JPH0775085B2 - 光磁気媒体 - Google Patents
光磁気媒体Info
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- JPH0775085B2 JPH0775085B2 JP61161728A JP16172886A JPH0775085B2 JP H0775085 B2 JPH0775085 B2 JP H0775085B2 JP 61161728 A JP61161728 A JP 61161728A JP 16172886 A JP16172886 A JP 16172886A JP H0775085 B2 JPH0775085 B2 JP H0775085B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気記録等に好適な光磁気媒体に関する。
（従来の技術） 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能な、eras
able型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に近い
段階にいる。光磁気記録媒体としては総合的な特性から
見て、希土類、遷移金属薄膜が最も優れているが、致命
的欠陥として耐食性に欠けるという欠点が挙げられる。
able型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に近い
段階にいる。光磁気記録媒体としては総合的な特性から
見て、希土類、遷移金属薄膜が最も優れているが、致命
的欠陥として耐食性に欠けるという欠点が挙げられる。
すなわち、腐食に伴ない高密度記録の必要条件である保
持力の低下や高S/N比の必要条件であるカー回転角の減
少、誤り率の増加など多くの欠陥を露呈する事となる。
持力の低下や高S/N比の必要条件であるカー回転角の減
少、誤り率の増加など多くの欠陥を露呈する事となる。
従来、その対策としては２つの方法がとられてきた。即
ち、 （ｉ） 添加物を用いて耐食性を向上する。
ち、 （ｉ） 添加物を用いて耐食性を向上する。
（ii） 保護膜を形成し耐食性を向上する。
本発明は上記２方法のうち保護膜を用いる方法に注目し
なされたものである。
なされたものである。
保護膜としてまず、Al3O3等の高融点酸化物が提案され
ているが、これらはTb、Fe等との反応性、すなわち、磁
性層との界面における反応性が低いので（通常酸化物は
酸素を放出し、Tb等と反応することが多いがAl2O3の場
合はAlと酸素が強く結合しておりこのような問題は生じ
にくい。）磁性層を劣化させることが少なくて、この点
からは好ましいが、樹脂基板などに製膜する際にクラツ
クを生じやすいという欠陥をもつ。さらに耐湿性が低
く、高湿度下では湿度雰囲気にさらされた面上に斑点模
様が生じ、この面への記録再生光の入射が困難となり、
光学特性が低下するという難点も有する。
ているが、これらはTb、Fe等との反応性、すなわち、磁
性層との界面における反応性が低いので（通常酸化物は
酸素を放出し、Tb等と反応することが多いがAl2O3の場
合はAlと酸素が強く結合しておりこのような問題は生じ
にくい。）磁性層を劣化させることが少なくて、この点
からは好ましいが、樹脂基板などに製膜する際にクラツ
クを生じやすいという欠陥をもつ。さらに耐湿性が低
く、高湿度下では湿度雰囲気にさらされた面上に斑点模
様が生じ、この面への記録再生光の入射が困難となり、
光学特性が低下するという難点も有する。
さらに、上記酸化物系以外の保護膜として、AlN、Si3N4
をはじめとする窒化物膜は酸素を含有しない材質であ
り、従つて磁性層を酸化させることが少ないので、良好
な保護特性をもつことが明らかにされてきた。しかしな
がら、窒化物は熱伝導性が極めて高く、記録媒体へのレ
ーザー照射時に熱の逃げの大きいこと基板との接着性が
悪く、そのために高温高湿下での剥離が問題であつた。
をはじめとする窒化物膜は酸素を含有しない材質であ
り、従つて磁性層を酸化させることが少ないので、良好
な保護特性をもつことが明らかにされてきた。しかしな
がら、窒化物は熱伝導性が極めて高く、記録媒体へのレ
ーザー照射時に熱の逃げの大きいこと基板との接着性が
悪く、そのために高温高湿下での剥離が問題であつた。
更に、光磁気媒体は、合成樹脂やガラス等を基板として
用い、これに磁性層を設けた構造とされているが、特に
基板をポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の合成樹
脂とした場合、基板と磁性層との親和性不良によるクラ
ツクの発生や剥離の発生や、基板に含有されていたり、
透過してくる微量の空気や水分等による磁性層の劣化が
問題となるので、保護層は磁性層や基板と親和性があ
り、水分や空気を透過せず、自身も水分や空気等により
劣化することがないものであることが要求される。
用い、これに磁性層を設けた構造とされているが、特に
基板をポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の合成樹
脂とした場合、基板と磁性層との親和性不良によるクラ
ツクの発生や剥離の発生や、基板に含有されていたり、
透過してくる微量の空気や水分等による磁性層の劣化が
問題となるので、保護層は磁性層や基板と親和性があ
り、水分や空気を透過せず、自身も水分や空気等により
劣化することがないものであることが要求される。
更に、保護膜を磁性層の光入射側（書込み、読出し光）
に設けた場合には入射光が磁性層に充分に達するだけの
透明性が必要となり読出し時の感度を向上させるために
屈折率の大きい材質であることも望まれる。
に設けた場合には入射光が磁性層に充分に達するだけの
透明性が必要となり読出し時の感度を向上させるために
屈折率の大きい材質であることも望まれる。
本発明は上述のような諸問題、すなわち、磁性層と外界
とを完全に遮断し、しかも磁性層との界面反応性が少な
くて、磁性層及びポリカーボネート等の合成樹脂基板と
の親和性に優れ、自身が水分や空気によつて劣化するこ
とがなく、熱伝導率が低く、屈折率の大きい、しかも成
膜が効率的に行なえる保護膜を提供するべくなされたも
のである。
とを完全に遮断し、しかも磁性層との界面反応性が少な
くて、磁性層及びポリカーボネート等の合成樹脂基板と
の親和性に優れ、自身が水分や空気によつて劣化するこ
とがなく、熱伝導率が低く、屈折率の大きい、しかも成
膜が効率的に行なえる保護膜を提供するべくなされたも
のである。
本発明者らは、アルミニウムの酸化物の非界面反応性に
注目し、保護膜の検討を行ない、アルミニウムの酸化物
を含む複合酸化物が上記の要求を満すことを見出し、本
発明に到達した。
注目し、保護膜の検討を行ない、アルミニウムの酸化物
を含む複合酸化物が上記の要求を満すことを見出し、本
発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、合成樹脂基板上に光磁気活
性層を設けてなる光磁気媒体において、基板と光磁気活
性層の間に、タンタルの酸化物、タングステンの酸化
物、ニオブの酸化物、ジルコニウムの酸化物又はチタン
の酸化物から選ばれた少なくとも１種の酸化物とアルミ
ニウムの酸化物との複合酸化物を、上記基板に直接接し
て保護膜として形成させてなる光磁気媒体にある。
性層を設けてなる光磁気媒体において、基板と光磁気活
性層の間に、タンタルの酸化物、タングステンの酸化
物、ニオブの酸化物、ジルコニウムの酸化物又はチタン
の酸化物から選ばれた少なくとも１種の酸化物とアルミ
ニウムの酸化物との複合酸化物を、上記基板に直接接し
て保護膜として形成させてなる光磁気媒体にある。
（発明の構成） 以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は特にポリカーボネート、アクリル樹脂等の合成
樹脂を基板とした場合にその効果が顕著に発揮される。
樹脂を基板とした場合にその効果が顕著に発揮される。
基板の厚みは１〜2mm程度が一般的である。
この基板上に設けられる光磁気活性層としては、たとえ
ば、TbFe、TbFeCo、TbCoなどの希土類と遷移金属の非晶
質磁性合金、及びMnBi、MnCuBiなどの多結晶垂直磁化膜
が用いられる。特に希土系の合金磁性膜に用いて大変効
果的である。
ば、TbFe、TbFeCo、TbCoなどの希土類と遷移金属の非晶
質磁性合金、及びMnBi、MnCuBiなどの多結晶垂直磁化膜
が用いられる。特に希土系の合金磁性膜に用いて大変効
果的である。
本発明においては、上記合成樹脂基板と光磁気活性層の
間にアルミニウムの酸化物を含む複合酸化物を保護膜と
して形成させる。
間にアルミニウムの酸化物を含む複合酸化物を保護膜と
して形成させる。
複合酸化物としては、アルミニウムの酸化物と次のよう
な酸化物の混合物及び固溶体が挙げられる。
な酸化物の混合物及び固溶体が挙げられる。
すなわち、タンタルの酸化物、タングステンの酸化物、
ニオブの酸化物、ジルコニウムの酸化物又はチタンの酸
化物から選ばれた少なくとも１種の酸化物が挙げられ
る。上記酸化物の使用割合は、種類によって異なるが、
複合酸化物中、モル％で、タンタルやニオブの酸化物の
場合は３〜80％、好ましくは５〜50％、チタンの酸化物
の場合は20〜95％、好ましくは30〜70％とするのが通常
である。
ニオブの酸化物、ジルコニウムの酸化物又はチタンの酸
化物から選ばれた少なくとも１種の酸化物が挙げられ
る。上記酸化物の使用割合は、種類によって異なるが、
複合酸化物中、モル％で、タンタルやニオブの酸化物の
場合は３〜80％、好ましくは５〜50％、チタンの酸化物
の場合は20〜95％、好ましくは30〜70％とするのが通常
である。
上記アルミニウムの酸化物以外の酸化物は、２種以上を
併用することができる。
併用することができる。
複合酸化物の保護膜の作成は、以下に述べるような通常
の物理蒸着法（PVD）及びプラズマCVDのような化学蒸
着、アルコキシドなど液相を用いた塗布例えばスピンコ
ートが考えられる。
の物理蒸着法（PVD）及びプラズマCVDのような化学蒸
着、アルコキシドなど液相を用いた塗布例えばスピンコ
ートが考えられる。
１） 上述の組成をもつた酸化物焼結ターゲツトを用い
て電子ビーム蒸着またはスパツタリングにより基板上に
保護膜を堆積する。２） アルミニウムの酸化物のター
ゲツトと他の酸化物の同時蒸着、またはアルミニウムの
酸化物のターゲツト上に他の酸化物を配置してなる複合
ターゲツト方式によるスパツタリング、３） 反応性イ
オンプレーテイング、反応性スパツタリングによる金属
ターゲツトまたは低級酸化物をターゲツトに用いる方法
が考えられる。この保護膜の膜厚は10Å〜5000Å程度、
好ましくは50Å〜3000Å程度から選ばれる。
て電子ビーム蒸着またはスパツタリングにより基板上に
保護膜を堆積する。２） アルミニウムの酸化物のター
ゲツトと他の酸化物の同時蒸着、またはアルミニウムの
酸化物のターゲツト上に他の酸化物を配置してなる複合
ターゲツト方式によるスパツタリング、３） 反応性イ
オンプレーテイング、反応性スパツタリングによる金属
ターゲツトまたは低級酸化物をターゲツトに用いる方法
が考えられる。この保護膜の膜厚は10Å〜5000Å程度、
好ましくは50Å〜3000Å程度から選ばれる。
膜の堆積速度は早すぎると基板との親和性を低下させ、
遅すぎれば生産性に影響するので通常0.1Å/sec〜100Å
/sec、好ましくは１Å/sec〜10Å/secとされる。
遅すぎれば生産性に影響するので通常0.1Å/sec〜100Å
/sec、好ましくは１Å/sec〜10Å/secとされる。
本発明に係る光磁気媒体を光磁気記録媒体として用いる
場合、上記の複合酸化物保護層は透明性に優れるため記
録、再生光入射側に配置して用いるのが望ましい。多く
の場合記録再生光は基板側から入射させるので、本発明
の保護膜は基板上に堆積される。
場合、上記の複合酸化物保護層は透明性に優れるため記
録、再生光入射側に配置して用いるのが望ましい。多く
の場合記録再生光は基板側から入射させるので、本発明
の保護膜は基板上に堆積される。
ポリカーボネート等の合成樹脂を基板として用いるの
で、基板側から、基板中に含有する水分や空気等が磁性
層に浸入することが考えられる。従って、基板と磁性層
との間に本発明の保護層を設ける必要がある。
で、基板側から、基板中に含有する水分や空気等が磁性
層に浸入することが考えられる。従って、基板と磁性層
との間に本発明の保護層を設ける必要がある。
本発明の保護層を磁性層の１面に採用し、他面側を他の
保護層とすることも考えられ、その場合BN、Si3H4、Ti
N、ZrN、NbN、TaNなどのチツ化物、または、TiC、NbC、
TaC、SiCなどの炭化物、TaSi2、CrSi2、CoSi2、VSi2、T
iSi2などのケイ化物等が保護層として用いることもでき
る。勿論本発明の保護層を他面側に用いても良い。
保護層とすることも考えられ、その場合BN、Si3H4、Ti
N、ZrN、NbN、TaNなどのチツ化物、または、TiC、NbC、
TaC、SiCなどの炭化物、TaSi2、CrSi2、CoSi2、VSi2、T
iSi2などのケイ化物等が保護層として用いることもでき
る。勿論本発明の保護層を他面側に用いても良い。
本発明の保護層は磁性層との親和性に優れているので、
磁性層に直接接して設けることが望ましいが、本発明以
外の組成の保護層を本発明の保護層と磁性層との間に介
在させることも可能である。
磁性層に直接接して設けることが望ましいが、本発明以
外の組成の保護層を本発明の保護層と磁性層との間に介
在させることも可能である。
このような構成をもつ光磁気媒体は、光磁気メモリーの
他に光磁気効果を利用する他のデバイス例えば光アイソ
レーターなどにも用いることができる。
他に光磁気効果を利用する他のデバイス例えば光アイソ
レーターなどにも用いることができる。
（実施例） 以下実施例によりさらに本発明を詳細に説明する。
実施例１ ｉ） ダーゲツトの作製 原料粉（Al2O3、Ta2O5、純度99.9％以上）を秤量後、エ
タノール分散し、ボールミルでミキシング後、60〜70℃
で乾燥、プレス成型（200kg/cm2）し、空気中1000℃で1
0時間焼結する。
タノール分散し、ボールミルでミキシング後、60〜70℃
で乾燥、プレス成型（200kg/cm2）し、空気中1000℃で1
0時間焼結する。
ii） 成 膜 基板上に保護膜1000Å、TbまたはTbFe層500Å、保護膜1
000Åの順に電子ビーム蒸着した。保護膜蒸着は9.9×10
-6torr以下のバツクグラウンド圧力で５Å/sec、Tb、Tb
Fe層は9.9×10-7torr以下のバツクグラウンド圧力で10
Å/secで蒸着した。
000Åの順に電子ビーム蒸着した。保護膜蒸着は9.9×10
-6torr以下のバツクグラウンド圧力で５Å/sec、Tb、Tb
Fe層は9.9×10-7torr以下のバツクグラウンド圧力で10
Å/secで蒸着した。
尚TbFeの組成比は体積比でTb:Fe＝3:7である。
iii） 評 価 作製直後に光学顕微鏡観察、Ｘ線回析、光透過率（800n
m）を調べ、温度70℃、湿度85％の恒湿恒温槽に保管し
て経時劣化を追跡した。
m）を調べ、温度70℃、湿度85％の恒湿恒温槽に保管し
て経時劣化を追跡した。
なおTb単体を用いた膜はそれ自体が磁性を有するもので
はないが、磁性層の一部を構成し、特に劣化するのが早
い成分であつて、劣化によるTb酸化物の生成によつて媒
体の透過率が顕著に変化する。
はないが、磁性層の一部を構成し、特に劣化するのが早
い成分であつて、劣化によるTb酸化物の生成によつて媒
体の透過率が顕著に変化する。
従つてTb単体を用いた膜の劣化の程度（透明率の変化）
を経時的にとらえることによつて保護膜の効果を確認す
ることができる。このためにTb単体の膜に保護膜を形成
し、参考例とした。
を経時的にとらえることによつて保護膜の効果を確認す
ることができる。このためにTb単体の膜に保護膜を形成
し、参考例とした。
すなわち、作成直後の透過率を１とし、劣化促進試験後
の透過率を比べることにより劣化の程度の目安となる。
の透過率を比べることにより劣化の程度の目安となる。
ここで評価したAl2O3−Ta2O5系保護膜は、ターゲツト組
成がAl2O3、20Al2O3・1Ta2O5、5Al2O3・1Ta2O5、1Al2O3
・2Ta2O5とTa2O5である。
成がAl2O3、20Al2O3・1Ta2O5、5Al2O3・1Ta2O5、1Al2O3
・2Ta2O5とTa2O5である。
ポリカーボネート（PC）基板（1.2mm層）を用い70℃、8
5％の恒温恒湿層に1000時間保存した場合の結果を表１
に示す。
5％の恒温恒湿層に1000時間保存した場合の結果を表１
に示す。
表中のT/Toは製膜直後の透過率と恒温恒湿槽1000時間経
過後の透過率の比である。
過後の透過率の比である。
またTb単体の膜は結晶質であるため劣化によるTb酸化物
生成をＸ線回析で評価することも可能である。またTb膜
は作製時の真空度、蒸着率膜厚を一定にすることにより
再現性よく製膜できる。このためTbFeのデータに加えて
Tbのデータを表１中に示した。
生成をＸ線回析で評価することも可能である。またTb膜
は作製時の真空度、蒸着率膜厚を一定にすることにより
再現性よく製膜できる。このためTbFeのデータに加えて
Tbのデータを表１中に示した。
次にPC基板上にAl2O3−Ta2O5（5:1）を３Å/sec、1100
Å、TbFe層を５Å/sec、500Å、Al2O3−Ta2O5（5:1）を
３Å/sec、1100Å積層した。（サンプルａ） このサンプルａを70℃、85％の恒温恒湿槽に保存し、30
00時間後でもクラツク、斑点状模様の発生はなかつた。
Å、TbFe層を５Å/sec、500Å、Al2O3−Ta2O5（5:1）を
３Å/sec、1100Å積層した。（サンプルａ） このサンプルａを70℃、85％の恒温恒湿槽に保存し、30
00時間後でもクラツク、斑点状模様の発生はなかつた。
この媒体の70℃・85％保存時のカー回転角θｋ、抗磁力
Hcの変化を図１に示す。このサンプル（ａ）と共に同様
の条件で製造した の媒体も同時に恒温恒湿槽に保存したが100時間以内に
カーヒステリシスを示さなくなつた（図中には示してい
ない。）。
Hcの変化を図１に示す。このサンプル（ａ）と共に同様
の条件で製造した の媒体も同時に恒温恒湿槽に保存したが100時間以内に
カーヒステリシスを示さなくなつた（図中には示してい
ない。）。
上述のサンプルａ、ｂの透過率変化を図２、初期透過率
（To）を以下に示す。
（To）を以下に示す。
このように透過率測定により、初期劣化、経時変化が評
価できていることがわかる。
価できていることがわかる。
実施例２ ガラス基板上にTbFe非晶質合金薄膜1000Åをスパツタリ
ングにより形成し、その上にAl2O3−Ta2O5複合酸化物膜
300〜500Åをスパツタリングにより形成した。Al2O3−T
a2O5複合酸化物膜は直径４インチのAl2O3ターゲツト上
にTa2O5の薄いペレツト（9mmφ、1mmt）を17枚配置し、
純Arガス１×10-2Torr、投入電力150Wで作成した。
ングにより形成し、その上にAl2O3−Ta2O5複合酸化物膜
300〜500Åをスパツタリングにより形成した。Al2O3−T
a2O5複合酸化物膜は直径４インチのAl2O3ターゲツト上
にTa2O5の薄いペレツト（9mmφ、1mmt）を17枚配置し、
純Arガス１×10-2Torr、投入電力150Wで作成した。
この様にして形成した積層薄膜を70℃、85％の恒温恒湿
槽中に保持し、定期的に取り出し、保磁力Hc、カー回転
角θｋの測定を行ない経時変化を測定した。
槽中に保持し、定期的に取り出し、保磁力Hc、カー回転
角θｋの測定を行ない経時変化を測定した。
図３にHc、θｋの経時変化を示す。（図中○、□は、夫
々Al2O3保護膜、Al2O3−Ta2O5保護膜の測定結果を示
す）同時に示す如く、Al2O3保護膜は、Al2O3−Ta2O5保
護膜と同様、TbFeを保護し安定した保磁力を示すもの
の、約100時間の経過後、θｋは40％以上減少する。100
時間経過後のAl2O3保護膜を用いたサンプルを光学顕微
鏡写真（反射）で観察すると、表面に50〜100μの大き
さのシミが発生していることがわかる。これに対し、Al
2O3−Ta2O5膜は400時間以上経過しても加速試験前と変
らぬ状態を保つていることが明らかとなつた。
々Al2O3保護膜、Al2O3−Ta2O5保護膜の測定結果を示
す）同時に示す如く、Al2O3保護膜は、Al2O3−Ta2O5保
護膜と同様、TbFeを保護し安定した保磁力を示すもの
の、約100時間の経過後、θｋは40％以上減少する。100
時間経過後のAl2O3保護膜を用いたサンプルを光学顕微
鏡写真（反射）で観察すると、表面に50〜100μの大き
さのシミが発生していることがわかる。これに対し、Al
2O3−Ta2O5膜は400時間以上経過しても加速試験前と変
らぬ状態を保つていることが明らかとなつた。
比較例１ ターゲツト作製、蒸着、評価共に実施例１の方法に従つ
た。
た。
評価結果（70℃、85％、1000時間保存後）を表２にまと
めた。
めた。
実施例３ ターゲツト作製、製膜条件、評価（70℃、85％、1000h
r）ともに実施例１の方法に従つた。結果を表３に示
す。
r）ともに実施例１の方法に従つた。結果を表３に示
す。
実施例４、比較例２ ターゲツトの作成、蒸着、評価共に実施例１の方法に従
い表４に示す組成のサンプルを得た。
い表４に示す組成のサンプルを得た。
評価結果（70℃、85％、1000時間保存後）を表４にまと
めた。
めた。
実施例５ ポリカーボネート基板（厚さ1.2mm）を用い、徳田製作
所製CFS−8EPスパツタ装置を用い、実施例２と同一条件
下、基板−保護層−磁性層−保護層の光磁気記録媒体
（DISK）を得た。保護層はAl2O3−Ta2O5（5:1）700Å、
磁性層はTb−Fe−Co（24:68:8）900Åとした。
所製CFS−8EPスパツタ装置を用い、実施例２と同一条件
下、基板−保護層−磁性層−保護層の光磁気記録媒体
（DISK）を得た。保護層はAl2O3−Ta2O5（5:1）700Å、
磁性層はTb−Fe−Co（24:68:8）900Åとした。
得られた光磁気記録媒体を温度65℃、湿度80％の恒温恒
湿層に保持し、経時劣化を測定した。
湿層に保持し、経時劣化を測定した。
測定機はナカミチ社製リード・ライト評価機OMS−5000
を用い、キヤリアー周波数0.5MHz、書込みレーザーパワ
ー3.3mw、デイスク周速度2m/sec、読出しレーザーパワ
ー0.8mwで記録・再生特性（C/N比）の変化を評価した。
デイスク作成直後のC/N比は40dBであり、200時間、800
時間、1200時間、2400時間経過時点でC/N比の測定を行
なつたがC/N比の変化は認められなかつた。
を用い、キヤリアー周波数0.5MHz、書込みレーザーパワ
ー3.3mw、デイスク周速度2m/sec、読出しレーザーパワ
ー0.8mwで記録・再生特性（C/N比）の変化を評価した。
デイスク作成直後のC/N比は40dBであり、200時間、800
時間、1200時間、2400時間経過時点でC/N比の測定を行
なつたがC/N比の変化は認められなかつた。
（発明の効果） 本発明に係る光磁気媒体は、製膜時又は高湿度下でのク
ラツク発生がおさえられ、良好な特性を有する。
ラツク発生がおさえられ、良好な特性を有する。
図１及び３は実施例１及び２で得られた媒体の経時変化
を示す（Hc0、θk0は開始時の値を示す）。 図２は、実施例１におけるサンプルの透過率変化を示
す。
を示す（Hc0、θk0は開始時の値を示す）。 図２は、実施例１におけるサンプルの透過率変化を示
す。
フロントページの続き (72)発明者 渡部 行男 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−177449（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−197964（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−22456（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−196641（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】合成樹脂基板上に光磁気活性層を設けてな
る光磁気媒体において、基板と光磁気活性層の間に、タ
ンタルの酸化物、タングステンの酸化物、ニオブの酸化
物、ジルコニウムの酸化物又はチタンの酸化物から選ば
れた少なくとも１種の酸化物とアルミニウムの酸化物と
の複合酸化物を、上記基板に直接接して保護膜として形
成させてなる光磁気媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-151506 | 1985-07-10 | ||
| JP15150685 | 1985-07-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62110642A JPS62110642A (ja) | 1987-05-21 |
| JPH0775085B2 true JPH0775085B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=15519996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61161728A Expired - Lifetime JPH0775085B2 (ja) | 1985-07-10 | 1986-07-09 | 光磁気媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4743502A (ja) |
| EP (1) | EP0208549B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0775085B2 (ja) |
| CA (1) | CA1254037A (ja) |
| DE (1) | DE3677078D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849304A (en) * | 1986-12-17 | 1989-07-18 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US4902584A (en) * | 1986-12-25 | 1990-02-20 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US5571629A (en) * | 1987-07-10 | 1996-11-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| EP0492441B1 (en) * | 1990-12-20 | 1995-03-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Magnetic recording medium |
| US5648163A (en) * | 1994-09-27 | 1997-07-15 | Imation Corp. | Magneto-optic recording medium having magneto-optic film layers separated by yttrium oxide |
| DE19511663A1 (de) * | 1995-03-30 | 1996-10-02 | Merck Patent Gmbh | Mittelbrechende optische Schichten |
| JP2005251279A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nec Corp | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
| JP5234925B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2013-07-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 硬質皮膜およびその形成方法ならびに硬質皮膜被覆部材 |
| US9558776B1 (en) * | 2015-12-11 | 2017-01-31 | International Business Machines Corporation | Durable coating for magnetic tape recording media |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5522961A (en) * | 1978-08-07 | 1980-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
| US4414650A (en) * | 1980-06-23 | 1983-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory element |
| US4461807A (en) * | 1980-07-25 | 1984-07-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Recording material |
| US4449138A (en) * | 1981-04-15 | 1984-05-15 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Information recording medium |
| JPS58196641A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS5954056A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-28 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| NL8203725A (nl) * | 1982-09-27 | 1984-04-16 | Philips Nv | Thermo-magneto-optische geheugeninrichting en registratiemedium daarvoor. |
| US4469758A (en) * | 1983-04-04 | 1984-09-04 | Norton Co. | Magnetic recording materials |
| JPS59188106A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-25 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| US4569881A (en) * | 1983-05-17 | 1986-02-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-layer amorphous magneto optical recording medium |
| JPS59227056A (ja) * | 1983-06-07 | 1984-12-20 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPS60638A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | Canon Inc | 記録媒体 |
| JPS6040543A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-02 | Ulvac Corp | 光磁気記録体 |
| JPS60145525A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Canon Inc | 磁気記録媒体 |
| JPS60177449A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学式情報記録担体 |
| JPS60197964A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS60202559A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6122456A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6129437A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP61161728A patent/JPH0775085B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-09 DE DE8686305295T patent/DE3677078D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-07-09 EP EP86305295A patent/EP0208549B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-09 US US06/883,817 patent/US4743502A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-07-10 CA CA000513507A patent/CA1254037A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62110642A (ja) | 1987-05-21 |
| CA1254037A (en) | 1989-05-16 |
| US4743502A (en) | 1988-05-10 |
| EP0208549A3 (en) | 1988-01-20 |
| EP0208549B1 (en) | 1991-01-23 |
| DE3677078D1 (de) | 1991-02-28 |
| EP0208549A2 (en) | 1987-01-14 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |