JP2753271B2 - 光ディスクのレーザパワー設定方法 - Google Patents
光ディスクのレーザパワー設定方法Info
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- JP2753271B2 JP2753271B2 JP63181824A JP18182488A JP2753271B2 JP 2753271 B2 JP2753271 B2 JP 2753271B2 JP 63181824 A JP63181824 A JP 63181824A JP 18182488 A JP18182488 A JP 18182488A JP 2753271 B2 JP2753271 B2 JP 2753271B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザー光を用いて記録・再生・消去を行
う光磁気記録に係り、特にレーザー光照射による光磁気
記録膜の磁気特性の変化抑制に好適な光磁気デイスクの
記録・消去の方法に関する。
う光磁気記録に係り、特にレーザー光照射による光磁気
記録膜の磁気特性の変化抑制に好適な光磁気デイスクの
記録・消去の方法に関する。
高度情報化社会の進展により高密度・大容量のフアイ
ルメモリーへのニーズが高まつている。これに応えるも
のとして光記録が注目されており、中でも光磁気記録は
実用化の寸前にある。一方、これ光磁気記録は、フアイ
ルメモリーとしての用途の他に、民生用の書換え型コン
パクトデイスクやフロツピーデイスクに置きかわる記録
方式としての応用も現在盛んに研究されている。
ルメモリーへのニーズが高まつている。これに応えるも
のとして光記録が注目されており、中でも光磁気記録は
実用化の寸前にある。一方、これ光磁気記録は、フアイ
ルメモリーとしての用途の他に、民生用の書換え型コン
パクトデイスクやフロツピーデイスクに置きかわる記録
方式としての応用も現在盛んに研究されている。
ところで民生用のデイスクとしての用途に光磁気記録
を応用するためには、デイスク構造を簡素化したり、プ
ラスチツク等安価な基板材料を用いる等、デイスク価格
を下げる必要があつた。
を応用するためには、デイスク構造を簡素化したり、プ
ラスチツク等安価な基板材料を用いる等、デイスク価格
を下げる必要があつた。
上記従来技術、特に単純化した構造のデイスクにおい
ては、記録／再生／消去の繰返しによる再生出力の低
下、ひいてはデイスクの信頼性が低下するという問題が
あつた。
ては、記録／再生／消去の繰返しによる再生出力の低
下、ひいてはデイスクの信頼性が低下するという問題が
あつた。
本発明の目的は、簡素な構造のデイスクに対する記録
及び消去条件を提供することにより光磁気デイスクの高
信頼化をはかることにある。
及び消去条件を提供することにより光磁気デイスクの高
信頼化をはかることにある。
上記目的は、光磁気記録膜の温度分布を制御するため
に記録時もしくは消去時のレーザー出力を適正化するこ
とにより達成される。
に記録時もしくは消去時のレーザー出力を適正化するこ
とにより達成される。
レーザー光を照射したときの光磁気記録膜の温度分布
を制御することにより記録膜の小さな構造緩和により磁
気特性の変化を抑制する。そのため、再生出力の低下ひ
いては信頼性の低下をきたすことがない。
を制御することにより記録膜の小さな構造緩和により磁
気特性の変化を抑制する。そのため、再生出力の低下ひ
いては信頼性の低下をきたすことがない。
以下、本発明の詳細を実施例を説明する。
〔実施例１〕 本実施例で試作したデイスクの断面構造の模式図を第
１図に示す。基板１には直径5.25インチの円盤状ポリカ
ーボネート基板を用い、その上に下地膜２として安定化
ジルコニア層を850Åの膜厚にスパツタ法で形成し、つ
づいて光磁気記録膜３としてTb26Fe52Co15Nb2Pt5を800
Åの膜厚にArを放電ガスとしたスパツタ法により形成
し、記録膜のスパツタの最後に放電ガスをN2に切換え、
100Åの膜を形成した。
１図に示す。基板１には直径5.25インチの円盤状ポリカ
ーボネート基板を用い、その上に下地膜２として安定化
ジルコニア層を850Åの膜厚にスパツタ法で形成し、つ
づいて光磁気記録膜３としてTb26Fe52Co15Nb2Pt5を800
Åの膜厚にArを放電ガスとしたスパツタ法により形成
し、記録膜のスパツタの最後に放電ガスをN2に切換え、
100Åの膜を形成した。
このようにして作製したデイスクの記録再生特性とし
て、再生出力の記録パワー依存性を第２図に示す。これ
によると最小記録可能レーザー出力は2.5mWであり、Ｃ
レベルは急激に立上り3.5mW以上ではほぼ一定となつ
た。一方、第２高調波成分が最小となるレーザー出力
は、4mWで1MHzデユーテイ（duty）50となる。測定はｒ
＝30mm位置（最内周）において行ない搬送波対雑音比
（キヤリア（Ｃ）レベル対ノイズ（Ｎ）レベル）C/N＝5
6dB（900rpm,1MHz,1.5T）であつた。この検討から、記
録レーザーパワーを4mWとし、再生レーザーパワーは1mW
とした。そして消去レーザーパワーを4mWから8mWまで変
化させ、消去（Ｅ）／書き込み（Ｗ）／読み出し（Ｒ）
を繰返した。その時のキヤリアレベルの変化を第３図に
示した。その結果４〜5mWまでキヤリアレベルはほとん
ど変動しないが、６〜8mWではレーザーパワーが大きく
なるほどキヤリアレベル低下が増した。この現象を偏光
顕微鏡を用いて磁区観察により調べたところ、レーザー
光の中心部分の温度が著しく高くなるため垂直磁気異方
性が大きく低下してしまい、記録部の一部分に面内磁化
膜となつているところが存在していることが判明した。
一方、４〜5mWにおける消去パワーで消去したところ、4
mWではトラツキングオフセツトにより記録磁区の一部分
が消え残つている場合があり、4.5mW〜5mWのパワーでは
完全に消去できることも判明した。これらのことから、
本実施例のタイプのデイスクにおいては、消去レーザー
パワーは記録レーザーパワーと同等か1mW程大きくとる
のが最適であると言える。レーザーパワーが大きいと、
記録膜表面は熱伝導率の小さい空気層であるためレーザ
ー光から与えられた熱は記録層に蓄積され、保護膜を有
する従来デイスクと比べ記録膜の温度が著しく高くする
ことがわかる。そのため三層構造における記録や消去パ
ワーの８〜12mWと比べ著しく小さくて済むことがわかつ
た。
て、再生出力の記録パワー依存性を第２図に示す。これ
によると最小記録可能レーザー出力は2.5mWであり、Ｃ
レベルは急激に立上り3.5mW以上ではほぼ一定となつ
た。一方、第２高調波成分が最小となるレーザー出力
は、4mWで1MHzデユーテイ（duty）50となる。測定はｒ
＝30mm位置（最内周）において行ない搬送波対雑音比
（キヤリア（Ｃ）レベル対ノイズ（Ｎ）レベル）C/N＝5
6dB（900rpm,1MHz,1.5T）であつた。この検討から、記
録レーザーパワーを4mWとし、再生レーザーパワーは1mW
とした。そして消去レーザーパワーを4mWから8mWまで変
化させ、消去（Ｅ）／書き込み（Ｗ）／読み出し（Ｒ）
を繰返した。その時のキヤリアレベルの変化を第３図に
示した。その結果４〜5mWまでキヤリアレベルはほとん
ど変動しないが、６〜8mWではレーザーパワーが大きく
なるほどキヤリアレベル低下が増した。この現象を偏光
顕微鏡を用いて磁区観察により調べたところ、レーザー
光の中心部分の温度が著しく高くなるため垂直磁気異方
性が大きく低下してしまい、記録部の一部分に面内磁化
膜となつているところが存在していることが判明した。
一方、４〜5mWにおける消去パワーで消去したところ、4
mWではトラツキングオフセツトにより記録磁区の一部分
が消え残つている場合があり、4.5mW〜5mWのパワーでは
完全に消去できることも判明した。これらのことから、
本実施例のタイプのデイスクにおいては、消去レーザー
パワーは記録レーザーパワーと同等か1mW程大きくとる
のが最適であると言える。レーザーパワーが大きいと、
記録膜表面は熱伝導率の小さい空気層であるためレーザ
ー光から与えられた熱は記録層に蓄積され、保護膜を有
する従来デイスクと比べ記録膜の温度が著しく高くする
ことがわかる。そのため三層構造における記録や消去パ
ワーの８〜12mWと比べ著しく小さくて済むことがわかつ
た。
〔実施例２〕 本実施例で試作したデイスクの断面構造の模式図を第
４図に示す。基板１としてホトキヤスト基板を用いた。
この基板１は、紫外線硬化樹脂を用いて光キヤステイン
グ法により成形したものである。この基板１上に、光磁
気記録膜３をTb23.5Fe59Co15Nb3.5を1000Åの膜厚にAr
を放電ガスとしたスパツタ法により形成した。そして最
後に、テフロン膜４を200Åに形成した。
４図に示す。基板１としてホトキヤスト基板を用いた。
この基板１は、紫外線硬化樹脂を用いて光キヤステイン
グ法により成形したものである。この基板１上に、光磁
気記録膜３をTb23.5Fe59Co15Nb3.5を1000Åの膜厚にAr
を放電ガスとしたスパツタ法により形成した。そして最
後に、テフロン膜４を200Åに形成した。
第５図にこのようにして作製したデイスクの再生出力
の記録パワー依存性を示す。これによると、記録可能な
最小レーザー出力は2.3mWであり3.5mW以上で一定となつ
た。そして、第２高調波成分が最小となるレーザー出力
（1MHz,duty50）は、3.8mWで、その時のC/Nは57dBであ
つた。この測定位置及び測定条件は実施例１と同様であ
る。
の記録パワー依存性を示す。これによると、記録可能な
最小レーザー出力は2.3mWであり3.5mW以上で一定となつ
た。そして、第２高調波成分が最小となるレーザー出力
（1MHz,duty50）は、3.8mWで、その時のC/Nは57dBであ
つた。この測定位置及び測定条件は実施例１と同様であ
る。
上記の結果から、記録レーザーパワーを3.8mW、再生
レーザー出力を1.0mWとした。第６図に消去レーザーパ
ワーを4mW〜8mWまで変化させてE/W/Rを繰返した時のキ
ヤリアレベルの変化を示す。その結果、消去レーザーパ
ワーが４〜5mWまではキヤリアレベルの変化がほとんど
みられないが、６〜8mWではレーザーパワーが大きくな
る程、キヤリアレベルの低下速度が速くなることが判明
した。この現象は、実施例１で示したように、レーザー
光の中心部分の温度が著しく高くなつたために垂直磁気
異方性が大きく低下して、面内磁化膜に転化している部
分が記録部の一部に発生しているために生じたものであ
る。一方、消去レーザーパワーを４〜5mWと、記録レー
ザーパワーよりやや大きなレベルに設定して記録／消去
を繰返したところ、消え残りの存在は検出されなかつ
た。このタイプのデイスクに対して、記録レーザーパワ
ーとほぼ同じレーザーパワーで消去できることがわかつ
た。
レーザー出力を1.0mWとした。第６図に消去レーザーパ
ワーを4mW〜8mWまで変化させてE/W/Rを繰返した時のキ
ヤリアレベルの変化を示す。その結果、消去レーザーパ
ワーが４〜5mWまではキヤリアレベルの変化がほとんど
みられないが、６〜8mWではレーザーパワーが大きくな
る程、キヤリアレベルの低下速度が速くなることが判明
した。この現象は、実施例１で示したように、レーザー
光の中心部分の温度が著しく高くなつたために垂直磁気
異方性が大きく低下して、面内磁化膜に転化している部
分が記録部の一部に発生しているために生じたものであ
る。一方、消去レーザーパワーを４〜5mWと、記録レー
ザーパワーよりやや大きなレベルに設定して記録／消去
を繰返したところ、消え残りの存在は検出されなかつ
た。このタイプのデイスクに対して、記録レーザーパワ
ーとほぼ同じレーザーパワーで消去できることがわかつ
た。
〔実施例３〕 本実施例で試作したデイスクの断面構造の模式図を第
７図に示す。デイスク作製は、ポリカーボネート基板１
上にまずN2を放電ガスに用いたスパツタ法により50Åの
膜厚に窒素含有層５を形成した。この時のターゲツトに
は、 Tb26Fe52Co15Nb2Pt5なる組成の合金ターゲツトを使用し
た。ここで窒素含有層５は基板との接着性向上のための
膜である。そして放電ガスをArに切換え、先と同一のタ
ーゲツトにより上記合金膜３を800Åの膜厚に形成し引
き続き再び放電ガスをN2に切換えてスパツタし保護膜と
して200Åの膜厚の窒素含有層５を形成し、光磁気デイ
スクを得た。
７図に示す。デイスク作製は、ポリカーボネート基板１
上にまずN2を放電ガスに用いたスパツタ法により50Åの
膜厚に窒素含有層５を形成した。この時のターゲツトに
は、 Tb26Fe52Co15Nb2Pt5なる組成の合金ターゲツトを使用し
た。ここで窒素含有層５は基板との接着性向上のための
膜である。そして放電ガスをArに切換え、先と同一のタ
ーゲツトにより上記合金膜３を800Åの膜厚に形成し引
き続き再び放電ガスをN2に切換えてスパツタし保護膜と
して200Åの膜厚の窒素含有層５を形成し、光磁気デイ
スクを得た。
このデイスクの記録・再生特性の測定結果は実施例１
とまつたく同じであつた。そして、E/W/Rを繰返したと
ころ、実施例１と同様に６〜8mWの消去レーザーパワー
ではC/Nの低下が生じたのに対し、４〜5mWではC/Nの変
化はみられなかつた。そして、記録パワー4mW、消去パ
ワー4.5mWにてW/Rを繰返したところ、消え残りなく良好
に記録・再生が行なえC/N変動なく高信頼性の光磁気デ
イスクが得られた。このように、デイスク構造により記
録や再生のレーザーパワーを決定する必要があつた。こ
の効果は光変調記録方式に限らず、磁界変調方式におい
て照射する連続光強度をデイスク構造に適合させて、記
録膜の温度分布を制御しても同じである。
とまつたく同じであつた。そして、E/W/Rを繰返したと
ころ、実施例１と同様に６〜8mWの消去レーザーパワー
ではC/Nの低下が生じたのに対し、４〜5mWではC/Nの変
化はみられなかつた。そして、記録パワー4mW、消去パ
ワー4.5mWにてW/Rを繰返したところ、消え残りなく良好
に記録・再生が行なえC/N変動なく高信頼性の光磁気デ
イスクが得られた。このように、デイスク構造により記
録や再生のレーザーパワーを決定する必要があつた。こ
の効果は光変調記録方式に限らず、磁界変調方式におい
て照射する連続光強度をデイスク構造に適合させて、記
録膜の温度分布を制御しても同じである。
本発明によれば、デイスクの構造に合わせて光磁気記
録膜の温度分布を制御することにより、記録／消去によ
る記録膜の垂直磁気異方性の低下を防ぐことができ、再
生出力の低下を抑制できるのでデイスクの信頼性向上に
効果がある。
録膜の温度分布を制御することにより、記録／消去によ
る記録膜の垂直磁気異方性の低下を防ぐことができ、再
生出力の低下を抑制できるのでデイスクの信頼性向上に
効果がある。
第１図，第４図，第７図は本発明の実施例に用いた光磁
気デイスクの断面構造図、第２図，第５図は再生出力の
記録レーザー出力依存性を示すグラフ、第３図，第６図
は消去／記録／再生を繰返した時の繰返し回数とキヤリ
アレベルの変化を示すグラフである。 １……基板、２……下地膜、３……光磁気記録膜、４…
…テフロン膜、５……窒化物層。
気デイスクの断面構造図、第２図，第５図は再生出力の
記録レーザー出力依存性を示すグラフ、第３図，第６図
は消去／記録／再生を繰返した時の繰返し回数とキヤリ
アレベルの変化を示すグラフである。 １……基板、２……下地膜、３……光磁気記録膜、４…
