JPH064925A - 光磁気記録における情報の消去方法 - Google Patents
光磁気記録における情報の消去方法Info
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- JPH064925A JPH064925A JP4159143A JP15914392A JPH064925A JP H064925 A JPH064925 A JP H064925A JP 4159143 A JP4159143 A JP 4159143A JP 15914392 A JP15914392 A JP 15914392A JP H064925 A JPH064925 A JP H064925A
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- Japan
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- magneto
- erasing
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】光源であるレーザ光と外部印加磁界を有する装
置と、基板上に少なくとも垂直磁気異方性を有する光磁
気記録膜を形成したディスクとからなる装置系を用い
る。そのディスクに磁化容易軸の向きを変化させて記録
してある情報を消去する場合に、駆動装置より消去のた
めのレーザ光を間欠的に光磁気記録媒体に照射するパル
ス発生回路よりなる。 【効果】消去レーザパワーをパルス的に照射すると、記
録膜に与えられる実効的なエネルギが低下するので、記
録膜の構造緩和を生じることなく消去が行えるので、書
換え特性を向上させることができる。
置と、基板上に少なくとも垂直磁気異方性を有する光磁
気記録膜を形成したディスクとからなる装置系を用い
る。そのディスクに磁化容易軸の向きを変化させて記録
してある情報を消去する場合に、駆動装置より消去のた
めのレーザ光を間欠的に光磁気記録媒体に照射するパル
ス発生回路よりなる。 【効果】消去レーザパワーをパルス的に照射すると、記
録膜に与えられる実効的なエネルギが低下するので、記
録膜の構造緩和を生じることなく消去が行えるので、書
換え特性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の上に垂直磁気異
方性の光磁気記録膜を形成した光磁気記録媒体における
記録情報の消去方法に関する。
方性の光磁気記録膜を形成した光磁気記録媒体における
記録情報の消去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の高度情報化社会の進展にともない
高密度でしかも大容量のファイルメモリへのニーズが高
まっている。これに応えるものとして光記録が注目され
ている。この中にあって、コンパクトディスクに代表さ
れる再生専用型，文書ファイルに広く利用されている追
記型、そして、最近、実用化され、文書ファイルや画像
ファイルとして用いられている書換え型に大別できる。
書換え型の光ディスクは光磁気記録がまず始めに製品化
された。そして、現在ではその性能向上を目指してさら
に研究開発が進められている。その一つが光磁気記録の
記録密度の増大について検討がなされている。そのため
に、トラックピッチを短くする、微小磁区を形成する、
短波長の光を用いて記録を行う、或いは、記録磁区のエ
ッジ部分に情報を持たせる等の手法が提案されている。
これらの手法を併用することが有効であると考えられて
いる。光ディスクにおける高密度化の手法の公知な例と
してEP0304873A1 をあげることができる。
高密度でしかも大容量のファイルメモリへのニーズが高
まっている。これに応えるものとして光記録が注目され
ている。この中にあって、コンパクトディスクに代表さ
れる再生専用型，文書ファイルに広く利用されている追
記型、そして、最近、実用化され、文書ファイルや画像
