JPH08185645A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH08185645A JPH08185645A JP33918694A JP33918694A JPH08185645A JP H08185645 A JPH08185645 A JP H08185645A JP 33918694 A JP33918694 A JP 33918694A JP 33918694 A JP33918694 A JP 33918694A JP H08185645 A JPH08185645 A JP H08185645A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録ピットの長さが０．７μｍ以下の光磁気
記録媒体において、良好なＣ／Ｎで、高密度記録が行な
える光磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の光磁気記録媒体は、透明基板上に、
誘電体層と、再生用磁性層および記録用磁性層を備える
磁性層と、反射層とを順次積層してなる構造を有し、長
さが０．７μｍ以下の記録ピットをもつ記録ピット列が
レーザー光と外部磁界を使って記録されるものであっ
て、前記再生用磁性層の層厚が７０〜１６０Ａの範囲、
前記記録用磁性層の層厚が７０〜１８０Ａの範囲内にそ
れぞれ設定されている。
記録媒体において、良好なＣ／Ｎで、高密度記録が行な
える光磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の光磁気記録媒体は、透明基板上に、
誘電体層と、再生用磁性層および記録用磁性層を備える
磁性層と、反射層とを順次積層してなる構造を有し、長
さが０．７μｍ以下の記録ピットをもつ記録ピット列が
レーザー光と外部磁界を使って記録されるものであっ
て、前記再生用磁性層の層厚が７０〜１６０Ａの範囲、
前記記録用磁性層の層厚が７０〜１８０Ａの範囲内にそ
れぞれ設定されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、磁性薄膜をレーザー
光等により局所的に昇温させ、外部磁界によってこの部
分の磁化方向を反転させることによって記録を行い、こ
れらの磁化方向の異なる記録ドメインをカー効果、ファ
ラデー効果によって読み出しを行う記録媒体である。
光等により局所的に昇温させ、外部磁界によってこの部
分の磁化方向を反転させることによって記録を行い、こ
れらの磁化方向の異なる記録ドメインをカー効果、ファ
ラデー効果によって読み出しを行う記録媒体である。
【０００３】現在、市販されている３．５インチＭＯ、
５．２５インチＭＯ、ＭＤ等の光磁気記録媒体では、樹
脂基板上に５００〜１０００Ａの第一誘電体層、１５０
〜３００Ａの磁性層、１００〜４００Ａの第二誘電体
層、４００〜８００Ａの反射層を順次積層した、いわゆ
る反射膜構造を採用している（例えば、特公平４−２２
２９１号公報参照）。膜構造としては、この他に第一あ
るいは第二誘電体層のない構造も提案されている。これ
らの磁性層としては、ＴｂＦｅＣｏ系、ＤｙＦｅＣｏ
系、ＧｄＦｅＣｏ系などの希土類・遷移金属ＲＥ−ＴＭ
系の垂直磁化膜が多く用いられている。また、通常これ
らは単一組成の材料（磁気特性が膜厚方向で均一）で構
成されているが、その他に磁気特性の異なる材料を積層
させる構成のものも提案されている。例えば、特公平３
−９５４５号公報で提案された光記録媒体は、キューリ
ー温度または磁気的補償温度が低く、保磁力が大きくか
つ膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性薄膜の記録層
と、該記録層に隣接して配置され、磁気カー回転角が大
きくかつ膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性薄膜のＧ
ｄＦｅ、ＧｄＦｅＢｉのごとき非晶質希土類・遷移金属
合金磁性薄膜の再生層と、光の入射側に配置される透明
体基板と、該透明体基板側から入射し前記記録層および
前記再生層を透過した光を反射するための金属反射膜
と、前記記録層および前記再生層の透明体基板側または
前記金属反射層側の少なくとも一方側に配置された誘電
体層とを備えている。
５．２５インチＭＯ、ＭＤ等の光磁気記録媒体では、樹
脂基板上に５００〜１０００Ａの第一誘電体層、１５０
〜３００Ａの磁性層、１００〜４００Ａの第二誘電体
層、４００〜８００Ａの反射層を順次積層した、いわゆ
る反射膜構造を採用している（例えば、特公平４−２２
２９１号公報参照）。膜構造としては、この他に第一あ
るいは第二誘電体層のない構造も提案されている。これ
らの磁性層としては、ＴｂＦｅＣｏ系、ＤｙＦｅＣｏ
系、ＧｄＦｅＣｏ系などの希土類・遷移金属ＲＥ−ＴＭ
系の垂直磁化膜が多く用いられている。また、通常これ
らは単一組成の材料（磁気特性が膜厚方向で均一）で構
成されているが、その他に磁気特性の異なる材料を積層
させる構成のものも提案されている。例えば、特公平３
−９５４５号公報で提案された光記録媒体は、キューリ
ー温度または磁気的補償温度が低く、保磁力が大きくか
つ膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性薄膜の記録層
と、該記録層に隣接して配置され、磁気カー回転角が大
きくかつ膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性薄膜のＧ
ｄＦｅ、ＧｄＦｅＢｉのごとき非晶質希土類・遷移金属
