JP2908531B2 - 光磁気記録素子 - Google Patents
光磁気記録素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の利用分野］ この発明は書き換え型の光磁気記録素子（以下、素子
ともいう）に関し、特にこの種の素子に用いる光磁気記
録材料に関する。この発明は例えば、磁界変調記録に適
した光磁気記録材料に関する。
ともいう）に関し、特にこの種の素子に用いる光磁気記
録材料に関する。この発明は例えば、磁界変調記録に適
した光磁気記録材料に関する。
［従来技術］ 発明者らは、GdDyFe合金を光磁気記録材料とした、光
磁気記録素子を提案した（特開昭62−149,057号）。こ
の記録材料は希土類元素として比較的安価なGdとDyとを
用い、カーヒステリシスループにおける核発生磁界、保
磁力、飽和磁界がキュリー温度までほぼ一定で、優れた
記録の消去・再生特性を有している。
磁気記録素子を提案した（特開昭62−149,057号）。こ
の記録材料は希土類元素として比較的安価なGdとDyとを
用い、カーヒステリシスループにおける核発生磁界、保
磁力、飽和磁界がキュリー温度までほぼ一定で、優れた
記録の消去・再生特性を有している。
GdDyFeにCo元素を添加し、キュリー温度を増加させる
ことも公知である（特開昭64−23,445号等）。GdDyFeに
Coを添加すると、キュリー温度が増加するだけでなく、
カー回転角（Θκ）や垂直異方性エネルギー（Ku）が増
加する。カー回転角の増加は読み出し時の特性を改善
し、垂直異方性エネルギーの増加は保磁力を増加させて
微小ビットの安定性を高める。
ことも公知である（特開昭64−23,445号等）。GdDyFeに
Coを添加すると、キュリー温度が増加するだけでなく、
カー回転角（Θκ）や垂直異方性エネルギー（Ku）が増
加する。カー回転角の増加は読み出し時の特性を改善
し、垂直異方性エネルギーの増加は保磁力を増加させて
微小ビットの安定性を高める。
しかしながら、保磁力の増加は記録の消去に要する磁
界を増加させ、光磁気記録素子の駆動に強い外部磁界を
必要とさせることになった。一般に存在可能な最小磁区
径ｄは、 ｄ∝σw/（Ms・Hc） で与えられる。ここにσｗは界面磁壁エネルギー、Msは
飽和磁化、Hcは保磁力である。存在可能な最小磁区径ｄ
が小さいことは微小なビットまで安定に存在し得ること
を意味するが、逆に記録の安定性が過剰で、消去に大き
な外部磁界を要することを意味する。即ちCoの添加はキ
ュリー温度を高め、読み出し特性を改善するが、同時に
保磁力を高め記録の消去を困難にする。
界を増加させ、光磁気記録素子の駆動に強い外部磁界を
必要とさせることになった。一般に存在可能な最小磁区
径ｄは、 ｄ∝σw/（Ms・Hc） で与えられる。ここにσｗは界面磁壁エネルギー、Msは
飽和磁化、Hcは保磁力である。存在可能な最小磁区径ｄ
が小さいことは微小なビットまで安定に存在し得ること
を意味するが、逆に記録の安定性が過剰で、消去に大き
な外部磁界を要することを意味する。即ちCoの添加はキ
ュリー温度を高め、読み出し特性を改善するが、同時に
保磁力を高め記録の消去を困難にする。
［発明の課題］ この発明は、GdDyFeCo材料のキュリー温度を保ったま
ま、保磁力を低下させることを課題とする。またこれに
加えて、光磁気記録材料の耐食性を向上させることに有
る。
ま、保磁力を低下させることを課題とする。またこれに
加えて、光磁気記録材料の耐食性を向上させることに有
る。
［発明の構成］ この発明の光磁気記録素子は、透明基板上に、下記組
成式で表される光磁気記録層を設けたことを特徴とす
る。
成式で表される光磁気記録層を設けたことを特徴とす
る。
［（GdyDy1-y）ｚ（FexCo1-x）1-Z］１−α−β・Ｍ
α・Ｏβ ただしＭはTi,Cr,またはAlの少なくとも一種の元素を
表し、 0.7≦ｘ＜１ 0.2≦ｙ≦0.7 0.15≦ｚ≦0.30 0≦α≦0.03 0.0045≦β≦0.07 好ましくは、酸素含有量βを、0.009≦β≦0.055とす
る。
α・Ｏβ ただしＭはTi,Cr,またはAlの少なくとも一種の元素を
表し、 0.7≦ｘ＜１ 0.2≦ｙ≦0.7 0.15≦ｚ≦0.30 0≦α≦0.03 0.0045≦β≦0.07 好ましくは、酸素含有量βを、0.009≦β≦0.055とす
る。
GdDyFeCo材料に酸素原料を添加すると、0.3原子％ま
ではキュリー温度も消去に要する外部磁界（以下単に消
去磁界とする）もほとんど変化しない。酸素添加の効果
は0.3原子％と0.5原子％との間で発現し、0.5原子％で
はキュリー温度がほとんど低下しないまま消去磁界が激
減する（第１図参照）。これは保磁力が、0.3原子％と
0.5原子％の酸素添加の間で激減するためである（第２
図参照）。このことから、酸素含有量の下限を0.45原子
％とした。酸素添加量を増すと、キュリー温度と消去磁
界は７原子％までなだらかに減少するが、７原子％と８
原子％との添加量の間でキュリー温度が激減し、Co添加
の意義が失われる（第１図参照）。このことから酸素含
有量の上限を７原子％とした。
ではキュリー温度も消去に要する外部磁界（以下単に消
去磁界とする）もほとんど変化しない。酸素添加の効果
は0.3原子％と0.5原子％との間で発現し、0.5原子％で
はキュリー温度がほとんど低下しないまま消去磁界が激
減する（第１図参照）。これは保磁力が、0.3原子％と
0.5原子％の酸素添加の間で激減するためである（第２
図参照）。このことから、酸素含有量の下限を0.45原子
％とした。酸素添加量を増すと、キュリー温度と消去磁
界は７原子％までなだらかに減少するが、７原子％と８
原子％との添加量の間でキュリー温度が激減し、Co添加
の意義が失われる（第１図参照）。このことから酸素含
有量の上限を７原子％とした。
C/N比についてみると、酸素の添加でC/N比は徐々に低
下する。１原子％の添加でC/N比はある程度減少し、以
後７原子％まではなだらかに僅かずつ減少する。７原子
％を越えるとC/N比の減少が再び著しくなり、７原子％
と８原子％との間でC/N比は大きく低下する（第３図参
照）。
下する。１原子％の添加でC/N比はある程度減少し、以
後７原子％まではなだらかに僅かずつ減少する。７原子
％を越えるとC/N比の減少が再び著しくなり、７原子％
と８原子％との間でC/N比は大きく低下する（第３図参
照）。
酸素の添加は、C/N比の立ち上がり磁界やC/N比の飽和
磁界、あるいは印加上限磁界にも影響する。立ち上がり
磁界は１原子％までの添加の間著しく減少し、以後なだ
らかに低下する。印加上限磁界も同様の挙動を示す。C/
N比の飽和磁界も同様に１原子％までの添加の間急減す
るが、１〜３原子％の添加で最低値を示す（第４図参
照）。C/N比の立ち上がり磁界やC/N比の飽和磁界の絶対
値を小さくするため、酸素含有量の下限はより好ましく
は0.9原子％以上とする。一方５原子％を越える酸素添
加では、印加上限磁界が400Oe近くまで低下するため、
酸素添加量の上限はより好ましくは5.5原子％とする。
磁界、あるいは印加上限磁界にも影響する。立ち上がり
磁界は１原子％までの添加の間著しく減少し、以後なだ
らかに低下する。印加上限磁界も同様の挙動を示す。C/
N比の飽和磁界も同様に１原子％までの添加の間急減す
るが、１〜３原子％の添加で最低値を示す（第４図参
照）。C/N比の立ち上がり磁界やC/N比の飽和磁界の絶対
値を小さくするため、酸素含有量の下限はより好ましく
は0.9原子％以上とする。一方５原子％を越える酸素添
加では、印加上限磁界が400Oe近くまで低下するため、
酸素添加量の上限はより好ましくは5.5原子％とする。
光磁気記録層のGdDyFeCo材料には、酸素以外に、Ti,C
