JPH02265048A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は光磁気記録に用いられる光６１Ｎ気記録媒体に
関するもので、特にその光６ｎ気記録層の材料に関わる
。

［従来の技術］ 従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、又は樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記録
層からなり、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅ等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶質
合金薄膜が用いられる。これらの膜はキューリー温度が
１００℃から２００°Ｃと半導体レーザーの収束光によ
る記録消去に適しており、また非晶質であることからＭ
ｎＢ１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気
記録材料としては望ましい特性を備えている。

しかしながら、これらの材料にはつぎのような欠点があ
る。即ち光磁気記録においてはカー効果やファラデー効
果を用いて行われるが、これらの材料においてはこの磁
気光学効果が非常に小さい。一方磁気光学効果は動作温
度においては記録膜のキューリー温度と正の相関が経験
的に知られている。したがって、記録膜のキューリー温
度を高めることによって磁気光学効果を大きくすること
ができる。ところがキューリー温度が高くなると記録・
消去に必要なレーザーパワーが高くなってしまう。そこ
で、このような欠点を改善するために重希土鉄系合金に
軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案されている（
特開昭５９−１７８６４１）。この材料によって記録感
度を低下せしめることなく、光再生特性を向上させるこ
とができる。

〔発明が解決しようとする課題１ しかしながらこの材料には次に示ず様な改善ずべき問題
点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにバイアス磁界
を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合、
最低３００　０ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ピット
周囲に発生させないと、良好な記録を行うことができな
い。記録　再生装置の小型化・低消費電力化を実現する
ためには、低バイアス磁界での記録消去が可能な材料が
待望されている。一方、光磁気記録における重ね書きを
実現する方法として、磁界変調記録方式が提案されてい
るが、この方式においても磁場感度の高い記録媒体が望
ましい。即ち従来の光磁気記録媒体を用いた場合、大き
な醒主界を高速でスイッチングする必要からコイルに高
電圧をかけることになる。更に高磁界を高周波で得るた
めにコイルを媒体面より数μｍ程度まで近付けると、光
磁気記録の光メモリーとしての利点の大半を失うことに
なる。

本発明はこのような従来の光ａｔ気記録媒体の課題を解
決するもので、その目的とするところは、低バイアス磁
界でも良好な記録消去を行うことができる光磁気記録媒
体を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質薄膜であって、組成を原子
比で Ｐｒｘ（Ｓｍｚ　　（ＴｂＧｄ）＋−ｚ）ｙ（ＦｅＣＯ
Ｎｉ）と表したとき、０＜ｘ≦１０．１５≦ｘ＋ｙ≦４
０、Ｏ＜ｚ≦０．３であることを特徴とする。

ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は、媒体の記録再生条
件によってキューリー温度、補償温度等の物性を所望の
値にするために、任意に設定できる。但しこの組成系に
おいて、光磁気記録媒体として必要条件である垂直磁化
膜であるためには、ｘ＋ｙ、即ち膜中の全希土類の比率
を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要がある。

［実　施　例］ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） Ｐ　ｒ　５５（Ｓｍｏ、＋（Ｔ　ｂｏ５Ｇｄｏ５）　ａ
、ａ　）２８．６　（Ｆ　ｅｏ、ｔ　ＣＯｏ、３　）　
ａ８なる組成の非晶質膜を記録層とする光磁気記録媒体
を、１．６１１ｍピッチのスパイラル状の案内溝を有す
る直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基板を用いて作成
した。又比較例として（Ｓｍｏ２（Ｔ　ｂｏ、ｓ　Ｇｄ
ｏ、ｓ　）　ｏ、ａ　）　２６．６　（Ｆ　ｅｏ７ＣＯ
Ｑ、３　）　ｔ３．ｓの組成の記録膜を有する光磁気記
録媒体を作成した。

第１図は本実施例のＰ　ｒ　Ｓ　ｍ　Ｔ　ｌ：ｌ　Ｇ　
ｄ　Ｆ　ｅ　Ｃ。

（ロ）と比較例のＳｍＴｂＧｄＦｅＣｏ　（◆）を記録
膜とした光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の記録バイアス
磁界依存性を示したものである。本実施例の媒体の再生
Ｃ／Ｎ比が約＋００　０ｅで飽和するのに対して、比較
例のＰｒを含有しない媒体は飽和するのに約３００　０
ｅのバイアス磁界が必要なことが分かる。

（実施例２） Ｐ　ｒｘ　（Ｓｍｏ２ｏ　（Ｔ　ｂｏ５Ｇｄｏ、）　ｏ
、ｇｏ）２１１．０　　（Ｆ　　ｅｏ、ａｏｃ　　００
．２０）　　７５．０−ｘなる組成において、Ｐｒ量Ｘ
を変化させて光磁気記録媒体を作成した。

第２図はＰｒＭＸに対して、Ｃ／Ｎ比の飽和に要する記
録バイアス磁界の大きさをプロットしたものである。飽
和バイアス記録磁界はＰｒ量の増加にともない減少し、
ｘ＝６ａｔ％で最小となったあと、増大する。−力筒３
図に示すように光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比はｘ＝６
ａｔ％程度まで漸増した後、急激に低下する。このよう
なことを総合すると、Ｐｒｆｉとしては］、　Ｏａ　ｔ
％以下であれば、Ｐｒ添加の効果であるところの記録バ
イアス磁界の減少を再生信号の劣化を伴わずに実現する
ことができる。

（実施例３） 本発明の実施例として第１表に示した組成の記録膜を有
する光磁気記録媒体を作成した。添え字ｘ、ｙ、ｚ、ｐ
、ｑは次の組成式における組成比を表す。

Ｐ　ｒ　ｘ　　（Ｓｍ、　　（Ｔ　ｂｏ、ｓ　Ｇ　ｄｏ
５）　ｌ−２）　ｙ（Ｆｅ、　ＣｏｑＮｉ＋−ｐ−ｑ　
）　ＩＱｏ−Ｘ−１１第１表 更に比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する光
磁気記録媒体を作成した。

第３表に示す。

第２表 これら実施例並びに比較例の記録媒体のＣ／Ｎ比の飽和
に要する記録バイアス磁界とＣ／Ｎ比を第３表 本発明の実施例の飽和記録バイアス五Ｒ界はいずれも比
較例Ｎｏ、］、］よりも小さい。またＣ／Ｎ比もＰｒの
入らないＮｏ、１］の資料と同等か、それ以上の値が得
られる。更に希土類の比率が１、５　ａ　ｔ％未満であ
ったり４０ａｔ％を越えると、或はＳｍとＴｂＧｄの比
率が３７を越えた場合やＰｒ量が１０ａｔ％を越えたと
き、いずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められ
るが、大幅なＣ／Ｎ比の低下を伴うため好ましくないこ
とがわかる。

尚、本発明はこれらの実施例に限定されると考えるべき
てはなく、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変更は
可能である。

例えば、重希土類のＴ　Ｉ）・Ｇｄの構成比が任意の値
であっても、飽和バイアスα主界・Ｃ／Ｎ比等の諸特性
を悪化させることはない。

更に、遷移金属であるＦｅ−Ｃｏ　Ｎ１の構成比が任意
の値であっても、飽和バイアス磁界・Ｃ／Ｎ等の諸特性
を悪化させることはない。

〔発明の効果１ 以上に述べたように本発明によれば、光磁気記録媒体の
Ｃ／Ｎ比の低下を伴うことなく、Ｃ／Ｎ比の飽和バイア
ス磁界の低減を行うことが出来る。従って低バイアスｍ
界でも良好な記録消去が可能な高性能な光磁気記録媒体
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＰｒＳｍＴｂＧｄＦｅＣｏ膜（ロ）と
従来例のＳｍＴｂＧｄＦｅＣｏ膜（◆）を記録膜とする
光６Ｒ気記録媒体のＣ／Ｎ比と記録バイアス磁界の関係
を示す図である。 第２図は本発明のＰｒｘ　　（Ｓｍｏ２ｏ（Ｔｂａ５Ｇ
　ｄ　１１５）　Ｏ，ＢＯ）　２５．０　（Ｆ　ｅｏ８
ｏｃ　ＯＱ、２０）７６、０−Ｘを用いた光磁気記録媒
体のＰｒ量Ｘと飽和バイアス６１主界の関係を表す図で
ある。 第３図は同しく　Ｐ　ｒ　量ｘとＣ／Ｎ比の関係を表す
図である。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で Ｐｒ＿ｘ（Ｓｍ＿ｚ（ＴｂＧｄ）＿１＿−＿ｚ）＿ｙ（
   ＦｅＣｏＮｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表した
   とき０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ であることを特徴とする光磁気記録媒体。