JPH02216635A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は、光６ｎ気記録に用いられる光磁気記録媒体に
関するもので、特に、その光磁気配録層の材料に関する
。

Ｃ従来の技術Ｊ 従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、または樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記
録層から成り、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ
、ＧｄＦｅＣｏ等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金膜が用いられる。これらの膜はキュリー温度が１
００〜２００℃と半導体レーザーの集束光による記録・
消去に適しており、また非晶質であることから、ＭｎＢ
１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録
材料としては望ましい特性を備λている。

しかしながら、これらの材料には次の様な欠点がある。

即ち、光磁気記録においては情報の再生はカー効果もし
くはファラデー効果を用いて行われるが、これらの材料
においてはこの磁気光学効果が非常に小さい、一方、磁
気光学効果は動作温度においては記録膜のキュリー温度
と正の相関が経験的に知られている。したがって、記録
膜のキュリー温度を高めることによって磁気光学効果を
大きくすることができる。ところが、キュリー１度が高
くなると記録・消去に必要なレーザーパワーが高くなる
。そこで、このような欠点を改善するために重希土−鉄
系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案され
ている。（特開昭５９−１７８６４１）この材料によっ
て記録感度を低下せしめることなく、光再生特性を向上
させることができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、この材料には次に示すような改善すべき
問題点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにはバイアス磁
界を必要とするにのような材料を記録層に用いた場合、
最低３０００ｅ程度以上のバイアス６ｎ界を記録ビット
周囲に印加させないと、良好な記録を行うことができな
い、また、記録・再生装置の小型化・低消費電力化を実
現するためには、低バイアス磁界での記録・消去が可能
な材料が要求されている。一方、光磁気記録における重
ね書きを実現する方法として、ｍ界変調記録法が提案さ
れているが、この方式においても磁場感度の高い記録媒
体が望ましい、即ち、従来の光磁気記録媒体を用いた場
合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要からコイ
ルに高電圧を印加することになる。さらに、高磁界を高
周波で得るためにコイルを媒体面より数ｕｍ程度まで近
づけると、光磁気記録の光メモリーとしての利点の大半
′を失うことになる。

本発明はこのような従来の光…気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、低バイアス磁界
でも良好な記録・消去を行うことができる光磁気記録媒
体を提供するところにある。

〔課題を解決するための手段］ 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質膜であって、組成を原子比
で、 ｆＮｄ、Ｐｒ１ｘ　（Ｓｍ、（ＴｂＤｙｌ　＋−５ｌｙ
　（Ｆｅ、Ｇｏ、Ｎｉｌ　＋ｏｏ−ｘ−ｙと表した時、 ０＜Ｘ≦１０ １５≦Ｘ＋３’≦４０ ０＜ｚ≦０．３　である事を特徴とする。

ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は媒体の記録・再生条
件によって、キエリー温度及び補償温度等の物性を所望
値にするため、任意に設定できる。但し、この組成系に
おいては光磁気記録媒体として必要条件である垂直磁化
膜であるためには、（ｘ＋ｙ）即ち膜中の全希土類の比
率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要がある
。

［実　施　例〕 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） （Ｎｄｏ、　５Ｐｒｏ、　ｓｌ　ａ、　ｏ　（Ｓｍｏ、
　＋　ｓ　ｆＴｂＤｙｌ　ｏ、　ｓｓｌ　ｘｓ。

ｆＦｅｏ、　ａｓ（：Ｏｏ、　＋　８＋　７１゜なる組
成の非晶質膜を記録層とする光磁気記録媒体を１６μｍ
ピッチのスパイラル状の案内溝を有する直径１２０ｍｍ
のポリカーボネート基板を用いて作製した。

また、比較例として［Ｓｍｏ、　１８　（ＴｂＤｙｌ　
Ｑ、　ａｓｌｓｚ。

（Ｆｅｏ、　５ｓｃＯｏ、　＋ｓｌ　ｙ７．　ｏの組成
の記録膜を有する光６ｎ気記録媒体を作製した。

第１図は、本実施例のＮｄＰｒＳｍＴｂＤｙＦｅＣｏ（
０）と比較例のＳｍＴｂＤｙＦｅＣ。

（×）を記録膜とした光磁気記録媒体の再生ＣＮ比の記
録バイアス磁界依存性を示したものである０本実施例の
光磁気記録媒体のＣＮ比が、約７０００ｅで飽和するの
に対し、比較例のＮｄ、Ｐｒを含有しない光磁気記録媒
体は飽和するのに約３０００ｅのバイアス磁界が必要な
ことがわかる。また、再生ＣＮ比も本発明の実施例にお
ける光磁気記録媒体の方が約２ｄＢ高（再生特性も優れ
ている。