r,Alからなる群の少なくとも一種の元素を、３原子％以
下、好ましくは0.5〜2.5原子％含有させる。これらの元
素は、光磁気記録材料の酸化を防止し、材料の耐食性を
高める。３原子％以下の範囲であれば、これらの元素
は、光磁気記録層の保磁力や飽和磁化、保持力と飽和磁
化との積Ms・Hc、キュリー温度、あるいはC/N比に殆ど
影響しない。そしてこれらの元素を加えると、光磁気記
録層の耐食性が向上し、耐食性向上の効果は0.5原子％
以上の添加で強く現れる。Ti,Cr,Alはほぼ同等で、これ
らの元素の中での差異はほとんど見られない。
r,Alからなる群の少なくとも一種の元素を、３原子％以
下、好ましくは0.5〜2.5原子％含有させる。これらの元
素は、光磁気記録材料の酸化を防止し、材料の耐食性を
高める。３原子％以下の範囲であれば、これらの元素
は、光磁気記録層の保磁力や飽和磁化、保持力と飽和磁
化との積Ms・Hc、キュリー温度、あるいはC/N比に殆ど
影響しない。そしてこれらの元素を加えると、光磁気記
録層の耐食性が向上し、耐食性向上の効果は0.5原子％
以上の添加で強く現れる。Ti,Cr,Alはほぼ同等で、これ
らの元素の中での差異はほとんど見られない。
用いるGdDyFeCoO系材料の、組成について説明する。
組成を ［（GdyDy1-y）ｚ（FexCo1-x）1-Z］１−α−β・Ｍα
・Ｏβ （ＭはTi,Cr,またはAlの少なくとも一種の元素を表す）
とした場合に、 GdDyFeCoの部分については、 0.7≦ｘ＜1. 0.2≦ｙ≦0.7, 0.15≦ｚ≦0.30 とする。Co含有量やGd含有量は、素子のキュリー温度等
に影響するが、発明者は酸素やTiを添加した場合にも、
この範囲でキュリー温度が高く、消去磁界の低い材料が
得られることを確認した。次にTi等の含有量を示すαは
既に述べたように、 ０≦α≦0.03、 が好ましく，酸素含有量を示すβは 0.0045≦β≦0.07 とし、より好ましくは 0.009≦β≦0.0055 とする。
組成を ［（GdyDy1-y）ｚ（FexCo1-x）1-Z］１−α−β・Ｍα
・Ｏβ （ＭはTi,Cr,またはAlの少なくとも一種の元素を表す）
とした場合に、 GdDyFeCoの部分については、 0.7≦ｘ＜1. 0.2≦ｙ≦0.7, 0.15≦ｚ≦0.30 とする。Co含有量やGd含有量は、素子のキュリー温度等
に影響するが、発明者は酸素やTiを添加した場合にも、
この範囲でキュリー温度が高く、消去磁界の低い材料が
得られることを確認した。次にTi等の含有量を示すαは
既に述べたように、 ０≦α≦0.03、 が好ましく，酸素含有量を示すβは 0.0045≦β≦0.07 とし、より好ましくは 0.009≦β≦0.0055 とする。
［実施例］ 用語法 実施例では組成の単位を原子％で示すものとし、これ
を単に％と標記する。
を単に％と標記する。
光磁気記録素子の調製 スライドガラス基板、あるいはポリカーボネート樹脂
基板に、４室のマグネトロンスパッタリング装置によ
り、下部誘電体層、光磁気記録層、上部誘電体層、金属
反射層を積層した。ポリカーボネート基板を用いた素子
では、金属反射層上に紫外線硬化樹脂の保護層を設け
た。スパッタリング雰囲気はArとし、基板とターゲット
との間隔は120mm,到達真空度は５×10-7Torr,スパッタ
リング電力は1KWとした。
基板に、４室のマグネトロンスパッタリング装置によ
り、下部誘電体層、光磁気記録層、上部誘電体層、金属
反射層を積層した。ポリカーボネート基板を用いた素子
では、金属反射層上に紫外線硬化樹脂の保護層を設け
た。スパッタリング雰囲気はArとし、基板とターゲット
との間隔は120mm,到達真空度は５×10-7Torr,スパッタ
リング電力は1KWとした。
最初に、Si3N4:Al2O3:Y2O3のモル比が86:10:4の焼結
体をターゲットとし、非晶質イットリウム・アルミニウ
ム・サイアロンの下部誘電体層を920Å厚に形成した。
次いでArにニードルバルブで酸素を加えながら、GdDyFe
CoTiターゲットから、光磁気記録層を200Å厚に形成し
た。ターゲットの組成を変え、ニードルバルブで酸素混
合量を変え、光磁気記録層の組成を制御した。この後同
じイットリウム・アルミニウム・サイアロン系のターゲ
ットを用い、上部誘電体層を300Å厚に形成した。更に
この上部に、金属Al系反射層を800Åに形成し、ポリカ
ーボネート基板の場合、ウレタンアクリレートとアクリ
ル酸エステルの共重合体からなる紫外線硬化樹脂の保護
層を10μｍ厚に形成した。
体をターゲットとし、非晶質イットリウム・アルミニウ
ム・サイアロンの下部誘電体層を920Å厚に形成した。
次いでArにニードルバルブで酸素を加えながら、GdDyFe
CoTiターゲットから、光磁気記録層を200Å厚に形成し
た。ターゲットの組成を変え、ニードルバルブで酸素混
合量を変え、光磁気記録層の組成を制御した。この後同
じイットリウム・アルミニウム・サイアロン系のターゲ
ットを用い、上部誘電体層を300Å厚に形成した。更に
この上部に、金属Al系反射層を800Åに形成し、ポリカ
ーボネート基板の場合、ウレタンアクリレートとアクリ
ル酸エステルの共重合体からなる紫外線硬化樹脂の保護
層を10μｍ厚に形成した。
得られた光磁気記録素子を、第６図に示す。図におい
て、２はスライドガラスやポリカーボネート樹脂の基板
（直径130mm）で、アクリル樹脂や、エポキシ樹脂、ポ
リエステル樹脂等の、適宜の透明基板に変えることがで
きる。４は下部誘電体層で、ここでは非晶質のイットリ
ウム・アルミニウム・サイアロンとしたが、SiO2,SiO,C
eO2,ZrO2,TiO2,ZnS,Sb2S3,Si3N4等でも良い。６は光磁
気記録層でGdDyFeCo・Ti・Ｏ系のものを用いる。Tiは、
CrやAl元素に置換しても良い。８は下部誘電体層４と同
様の上部誘電体層、10は金属反射層、12は紫外線硬化樹
脂保護層である。誘電体層4,8は設けなくても良い。
て、２はスライドガラスやポリカーボネート樹脂の基板
（直径130mm）で、アクリル樹脂や、エポキシ樹脂、ポ
リエステル樹脂等の、適宜の透明基板に変えることがで
きる。４は下部誘電体層で、ここでは非晶質のイットリ
ウム・アルミニウム・サイアロンとしたが、SiO2,SiO,C
eO2,ZrO2,TiO2,ZnS,Sb2S3,Si3N4等でも良い。６は光磁
気記録層でGdDyFeCo・Ti・Ｏ系のものを用いる。Tiは、
CrやAl元素に置換しても良い。８は下部誘電体層４と同
様の上部誘電体層、10は金属反射層、12は紫外線硬化樹
脂保護層である。誘電体層4,8は設けなくても良い。
調製した素子の、光磁気記録層６の組成を表１に示
す。＊印は比較例である。
す。＊印は比較例である。
波長800nmのレーザ光を用い、3.7MHzの書き込み周波
数で、素子の特性を評価した。キュリー温度と消去磁界
の測定は、スライドガラス基板の素子を用い、他の測定
にはポリカーボネート基板の素子を用いた。第１図〜第
４図に、（Gd42.2Dy57.8）22.5Fe75.5Ti2.0系材料に、
0.3〜８原子％の酸素を加えた際の結果を示す（試料４
〜11）。また試料１〜４の酸素無添加の試料について、
Co含有量のキュリー温度や消去磁界への影響を表２に示
す。Co含有量と共に、キュリー温度や消去磁界が増加す
る。
数で、素子の特性を評価した。キュリー温度と消去磁界
の測定は、スライドガラス基板の素子を用い、他の測定
にはポリカーボネート基板の素子を用いた。第１図〜第
４図に、（Gd42.2Dy57.8）22.5Fe75.5Ti2.0系材料に、
0.3〜８原子％の酸素を加えた際の結果を示す（試料４
〜11）。また試料１〜４の酸素無添加の試料について、
Co含有量のキュリー温度や消去磁界への影響を表２に示
