KR100221825B1 - 광자기기록매체 - Google Patents

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KR100221825B1
KR100221825B1 KR1019910020404A KR910020404A KR100221825B1 KR 100221825 B1 KR100221825 B1 KR 100221825B1 KR 1019910020404 A KR1019910020404 A KR 1019910020404A KR 910020404 A KR910020404 A KR 910020404A KR 100221825 B1 KR100221825 B1 KR 100221825B1
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마스미 오다
가쓰히사 아라다니
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이데이 노부유끼
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Abstract

본원 발명은 빛의 회절한계이상의 주기의 신호를 높은 C/N으로 재생가능하게 하는 것을 목적으로 한다.
본원 발명의 광자기기록매체는 자기기록층을 재생층이 되는 제1의 자성막(磁性膜), 중간층인 제2의 자성막, 기록유지층인 제3의 자성막으로 구성하여 교환결합다층막구조로 한다. 그리고, 각 자성막의 큐리온도, 보자력(保磁力)을 제1의 자성막에 형성된 자구(磁區)패턴이 재생스폿중의 온도분포에 의해서 부분적으로 확대, 축소 또는 반전되는 조건으로 설정한다.
또한, 제1의 자성막을 GdFeCo를 주체로 하는 희토류-천이금속비정질합금막으로 하고, 포화자화 Ms를 200emu/cc 이하로 한다. 제3의 자성막은 TbFeCo를 주체로 하는 희토류-천이금속비정질합금막으로 하고, 천이금속부격자(副格子)자화우세의 경우에는 포화자화 Ms를 300emu/cc 이하, 희토류부격자자화우세의 경우에는 포화자화 Ms를 300emu/cc 이하로 한다.

Description

광자기기록매체
제1도는 광자기기록매체의 구성예를 나타낸 요부확대단면도.
제2도는 광자기기록층의 초기자화상태를 나타낸 모식도.
제3도는 초기자화상태에 있어서의 제1의 자성막의 자구(磁區) 패턴을 나타낸 모식도.
제4도는 재생시의 레이저조사에 의한 빔스폿직경내의 온도프로파일을 나타낸 특성도.
제5도는 재생시의 광자기기록층의 자화상태를 나타낸 모식도.
제6도는 자발자화를 설명하는 특성도.
제7도는 TM의 자화가 항상 우위인 경우의 각 부격자자화와 자발자화의 온도변화를 나타낸 특성도.
제8도는 저온에서 RE 우위, 고온에서 TM 우위인 경우의 각 부격자자화와 자발자화의 온도변화를 나타낸 특성도.
제9도는 RE의 자화가 항상 우위인 경우의 각 부격자자화와 자발자화의 온도변화를 나타낸 특성도.
제10도는 제1의 자성막의 자발자화와 C/N의 관계를 나타낸 특성도.
제11도는 제3의 자성막의 자발자화와 C/N의 관계를 나타낸 특성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
(11) : 제1의 자성막 (12) : 제2의 자성막
(13) : 제3의 자성막
본원 발명은 자기광학효과에 의해서 정보비트(磁區)의 독출을 행하는 광자기기록매체에 관한 것이며, 특히 재생시의 재생스폿중의 온도분포에 의해 부분적으로 정보비트를 소멸 또는 확대하는 광자기기록매체에 관한 것이다.
광자기기록방식은 자성박막을 부분적으로 큐리온도 또는 보상점 온도를 초과하여 승온(昇溫)하고, 이 부분의 보자력(保磁力)을 소멸시켜서 외부로부터 인가되는 기록자계의 방향으로 자화(磁化)의 향을 반전시키는 것을 기본원리로 하는 것이다. 따라서, 광자기기록매체의 구성으로서는 예를 들면 폴리카보네이트등으로 이루어지는 투명기관의 1주면(主面)에 막면과 수직방향으로 자화용이축(磁化容易軸)을 가지며 우수한 자기광학특성을 가진 기록자성층(예를 들면 희토류-천이금속합금비정질박막)이나 반사층, 유전체층을 적층함으로써 기록부를 배설하고, 투명기판측으로부터 레이저광을 조사(照射)하여 신호의 독해를 행하도록 한 것이 알려져 있다.
그런데, 광자기기록매체에 한하지 않고, 디지털오디오디스크(이른바 콤팩트디시크)나 비디오디스크등의 광디스크에 있어서도, 선기록밀도는 주로 재생시의 S/N에 의해서 결정되고 있으며, 또 재생신호의 신호량은 기록되어 있는 신호의 비트열의 주기와 재생광학계의 레이저파장, 대물렌즈의 개구수에 크게 의존한다.
현상황에서는 재생광학계의 레이저파장 λ과 대물렌즈의 개구수 N. A.가 결정되면 검출한계가 되는 비트주기 f가 결정된다. 즉, f=λ/2·N. A.이다.
따라서, 광디스크로 고밀도화를 도모하기 위해서는 재생광학계의 레이저파장 λ을 짧게 하고, 대물렌즈의 개구수 N. A.를 크게한다는 것이 기본자세이다.
그러나, 현상황의 기술로는 레이저파장 λ 이나 대물렌즈의 개구수 N. A.의 개선에도 한도가 있으며, 한편에서는 광자기기록매체의 구성이나 독해방법을 연구하여 기록밀도를 개선하는 기술이 개발되고 있다.
예를 들면, 본원 출원인은 앞서 일본국 특개평 1(1989)-143041호 공보, 동 특개평 1(1989)-143042호 공보등에 있어서, 정보비트(磁區)를 재생시에 부분적으로 확대, 축소 또는 소멸시킴으로써 재생분해능을 향상시키는 방식을 제안하였다. 이 방식은 기록자성층을 재생층, 중간층, 기록유지층으로 이루어지는 교환결합다층막으로 하고, 재생시에 있어서 재생광빔으로 가열된 재생층의 자구(磁區)를 온도가 높은 부분에서 확대, 축소 또는 소거함으로써 재생시의 정보비트간의 간섭을 감소시켜서, 빛의 회절(回折)한계이상의 주기의 신호를 재생가능하게 하는 것이다.
이와 같이, 정보비트를 재생시에 부분적으로 확대, 축소, 소멸시키는 방법에서는 레이저파장 λ이나 대물렌즈의 개구수 N. A. 로 결정되는 기록밀도이상의 고밀도기록정보가 재생가능하게 되나, 본원 발명자들이 여러차레 검토한 결과, 단지 큐리온도나 보자력을 선정하는 것만으로는 반드시 C/N의 높은 재생을 행할 수 없다는 것이 판명되었다.
그래서, 본원 발명은 이러한 상황을 감안하여 제안된 것으로서, 레이저파장 λ이나 대물렌즈의 개구수 N. A. 로 결정되는 기록밀도를 초과하는 고밀도기록비트일지라도 재생가능하고, 더욱이 높은 C/N을 얻을 수 있는 광자기기록매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원 발명자들은 상술한 목적을 달성하려고 장기간에 걸쳐 예의 검토를 거듭했다. 그 결과, 상기의 기록방식에 있어서는 제1의 자성막 및 제3의 자성막에 사용하는 자성재료의 종류 및 포화자화 Ms 가 C/N에 크게 영향을 미친다는 것을 발견하기에 이르렀다.
본원 발명은 이와 같은 지견에 의하여 완성된 것이며, 실온 TRT에서 서로 자기적으로 결합한 제1의 자성막, 제2의 자성막 및 제3의 자성막을 가지고, 상기 제1의 자성막의 큐리온도를 Tc1,제2의 자성막의 큐리온도를 Tc2, 제3의 자성막의 큐리온도를 Tc3이라 했을 때에, 60℃≤Tc2≤200℃, 단 Tc2<Tc1, Tc2<Tc3로 되고, 상기 제1의 자성막의 보자력 Hc1은 상기 제2의 자성막의 큐리온도 Tc2근방에서 충분히 작으며, 상기 제3의 자성막의 보자력 Hc3은 상기 실온 TRT으로부터 상기 제2의 자성막의 큐리온도 TC2보다 높은 소요의 온도 TRT까지의 온도범위에서 소요의 자장(磁場)보다 충분히 크게 되는 동시에, 상기 제1의 자성막이 GdFeCo를 주체로 하고, 천이금속부격자(副格子) 우세의 경우에 포화자화 Ms가 200emu/cc이하, 희토류부격자 우세의 경우에 포화자화 Ms가 200emu/cc 이하로 되고, 상기 제3의 자성막이 TdFeCo를 주체로 하며, 천이금속부격자 우세의 경우에 포화자화 Ms가 300emu/cc 이하, 희토류부격자 우세의 경우에 포화자화 Ms가 160emu/cc 이하로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본원 발명의 광자기기록매체에 있어서, 기록 즉 정보자구의 형성은 통상의 광자기기록매체와 마찬가지로 광변조방식 또는 자계변조방식에 의해 행해진다.
한편, 재생시에는 재생층인 제1의 자성막에 레이저광을 조사함으로써 이 제1의 자성막의 자화신호가 자기광학효과(자기커(Kerr)효과, 파라데이효과)에 의해서 광학적신호로 변환되어 독출된다. 이때, 레이저빔직경내의 온도분포에 의해서 재생층인 제1의 자성막과 중간층인 제2의 자성막의 자기적 결합이 부분적으로 절단되고, 외부자계를 인가함으로써 상기 자기적 결합이 절단된 부분의 자구가 변형(외부자계의 방향에 의해서 확대, 축소 또는 반전)된다.
그 결과, 레이저빔직경내의 자구패턴이 일부 마스크된 형태로 독출되고, 레이저빔직경이하의 피치로 형성된 신호일지라도 재생된다.
여기서, 제1의 자성막을 GdFeCo를 주체로 하는 자성막으로 하고, 천이금속부격자가 우세인 경우의 포화자화 Ms를 200emu/cc이하, 희토류부격자가 우세인 경우의 포화자화 Ms를 200emu/cc 이하로 하는 동시에, 제3의 자성막을 TdFeCo를 주체로 하는 자성막으로 하고, 천이금속부격자가 우세인 경우의 포화자화 Ms를 300emu/cc이하, 희토류부격자가 우세인 경우에 포화자화 Ms를 160emu/cc 이하로 함으로써, 높은 C/N이 확보된다.
다음에, 본원 발명을 적용한 구체적인 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
먼저, 본 실시예의 광자기기록매체의 기본구성 및 재생원리에 대하여 설명한다.
본 실시예의 광자기기록매체는 제1도에 도시한 바와 같이 투명기판(1)위에 재생층인 제1의 자성막(11), 중간층인 제2의 자성막(12) 및 기록유지층인 제3의 자성막(13)이 적층형성되어 광자기기록층(10)이 되어 이루어지는 것이다.
상기 각 자성막(11), (12), (13)은 모두 희토류-천이금속비정질합금으로 이루어지는 것이며, 본 예에서는 제1의 자성막(11)이 GdFeCo를 주체로 하는 희토류-천이금속비정질합금에 의해 각각 형성되어 있다.
그리고, 이들 각 자성막(11), (12), (13)의 큐리온도나 보자력은 다음과 같이 설정되어 있다. 먼저, 큐리온도인데, 제1의 자성막(11)의 큐리온도를 Tc1, 제2의 자성막(12)의 큐리온도를 Tc2, 제3의 자성막(13)의 큐리온도를 Tc3이라고 했을 때 60℃≤Tc2≤200℃, 또한 Tc2<Tc1, Tc2<Tc3로 되어 있다. 한편, 상기 제1의 자성막(11)의 보자력 Hc1은 상기 제2의 자성막(12)의 큐리온도 Tc2근방에서 충분히 작고, 또 상기 제3의 자성막(13)의 보자력 Hc3은 상기 실온 TRT에서 상기 제2의 자성막(12)의 큐리온도 Tc2보다 높은 소요의 온도 TPB까지의 온도범위에서 소요되는 자장보다 충분히 크게 되어있다.
그리고, 본 예에서는 이 광자기기록층(10)의 표면이 보호막(20)으로 덮여있으나, 이 보호막(20)은 경우에 따라서는 없어도 된다. 또, 투명기판(1)과 광자기기록층(10)과의 사이에는 커회전각의 엔핸스멘트(enhancement)등을 위해 투명유전체층이 배설되어 있다.
이와 같은 구성을 가진 광자기기록매체에 있어서, 재생에 있어서는 제1의 자성막(11)의 기록자구패턴을 변형시켜 기록비트의 외관상의 공간주파수를 낮게함으로써 고밀도기록에 대처한다.
재생의 원리는 일본국 특개평(1989)-143041 공보 또는 동 특개평 1(1989)-143042호 공보에 기재된 바와 같으나, 다음에 그 기본 원리를 간단히 설명한다.
제2도 및 제3도에 도시한 바와 같이, 제1의 자성막(11), 제2의 자성막(12) 및 제3의 자성막(13)에 소정의 자기신호가 기록되고, 자구패턴 P2이 형성되어 있다고 한다. 그리고, 제3도에 있어서는 자화의 향이 상향의 영역이 검게 표시되어 있다.