ファイルとして用いられている書換え型に大別できる。
書換え型の光ディスクは光磁気記録がまず始めに製品化
された。そして、現在ではその性能向上を目指してさら
に研究開発が進められている。その一つが光磁気記録の
記録密度の増大について検討がなされている。そのため
に、トラックピッチを短くする、微小磁区を形成する、
短波長の光を用いて記録を行う、或いは、記録磁区のエ
ッジ部分に情報を持たせる等の手法が提案されている。
これらの手法を併用することが有効であると考えられて
いる。光ディスクにおける高密度化の手法の公知な例と
してEP0304873A1 をあげることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、記
録方法に対する技術は示されているが、消去に対する配
慮が必ずしも十分になされていなかった。そのため、消
し残りが生じたり、或いは記録膜の構造緩和により再生
信号出力が低下する場合があった。
録方法に対する技術は示されているが、消去に対する配
慮が必ずしも十分になされていなかった。そのため、消
し残りが生じたり、或いは記録膜の構造緩和により再生
信号出力が低下する場合があった。
【０００４】本発明の目的は、消し残りや再生信号出力
が低下することなく記録情報を完全消去する方法を提供
することにある。
が低下することなく記録情報を完全消去する方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、光源で
あるレーザ光と外部印加磁界を有する装置と、基板上に
少なくとも垂直磁気異方性を有する光磁気記録膜を形成
したディスクとからなる装置を用いて、そのディスクに
磁化容易軸の向きを変化させて記録してある情報を消去
する場合に、消去のためのレーザ光を間欠的に光磁気記
録媒体に照射することにより実現できる。その時の光磁
気記録膜の最高到達温度は光磁気ディスクが構造緩和を
起こさない温度の３００℃以下である必要がある。とこ
ろで、間欠的に発生させるパルスは一定の時間間隔でレ
ーザパルスを発生させれば良い。
あるレーザ光と外部印加磁界を有する装置と、基板上に
少なくとも垂直磁気異方性を有する光磁気記録膜を形成
したディスクとからなる装置を用いて、そのディスクに
磁化容易軸の向きを変化させて記録してある情報を消去
する場合に、消去のためのレーザ光を間欠的に光磁気記
録媒体に照射することにより実現できる。その時の光磁
気記録膜の最高到達温度は光磁気ディスクが構造緩和を
起こさない温度の３００℃以下である必要がある。とこ
ろで、間欠的に発生させるパルスは一定の時間間隔でレ
ーザパルスを発生させれば良い。
【０００６】ここで、注意すべきは消去のためのレーザ
光を照射する場合、パルス間隔があきすぎると消し残り
が生じる。これに対して、逆に間隔が詰まりすぎると光
磁気記録膜の最高到達温度が３００℃以上となり、膜が
構造緩和を生じるので、その結果、再生信号出力が低下
する。この特性は光磁気ディスクの特性、特に光磁気記
録媒体の構造に依存するので、ディスク構造により最適
パワーを選べばよい。一定の時間間隔で発生させる消去
レーザパルスは、そのパワーを再生パワーと消去パワー
との間で変調することが望ましい。ところで、パルス状
のレーザ光を照射する場合に、印加するパルスの形状に
より光磁気記録媒体中を流れる熱流を制御できる。すな
わち、最高到達温度など温度分布の制御が可能であるた
め、再生信号出力の低下が抑制できる。この効果はディ
スク構造には依存せず、常にディスクにマッチした消去
条件を見出せば良い。
光を照射する場合、パルス間隔があきすぎると消し残り
が生じる。これに対して、逆に間隔が詰まりすぎると光
磁気記録膜の最高到達温度が３００℃以上となり、膜が
構造緩和を生じるので、その結果、再生信号出力が低下
する。この特性は光磁気ディスクの特性、特に光磁気記
録媒体の構造に依存するので、ディスク構造により最適
パワーを選べばよい。一定の時間間隔で発生させる消去
レーザパルスは、そのパワーを再生パワーと消去パワー
との間で変調することが望ましい。ところで、パルス状
のレーザ光を照射する場合に、印加するパルスの形状に
より光磁気記録媒体中を流れる熱流を制御できる。すな
わち、最高到達温度など温度分布の制御が可能であるた
め、再生信号出力の低下が抑制できる。この効果はディ
スク構造には依存せず、常にディスクにマッチした消去
条件を見出せば良い。
【０００７】
【作用】消去のためのレーザ光を間欠的に光磁気記録媒
体に照射することにより、記録膜に与える実効的な熱量
が減少するので記録膜の最高到達温度が低くなる。その
結果、記録膜の構造緩和が抑制できるので、記録／消去
の繰返しによる再生信号出力の低下を抑制でき、高信頼
性の光磁気ディスクを得ることができる。
体に照射することにより、記録膜に与える実効的な熱量
が減少するので記録膜の最高到達温度が低くなる。その
結果、記録膜の構造緩和が抑制できるので、記録／消去
の繰返しによる再生信号出力の低下を抑制でき、高信頼
性の光磁気ディスクを得ることができる。
【０００８】
＜実施例１＞本実施例において作製した光磁気ディスク
の断面構造を示す模式図を図１に示す。凹凸の案内溝を
有するポリカーボネイト等のプラスチックやガラスの基
板１上に、まず、窒化シリコン層２を７５０ｎｍの膜厚
にスパッタ法により形成した。その時の作製条件は、放
電ガスにＡｒ／Ｎ2 ，ターゲットに純Ｓｉをそれぞれ用
い、放電ガス圧力：１０ｍTorr，投入ＲＦ電力密度：
６.６Ｗ／cm2でスパッタをおこなった。つづいて、Ｔｂ
ＦｅＣｏＮｂ合金よりなる光磁気記録膜３をスパッタ法
により形成した。作製条件は、放電ガスにＡｒ，ターゲ
ットにTbFeCoNb合金をそれぞれ用い、放電ガス圧力：５
ｍTorr，投入ＲＦ電力密度：４.４Ｗ／cm2でスパッタを
おこなった。次に、再び窒化シリコン膜４をスパッタ法
により250ｎｍの膜厚に作製した。その時の作製条件は
先の窒化シリコン膜２と同様である。次に、金属層５と
してＮｉ膜を３５ｎｍの膜厚にスパッタ法により形成し
た。作製条件は、放電ガスにＡｒ，ターゲットに純Ｎｉ
をそれぞれ用い、放電ガス圧力：１５ｍTorr，投入ＲＦ
電力密度：３.３Ｗ／cm2でスパッタをおこなった。金属
層６としてＡｌ膜を４０ｎｍの膜厚にスパッタ法により
形成した。作製条件は、放電ガスにＡｒ，ターゲットに
純Ａｌをそれぞれ用い、放電ガス圧力：１５ｍTorr，投
入ＲＦ電力密度：３.３Ｗ／cm2である。
の断面構造を示す模式図を図１に示す。凹凸の案内溝を
有するポリカーボネイト等のプラスチックやガラスの基
板１上に、まず、窒化シリコン層２を７５０ｎｍの膜厚
にスパッタ法により形成した。その時の作製条件は、放
電ガスにＡｒ／Ｎ2 ，ターゲットに純Ｓｉをそれぞれ用
い、放電ガス圧力：１０ｍTorr，投入ＲＦ電力密度：
６.６Ｗ／cm2でスパッタをおこなった。つづいて、Ｔｂ
ＦｅＣｏＮｂ合金よりなる光磁気記録膜３をスパッタ法
により形成した。作製条件は、放電ガスにＡｒ，ターゲ
ットにTbFeCoNb合金をそれぞれ用い、放電ガス圧力：５
ｍTorr，投入ＲＦ電力密度：４.４Ｗ／cm2でスパッタを
おこなった。次に、再び窒化シリコン膜４をスパッタ法
により250ｎｍの膜厚に作製した。その時の作製条件は
先の窒化シリコン膜２と同様である。次に、金属層５と
してＮｉ膜を３５ｎｍの膜厚にスパッタ法により形成し
た。作製条件は、放電ガスにＡｒ，ターゲットに純Ｎｉ
をそれぞれ用い、放電ガス圧力：１５ｍTorr，投入ＲＦ
電力密度：３.３Ｗ／cm2でスパッタをおこなった。金属
層６としてＡｌ膜を４０ｎｍの膜厚にスパッタ法により
形成した。作製条件は、放電ガスにＡｒ，ターゲットに
純Ａｌをそれぞれ用い、放電ガス圧力：１５ｍTorr，投
入ＲＦ電力密度：３.３Ｗ／cm2である。
【０００９】このようにして作製した光磁気ディスクを
用いて、記録／消去特性を調べた。このディスクに４.