合金磁性薄膜の再生層と、光の入射側に配置される透明
体基板と、該透明体基板側から入射し前記記録層および
前記再生層を透過した光を反射するための金属反射膜
と、前記記録層および前記再生層の透明体基板側または
前記金属反射層側の少なくとも一方側に配置された誘電
体層とを備えている。
【０００４】ところで、光磁気記録媒体においては、媒
体１枚あたりの記録容量を増加させること、すなわち記
録の高密度化の要求が大きい。この記録の高密度化の方
法の１つとして記録ピットの長さを縮小して線記録密度
を向上させる方法が知られている。高密度記録のため
に、記録ピットの長さを縮小する方法を採用する場合、
現在使用されている最短ピット長が０．９〜１．０μｍ
であるので、ピット長を０．７μｍ以下、特に、現在の
半分以下のピット長、例えば０．３〜０．５μｍとする
ことが望ましい。
体１枚あたりの記録容量を増加させること、すなわち記
録の高密度化の要求が大きい。この記録の高密度化の方
法の１つとして記録ピットの長さを縮小して線記録密度
を向上させる方法が知られている。高密度記録のため
に、記録ピットの長さを縮小する方法を採用する場合、
現在使用されている最短ピット長が０．９〜１．０μｍ
であるので、ピット長を０．７μｍ以下、特に、現在の
半分以下のピット長、例えば０．３〜０．５μｍとする
ことが望ましい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記録ピ
ット長の縮小に伴って、Ｃ／Ｎが劣化することが知られ
ており、上記特公平４−２２２９１号公報に開示された
構造の光磁気記録媒体においては、ピット長を０．７μ
ｍ以下とした場合、他の条件、例えば、磁性層や誘電体
層の層厚等を種々選択しても、満足のゆくＣ／Ｎが得ら
れなかった。
ット長の縮小に伴って、Ｃ／Ｎが劣化することが知られ
ており、上記特公平４−２２２９１号公報に開示された
構造の光磁気記録媒体においては、ピット長を０．７μ
ｍ以下とした場合、他の条件、例えば、磁性層や誘電体
層の層厚等を種々選択しても、満足のゆくＣ／Ｎが得ら
れなかった。
【０００６】本発明は、記録ピットの長さが０．７μｍ
以下の光磁気記録媒体において、良好なＣ／Ｎで、高密
度記録が行なえる光磁気記録媒体を提供することを目的
とするものである。
以下の光磁気記録媒体において、良好なＣ／Ｎで、高密
度記録が行なえる光磁気記録媒体を提供することを目的
とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、記録ピット長を
０．７μｍ以下とした光磁気記録媒体について種々検討
したところ、上記特公平３−９５４５号公報で提案され
た光磁気記録媒体の構造のうち、誘電体層を透明体基板
層側のみに配し、しかも再生層と記録層の層厚をそれぞ
れ７０〜１６０Ａ、７０〜１８０Ａの限定した層厚とし
たとき、高密度でＣ／Ｎの高い記録を行なえることを見
出した。
０．７μｍ以下とした光磁気記録媒体について種々検討
したところ、上記特公平３−９５４５号公報で提案され
た光磁気記録媒体の構造のうち、誘電体層を透明体基板
層側のみに配し、しかも再生層と記録層の層厚をそれぞ
れ７０〜１６０Ａ、７０〜１８０Ａの限定した層厚とし
たとき、高密度でＣ／Ｎの高い記録を行なえることを見
出した。
【０００８】本発明は、このような知見に基づいて提案
されたものであり、本発明による光磁気記録媒体は、透
明基板上に、誘電体層と、再生用磁性層および記録用磁
性層を備える磁性層と、反射層とを順次積層してなる構
造を有し、長さが０．７μｍ以下の記録ピットを含む記
録ピット列がレーザー光と外部磁界を使って記録される
ものであって、前記再生用磁性層の層厚が７０〜１６０
Ａ、前記記録用磁性層の層厚が７０〜１８０Ａの範囲内
にそれぞれ設定されていることを特徴とする。
されたものであり、本発明による光磁気記録媒体は、透
明基板上に、誘電体層と、再生用磁性層および記録用磁
性層を備える磁性層と、反射層とを順次積層してなる構
造を有し、長さが０．７μｍ以下の記録ピットを含む記
録ピット列がレーザー光と外部磁界を使って記録される
ものであって、前記再生用磁性層の層厚が７０〜１６０
Ａ、前記記録用磁性層の層厚が７０〜１８０Ａの範囲内
にそれぞれ設定されていることを特徴とする。
【０００９】上記誘電体層の屈折率は、２．１以上であ
ることが好ましい。また、上記再生用磁性層の層厚をｄ
１、記録用磁性層をｄ２としたとき、それらの層厚の比
ｄ２／ｄ１が０．８〜２の範囲に設定されていることが
好ましい。さらに、再生用と記録用の磁性層は交換結合
しており、磁性層としての保磁力が４〜１５ｋＯｅであ
ることが好ましい。
ることが好ましい。また、上記再生用磁性層の層厚をｄ
１、記録用磁性層をｄ２としたとき、それらの層厚の比
ｄ２／ｄ１が０．８〜２の範囲に設定されていることが
好ましい。さらに、再生用と記録用の磁性層は交換結合
しており、磁性層としての保磁力が４〜１５ｋＯｅであ
ることが好ましい。
【００１０】
【作用】本発明の光磁気記録媒体においては、誘電体層
を透明基板側に設け、再生用磁性層と記録用磁性層の層
厚を、それぞれ７０〜１６０Ａ、７０〜１８０に設定し
たことにより、良好なＣ／Ｎで、記録ピット長０．７μ
ｍ以下の高密度記録が可能となった。
を透明基板側に設け、再生用磁性層と記録用磁性層の層
厚を、それぞれ７０〜１６０Ａ、７０〜１８０に設定し
たことにより、良好なＣ／Ｎで、記録ピット長０．７μ
ｍ以下の高密度記録が可能となった。
【００１１】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体は、例えば図１に
示される層構造とすることができる。図１の光磁気記録
媒体１は、透明基板２の表面上に、順次、透明な誘電体
層３と、再生用磁性層４および記録用磁性層５を備える
磁性層６と、反射層７を有する。また、上記反射層７の
表面上には保護コート８を、更に、基板２の裏面側（磁
性層設層側の面と反対側）には、図示のように、ハード
コート９を設けてもよい。
示される層構造とすることができる。図１の光磁気記録
媒体１は、透明基板２の表面上に、順次、透明な誘電体
層３と、再生用磁性層４および記録用磁性層５を備える
磁性層６と、反射層７を有する。また、上記反射層７の
表面上には保護コート８を、更に、基板２の裏面側（磁
性層設層側の面と反対側）には、図示のように、ハード
コート９を設けてもよい。
【００１３】上記磁性層６において、再生用磁性層４お
よび記録用磁性層５の層厚は、それぞれ７０〜１６０
Ａ、特に９０〜１２０Ａ、７０〜１８０Ａ、特に８０〜
１４０Ａの範囲内に設定されることが好ましい。上記の
範囲外であるときには、０．７μｍ以下の記録ピット長
で記録を行なうと、十分満足のゆくＣ／Ｎが得られな
い。
よび記録用磁性層５の層厚は、それぞれ７０〜１６０
Ａ、特に９０〜１２０Ａ、７０〜１８０Ａ、特に８０〜
１４０Ａの範囲内に設定されることが好ましい。上記の
範囲外であるときには、０．７μｍ以下の記録ピット長
で記録を行なうと、十分満足のゆくＣ／Ｎが得られな
い。
【００１４】また、再生用磁性層４と記録用磁性層５の
層厚の比率は各々の層厚を「ｄ１」、「ｄ２」としたと
き、 ｄ２／ｄ１が０．８〜２．０ 程度であることが好ましい。再生用磁性層４と記録用磁
性層５の層厚比率が上記の範囲外であるときには、反転
磁界分散が大きくなってしまい０．７μｍ以下の記録ピ
ット長で記録を行ったとき十分満足のいくＣ／Ｎが得ら
れないことがある。
層厚の比率は各々の層厚を「ｄ１」、「ｄ２」としたと
き、 ｄ２／ｄ１が０．８〜２．０ 程度であることが好ましい。再生用磁性層４と記録用磁
性層５の層厚比率が上記の範囲外であるときには、反転
磁界分散が大きくなってしまい０．７μｍ以下の記録ピ
ット長で記録を行ったとき十分満足のいくＣ／Ｎが得ら
れないことがある。
【００１５】上記再生用磁性層４と記録用磁性層５は互
いに交換結合していることが好ましく、また、ポーラー
カーあるいはＶＳＭにてヒステリシスループを測定した
場合に、磁化反転を示す部分が外部磁界の正方向、負方
向で各々１箇所のみ（いわゆる２段ループではない）で
あることが好ましい。それぞれが交換結合した状態の磁
性層の保磁力は、室温（２０℃）でのポーラーカーヒス
テリシスにて測定したときに、４〜１５ｋＯｅ、特に５
〜１５ｋＯｅ、さらには７〜１３ｋＯｅ、そして１０〜
１２ｋＯｅであることが好ましい。このような保磁力と
することによって、良好な記録を行うことができる。こ
の保磁力が小さくなりすぎると、テレビ等の環境磁界で
ピットがダメージを受ける恐れがあり、また記録再生特
性においてはクロストークが大きくなる恐れがある。逆
に保磁力が大きくなりすぎると、記録前に行う室温での
全面初期化が困難となりやすい。
いに交換結合していることが好ましく、また、ポーラー
カーあるいはＶＳＭにてヒステリシスループを測定した
場合に、磁化反転を示す部分が外部磁界の正方向、負方
向で各々１箇所のみ（いわゆる２段ループではない）で
あることが好ましい。それぞれが交換結合した状態の磁
性層の保磁力は、室温（２０℃）でのポーラーカーヒス
テリシスにて測定したときに、４〜１５ｋＯｅ、特に５
〜１５ｋＯｅ、さらには７〜１３ｋＯｅ、そして１０〜
１２ｋＯｅであることが好ましい。このような保磁力と
することによって、良好な記録を行うことができる。こ
の保磁力が小さくなりすぎると、テレビ等の環境磁界で
ピットがダメージを受ける恐れがあり、また記録再生特
性においてはクロストークが大きくなる恐れがある。逆
に保磁力が大きくなりすぎると、記録前に行う室温での
全面初期化が困難となりやすい。
【００１６】記録用磁性層および再生用磁性層は、共
に、磁性材料で構成され、好ましくは垂直磁気異方性を
もつ磁性材料で構成することが好ましい。このような磁
性材料は、好ましくは、希土類元素および遷移元素を含
有する合金である。希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＰｒおよびＣｅから選択される少な
くとも１種の元素が好ましく、遷移元素としては、Ｆｅ
を必須とし、さらにＣｏが含まれることが好ましい。記
録用磁性層の材料としては、特に、保磁力（Ｈｃ）の大
きなＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ等
を用いることが好ましい。一方、再生用磁性層の材料と
しては、特に、カー回転角の大きなＧｄＦｅ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ等を用いることが好ましい。両磁性層のＨｃおよび
カー回転角としてはそれぞれ６００Ａ程度の単層膜とし
たとき、記録用磁性層で６〜２０ｋＯｅおよび０．２０
〜０．３５°、再生用磁性層で０．０５〜４ｋＯｅおよ
び０．３０〜０．４５°であることが好ましい。
に、磁性材料で構成され、好ましくは垂直磁気異方性を
もつ磁性材料で構成することが好ましい。このような磁
性材料は、好ましくは、希土類元素および遷移元素を含