여기서, 레이저빔 LB에 의해서 신호를 독출하려고 하는 경우, 이 레이저빔 LB의 빔직경이 기록비트(자구패턴)의 피치보다 크면, 빔직경내에 복수의 기록비트가 존재하게 되어 통상의 재생으로는 개별적으로 독해하는 것은 불가능하다.
그러나, 본 실시예의 광자기기록매체에 있어서는 광자기기록층(10)이 제1의 자성막(11), 제2의 자성막(12) 및 제3의 자성막(13)으로 이루어지는 다층구조로 되고, 각 자성막 (11), (12), (13)의 큐리온도나 보자력이 소정의 값으로 설정되어 있으므로, 제1의 자성막(11)의 자구패턴을 변형시킬 수 있고, 빔직경이 기록비트의 피치보다 커도 개개의 기록비트를 독출하는 것이 가능하게 된다.
즉, 먼저 전술한 바와 같은 다층막으로 구성되는 광자기기록층(10)에 레이저빔 LB을 조사하면, 빔직경내에서 온도분포가 발생하고, 제4도에 도시한 바와 같이 매체주행방향(도면중 화살표 X방향)에서 보아 레이저빔의 전방부분(도면중 사선영역)의 온도가 높아진다.
이때, 상기 사선영역의 온도 TH가 제2의 자성막(12)의 큐리온도 Tc2이상이면, 이 제2의 자성막(12)의 자화가 소실되고, 제1의 자성막(11)과 제3의 자성막(13)의 자기적 결합(교환결합)은 차단되게 된다.
이 상태에서 제1의 자성막(11)의 보자력 Hc1보다 큰 외부자계 HPB를 인가하면, 제5도에 도시한 바와 같이 상기 사선영역의 제1의 자성막(11)의 자화의 방향은 반전되어, 상기 외부자계 HPB의 방향(여기서는 하향)과 일치하게 된다. 한편, 상기 사선영역이외의 부분 즉 온도가 낮은 영역에서는 제1의 자성막(11)과 제3의 자성막(13)의 자기적인 결합이 유지되고 있으며, 제3의 자성막(13)에 기록된 자구패턴이 제1의 자성막(11)에 있어서도 그대로 유지되고 있다.
따라서, 빔직경내의 사선영역은 마치 마스크된 것처럼 되고, 이 부분에 기록된 자구패턴은 외관상 소실되고, 빔직경내에는 단일 자구패턴만이 존재하는 상태로 된다. 즉, 재생시의 재생광에서 본 기록 비트의 공간주파수는 광학전달함수의 절대치가 커져서 재생분해능이 향상된다.
여기서, 제3의 자성막(13)의 보자력 Hc3을 상기 외부자계 HPB의 강도보다 크게 해 놓으면, 전술한 외부자계 HPB의 인가에 의해서 제3의 자성막(13)의 자화(자구패턴)가 변화하지는 않는다.
또, 냉각시에 온도 T=Tc2로 되었을 때에 다시 교환력이 작용하고, 다음의 조건이 만족되는 경우에 제3의 자성막(13)의 자화패턴이 제2의 자성막(12)과 제1의 자성막(11)에 전사되어 재생전과 같은 상태로 복귀한다.
즉, T≤Tc2-ΔT에서
2Ms1Hc1h1+ 2Ms1HPBh1<σw ………… (1)
2Ms3Hc3h3+ 2Ms3HPBh3<σw ………… (2)
단, 제2의 자성막(12)의 막두께는 제1의 자성막(11)과 제3의 자성막(13)의 사이에 생기는 계면자벽(界面磁壁)쪽에 비해 무시할 수 있는 것으로 하고, Ms1은 제1의 자성막(11)의 포화자화, h1은 제1의 자성막(11)의 막두께, Ms3은 제3의 자성막(13)의 포화자화, h3은 제3의 자성막(13)의 막두께, σw는 계면자벽에너지(단위 : erg/㎠)이다.
위의 식은 제1의 자성막(11) 및 제3의 자성막(13)의 동일한 부격자자회가 우세인 경우의 조건의 예이다.
이상, 제1의 자성막(11) 및 제3의 자성막(13)의 동일의 부격자자화가 우세인 경우를 예로 들어, 외부자계에 의해서 제1의 자성막(11)의 기록자구를 반전시키면서 재생하는 독출방법에 대해 설명하였으나, 제1의 자성막(11) 및 제3의 자성막(13)에 있어서, 우세인 부격자 자화가 서로 다른 경우에도 상기 각 층이 천이금속부격자자화 우세막인지 희토류부격자자화 우세막인지에 따라 재생시에 부여하는 외부자계 HPB의 방향을 선정함으로써, 자구패턴을 반전, 축소 또는 확대할 수 있고, 마찬가지로 외관상의 공간주파수를 억제하여 재생분해능을 향상시킬 수 있다.
