット磁区を再び形成
し記録状態に復元される。
部が移動した後、読み出し部が冷却されれば、第１〜第
３の磁性膜（１１）〜（１３）が例えば室温ＴＲＴに低
下冷却する過程で、高保磁力の第３の磁性膜（１３）が
磁気記録保持膜として作用し、これによる磁化によって
第２の磁性膜（１２）がその磁気的結合によって同一方
向に磁化され、更にこの第２の磁性膜（１２）の磁化に
よってこれと磁気的に結合する第１の磁性膜（１１）が
磁化され、初期の記録状態の情報ビット磁区を再び形成
し記録状態に復元される。
上述したように本発明によれば、その光磁気記録媒体Ｓ
の中間層としての第２の磁性膜（１２）が、第１および
第３の磁性膜（１１）および（１３）間の磁気的結合状
態および断絶状態の両態様を採ることによって、再生時
においては、この中間層の第２の磁性膜（１２）が、第
１および第３の磁性膜（１１）および（１３）間の磁気
的結合を分離して第１の磁性膜（１１）の記録情報磁区
の拡大を可能にするものであり、第３の磁性膜（１３）
はその磁化状態を保持する磁気記録保持層としての機能
を保持し、第１の磁性膜（１１）は再生時にその磁区を
拡大して再生出力を向上する再生層としての機能を有す
るようにしたので記録密度を向上させてビット情報とし
ての磁区を微細化しても充分な再生出力を得ることがで
き、より記録の高密度化をはかることができる。
の中間層としての第２の磁性膜（１２）が、第１および
第３の磁性膜（１１）および（１３）間の磁気的結合状
態および断絶状態の両態様を採ることによって、再生時
においては、この中間層の第２の磁性膜（１２）が、第
１および第３の磁性膜（１１）および（１３）間の磁気
的結合を分離して第１の磁性膜（１１）の記録情報磁区
の拡大を可能にするものであり、第３の磁性膜（１３）
はその磁化状態を保持する磁気記録保持層としての機能
を保持し、第１の磁性膜（１１）は再生時にその磁区を
拡大して再生出力を向上する再生層としての機能を有す
るようにしたので記録密度を向上させてビット情報とし
ての磁区を微細化しても充分な再生出力を得ることがで
き、より記録の高密度化をはかることができる。
更に第２図を参照して第１〜第３の磁性膜（１１）〜（
１３）がそれぞれフェロ磁性膜である場合の磁化状態を
説明する。令弟２図Ａに示すように各磁性膜（１１）〜
（１３）が未記録状態においてその磁化の向きが一方向
の垂直磁化状態にある場合を想定すると、これに今情報
“１”の記録がなされることによって第２図Ｂに示すよ
うに初期の状態とは逆向きの磁化による情報ビット即ち
情報磁区ＢＭが形成される。
１３）がそれぞれフェロ磁性膜である場合の磁化状態を
説明する。令弟２図Ａに示すように各磁性膜（１１）〜
（１３）が未記録状態においてその磁化の向きが一方向
の垂直磁化状態にある場合を想定すると、これに今情報
“１”の記録がなされることによって第２図Ｂに示すよ
うに初期の状態とは逆向きの磁化による情報ビット即ち
情報磁区ＢＭが形成される。
この情報磁区ＢＭに対する読み出しについて説明すると
、この場合前述したように第２図Ｃに示すようにその情
報磁区ＢＭに対してレーザー光ＬＢを照射した状態にお
いて、その例えば中心部において前述した所要の温度Ｔ
ＰＢが得られるようにする。このとき、第２の磁性膜（
１２）は、そのキュリー温度ＴＣ２以上とされることに
よってその磁性が失われ第１および第３の磁性膜（１１
）及び（１３）間の磁気的結合が遮断された状態にある
。この状態で、記録時の外部バイアス磁場の方向、つま
り磁区ＢＭの本来の磁化方向、つまり記録時での磁化の
方向と同方向の外部印加磁場Ｈｅｘを与えることによっ
てこの磁場と反磁場との和によって、この温度Ｔｐ８で
保磁力ＨＣ１が小さい状態にある第１の磁性膜（１１）
の磁区ＢＭは拡大される。
、この場合前述したように第２図Ｃに示すようにその情
報磁区ＢＭに対してレーザー光ＬＢを照射した状態にお
いて、その例えば中心部において前述した所要の温度Ｔ
ＰＢが得られるようにする。このとき、第２の磁性膜（
１２）は、そのキュリー温度ＴＣ２以上とされることに
よってその磁性が失われ第１および第３の磁性膜（１１
）及び（１３）間の磁気的結合が遮断された状態にある
。この状態で、記録時の外部バイアス磁場の方向、つま
り磁区ＢＭの本来の磁化方向、つまり記録時での磁化の
方向と同方向の外部印加磁場Ｈｅｘを与えることによっ
てこの磁場と反磁場との和によって、この温度Ｔｐ８で
保磁力ＨＣ１が小さい状態にある第１の磁性膜（１１）
の磁区ＢＭは拡大される。
なお、第２図りに示すように、レーザー光Ｌｓの照射が
情報磁区８Ｍ外に照射された状態では、情報磁区におけ
る温度上昇は、比較的小さいことから、この情報ビット
即ち磁区ＢＭの拡大は殆んど生じない。つまり読み出し
状態におけるレーザー光走査の中心部にある磁区ＬＢの
中心に存在する情報記録磁区ＢＭにおいてのみ磁区の拡
大が生じさせることができる。
情報磁区８Ｍ外に照射された状態では、情報磁区におけ
る温度上昇は、比較的小さいことから、この情報ビット
即ち磁区ＢＭの拡大は殆んど生じない。つまり読み出し
状態におけるレーザー光走査の中心部にある磁区ＬＢの
中心に存在する情報記録磁区ＢＭにおいてのみ磁区の拡
大が生じさせることができる。
したがってこの場合例えば第３図Ａに示すように、情報
記録磁区ＢＭが等ピッチに配列された磁気記録媒体に対
してレーザー光走査を行う場合、その出力は第３図Ｂに
示すように磁区ＢＭが消失された理想的消磁レベルを０
レベルとする場合、情報磁区ＢＭの読み出しによって一
方向図において上方に大きなレベルを示す波形出力とし
て取り出すことができることになる。
記録磁区ＢＭが等ピッチに配列された磁気記録媒体に対
してレーザー光走査を行う場合、その出力は第３図Ｂに
示すように磁区ＢＭが消失された理想的消磁レベルを０
レベルとする場合、情報磁区ＢＭの読み出しによって一
方向図において上方に大きなレベルを示す波形出力とし
て取り出すことができることになる。
なお、実際上、第１〜第３の磁性膜（１１）〜（１３）
が希土類−遷移金属磁性膜であってその遷移全屈の副格
子磁化と希土類金属の副格子磁化が互に逆向きのフェリ
磁性を有する場合、各磁性膜が遷移金属副格子磁化優勢
膜であるか、希土類副格子磁化優勢膜であるかによって
再生時に与える外部印加磁場ＨｅｘＯ向きを選定する必
要がある。
が希土類−遷移金属磁性膜であってその遷移全屈の副格
子磁化と希土類金属の副格子磁化が互に逆向きのフェリ
磁性を有する場合、各磁性膜が遷移金属副格子磁化優勢
膜であるか、希土類副格子磁化優勢膜であるかによって
再生時に与える外部印加磁場ＨｅｘＯ向きを選定する必
要がある。
これについて説明するに、今この場合において再生時の
外部印加磁場方向Ｈｅｘ方向を記録時の外部バイアス磁
場方向を基準として考え、この場合記録の方向を支配す
る第３の磁性膜（１３）のキュリー点ＴＣ３直下での飽
和磁化が遷移金属副格子磁化優勢膜であるか希土類副格
子磁化優勢膜であるかについて分離して考察する。ここ
で第１の磁性膜（１１）における情報磁区ＢＭに加わる
浮遊磁場および反磁場については除外して考える。
外部印加磁場方向Ｈｅｘ方向を記録時の外部バイアス磁
場方向を基準として考え、この場合記録の方向を支配す
る第３の磁性膜（１３）のキュリー点ＴＣ３直下での飽
和磁化が遷移金属副格子磁化優勢膜であるか希土類副格
子磁化優勢膜であるかについて分離して考察する。ここ
で第１の磁性膜（１１）における情報磁区ＢＭに加わる
浮遊磁場および反磁場については除外して考える。
〔１〕第３の磁性膜（１３）の磁化がキュリー点ＴＣＩ
直下で遷移金属副格子磁化優勢膜である場合、 （１−ａ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近
傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が遷移金属副格子優勢
である場合は、その再生時の外部磁場方向は記録時の外
部磁場方向と同一方向に与えることによって情報記録磁
区ＢＭの増大化をはかることができる。
直下で遷移金属副格子磁化優勢膜である場合、 （１−ａ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近
傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が遷移金属副格子優勢
である場合は、その再生時の外部磁場方向は記録時の外
部磁場方向と同一方向に与えることによって情報記録磁
区ＢＭの増大化をはかることができる。
（１−ｂ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近
傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が零に近い場合は、そ
の再生時の温度を第２の磁性膜（１２）のキュリー点Ｔ
Ｃ２近傍より更に上昇させて第１の磁性膜（１１）の磁
化が遷移金属副格子優勢になる状態において再生して、
この場合記録時と同一の方向の外部印加磁場Ｈｅｘ下で
バブル磁区ＢＭの増大化をはかることができる（１−ｃ
）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で第１
の磁性膜（１１）の磁化が希土類副格子優勢の場合、再
生時の外部印加磁場Ｈｅｘは記録時のそれとは逆方向に
設定することによって磁区ＢＭの拡大をはかることがで
きる。
傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が零に近い場合は、そ
の再生時の温度を第２の磁性膜（１２）のキュリー点Ｔ
Ｃ２近傍より更に上昇させて第１の磁性膜（１１）の磁
化が遷移金属副格子優勢になる状態において再生して、
この場合記録時と同一の方向の外部印加磁場Ｈｅｘ下で
バブル磁区ＢＭの増大化をはかることができる（１−ｃ
）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で第１
の磁性膜（１１）の磁化が希土類副格子優勢の場合、再
生時の外部印加磁場Ｈｅｘは記録時のそれとは逆方向に
設定することによって磁区ＢＭの拡大をはかることがで
きる。
〔２〕第３の磁性膜（工３）の磁化がそのキュリー点Ｔ
Ｃ３直下で希土類副格子優勢である場合、（２−ａ）第
２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で第１の磁
性膜（１１）の磁化が遷移金属副格子優勢の場合、再生
時の外部印加磁場Ｈｅｘは、記録時のそれとは逆方向に
選定することによってバブル磁区ＢＭの拡大をはかるこ
とができる。
Ｃ３直下で希土類副格子優勢である場合、（２−ａ）第
２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で第１の磁
性膜（１１）の磁化が遷移金属副格子優勢の場合、再生
時の外部印加磁場Ｈｅｘは、記録時のそれとは逆方向に
選定することによってバブル磁区ＢＭの拡大をはかるこ
とができる。
（２−ｂ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近
傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が零に近い場合は、再
生時の温度Ｔｐｓを第２の磁性膜（１２）のキュリー点
ＴＣ２近傍より更に上昇させて第１の磁性膜（１１）の
磁化が遷移金属副格子優勢になる状態にしてその外部印
加磁場Ｈｅｘを゛記録時のそれとは逆方向にすることに
よって磁区ＢＨの拡大をはかることができる。
傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が零に近い場合は、再
生時の温度Ｔｐｓを第２の磁性膜（１２）のキュリー点
ＴＣ２近傍より更に上昇させて第１の磁性膜（１１）の
磁化が遷移金属副格子優勢になる状態にしてその外部印
加磁場Ｈｅｘを゛記録時のそれとは逆方向にすることに