す。Co含有量と共に、キュリー温度や消去磁界が増加す
る。
第１図に戻り、酸素含有量の効果を説明する。0.3％
の酸素添加は、キュリー温度や消去磁界（Erasion Mf
（Magnetic Field））に殆ど影響しない。酸素の効果は
0.5％で発現しキュリー温度を殆ど変えないまま、消去
磁界を300Oeから200Oeに低化させる。酸素添加量を増す
と、キュリー温度や消去磁界は単調に減少し、８原子％
の添加でキュリー温度は145℃まで低下する。
の酸素添加は、キュリー温度や消去磁界（Erasion Mf
（Magnetic Field））に殆ど影響しない。酸素の効果は
0.5％で発現しキュリー温度を殆ど変えないまま、消去
磁界を300Oeから200Oeに低化させる。酸素添加量を増す
と、キュリー温度や消去磁界は単調に減少し、８原子％
の添加でキュリー温度は145℃まで低下する。
第２図に、酸素含有量と、保持力Hcや飽和磁界Ms,Ms
・Hcとの関係を示す。既に述べたように、保磁力と消去
磁界とは密接な関係が有り、保磁力が大きい程、消去磁
界も大きくなる。酸素含有量を0.3％から0.5％に増す
と、保持力は激減する。これが0.3％と0.5％との間で
の、消去磁界の減少の主因である。飽和磁化Msの挙動
は、保磁力Hcの挙動に比べ複雑であるが、その影響は小
さく、Ms・Hcはほぼ保磁力と同様の挙動を示す。
・Hcとの関係を示す。既に述べたように、保磁力と消去
磁界とは密接な関係が有り、保磁力が大きい程、消去磁
界も大きくなる。酸素含有量を0.3％から0.5％に増す
と、保持力は激減する。これが0.3％と0.5％との間で
の、消去磁界の減少の主因である。飽和磁化Msの挙動
は、保磁力Hcの挙動に比べ複雑であるが、その影響は小
さく、Ms・Hcはほぼ保磁力と同様の挙動を示す。
第３図に、酸素含有量のC/N比への影響を示す。C/N比
は最初１％までの添加で減少し、以後７％まで緩やかに
減少する。しかし７％を越えると、C/N比の減少率は再
び増加する。
は最初１％までの添加で減少し、以後７％まで緩やかに
減少する。しかし７％を越えると、C/N比の減少率は再
び増加する。
第４図に、書き込み時の、C/N比の立ち上がり磁界（I
ntersection）、C/N比の飽和磁界（Saturation Poin
t）、印加上限磁界（Upper Limit）を示す。これらのデ
ータの意味は第５図に示し、立ち上がり磁界は外部磁界
を加え書き込みを行った際のC/N比が０から立ち上がる
点を示す。飽和磁界はC/N比が最高値で飽和する磁界を
示し、印加上限磁界はC/N比が最高値から3dB低下する磁
界を示す。立ち上がり磁界や飽和磁界の絶対値が小さい
程、弱い外部磁界で書き込むことができ、印加上限磁界
が大きい程、強い外部磁界を加えた際への許容幅が大き
い。酸素含有量を0.3％から0.5％に増すと、立ち上がり
磁界は100Oe程度低下し、飽和磁界も減少する。以後立
ち上がり磁界は、酸素含有量と共に単調に減少する。飽
和磁界は１〜３％に最小値があり、以後徐々に増加す
る。印加上限磁界は、立ち上がり磁界と類似の挙動を示
す。酸素含有量８％では、印加上限磁界は370Oeと非実
用的な程度に小さくなり、７％では400Oeとなる。印加
上限磁界は一般に400Oe以上とすることが求められるた
め、酸素含有量の上限は５％程度が好ましい。そして酸
素含有量が１〜５％の範囲で、消去磁界が180〜120Oe、
キュリー温度が200℃弱〜215℃、C/N比が49.8〜49.2dB
の好ましい値が得られる。またこの範囲ではC/N比の立
ち上がり磁界が−150〜−100Oe、C/N比の飽和磁界が100
Oe程度であり、磁界変調記録が特に容易になる。
ntersection）、C/N比の飽和磁界（Saturation Poin
t）、印加上限磁界（Upper Limit）を示す。これらのデ
ータの意味は第５図に示し、立ち上がり磁界は外部磁界
を加え書き込みを行った際のC/N比が０から立ち上がる
点を示す。飽和磁界はC/N比が最高値で飽和する磁界を
示し、印加上限磁界はC/N比が最高値から3dB低下する磁
界を示す。立ち上がり磁界や飽和磁界の絶対値が小さい
程、弱い外部磁界で書き込むことができ、印加上限磁界
が大きい程、強い外部磁界を加えた際への許容幅が大き
い。酸素含有量を0.3％から0.5％に増すと、立ち上がり
磁界は100Oe程度低下し、飽和磁界も減少する。以後立
ち上がり磁界は、酸素含有量と共に単調に減少する。飽
和磁界は１〜３％に最小値があり、以後徐々に増加す
る。印加上限磁界は、立ち上がり磁界と類似の挙動を示
す。酸素含有量８％では、印加上限磁界は370Oeと非実
用的な程度に小さくなり、７％では400Oeとなる。印加
上限磁界は一般に400Oe以上とすることが求められるた
め、酸素含有量の上限は５％程度が好ましい。そして酸
素含有量が１〜５％の範囲で、消去磁界が180〜120Oe、
キュリー温度が200℃弱〜215℃、C/N比が49.8〜49.2dB
の好ましい値が得られる。またこの範囲ではC/N比の立
ち上がり磁界が−150〜−100Oe、C/N比の飽和磁界が100
Oe程度であり、磁界変調記録が特に容易になる。
表３、表４に、Gd:Dy比やFe:Co比を変えた、試料13〜
16の結果を示す。表５及び表６に、Tiを無添加あるいは
CrやAlに変えた試料17〜23の結果を示す。消去磁界はOe
単位、保磁力HcはKOe単位、飽和磁化Msはemu/cc単位、M
s・HcはKOe・emu/cc単位、C/N比はdB単位である。また
キュリー点は℃単位で示す。表4,表６のC/N比の飽和磁
界、C/N比の立上がり磁界、印加上限磁界はそれぞれOe
単位で、その意味は第５図に示したものである。
16の結果を示す。表５及び表６に、Tiを無添加あるいは
CrやAlに変えた試料17〜23の結果を示す。消去磁界はOe
単位、保磁力HcはKOe単位、飽和磁化Msはemu/cc単位、M
s・HcはKOe・emu/cc単位、C/N比はdB単位である。また
キュリー点は℃単位で示す。表4,表６のC/N比の飽和磁
界、C/N比の立上がり磁界、印加上限磁界はそれぞれOe
単位で、その意味は第５図に示したものである。
ここでは特定の実施例について説明したが、光磁気記
録層以外の材料や素子の構造は任意である。
録層以外の材料や素子の構造は任意である。
［発明の効果］ この発明では、GdDyFeCo材料の利点である高いキュリ
ー温度を損なうことなく、消去磁界を小さくすることが
できる。またこれに伴って、C/N比の立ち上がり磁界やC
/N比の飽和磁界を小さくすることができる。これらの結
果、小さな外部磁界で記録の消去や書き込みが可能な
る。更に酸素含有量を１〜５原子％程度とすると、印加
上限磁界を400Oeよりも大きくしたまま、C/N比の飽和磁
界や立ち上がり磁界を十分に小さくすることができ、磁
界変調記録が特に容易になる。
ー温度を損なうことなく、消去磁界を小さくすることが
できる。またこれに伴って、C/N比の立ち上がり磁界やC
/N比の飽和磁界を小さくすることができる。これらの結
果、小さな外部磁界で記録の消去や書き込みが可能な
る。更に酸素含有量を１〜５原子％程度とすると、印加
上限磁界を400Oeよりも大きくしたまま、C/N比の飽和磁
界や立ち上がり磁界を十分に小さくすることができ、磁
界変調記録が特に容易になる。
この発明ではまた、光磁気記録層にTiやCr,Al元素を
含有させ、素子の耐食性を向上させることができる。
含有させ、素子の耐食性を向上させることができる。
第１図〜第４図は酸素含有量の効果を表す実施例の特性
図で、第１図は消去磁界とキュリー温度への影響を示
し、第２図は保磁力や飽和磁界、保磁力と飽和磁界の積
への影響を示し、第３図はC/N比への影響を示し、第４
図はC/N比の立ち上がり点やC/N比の飽和磁界、印加上限