전술한 바와 같은 재생을 행하는 광자기기록매체에 있어서는 각 자성막(11), (12), (13)의 큐리온도, 보자력이 앞의 조선을 만족시키는 것이 필요하나, 더욱 높은 C/N에서의 재생을 행하기 위해서는 다음의 조건도 만족시키는 것이 필요하다.
먼저, 제1의 자성막(11)은 GdFeCo를 주체로 하는 희토류-천이금속비정질합금막으로 하고, 실온에서의 포화자화 Ms1가 천이금속부격자자화우세(이하 TM 리치라 함)인 경우에 200emu/cc 이하, 희토류부격자자화우세(이하 RE 리치라 함)인 경우에 200emu/cc 이하로 한다.
그리고, 이 제1의 자성막(11)에는 신뢰성을 양호하게 할 목적으로 Cr 등을, 단파장에의 대응을 목적으로 하여 Nd 등을 필요에 따라 첨가해도 된다.
제2의 자성막(12)의 큐리온도 Tc2는 60℃∼200℃로 한다.
제3의 자성막(13)은 TdFeCo를 주체로 하는 희토류-천이금속비정질합금막으로 하고, 실온에서의 포화자화 Ms3가 TM 리치의 경우에 300emu/cc 이하, RE 리치의 경우에 160emu/cc 이하로 한다. 이 제3의 자성막(13)에도 필요에 따라 첨가원소를 가해도 된다.
여기서, 제1의 자성막(11) 및 제3의 자성막(13)의 포화자화의 최적범위를 TM 리치의 경우와 RE 리치의 경우로 구분한 것은 다음과 같은 이유에 의한다.
GdFeCo 나 TbFeCo는 페리(ferri)자성체라고 호칭되는 것으로, Tb, Gd 등의 희토류의 부격자자화와, FeCo(천이금속)의 부격자자화는 항상 역방향이다. 그리고, 그 부격자가 가진 자화의 차감이 자발자화(=포화자화 Ms)이다.
즉, 포화자화 Ms는 같은 값에서도 Td, Gd 등 희토류원소(RE)의 자화가 우위인 경우와, FeCo 등 천이금속(TM)의 자화가 우위인 경우가 있다. 여기서는 전자를 RE 리치, 후자를 TM 리치로 한다.
제6도는 이것을 도시한 것이며, 도면중 검은화살표가 TM의 Ms를, 흰화살표가 RE의 Ms를 각각 나타낸다. 천이금속에 희토류원소를 첨가해 가면, 희토류원소의 첨가량의 증가에 따라 TM의 Ms가 작아지고, RE의 Ms가 커진다. 그리고, 어떤 첨가량으로 TM의 Ms와 RE의 Ms가 같아져서 자발자화(포화자화 Ms)가 영으로 된다. 이 점을 경계로 하여, TM의 Ms가 RE의 Ms보다 큰 영역(도면중 좌측의 영역)이 TM 리치, RE의 Ms가 TM의 Ms보다 큰 영역(도면중 우측의 영역)이 RE 리치이다.
본원 발명의 광자기기록매체에 있어서는 특히 제3의 자성막(13)의 포화자화 Ms3가 중요하며, TM리치의 경우에 300emu/cc이하로 하고, RE리치의 경우에 160emu/cc 이하로 할 필요가 있다.
이것은 TM 리치에서 포화자화 Ms3가 300emu/cc를 초과하면, 재생온도에 있어서 포화자화 Ms3가 크고 보자력 Hc1이 작기 때문에, 외부자계 HPB에 의해서 기록유지층인 제3의 자성막(13)의 자화가 반전해 버리는데 기인한다. 또, RE 리치에서 Ms3가 160emu/cc를 초과하면, 기록온도에 있어서 RE리치의 부분과 TM리치의 부분이 혼재하게 되어, 재생시의 자화의 방향은 흩어지게 된다.
단, 상기 포호자화 Ms3의 규정은 실온에서의 값이며, TM 리치인지 RE 리치인지는 실온의 상태로 정의된다. 이것은 RE와 TM의 자화의 온도특성(=온도변화)은 각각 다르며, 어떤 조성에 있어서는 온도에 의해서 RE와 TM의 우위성이 변화하는 경우가 있기 때문이다.
예를 들면, 제7도는 TM의 자화가 항상 우위인 경우의 각 부격자자화(도면중 실선으로 표시)와 자발자화(도면중 파선으로 표시)를 나타내며, 제8도는 저온에서는 RE 우위, 고온에서는 TM이 우위인 경우의 각 부격자자화와 자발자화를, 제9도는 RE의 부격자자화가 항상 우위인 경우의 각 부격자자화와 자발자화를 나타낸다.
다음에, 실제로 제1의 자성막911)이나 제3의 자성막(13)의 자발자화를 변경하여 광자기기록매체를 작성하여, C/N을 측정하였다. 측정조건(재생조건)은 다음과 같다.
대물렌즈의 개구수 N. A. ……………… 0.53
재생레이저광의 파장 ……………… 780nm
재생파워 ……………… 3.0mW
랜드폭 ……………… 1.0㎛
그루브폭 ……………… 0.6㎛
선속(線速) ……………… 8m/초
제10도는 재생층인 제1의 자성막(11)의 자발자화에 대한 C/N의 변화를 나타낸 것이다. 단, 이 제10도에서는 자발자화를 Gd의 자화(Ms-Gd)로서 표기하고 있으므로, 플러스측이 RE리치, 마이너스측이 TM리치이다.
이 제10도로부터 명백한 바와 같이, 제1의 자성막(11)의 자화에도 최적범위가 있으며, TM 리치 200emu/cc∼RE 리치 200emu/cc에서 C/N이 높다.
한편, 제11도는 기록유지층인 제3의 자성막(13)의 자발자화에 대한 C/N의 변화를 나타낸 것이다. 제11도에 있어서도 자발자화를 Tb의 자화(Ms-Tb)로서 표기하고 있으므로, 플러스측이 RE 리치, 마이너스측이 TM리치이다.
제3의 자성막(13)에 관하여 말하면, TM 리치에서 300emu/cc를 초과하는 영역(도면중-300emu/cc 미만의 영역), 또는 RE 리치에서 160emu/cc를 초과하는 영역(도면중+160emu/cc를 초과하는 영역)에서 C/N이 급격이 저하하고 있다.
이상의 설명으로부터도 명백한 바와 같이, 본원 발명의 광자기기록매체에 있어서는 기록자성층을 재생층, 중간층, 기록유지층으로 이루어지는 교환결합다층막으로 하는 동시에, 각 층의 큐리온도나 보자력이 소정의 조건을 만족하도록 설정되어 있으므로, 재생시에 정보비트(자구)를 부분적으로 확대 축소 또는 소멸시킬 수 있고, 빛의 회절한계이상의 주기의 신호를 재생하는 것이 가능하다.
또, 재생층인 제1의 자성막이나 기록유지층인 제3의 자성막의 자발자화가 소정의 범위로 되어 있으므로, C/N이 높은 재생이 가능하다.

Claims (1)

  1. 실온 TRT에서 서로 자기적으로 결합한 제1의 자성막, 제2의 자성막 및 제3의 자성막을 가지고, 상기 제1의 자성막의 큐리온도를 TC1, 제2의 자성막의 큐리온도를 TC2, 제3의 자성막의 큐리온도를 TC3이라 했을 때에, 60℃≤TC2≤20℃, 또한 TC2<TC1, TC2<TC3로 되고, 상기 제1의 자성막의 보자력 HC1은 상기 제2의 자성막의 큐리온도 TC2 근방에서 외부 자계보다 작으며, 상기 제3의 자성막의 보자력 HC3은 상기 실온 TRT 으로부터 상기 제2의 자성막의 큐리온도 TC2 보다 높은 소요의 온도 TPB까지의 온도범위에서 외부 자계보다 크게 되는 동시에, 상기 제1의 자성막이 GdFeCo를 주체로 하고, 천이금속부격자(副格子)우세의 경우에 포화자화 Ms가 200emu/cc 이하, 희토류부격자우세의 경우에 포화자화 Ms가 200emu/cc 이하로 되고, 상기 제3의 자성막이 TbFeCo를 주체로 하며, 천이금속부격자우세의 경우에 포화자화 Ms가 300emu/cc 이하, 희토류부격자 우세의 경우에 포화자화 Ms가 160emu/cc 이하로 이루어진 것을 특징으로 하는 광자기기록매체.
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