…テフロン膜、５……窒化物層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 正彦 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 岡峯 成範 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 太田 憲雄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】再生出力の記録パワー依存性がほぼ一定と
なるパワー以上の範囲で第２高調波成分が最小となるレ
ーザパワーを記録パワーに設定することを特徴とする光
ディスクのレーザパワー設定方法。 - 【請求項２】請求項１において、消去パワーを上記記録
パワーと同じパワーから1mW大きいパワーまでの間に設
定することを特徴とする光ディスクのレーザパワー設定
方法。 - 【請求項３】請求項１又は２の何れかにおいて、上記光
ディスクを垂直磁気異方性を持つ光磁気記録膜を有する
光磁気ディスクとすることを特徴とする光ディスクのレ
ーザパワー設定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181824A JP2753271B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光ディスクのレーザパワー設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181824A JP2753271B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光ディスクのレーザパワー設定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233748A JPH0233748A (ja) | 1990-02-02 |
| JP2753271B2 true JP2753271B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16107455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63181824A Expired - Lifetime JP2753271B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光ディスクのレーザパワー設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2753271B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03232141A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気ディスク装置 |
| FI20002690A0 (fi) * | 2000-05-17 | 2000-12-08 | Oy Langh Ship Ab | Kontti |
| US7880995B2 (en) | 2008-01-31 | 2011-02-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method, system, and computer program product for thermally assisted recording systems |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260439A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-18 | Canon Inc | 光学的情報記録装置 |
| JPS61294649A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-25 | Canon Inc | 情報記録再生装置 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63181824A patent/JP2753271B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260439A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-18 | Canon Inc | 光学的情報記録装置 |
| JPS61294649A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-25 | Canon Inc | 情報記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0233748A (ja) | 1990-02-02 |
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