磁界への影響を示す。 第５図は、第４図のデータの意味を示すための概念図で
ある。 第６図は、実施例の光磁気記録素子の断面図である。 図において、２……透明基板、 ４……下部誘電体層、６……光磁気記録層、 ８……上部誘電体層、10……反射層。
図で、第１図は消去磁界とキュリー温度への影響を示
し、第２図は保磁力や飽和磁界、保磁力と飽和磁界の積
への影響を示し、第３図はC/N比への影響を示し、第４
図はC/N比の立ち上がり点やC/N比の飽和磁界、印加上限
磁界への影響を示す。 第５図は、第４図のデータの意味を示すための概念図で
ある。 第６図は、実施例の光磁気記録素子の断面図である。 図において、２……透明基板、 ４……下部誘電体層、６……光磁気記録層、 ８……上部誘電体層、10……反射層。
Claims (2)
- 【請求項１】透明基板上に、下記組成式で表される光磁
気記録層を設けたことを特徴とする光磁気記録素子。 ［（GdyDy1-y）ｚ（FexCo1-x）1-Z］１−α−β・Ｍα
・Ｏβ ただしＭはTi,Cr,またはAlの少なくとも一種の元素を表
し、 0.7≦ｘ＜１ 0.2≦ｙ≦0.7 0.15≦ｚ≦0.30 ０≦α≦0.03 0.0045≦β≦0.07 - 【請求項２】酸素含有量βを、0.009≦β≦0.055とした
ことを特徴とする、請求項１記載の光磁気記録素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17378790A JP2908531B2 (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 光磁気記録素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17378790A JP2908531B2 (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 光磁気記録素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467334A JPH0467334A (ja) | 1992-03-03 |
| JP2908531B2 true JP2908531B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=15967145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17378790A Expired - Fee Related JP2908531B2 (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 光磁気記録素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2908531B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6436524B1 (en) | 1996-01-19 | 2002-08-20 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium |
| CN111636035B (zh) * | 2020-06-11 | 2022-03-01 | 福建省长汀金龙稀土有限公司 | 重稀土合金、钕铁硼永磁材料、原料和制备方法 |
-
1990
- 1990-06-30 JP JP17378790A patent/JP2908531B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0467334A (ja) | 1992-03-03 |
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