（実施例２） ｆＮｄａ、　ａＰｒａ、　４１Ｘ　（Ｓｍｏ、　１０　
（ＴｂＤｙｌ　Ｏ，ｅａｔ　ｗｍ、　ｏ　（Ｆｅｏ、　
ａ。

Ｃｏｏ、　ｓｏｌ　？８．０−Ｘなる組成において、Ｎ
ｄＰｒ量Ｘを変化させて光磁気記録媒体を作製した。第
２図はＮｄＰｒｆｌｔｘに対して、ＣＮ比の飽和に要す
る記録バイアス磁界の大きさをプロットしたものである
。飽和バイアス磁界はＮ　ｄ　Ｐ　ｒ　ｊｌ　ｘの増加
に伴い減少し、ｘ＝６　（ａｔ％）で最小となった後、
増大する。一方、第３図に示す様に光磁気記録媒体の再
生ＣＮ比はｘ＝８　（ａｔ％）程度まで漸増した後、急
激に低下する。この様なことを総合するとＮｄＰｒ量と
しては１０（ａｔ％）以下であれば；　ＮｄＰｒ添加の
効果であるところの記録消去バイアス磁界の減少を再生
信号の劣化を伴わずに実現することができる。

（実施例３） ｆＮｄ−Ｐｒ量−ａｌｌ、　Ｑ　（Ｓ’１Ｍｏ、　＋ｏ
　ｆＴｂｏｙ）　ｏ、　ｓｏｌ　ａａ、　ｏ　（Ｆｅｏ
、　ａ。

Ｃｏｏ、　２゜）、３゜なる組成において、ＮｄとＰｒ
の量比ａを変化させて光磁気記録媒体を作製した。

第４図はＮ　ｄ　ｌ　ａに対して、ＣＮ比の飽和に必要
な記録バイアス磁界の大きさを表したものである。飽和
バイアス磁界は全域にわたってＮｄのみの場合やＰｒの
みの場合よりも小さく、ＮｄとＰｒの両方の元素を混合
することによって、各々を単独で用いるよりもより小さ
な印加磁場での記録及び消去とより大きな磁気光学効果
が得られる事がわかる。

（実施例４） 本発明の実施例として、第１表に示した組成の記録膜を
有する磁性膜を作製した。

更に、比較のために第２表に示す組成の記１ｆｆｌを有
する光磁気記録媒体を作製した。

これらの実施例並びに比較例の光磁気記録媒体のＣＮ比
の飽和に要する記録バイアス磁界とＣＮ比を第３表に示
した。

本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例試料番号６よりも小さい、また、ＣＮ比もＮｄ及びＰ
ｒの入らない比較例試料番号６と同等もしくは、それ以
上の値が得られている。更に、全希土類の比率が１５（
ａｔ％）未満もしくは４０　（ａｔ％）を超えたり、Ｓ
ｍと（ＴｂＤｙ）の比率が３＝７を超えてＳｍが多く含
有している場合やＮｄ、Ｐｒ量が１０（ａｔ％）を超え
たいずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められる
ものの、大幅なＣＮ比の低下を伴うため好ましくないこ
とがわかる。

尚、重希土類元素であるＴｂとＤｙの比率の相違が、光
磁気記録媒体の特性に影響を及ぼさない、従って、本実
施例においては、ＴｂとＤｙの比率は同等限定されるも
のではない。

第１表 第　　３　　表 第２表 ［発明の効果１ 以上に述べた様に本発明によれば、光…気記録媒体のＣ
Ｎ比の低下を伴うことなく、ＣＮ比の飽和バイアス磁界
の低減を行うことができる６従って、低バイアス磁界で
も良好な記録及び、消去が可能な高性能な光磁気記録媒
体を供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の実施例におけるＮｄＰｒＳｍＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜と従来例のＳｍＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を記録
膜とする光…気記録媒体のＣＮ比と言己録バイアス磁界
の関係を示す図。 第２図は、本発明の（Ｎｄｏ６Ｐｒｏ４）ｘ（Ｓｍａ、
　＋。 ｆＴｂＤｙｌ　Ｏ，ｅａｔ　２１０１Ｆｅｏ、　５ｏｃ
Ｏｏ、　ｓｏｌ　ｔｓ−＊を用いた光６ｎ気記録媒体の
（ＮｄＰｒ）ｆ！ｋＸと飽和バイアス磁界の関係を示す
図。 第３図は、同じ＜　（ＮｄＰｒ）量ＸとＣＮ比の関係を
示す図。 第４図は、（ＮｄｍＰｒ＋−ａｌｓ、　ｏｆｓｍｏ、　
ｒｏ（丁１）Ｄｙ１ｏ、ｅｏ１２２、　ＯｆＦｅｏ、　
ｅｏｃａｏ、　ｇｏ）　ｔｚ、　ａなる組成式において
Ｎｄｆｆ１ａとＣＮ比の関係を示す図。 １−−　ＮｄＰｒＳｍＴｂＤｙＦｅＣｏ組成のバイアス
磁界（Ｏｅ） 第１図 記録膜。 ＳｍＴｂＤｙＦｅＣｏ組成の記録膜。 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上　柳　雅　誉（他１名）ＮｄＰｒ量
、Ｘ（ａｔ％） 第２図 ＮｄＰｒ量、Ｘ（ａｔ％） Ｎｄ量比、ａ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で、 （Ｎｄ，Ｐｒ）ｘ（Ｓｍｚ（ＴｂＤｙ）１−ｚ）ｙ（Ｆ
   ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表し
   た時、 ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ である事を特徴とする光磁気記録媒体。