よって磁区ＢＨの拡大をはかることができる。
（２−ｃ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近
傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が希土類副格子優勢の
場合、再生時の外部バイアス磁場Ｈｅｘは記録時のそれ
と同一方向とすることによってバブル磁区ＢＭの拡大を
はかることができる。
傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が希土類副格子優勢の
場合、再生時の外部バイアス磁場Ｈｅｘは記録時のそれ
と同一方向とすることによってバブル磁区ＢＭの拡大を
はかることができる。
基体（１）は、光透過性の例えばガラス板、或いは例え
ばアクリル板等の樹脂板等よりなり、図示しないが一方
の面にトラッキングサーボ用のトランク溝が例えば１．
６μｍピッチをもって形成され、これの上に例えば５ｉ
Ｊ４膜よりなる誘電体膜（２）と、さらに第１〜第３の
磁性膜（１１）〜（１３）と、さらにそれの上に保護膜
（４）とが例えばマグネトロンスパッタ装置による連続
スパッタリングあるいは蒸着等によって連続的に被着形
成される。
ばアクリル板等の樹脂板等よりなり、図示しないが一方
の面にトラッキングサーボ用のトランク溝が例えば１．
６μｍピッチをもって形成され、これの上に例えば５ｉ
Ｊ４膜よりなる誘電体膜（２）と、さらに第１〜第３の
磁性膜（１１）〜（１３）と、さらにそれの上に保護膜
（４）とが例えばマグネトロンスパッタ装置による連続
スパッタリングあるいは蒸着等によって連続的に被着形
成される。
第１の磁性膜（１１）としては、例えばＧｄＣｏ、 Ｇ
ｄＦｅＣｏ。
ｄＦｅＣｏ。
ＧｄＦｅによって構成し得、第２の磁性膜 （１２）は
、例えばＤｙＦｅ、 ＤｙＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅによっ
て構成し得、第３の磁性膜（１３）は、ＴｂＦｅ、 Ｔ
ｂＦｅＣｏ、 ＤｙＦｅＣｏ等によって形成し得、これ
ら第３の磁性膜（１３）によれば０．１μｍ以下の直径
の磁区ＢＭを形成することができる。
、例えばＤｙＦｅ、 ＤｙＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅによっ
て構成し得、第３の磁性膜（１３）は、ＴｂＦｅ、 Ｔ
ｂＦｅＣｏ、 ＤｙＦｅＣｏ等によって形成し得、これ
ら第３の磁性膜（１３）によれば０．１μｍ以下の直径
の磁区ＢＭを形成することができる。
実施例１
トラックピッチ１．６μｍのトランク溝を有するガラス
基板上に５ｉＪ４より成る誘電体膜（２）と、ＧｄＦｅ
Ｃｏ膜より成る第１の磁性膜（１１）と、ＤｙＦｅＣ。
基板上に５ｉＪ４より成る誘電体膜（２）と、ＧｄＦｅ
Ｃｏ膜より成る第１の磁性膜（１１）と、ＤｙＦｅＣ。
膜より成る第２の磁性膜（１２）と、ＤｙＦｅＣｏ膜よ
り成る第３の磁性膜（１３）と、５ｉＪ４膜より成る保
護Ｍｌ （４）とを順次マグネトロンスパッタ装置によ
って連続スパッタリングによって被着形成して、光磁気
記録媒体即ち光ディスクＳを作製した。この場合の各磁
性膜（１１）〜（１３）の各単層膜としての厚さおよび
磁気特性を表１に示す。
り成る第３の磁性膜（１３）と、５ｉＪ４膜より成る保
護Ｍｌ （４）とを順次マグネトロンスパッタ装置によ
って連続スパッタリングによって被着形成して、光磁気
記録媒体即ち光ディスクＳを作製した。この場合の各磁
性膜（１１）〜（１３）の各単層膜としての厚さおよび
磁気特性を表１に示す。
表１
上記表１においてＦｅＣｏリッチとは室温でＦｅＣｏ副
格子磁化優勢膜を示すものであり、Ｄｙリンチとは室温
でｏｙ副格子磁化優勢膜を示す。
格子磁化優勢膜を示すものであり、Ｄｙリンチとは室温
でｏｙ副格子磁化優勢膜を示す。
この実施例１による光磁気記録媒体Ｓのキャリアレベル
対ノイズレベル（Ｃ／Ｎ）の記ｉｔ 周波数依存性の測
定結果を第４図に示す。第４図中実線曲線は、対物レン
ズの開口数Ｎ、 Ａ、 ＝０．５０． レーザ波長７
８０ｎｍのピックアップを用いてその線速度を７．５ｍ
／ｓｅｃ、記録パワー７．０ｍＷ、記録外部磁場５００
（Ｏｅ）とし、再生時外部印加磁場を零、再生パワー３
．５１としたものであり、第４図中点線図示は、その再
生パワーを１．５ｍ−とした場合である。このように再
生パワーを１．５ｍ−とした場合は、その磁性膜全体を
ＴｂＦｅＣｏの単層膜によって構成した場合の光ディス
クにおけるＣ／Ｎの周波数依存性と同等の結果を示した
。これはこの程度の再生パワーでは、第２の磁性膜（１
２）のキュリー点ＴＣ２まで加熱温度が達しておらず記
録された磁区は再生時において変形していないものと考
えられる。これに比し再生パワーが３．５１の場合、再
生パワーが１．５１の場合に比して磁区長即ちビット長
ｌく０．７μｍでＣ／Ｎは著しく増加した。またｌ−０
，３μｍでもＣ／Ｎは低いものの信号成分は得られた。
対ノイズレベル（Ｃ／Ｎ）の記ｉｔ 周波数依存性の測
定結果を第４図に示す。第４図中実線曲線は、対物レン
ズの開口数Ｎ、 Ａ、 ＝０．５０． レーザ波長７
８０ｎｍのピックアップを用いてその線速度を７．５ｍ
／ｓｅｃ、記録パワー７．０ｍＷ、記録外部磁場５００
（Ｏｅ）とし、再生時外部印加磁場を零、再生パワー３
．５１としたものであり、第４図中点線図示は、その再
生パワーを１．５ｍ−とした場合である。このように再
生パワーを１．５ｍ−とした場合は、その磁性膜全体を
ＴｂＦｅＣｏの単層膜によって構成した場合の光ディス
クにおけるＣ／Ｎの周波数依存性と同等の結果を示した
。これはこの程度の再生パワーでは、第２の磁性膜（１
２）のキュリー点ＴＣ２まで加熱温度が達しておらず記
録された磁区は再生時において変形していないものと考
えられる。これに比し再生パワーが３．５１の場合、再
生パワーが１．５１の場合に比して磁区長即ちビット長
ｌく０．７μｍでＣ／Ｎは著しく増加した。またｌ−０
，３μｍでもＣ／Ｎは低いものの信号成分は得られた。
またＡ’＞Ｑ、７μｍでは逆にＣ／Ｎは減少しているが
、これはノイズＮの増加によるものである。また再生パ
ワー３．５ｍ−で再生した場所を再び再生した場合、再
生パワー１．５ｎ＋Ｗ、３．５ｍＷの何れでもＣ／Ｎは
再現されていることが確かめられた。
、これはノイズＮの増加によるものである。また再生パ
ワー３．５ｍ−で再生した場所を再び再生した場合、再
生パワー１．５ｎ＋Ｗ、３．５ｍＷの何れでもＣ／Ｎは
再現されていることが確かめられた。
また、上述の実施例１において再生時のレーザー光のパ
ワーを一定とした場合、媒体Ｓ中の熱拡散のために、温
度プロファイルが広がり、微小情報ビット（磁区）の再
生分解能が低下するが、この温度プロファイルを急峻に
するためには例えば最小ビット長に対応する周波数の間
隔で幅の狭いパルスレーザ−光で再生を行えば良いこと
になる。
ワーを一定とした場合、媒体Ｓ中の熱拡散のために、温
度プロファイルが広がり、微小情報ビット（磁区）の再
生分解能が低下するが、この温度プロファイルを急峻に
するためには例えば最小ビット長に対応する周波数の間
隔で幅の狭いパルスレーザ−光で再生を行えば良いこと
になる。
更に、磁性膜に吸収された熱エネルギーが速やかに放熱
されるように熱伝導性の良い例えば＾ｌ放熱膜を第３の
磁性膜（１３）上（第２の磁性膜（１２）と接する側と
は反対側）に被着することができる。
されるように熱伝導性の良い例えば＾ｌ放熱膜を第３の
磁性膜（１３）上（第２の磁性膜（１２）と接する側と
は反対側）に被着することができる。
上述したように本発明によれば、磁性膜が第１〜第３の
磁性膜（１１）〜（１３）が積層された構造として常温
においては、即ち常態においては３者が磁気的に結合状
態を保持できるようにするも、再生時においての加熱に
おいて第２の磁性膜（１２）が第１および第３の磁性膜
（１１）及び（１３）の磁気的結合を分断させる効果を
得るようにして第１の磁性膜（１１）の情報磁区の拡大
をはかるようにしたことによって再生出力のＳ／Ｎ （
Ｃ／Ｎ）の向上をはかることができるにもかかわらず、
その第３の磁性膜（１３）に関しては記録状態が保持で
きるようにするので、再生終了後においては再び記録状
態に復元でき、くり返しの再生を害うことなく良好な再
生特性を得ることができる。
磁性膜（１１）〜（１３）が積層された構造として常温
においては、即ち常態においては３者が磁気的に結合状
態を保持できるようにするも、再生時においての加熱に
おいて第２の磁性膜（１２）が第１および第３の磁性膜
（１１）及び（１３）の磁気的結合を分断させる効果を
得るようにして第１の磁性膜（１１）の情報磁区の拡大
をはかるようにしたことによって再生出力のＳ／Ｎ （
Ｃ／Ｎ）の向上をはかることができるにもかかわらず、
その第３の磁性膜（１３）に関しては記録状態が保持で
きるようにするので、再生終了後においては再び記録状
態に復元でき、くり返しの再生を害うことなく良好な再
生特性を得ることができる。
そして、上述したように本発明によれば、充分な再生出
力を得ることができることからその記録情報磁区ＢＭは
充分縮小することができ、このこと自体で記録密度の向
上をはかることができると共に、更にその光磁気記録媒
体としては、その基板にトラック溝が形成された構成を
とる場合においても、情報磁区ＢＨの縮小化が充分はか
られることによって、通常のようにランド部にのみその
記録磁区の形成を行うに限られるものではなく、ランド
部とトランク溝内との双方に記録磁区の形成を行うこと
ができることによって、更に情報の記録密度を向上する
ことができる。
力を得ることができることからその記録情報磁区ＢＭは
充分縮小することができ、このこと自体で記録密度の向
上をはかることができると共に、更にその光磁気記録媒
体としては、その基板にトラック溝が形成された構成を
とる場合においても、情報磁区ＢＨの縮小化が充分はか
られることによって、通常のようにランド部にのみその
記録磁区の形成を行うに限られるものではなく、ランド
部とトランク溝内との双方に記録磁区の形成を行うこと
ができることによって、更に情報の記録密度を向上する
ことができる。
第１図は本発明゛方法に用いる光磁気記録媒体の路線的
構成図、第２図Ａ−Ｄは本発明方法の説明に供する磁化
状態を示す図、第３図は再生出力波形を磁化状態と共に
説明する図、第４図は記録周波数に対する再生特性曲線
図である。 （１）は基体、（１１）〜（１３）は第１〜第３の磁性
膜、Ｓは光磁気記録媒体である。
構成図、第２図Ａ−Ｄは本発明方法の説明に供する磁化
状態を示す図、第３図は再生出力波形を磁化状態と共に
説明する図、第４図は記録周波数に対する再生特性曲線
図である。 （１）は基体、（１１）〜（１３）は第１〜第３の磁性
膜、Ｓは光磁気記録媒体である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 室温Ｔ＿Ｒ＿Ｔで互いに磁気的に結合した第１の磁性膜
と、第２の磁性膜と、第３の磁性膜とを有し、上記第１
、第２及び第３の各磁性膜のキュリー温度をＴ＿Ｃ＿１
、Ｔ＿Ｃ＿２及びＴ＿Ｃ＿３とするとき、Ｔ＿Ｃ＿２＞
Ｔ＿Ｒ＿Ｔで、かつＴ＿Ｃ＿２＜Ｔ＿Ｃ＿１、Ｔ＿Ｃ＿
３とされ、上記第１の磁性膜の保磁力Ｈ＿Ｃ＿１は上記
第２の磁性膜のキュリー点Ｔ＿Ｃ＿２近傍で充分小さく
、上記第３の磁性膜の保磁力Ｈ＿Ｃ＿３は上記室温Ｔ＿
Ｒ＿Ｔから上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔ＿Ｃ＿２
より高い所要の温度Ｔ＿Ｐ＿Ｂまでの温度範囲で所要の
磁場よりも充分大きい光磁気記録媒体を用いて、 上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔ＿Ｃ＿２以上の上記
温度Ｔ＿Ｐ＿Ｂで上記第１の磁性膜の記録磁区を拡大さ
せて再生を行うことを特徴とする光磁気記録媒体の信号
再生方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62301922A JP2805746B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光磁気記録媒体の信号再生方法 |
| DE3889203T DE3889203T2 (de) | 1987-11-30 | 1988-11-29 | Methode zum optischen Abtasten eines Signals aus einem magneto-optischen Speichermedium. |
| EP88119890A EP0318925B1 (en) | 1987-11-30 | 1988-11-29 | Method for optically reproducing a signal from magneto-optical recording medium |
| KR1019880015737A KR970002341B1 (ko) | 1987-11-30 | 1988-11-29 | 자기 광 기록 매체의 신호 재생 방법 |
| US07/278,011 US5018119A (en) | 1987-11-30 | 1988-11-30 | Method for reproducing signal using an external magnetic field from magneto-optical recording medium having three magnetic layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62301922A JP2805746B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光磁気記録媒体の信号再生方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8335912A Division JP2805145B2 (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 光学記録媒体の信号再生方法 |
| JP33591096A Division JPH09171645A (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 光磁気記録媒体 |
| JP10953098A Division JP3164058B2 (ja) | 1987-11-30 | 1998-04-20 | 光磁気記録媒体の信号再生方法および信号再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143041A true JPH01143041A (ja) | 1989-06-05 |
| JP2805746B2 JP2805746B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=17902730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62301922A Expired - Lifetime JP2805746B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光磁気記録媒体の信号再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2805746B2 (ja) |
Cited By (22)
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-
1987
- 1987-11-30 JP JP62301922A patent/JP2805746B2/ja not_active Expired - Lifetime
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