７ｍＷで情報を記録した後に、レーザパワー５.５ｍ
Ｗ，３０ｎｓのパルスを３０ｎｓ間隔で発生することに
より消去した。その結果、±0.1μｍのトラックオフセ
ットを考慮しても完全に消去することができた。また、
記録／再生／消去を繰返したところ、１０7 回繰返した
後でも、再生信号出力及び記録感度に変化は見られなか
った。このような本発明の効果はディスク構造に依存す
るものではなく、消去条件、特に消去の方法に依存する
ものであり、ディスクの構造により消去条件を選択すれ
ば良い。すなわち、消去レーザパワーを選ぶことはもち
ろんのこと、パルス幅やパルスの間隔をディスクの構造
に応じて選択すれば良い。また、熱伝導率の異なる２層
の金属層を設けているので、記録膜の温度を上昇させる
ことなく、記録層に照射された熱を記録層内の周囲へは
拡散させることなく放熱することができる。
用いて、記録／消去特性を調べた。このディスクに４.
７ｍＷで情報を記録した後に、レーザパワー５.５ｍ
Ｗ，３０ｎｓのパルスを３０ｎｓ間隔で発生することに
より消去した。その結果、±0.1μｍのトラックオフセ
ットを考慮しても完全に消去することができた。また、
記録／再生／消去を繰返したところ、１０7 回繰返した
後でも、再生信号出力及び記録感度に変化は見られなか
った。このような本発明の効果はディスク構造に依存す
るものではなく、消去条件、特に消去の方法に依存する
ものであり、ディスクの構造により消去条件を選択すれ
ば良い。すなわち、消去レーザパワーを選ぶことはもち
ろんのこと、パルス幅やパルスの間隔をディスクの構造
に応じて選択すれば良い。また、熱伝導率の異なる２層
の金属層を設けているので、記録膜の温度を上昇させる
ことなく、記録層に照射された熱を記録層内の周囲へは
拡散させることなく放熱することができる。
【００１０】＜実施例２＞本実施例で作製した光磁気デ
ィスクの断面構造を示す模式図を図２に示す。凹凸の案
内溝を有するポリカーボネイト等のプラスチックやガラ
スの基板１上に、まず、窒化シリコン層２を７５０ｎｍ
の膜厚にスパッタ法により形成した。その時の作製条件
は、放電ガスにＡｒ／Ｎ2 ，ターゲットに純Ｓｉをそれ
ぞれ用い、放電ガス圧力：１０ｍTorr，投入ＲＦ電力密
度：６.６Ｗ／cm2でスパッタをおこなった。つづいて、
ＴｂＦｅＣｏＮｂ合金よりなる光磁気記録膜３−１をス
パッタ法により形成した。作製条件は、放電ガスにＡ
ｒ，ターゲットにＴbＦeＣoＮb合金をそれぞれ用い、放
電ガス圧力：５ｍTorr，投入ＲＦ電力密度：４.４Ｗ／c
m2 でスパッタをおこなった。次に、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｃｒよりなる光磁気記録膜３−２をスパッタ法により形
成した。作製条件は、放電ガスにＡｒ，ターゲットにＴ
ｂＤｙＦｅＣｏＣｒ合金をそれぞれ用い、放電ガス圧
力：５ｍTorr，投入ＲＦ電力密度：４.４Ｗ／cm2でスパ
ッタをおこなった。次に、再び窒化シリコン膜４をスパ
ッタ法により２５０ｎｍの膜厚に作製した。その時の作
製条件は先の窒化シリコン膜２と同様である。次に、金
属層５としてＮｉ膜を３５ｎｍの膜厚にスパッタ法によ
り形成した。作製条件は、放電ガスにＡｒ，ターゲット
に純Ｎｉをそれぞれ用い、放電ガス圧力：１５ｍTorr
，投入ＲＦ電力密度：３.３Ｗ／cm2 でスパッタをおこ
なった。金属層６としてＡｌ膜を４０ｎｍの膜厚にスパ
ッタ法により形成した。作製条件は、放電ガスにＡｒ，
ターゲットに純Ａｌをそれぞれ用い、放電ガス圧力：１
５ｍTorr，投入ＲＦ電力密度：３.３Ｗ／cm2である。
ィスクの断面構造を示す模式図を図２に示す。凹凸の案
内溝を有するポリカーボネイト等のプラスチックやガラ
スの基板１上に、まず、窒化シリコン層２を７５０ｎｍ
の膜厚にスパッタ法により形成した。その時の作製条件
は、放電ガスにＡｒ／Ｎ2 ，ターゲットに純Ｓｉをそれ
ぞれ用い、放電ガス圧力：１０ｍTorr，投入ＲＦ電力密
度：６.６Ｗ／cm2でスパッタをおこなった。つづいて、
ＴｂＦｅＣｏＮｂ合金よりなる光磁気記録膜３−１をス
パッタ法により形成した。作製条件は、放電ガスにＡ
ｒ，ターゲットにＴbＦeＣoＮb合金をそれぞれ用い、放
電ガス圧力：５ｍTorr，投入ＲＦ電力密度：４.４Ｗ／c
m2 でスパッタをおこなった。次に、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｃｒよりなる光磁気記録膜３−２をスパッタ法により形
成した。作製条件は、放電ガスにＡｒ，ターゲットにＴ
ｂＤｙＦｅＣｏＣｒ合金をそれぞれ用い、放電ガス圧
力：５ｍTorr，投入ＲＦ電力密度：４.４Ｗ／cm2でスパ
ッタをおこなった。次に、再び窒化シリコン膜４をスパ
ッタ法により２５０ｎｍの膜厚に作製した。その時の作
製条件は先の窒化シリコン膜２と同様である。次に、金
属層５としてＮｉ膜を３５ｎｍの膜厚にスパッタ法によ
り形成した。作製条件は、放電ガスにＡｒ，ターゲット
に純Ｎｉをそれぞれ用い、放電ガス圧力：１５ｍTorr
，投入ＲＦ電力密度：３.３Ｗ／cm2 でスパッタをおこ
なった。金属層６としてＡｌ膜を４０ｎｍの膜厚にスパ
ッタ法により形成した。作製条件は、放電ガスにＡｒ，
ターゲットに純Ａｌをそれぞれ用い、放電ガス圧力：１
５ｍTorr，投入ＲＦ電力密度：３.３Ｗ／cm2である。
【００１１】このようにして作製した光磁気ディスクを
用いて、記録／消去特性を調べた。まず、再生信号出力
の記録レーザパワー依存性を調べた。その結果、最内周
位置（ｒ＝３０mm）に、周波数：１２ＭＨｚ，パルス
幅：８０ｎｓ，レーザパワー：７.５ｍＷ で記録を行っ
た。その時の搬送波対雑音比：Ｃ／Ｎ＝６１ｄＢであっ
た。このディスクに対して図３に示す波形を用いて光強
度を変調させてオーバーライトを行った。特に、消去レ
ーザパワーが連続的ではなくパルス的に照射した。その
結果、１０7 回のオーバーライトを繰返した後でも再生
信号出力及びディスクの感度に変化は見られなかった。
また、磁区形状及び磁区のサイズの制御性も０.７μｍ
以下の微小磁区に対して特に有効であった。ところで、
消去レーザパワーをパルス的に照射すると、熱の周囲へ
の拡散が抑制できるので、形成される磁区サイズをコン
トロールできるとともに、記録領域の周囲に形成される
消去領域の範囲を狭くできるので、トラック間の干渉
（熱クロストーク）を大きく抑制できた。また、熱伝導
率の異なる２層の金属層を用いているので、記録層に蓄
熱した熱を記録膜の温度を上昇させずに周囲へ拡散でき
る。そのため、記録膜の最高到達温度を３００℃以下に
することができ、記録膜の構造緩和を抑制でき、書換え
にともなう記録感度の変動及び再生信号出力の低下を抑
制できた。
用いて、記録／消去特性を調べた。まず、再生信号出力
の記録レーザパワー依存性を調べた。その結果、最内周
位置（ｒ＝３０mm）に、周波数：１２ＭＨｚ，パルス
幅：８０ｎｓ，レーザパワー：７.５ｍＷ で記録を行っ
た。その時の搬送波対雑音比：Ｃ／Ｎ＝６１ｄＢであっ
た。このディスクに対して図３に示す波形を用いて光強
度を変調させてオーバーライトを行った。特に、消去レ
ーザパワーが連続的ではなくパルス的に照射した。その
結果、１０7 回のオーバーライトを繰返した後でも再生
信号出力及びディスクの感度に変化は見られなかった。
また、磁区形状及び磁区のサイズの制御性も０.７μｍ
以下の微小磁区に対して特に有効であった。ところで、
消去レーザパワーをパルス的に照射すると、熱の周囲へ
の拡散が抑制できるので、形成される磁区サイズをコン
トロールできるとともに、記録領域の周囲に形成される
消去領域の範囲を狭くできるので、トラック間の干渉
（熱クロストーク）を大きく抑制できた。また、熱伝導
率の異なる２層の金属層を用いているので、記録層に蓄
熱した熱を記録膜の温度を上昇させずに周囲へ拡散でき
る。そのため、記録膜の最高到達温度を３００℃以下に
することができ、記録膜の構造緩和を抑制でき、書換え
にともなう記録感度の変動及び再生信号出力の低下を抑
制できた。
【００１２】
【発明の効果】本発明により、消去レーザパワーをパル
ス的に照射すると、記録膜に与えられる実効的なエネル
ギが低下するので、記録膜の構造緩和を生じることなく
消去が行えるので、書換え特性を向上させることができ
る。さらに、消去レーザパワーをパルス的に照射する
と、記録膜の周囲へ熱の拡散が抑制できるので、形成さ
れる磁区のサイズや形状をコントロールできるととも
に、記録領域の周囲に形成される消去領域の範囲を狭く
できるので、トラック間の干渉(熱クロストーク)を大き
く抑制する効果もある。
ス的に照射すると、記録膜に与えられる実効的なエネル
ギが低下するので、記録膜の構造緩和を生じることなく
消去が行えるので、書換え特性を向上させることができ
る。さらに、消去レーザパワーをパルス的に照射する
と、記録膜の周囲へ熱の拡散が抑制できるので、形成さ
れる磁区のサイズや形状をコントロールできるととも
に、記録領域の周囲に形成される消去領域の範囲を狭く
できるので、トラック間の干渉(熱クロストーク)を大き
く抑制する効果もある。
【図１】光磁気ディスクの断面図。
【図２】光磁気ディスクの断面図。
【図３】記録／消去の波形図。
１…基板、２…窒化シリコン膜、３…光磁気記録膜、４
…窒化シリコン膜、５…金属層、６…金属層。
…窒化シリコン膜、５…金属層、６…金属層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井手 浩 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】基板の上に垂直磁気異方性の光磁気記録膜
を形成したディスクに磁化容易軸の向きを変化させて記
録した情報を消去する場合に、消去のためのレーザ光を
間欠的に照射したことを特徴とする光磁気記録における
情報の消去方法。 - 【請求項２】基板の上に垂直磁気異方性の光磁気記録膜
を形成したディスクに磁化容易軸の向きを変化させて記
録した情報を消去する場合に、消去のためのレーザ光を
前記光磁気記録膜に照射した時の前記光磁気記録膜の最
高到達温度が３００℃以下であることを特徴とする光磁
気記録における情報の消去方法。 - 【請求項３】請求項１において、消去のための前記レー
ザ光を光磁気記録媒体に間欠的に照射するのに、一定の
時間間隔でレーザパルスを発生させる光磁気記録におけ
る情報の消去方法。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、一定の時
間間隔で発生させるレーザパルスのパワーを再生パワー
と消去パワーとの間で変調した光磁気記録における情報
の消去方法。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、一定
の時間間隔で発生させるレーザパルスのパルス形状によ
り前記光磁気記録媒体中を流れる熱流を制御した光磁気
記録における情報の消去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159143A JPH064925A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 光磁気記録における情報の消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159143A JPH064925A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 光磁気記録における情報の消去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH064925A true JPH064925A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15687196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4159143A Pending JPH064925A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 光磁気記録における情報の消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH064925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8416665B2 (en) | 2001-09-29 | 2013-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP4159143A patent/JPH064925A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8416665B2 (en) | 2001-09-29 | 2013-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
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