有する合金である。希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＰｒおよびＣｅから選択される少な
くとも１種の元素が好ましく、遷移元素としては、Ｆｅ
を必須とし、さらにＣｏが含まれることが好ましい。記
録用磁性層の材料としては、特に、保磁力（Ｈｃ）の大
きなＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ等
を用いることが好ましい。一方、再生用磁性層の材料と
しては、特に、カー回転角の大きなＧｄＦｅ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ等を用いることが好ましい。両磁性層のＨｃおよび
カー回転角としてはそれぞれ６００Ａ程度の単層膜とし
たとき、記録用磁性層で６〜２０ｋＯｅおよび０．２０
〜０．３５°、再生用磁性層で０．０５〜４ｋＯｅおよ
び０．３０〜０．４５°であることが好ましい。
【００１７】上記記録用磁性層および再生用磁性層の材
料としては、上記の元素に加え、さらにＣｒやＴｉ等の
各種元素が必要に応じて添加されていてもよい。
料としては、上記の元素に加え、さらにＣｒやＴｉ等の
各種元素が必要に応じて添加されていてもよい。
【００１８】再生用磁性層４と記録用磁性層５とは各々
希土類元素リッチの組成比を有するもの、遷移元素リッ
チの組成比を有するもののどちらでもよく、その組み合
わせとしては以下のものが挙げられる。なお、数値は原
子％である。
希土類元素リッチの組成比を有するもの、遷移元素リッ
チの組成比を有するもののどちらでもよく、その組み合
わせとしては以下のものが挙げられる。なお、数値は原
子％である。
【００１９】 組み合わせ 記録用磁性層 再生用磁性層 No. １ Tb21.1-Fe68.7-Co7.2-Cr3.0 Gd20.3-Fe69.7-Co10.0 No. ２ Gb14.0-Tb7.1-Fe70.2-Co7.8-Cr0.9 Gd22.0-Fe70.1-Co7.9 No. ３ Tb19.0-Fe72.0-Co6.0-Cr3.0 Gd25.0-Fe75.0 No. ４ Dy13.0-Tb8.0-Fe72.0-Co7.0 Gd28.0-Fe64.0-Co8.0
【００２０】図１の構成において、光磁気記録媒体１に
対し記録および再生を行うときには、基板２の裏面側
（図中下側）からレーザー光が照射される。このため、
基板２はレーザー光（波長４００〜９００nm程度、特に
５００〜８００nm程度の半導体レーザー光、特に７８０
nm）に対し高透過率（好ましくは８８％以上）をもつ透
明基板が用いられる。具体的には、ガラスやポリカーボ
ネート、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレ
ン系樹脂等の透明樹脂が用いられる。
対し記録および再生を行うときには、基板２の裏面側
（図中下側）からレーザー光が照射される。このため、
基板２はレーザー光（波長４００〜９００nm程度、特に
５００〜８００nm程度の半導体レーザー光、特に７８０
nm）に対し高透過率（好ましくは８８％以上）をもつ透
明基板が用いられる。具体的には、ガラスやポリカーボ
ネート、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレ
ン系樹脂等の透明樹脂が用いられる。
【００２１】また、誘電体層３は、Ｃ／Ｎの向上および
再生用磁性層あるいは記録用磁性層の腐食の防止を目的
として設層されるものであり、その屈折率は、１．６以
上、特に２．１以上であることが好ましい。この屈折率
の上限は特にないが、消光係数を考慮すると通常２．５
程度である。誘電体層を一層しか設けない場合には、光
磁気記録媒体の全体としての反射率が上がってしまい、
感度が劣化してしまう傾向があるが、この感度の劣化
を、誘電体層の屈折率を上げることにより抑制すること
ができる。また、誘電体層の厚さは３００〜１５００A
、特に３００〜１０００Ａ、さらに５００〜７００Ａ
が好ましい。
再生用磁性層あるいは記録用磁性層の腐食の防止を目的
として設層されるものであり、その屈折率は、１．６以
上、特に２．１以上であることが好ましい。この屈折率
の上限は特にないが、消光係数を考慮すると通常２．５
程度である。誘電体層を一層しか設けない場合には、光
磁気記録媒体の全体としての反射率が上がってしまい、
感度が劣化してしまう傾向があるが、この感度の劣化
を、誘電体層の屈折率を上げることにより抑制すること
ができる。また、誘電体層の厚さは３００〜１５００A
、特に３００〜１０００Ａ、さらに５００〜７００Ａ
が好ましい。
【００２２】誘電体層の材料としては、例えばＳｉ
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ5 等の酸化物、ＳｉＮ、ＡｌＮ等の窒化
物、ＳｉＡｌＯＮ等の酸窒化物などの誘電体材料を挙げ
ることができるが、特に屈折率の大きいＳｉＮを用いる
ことが好ましい。
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ5 等の酸化物、ＳｉＮ、ＡｌＮ等の窒化
物、ＳｉＡｌＯＮ等の酸窒化物などの誘電体材料を挙げ
ることができるが、特に屈折率の大きいＳｉＮを用いる
ことが好ましい。
【００２３】反射層７は、その層厚が、３００Ａ〜１０
００Ａ、特に４００Ａ〜７００Ａに設定されていること
が好ましい。上記下限値未満であると光が透過し記録感
度が悪化し、信頼性にも悪影響が出る。また、上記上限
値を外れると記録感度が極度に悪化する。この反射層
は、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕやそれらの合金、もしくは
これらにＮｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｃｏなどの添加元素
を適量加えた材料で形成することが好ましい。
００Ａ、特に４００Ａ〜７００Ａに設定されていること
が好ましい。上記下限値未満であると光が透過し記録感
度が悪化し、信頼性にも悪影響が出る。また、上記上限
値を外れると記録感度が極度に悪化する。この反射層
は、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕやそれらの合金、もしくは
これらにＮｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｃｏなどの添加元素
を適量加えた材料で形成することが好ましい。
【００２４】誘電体層３および反射層７の各層は、スパ
ッタ法等により形成される。スパッタの条件等は通常の
ものとしてよい。
ッタ法等により形成される。スパッタの条件等は通常の
ものとしてよい。
【００２５】また、再生用磁性層４および記録用磁性層
５もスパッタ法等によって形成され、スパッタの条件等
そのものについては、通常のものとしてよいが、上記し
たように、再生用磁性層４と記録用磁性層５は互いに交
換結合していることが好ましいので、これらを成膜する
場合は注意が必要である。具体的には、誘電体層上に記
録用磁性層あるいは再生用磁性層を形成した後は、真空
槽の真空度、スパッタガスの純度にもよるが、できるだ
け速やかに次の磁性層を形成することが好ましい。でき
れば連続的に再生用磁性層と記録用磁性層を形成するこ
とが好ましい。これらを行わないと再生用磁性層と記録
用磁性層の間に不純物層が形成され、交換結合を達成で
きなくなる。
５もスパッタ法等によって形成され、スパッタの条件等
そのものについては、通常のものとしてよいが、上記し
たように、再生用磁性層４と記録用磁性層５は互いに交
換結合していることが好ましいので、これらを成膜する
場合は注意が必要である。具体的には、誘電体層上に記
録用磁性層あるいは再生用磁性層を形成した後は、真空
槽の真空度、スパッタガスの純度にもよるが、できるだ
け速やかに次の磁性層を形成することが好ましい。でき
れば連続的に再生用磁性層と記録用磁性層を形成するこ
とが好ましい。これらを行わないと再生用磁性層と記録
用磁性層の間に不純物層が形成され、交換結合を達成で
きなくなる。
【００２６】保護コート８は、反射層７までのスパッタ
積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。保護コ
ート８を構成する樹脂は特に限定されないが、放射線硬
化型化合物の硬化物であることが好ましい。放射線硬化
型化合物としては（メタ）アクリル基を有するものが好
ましく、これと光重合増感剤ないし開始剤とを含有する
塗膜を、紫外線や電子線により硬化して保護コートを形
成することが好ましい。保護コート８の厚さは、通常、
１μm 〜３０μm 、好ましくは２μm 〜２０μm とす
る。膜厚が薄すぎると一様な膜を形成することが困難と
なり、耐久性が不十分となってくる。また、厚すぎる
と、硬化の際の収縮によりクラックが生じたり、ディス
クに反りが発生しやすくなってくる。
積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。保護コ
ート８を構成する樹脂は特に限定されないが、放射線硬
化型化合物の硬化物であることが好ましい。放射線硬化
型化合物としては（メタ）アクリル基を有するものが好
ましく、これと光重合増感剤ないし開始剤とを含有する
塗膜を、紫外線や電子線により硬化して保護コートを形
成することが好ましい。保護コート８の厚さは、通常、
１μm 〜３０μm 、好ましくは２μm 〜２０μm とす
る。膜厚が薄すぎると一様な膜を形成することが困難と
なり、耐久性が不十分となってくる。また、厚すぎる
と、硬化の際の収縮によりクラックが生じたり、ディス
クに反りが発生しやすくなってくる。
【００２７】なお、基板２の裏面側には、図示されるよ
うに透明なハードコート９を形成してもよい。ハードコ
ートの材質および厚さは、保護コート８と同様とすれば
よい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加など
により帯電防止性を付与することが好ましい。ハードコ
ートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外周側
面や内周側面に設けてもよい。
うに透明なハードコート９を形成してもよい。ハードコ
ートの材質および厚さは、保護コート８と同様とすれば
よい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加など
により帯電防止性を付与することが好ましい。ハードコ
ートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外周側
面や内周側面に設けてもよい。
【００２８】本発明において、光磁気記録媒体に対し記
録・再生は、通常の方法によってよい。具体的には、記
録は、外部磁界を与えた状態で信号に応じたレーザー光
を照射して局部昇温を行い、磁化反転によって記録点な
いし記録マークである記録ピットを形成する光変調方式
によってもよく、また印加磁界を高速で反転することに
より情報を記録する磁界変調方式によってもよい。ま
た、再生は、磁気−光変換によって行なわれる。
録・再生は、通常の方法によってよい。具体的には、記
録は、外部磁界を与えた状態で信号に応じたレーザー光
を照射して局部昇温を行い、磁化反転によって記録点な
いし記録マークである記録ピットを形成する光変調方式
によってもよく、また印加磁界を高速で反転することに
より情報を記録する磁界変調方式によってもよい。ま
た、再生は、磁気−光変換によって行なわれる。
【００２９】本発明の光磁気記録媒体は、そのＣ／Ｎが
波長７８０nmでの記録周波数１２．２２MHz で２６．５
dB以上、記録周波数５．５MHz で５０dB以上が好まし
い。これらのＣ／Ｎの上限は特にないが、現在のとこ
ろ、記録周波数１２．２２MHz で２８dB程度、記録周波
数５．５MHz で５５dB程度である。
波長７８０nmでの記録周波数１２．２２MHz で２６．５
dB以上、記録周波数５．５MHz で５０dB以上が好まし
い。これらのＣ／Ｎの上限は特にないが、現在のとこ
ろ、記録周波数１２．２２MHz で２８dB程度、記録周波
数５．５MHz で５５dB程度である。
【００３０】また、本発明の光磁気記録媒体において
は、最適記録パワーで評価した記録感度容量範囲は３〜
１０mW、特に４〜６mWが好ましい。
は、最適記録パワーで評価した記録感度容量範囲は３〜
１０mW、特に４〜６mWが好ましい。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を比較例ととも
に挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
に挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
【００３２】実施例１ 基板２として、外径１２０mm、内径１５mm、厚さ１．２
mmのディスク状ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）基板（ト
ラックピッチ１．６μm ）を用い、誘電体層３、再生用
磁性層４、記録用磁性層５、反射層７および保護コート
８を順次設層し、図１に示されるような層構造のディス
ク状光磁気記録媒体１を作製した。
mmのディスク状ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）基板（ト
ラックピッチ１．６μm ）を用い、誘電体層３、再生用
磁性層４、記録用磁性層５、反射層７および保護コート
８を順次設層し、図１に示されるような層構造のディス
ク状光磁気記録媒体１を作製した。
【００３３】まず、真空槽内を５．０×１０-5Pa以下ま
で減圧した後、ＡｒガスとＮ2 ガスとを真空槽内に流し
ながら、Ｓｉをターゲットとしてマグネトロンスパッタ
を行い、Ｓｉ−Ｎを主成分とする誘電体層３を基板２上
に形成した。スパッタの際の条件は、投入パワー１kW
（ＲＦ）、スパッタガス圧力０．１Pa、Ａｒガス流量３
３SCCM、Ｎ2 ガス流量１１SCCMとした。誘電体層３の厚
さは６５０Ａであった。後に、屈折率を測定したところ
２．２３であった。
で減圧した後、ＡｒガスとＮ2 ガスとを真空槽内に流し
ながら、Ｓｉをターゲットとしてマグネトロンスパッタ
を行い、Ｓｉ−Ｎを主成分とする誘電体層３を基板２上
に形成した。スパッタの際の条件は、投入パワー１kW
（ＲＦ）、スパッタガス圧力０．１Pa、Ａｒガス流量３
３SCCM、Ｎ2 ガス流量１１SCCMとした。誘電体層３の厚
さは６５０Ａであった。後に、屈折率を測定したところ
２．２３であった。
【００３４】誘電体層３の形成後、磁性膜形成用真空槽
に真空中で搬送し、真空槽内を５．０×１０-5Pa以下ま
で減圧し、Ａｒガスを真空槽内に流しながら、Ｇｄター
ゲットとＦｅＣｏ10原子％ターゲットを用いた２元ＤＣ
スパッタによりＧｄ23.5−Ｆｅ68.6−Ｃｏ7.9 の再生用
磁性層４を形成した。この再生用磁性層４の層厚は、１
００Ａであった。スパッタの際の条件は、 投入パワー Ｇｄ用−２５０W （ＤＣ）、 ＦｅＣｏ用−６５０W （ＤＣ） スパッタガス圧力０．２Pa、Ａｒガス流量９８SCCMとし
た。
に真空中で搬送し、真空槽内を５．０×１０-5Pa以下ま
で減圧し、Ａｒガスを真空槽内に流しながら、Ｇｄター
ゲットとＦｅＣｏ10原子％ターゲットを用いた２元ＤＣ
スパッタによりＧｄ23.5−Ｆｅ68.6−Ｃｏ7.9 の再生用
磁性層４を形成した。この再生用磁性層４の層厚は、１
００Ａであった。スパッタの際の条件は、 投入パワー Ｇｄ用−２５０W （ＤＣ）、 ＦｅＣｏ用−６５０W （ＤＣ） スパッタガス圧力０．２Pa、Ａｒガス流量９８SCCMとし
た。
【００３５】次いで、Ｔｂ21−Ｆｅ69−Ｃｏ7 −Ｃｒ3
［数値は原子％である。］合金をターゲットとしてＤＣ
スパッタを行い、Ｔｂ21.1−Ｆｅ68.7−Ｃｏ7.2 −Ｃｒ
3.0の組成の記録用磁性層５を再生用磁性層４の成膜終
了に連続して形成した。スパッタの際の条件は、投入パ
ワーを１０００W （ＤＣ）としたこと以外は、上記と同
じにした。記録用磁性層５の厚さは１００Ａであった。
［数値は原子％である。］合金をターゲットとしてＤＣ
スパッタを行い、Ｔｂ21.1−Ｆｅ68.7−Ｃｏ7.2 −Ｃｒ
3.0の組成の記録用磁性層５を再生用磁性層４の成膜終
了に連続して形成した。スパッタの際の条件は、投入パ
ワーを１０００W （ＤＣ）としたこと以外は、上記と同
じにした。記録用磁性層５の厚さは１００Ａであった。
【００３６】この後、ＡｌＮｉ6 wt% 合金ターゲットを
使用し、ＤＣスパッタで上記記録用磁性層５の表面上に
厚さ４００ＡのＡｌＮｉの反射層７を形成した。スパッ
タの際の条件は、投入パワー７５０Ｗ（ＤＣ）、スパッ
タガス圧力０．１５Pa、Ａｒガス流量１０SCCMとした。
使用し、ＤＣスパッタで上記記録用磁性層５の表面上に
厚さ４００ＡのＡｌＮｉの反射層７を形成した。スパッ
タの際の条件は、投入パワー７５０Ｗ（ＤＣ）、スパッ
タガス圧力０．１５Pa、Ａｒガス流量１０SCCMとした。
【００３７】さらに、記録用磁性層５上に、下記の重合
用組成物の塗膜をスピンコートによって形成し、この塗
膜に紫外線を照射して硬化し、保護コート８を形成し
た。硬化後の平均厚さは約５μm であった。
用組成物の塗膜をスピンコートによって形成し、この塗
膜に紫外線を照射して硬化し、保護コート８を形成し
た。硬化後の平均厚さは約５μm であった。
【００３８】重合用組成物 オリゴエステルアクリレート（分子量５，０００） ５０重量部 トリメチロールプロパントリアクリレート ５０重量部 アセトフェノン系光重合開始剤 ３重量部
【００３９】このようにして実施例１の光磁気記録媒体
を得た。なお、上記においてスパッタ法によって形成し
た各層の厚さは、スパッタレートとスパッタ時間とから
算出した。スパッタレートは、実際の成膜の際の条件と
同じ条件で長時間スパッタを行って厚い膜を形成し、実
測により求めた膜厚とスパッタ時間とから算出した。
を得た。なお、上記においてスパッタ法によって形成し
た各層の厚さは、スパッタレートとスパッタ時間とから
算出した。スパッタレートは、実際の成膜の際の条件と
同じ条件で長時間スパッタを行って厚い膜を形成し、実
測により求めた膜厚とスパッタ時間とから算出した。
【００４０】また、上記実施例１の光磁気記録媒体の室
温（２０℃）における再生用磁性層４からのポーラーカ
ーヒステリシスを測定した。このポーラーカーヒステリ
シス曲線より求めた保磁力Ｈｃは、１１．２kOe であ
り、交換結合していることが認められた。なお、この曲
線を得る際の外部磁界の強度は、−１５kOe 〜＋１５kO
e の間で変化させたものである。
温（２０℃）における再生用磁性層４からのポーラーカ
ーヒステリシスを測定した。このポーラーカーヒステリ
シス曲線より求めた保磁力Ｈｃは、１１．２kOe であ
り、交換結合していることが認められた。なお、この曲
線を得る際の外部磁界の強度は、−１５kOe 〜＋１５kO
e の間で変化させたものである。
【００４１】次に、上記の実施例１の光磁気記録媒体に
ついて、Ｃ／Ｎおよび最適記録パワー（記録周波数５．
５MHz で二次高調波が最小となる記録パワー）を評価し
た。この評価には、ナカミチＶＲＦ２０００を用いた。
この評価にあたっては、まず、上記光磁気記録媒体に対
し、波長７８０nmの半導体レーザー光を用いて光変調記
録を３トラック行った。記録条件は、線速度１１m/s 、
記録周波数１２．２２MHz （記録ピット長０．４５μ
ｍ）と５．５MHz （記録ピット長１．０μｍ）、記録時
の外部磁界強度３００Oe、デューティ比５０％とした。
ついて、Ｃ／Ｎおよび最適記録パワー（記録周波数５．
５MHz で二次高調波が最小となる記録パワー）を評価し
た。この評価には、ナカミチＶＲＦ２０００を用いた。
この評価にあたっては、まず、上記光磁気記録媒体に対
し、波長７８０nmの半導体レーザー光を用いて光変調記
録を３トラック行った。記録条件は、線速度１１m/s 、
記録周波数１２．２２MHz （記録ピット長０．４５μ
ｍ）と５．５MHz （記録ピット長１．０μｍ）、記録時
の外部磁界強度３００Oe、デューティ比５０％とした。
【００４２】このようにして記録した後の実施例１の光
磁気記録媒体に対し、上記の３トラックのうち中央のト
ラックの記録内容を波長７８０nmの半導体レーザー光を
用いて読み出した。リードパワーは１．５mWとした。な
お、Ｃ／Ｎとしては、記録周波数１２．２２MHz （記録
ピット長０．４５μｍ）のときには記録パワーを変化さ
せた時の最大値を、記録周波数５．５MHz （記録ピット
長１．０μｍ）のときには最適記録パワーのときの値を
それぞれ採用した。測定の結果を表１に示した。
磁気記録媒体に対し、上記の３トラックのうち中央のト
ラックの記録内容を波長７８０nmの半導体レーザー光を
用いて読み出した。リードパワーは１．５mWとした。な
お、Ｃ／Ｎとしては、記録周波数１２．２２MHz （記録
ピット長０．４５μｍ）のときには記録パワーを変化さ
せた時の最大値を、記録周波数５．５MHz （記録ピット
長１．０μｍ）のときには最適記録パワーのときの値を
それぞれ採用した。測定の結果を表１に示した。
【００４３】
【表１】
【００４４】実施例２〜６および比較例１〜５ 再生用磁性層と記録用磁性層の層厚、および誘電体の屈
折率を表１とした以外は実施例１と同じにして、実施例
２〜６および比較例２〜５の光磁気記録媒体を作製し
た。また、比較例１として、基板／ＳｉＮ７５０Ａ／Ｔ
ｂＦｅＣｏＣｒ２００Ａ／ＳｉＮ２００Ａ／ＡｌＮｉ５
００Ａの層構造とし、実施例１の記録用磁性層と同等の
磁性層を１層、誘電体層を２層とした光磁気記録媒体を
作製した。これら、実施例および比較例についても、実
施例１と同様の特性等を測定した。その結果を表１に示
した。
折率を表１とした以外は実施例１と同じにして、実施例
２〜６および比較例２〜５の光磁気記録媒体を作製し
た。また、比較例１として、基板／ＳｉＮ７５０Ａ／Ｔ
ｂＦｅＣｏＣｒ２００Ａ／ＳｉＮ２００Ａ／ＡｌＮｉ５
００Ａの層構造とし、実施例１の記録用磁性層と同等の
磁性層を１層、誘電体層を２層とした光磁気記録媒体を
作製した。これら、実施例および比較例についても、実
施例１と同様の特性等を測定した。その結果を表１に示
した。
【００４５】以上の結果より、再生用磁性層４と記録用
磁性層５の層厚を本発明の範囲内とすることにより、再
生時のＣ／Ｎが向上することがわかる。また、誘電体層
の屈折率を２．１以上にすることにより、最適記録パワ
ーを６mW以下の特に好ましい値とすることができる。な
お、実施例２〜６のＨｃは６．１〜１２．６ｋＯｅで、
交換結合していることが確認された。
磁性層５の層厚を本発明の範囲内とすることにより、再
生時のＣ／Ｎが向上することがわかる。また、誘電体層
の屈折率を２．１以上にすることにより、最適記録パワ
ーを６mW以下の特に好ましい値とすることができる。な
お、実施例２〜６のＨｃは６．１〜１２．６ｋＯｅで、
交換結合していることが確認された。
【００４６】また、実施例１および比較例１において、
基板のトラックピッチを０．８μｍとし、記録・再生波
長を６８０ｎｍとして、記録ピット長０．４５μｍ時の
Ｃ／Ｎを測定した。比較例の場合には、Ｃ／Ｎが３７．
６ｄＢであったが、実施例の場合には、３９．７ｄＢと
向上した。
基板のトラックピッチを０．８μｍとし、記録・再生波
長を６８０ｎｍとして、記録ピット長０．４５μｍ時の
Ｃ／Ｎを測定した。比較例の場合には、Ｃ／Ｎが３７．
６ｄＢであったが、実施例の場合には、３９．７ｄＢと
向上した。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の層構成例を示す部分
断面図である。
断面図である。
１ 光磁気記録媒体 ２ 基板 ３ 誘電体層 ４ 再生用磁性層 ５ 記録用磁性層 ６ 磁性層 ７ 反射層 ８ 保護コート ９ ハードコート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 弘康 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 柴原 正典 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に、誘電体層と、再生用磁性
層および記録用磁性層を備える磁性層と、反射層とを順
次積層してなる構造を有し、長さが０．７μｍ以下の記
録ピットをもつ記録ピット列がレーザー光と外部磁界を
使って記録される光磁気記録媒体であって、 前記再生用磁性層の層厚が７０〜１６０Ａの範囲、前記
記録用磁性層の層厚が７０〜１８０Ａの範囲内にそれぞ
れ設定されている光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記誘電体層の屈折率が、２．１以上で
ある請求項１の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記再生用磁性層の層厚をｄ１、記録用
磁性層の層厚をｄ２としたとき、それらの層厚の比ｄ２
／ｄ１が０．８〜２の範囲に設定されている請求項１ま
たは２の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記磁性層の再生用磁性層および記録用
磁性層が交換結合しており、磁性層の保磁力が４〜１５
ｋＯｅである請求項１〜３のいずれかの光磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33918694A JPH08185645A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33918694A JPH08185645A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08185645A true JPH08185645A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18325054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33918694A Pending JPH08185645A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08185645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5508338A (en) * | 1994-09-20 | 1996-04-16 | Akzo Nobel Nv | Compatibilized blend of polycarbonate, polyester and liquid crystalline additive |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP33918694A patent/JPH08185645A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5508338A (en) * | 1994-09-20 | 1996-04-16 | Akzo Nobel Nv | Compatibilized blend of polycarbonate, polyester and liquid crystalline additive |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030430 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |