JPS61276150A - 光磁気記録用媒体 - Google Patents

光磁気記録用媒体

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Publication number
JPS61276150A
JPS61276150A JP11783385A JP11783385A JPS61276150A JP S61276150 A JPS61276150 A JP S61276150A JP 11783385 A JP11783385 A JP 11783385A JP 11783385 A JP11783385 A JP 11783385A JP S61276150 A JPS61276150 A JP S61276150A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
recording medium
recording
magneto
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP11783385A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanobu Kobayashi
小林 政信
Mutsumi Asano
睦己 浅野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP11783385A priority Critical patent/JPS61276150A/ja
Publication of JPS61276150A publication Critical patent/JPS61276150A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は光磁気記録用媒体、特に希土類と遷移金属と
を主成分とする合金薄膜を記録層とじた光磁気記録用媒
体に関する。
(従来の技術) この種の希土類(REと称する)−遷移金属(TMと称
する)系の合金膜l1l(以下、RE−7M膜と称する
)は最も有望な光磁気記録用媒体の一つとして知られ、
例えば、特開昭52−31703号及び特開昭52−1
09193号公報に開示されている。
この従来のRE−7M膜は具体的にはREとし−(Gd
、Tb、 Dy等及びTMとしてはFe又はCOを主成
分とした合金薄膜である。そして、このRE−7M膜は
膜面に対して垂直な磁化をもついわゆる垂直磁化膜であ
る。また、RE−7M膜を用い形成した光磁気記録用媒
体は例えばlILm程度のスポット径に絞ったレーザビ
ーム及び外部磁界を用いた熱磁気書込み方式によって1
08ビツト/Cm2という極めて高密度な記録が可能で
あり、原理的には、無限回に近い消去及び再書込みの繰
り返しが出来るという著しく優れた特色を有している。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、RE−TM膜は非常に耐食性が悪いとい
う重大な欠点がある。
先ず第一に、腐食として孔食の発生及び発達がある。こ
の孔食はRE−鉄系膜においては短期間のうちに進行す
る。しかし、この種の腐食は膜表面に保護膜を形成する
ことによって防止することが出来、その保護膜として、
各種の酸化物とか窒化物を使用出来るので、その選択の
範囲は広い。
このRE−TM膜の第二の腐食として希土類の選択酸化
がある。希土類は遷移金属元素に比べて著しく酸化され
易いために選択的に酸化され、これがためRE −TM
W14の組成に変動が生じ、このRE −TMMiが有
する種々の磁気特性を変化させてしまう、特に、この腐
食に起因して保持力Hcの変化が大きくなり、このため
、記録が極めて不安定となる。
この選択酸化の防止に窒化物が有効とされているが、こ
の窒化物のRE−TM膜への被着は反応性スパッタ法を
用いて行う必要があるため、製造装置の面で制約が多く
利用が困難である。
このように、従来の光磁気記録用媒体は耐食性に関して
或いはその作成の容易性に関して満足出来るものではな
い。
従って、この発明の目的は耐食性に優れ、しかも、製造
方法に制約が少ない新しい光磁気記録用媒体を提供する
ことにある。
(問題点を解決するための手段) この目的・の達成を図るため、この発明の光磁気記録用
媒体によれば、基板上に誘電体層、Ml層、記録層、M
l層を順次に具えた構造とする。
この記録層は希土類と遷移金属とを主成分とする合金薄
膜で形成する。
さらに、MI層は不fI/A8形成元素Cr、Ti。
AIL、Zr 、Mo 、W、Ta、V及びHfから選
らばれた一種又は二種以上の元素から成る金属又は合金
膜で形成する。
さらに、Ml層は不働態形成元素Cr、Ti 。
AIL、Zr 、Mo 、W、Ta、V及びHfから選
らばれた一種又は二種以上の元素から成る金属又は合金
膜で形成する。
この場合、Ml及びMl層は上述の不働態形成元素のう
ちの同一の単−又は組合せ元素からなる金属又は合金膜
としても良いし、異る単−又は組合せ元素からなる金属
又は合金膜としても良い。
この場°合、MIF!)の膜厚をlO〜30nmとし。
M21mの膜厚を60nm以上とするのが好適である。
(作用) このように、この発明においては、RE−TM系合合金
l1i(但し、REは一種類以上の希土類元素であり、
TMは一種類以上の遷移金属である)の薄膜を記録層と
した光磁気記録用媒体に関し。
基板上に銹電体層、MI層、記録層及びMl層を構成し
たものである。
特に、この発明においてはこの記録層をサンドウィッチ
状に挟むMl及びM2JlはそれぞれCrTi 、AJ
L、Zr、Mo、W、Ta、V、Hf等の不働態形成元
素から選ばれた一種又は二種以上の元素からなる金属又
は合金膜としているので、M、層が基板又は誘電体層か
らの酸素をトラップし、又、Ml暦が外界からの酸素の
侵入を防止し又はトラップするので、これら両M、及び
Ml層の作用によって、従来のような記録層の希土類が
選択酸化されて希土類が減少してしまうというような組
成変化を、大幅に改善しかつ孔食の発生も防止すること
が出来る。従って、この発明の光磁気記録用媒体は実質
的に永久的の使用に耐えることが出来る。
さらに、WA誘電体層従来より知られている各種の酸化
物膜、窒化物膜或いはモの他の好適な膜で形成し、この
誘電体層によって、カー効果エンハンスメントを達成す
ることが出来る。
さらに、記録層を垂直磁化特性を有するRE−7M合金
膜としているので、高密度記録、記録感度及び記録の安
定性が良い。
(実施例) 以下、図面を参照して、この発明の光磁気記録用媒体の
一実施例につき説明する。
第1図はこの発明の光磁気記録用媒体の一実施例を説明
するための構造を概略的に示す図である0図において、
lOは基板で、この実施例では充分平滑でかつ透明な、
厚みが1層層のガラス基板を用いたが、樹脂基板とする
ことも出来、又厚みも任意に設定することが出来る。こ
の基板IOの上側に、RFスパッタ法又は蒸着法により
或いは他の任意好適な方法によって、誘電体層12、M
1層14、記録層1B及びM2暦18を形成する。
この実施例では、誘電体M12を5in2膜とした。さ
らにM1層14は不働態形成元素Cr、Ti。
AfL、Zr 、Mo 、W、Ta、V、Ifのそれぞ
れにつき検討し、膜厚を20nmとした。記録層1Bと
してT b2g F e72合金膜を用いて形成し、そ
の膜厚を80 nmとした。さらにM2暦18をMi層
14と同一の金属とし、膜厚を1100nとした。
次に、この発明及び従来の光磁気記録用媒体の保持力変
化及び透過率変化に関しての試験結果を表工に示す。
oOローロー0000 −a zcoco■トψψのトド ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^<口IJ (
I CtJ−〇ニー1×−翼冨一) 〜ノ −ノ 〜ノ
 〜ノ −ノ 〜ノ −ノ 〜ノ 〜ノ 〜ノ 〜ノ 
〜ノ 〜ノこの実験はこの発明の光磁気記録用媒体(表
中(A)〜(■))及び比較例(表中の(J)〜(N)
)の光磁気記録用媒体を120℃のベーク炉中に15時
間保存したときの保持力Hcの、初期値Hcoに対する
変化及び85℃85%相対湿度雰囲気に5時間保存した
ときの孔食発生に伴なう透過率Tの、初期透過率Toに
対する変化を調べたものである。
この表工からも明らかなように、この発明による光磁気
記録用媒体ではT b、 F eヮ2合金の記録層1G
は15時間程度ではHcの変化はほとんどなく、選択酸
化がほとんど進行していないことがわかる。
すなわち、この実験で用いたT bag F e7z膜
の記録層1Bは全てTbリッチ組成であるため、Tbの
選択醸化が進行すると、保持力Hcが増大した後Feリ
ッチに変化するいわゆる反転した磁化曲線を示すはずで
あるから、この場合には保持力HCは減少しはじめるは
ずである。
ところが、実施例に示すように、この発明の光磁気記録
用媒体では、15時間の経過後であっても、保持力Hc
の変化がほとんどみられず、従来の選択酸化が進行して
いないことが推察される。
この保持力Hcの若干の減少は高温保存に伴なう一種の
緩和現象によるものであると考えられている。
孔食について試験をしたところ、この発明の実施例では
孔食に対しても強く1例えば85℃で85%の相対湿度
雰囲気中において5時間放置しても透過率変化は起らず
、従って孔食は全く発生せず、磁気特性及び光磁気特性
の変化も全くみられなかった。
表Iに示した比較例(J)〜(N)につき検討する。
比較例(J)及び(L)では、Niの不揃sPsか弱い
ことと、Niには酸素のゲッター作用がないことから、
劣化が見られた。
比較例(K)では、SiOzmからの酸素の侵入(これ
は高温保持中及びRFス;くツタ形成中に起り得る)に
よる若干の組成変動が見られる。
比較例(M)及び(N)では、選択酸化が進行し、磁化
曲線が反転し、又、孔食が全面に発生した。
尚、この発明の実施例の構造の光磁気記録用媒体(A)
〜(I)につき書込み及び消去の試験を行った。この場
合10mW以下の半導体レーザ光を用いてLp−s以下
の書込み時間で記録書込みを行って、約lJLm以下の
径の微小記録を得た。また。
この試験により100万回以上の消去及び書込みの繰り
返しに酎えることを確認した。
(発明の効果) 上述した説明からも明らかなように、この発明による光
磁気記録用媒体によれば、従来のこの種の記録用媒体よ
りも耐食性が優れている。
初期保持力からの保持力の変動がほとんどないので、記
録の安定性が良い。
さらに、記録層としてRE−TM膜を用いているため、
従来と同様高密度記録が可能となると共に、記録感度も
向上する。
さらに、書込み及び消去の反復性も従来と同様に著しく
増大する。
さらに、M、層及びM2層はスパッタリング法、真空蒸
着法等を適宜に用いて容易に形成することが出来、従来
のように形成方法に制約を受ることが少ないという利点
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の光磁気記録用媒体を説明するために
、その構造を概略的に示した線図である。 10・・・基板、      12・・・誘電体層14
・・・Mi暦、     16・・・記録層1B・・・
M2層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に誘電体層、M_1層、記録層、M_2層
    を順次に具え、 該記録層を希土類と遷移金属とを主成分とする合金薄膜
    とし、 M_1層を不働態形成元素Cr、Ti、Al、Zr、M
    o、W、Ta、V及びHfから選らばれた少なくとも一
    種以上の元素から成る金属又は合金膜とし、 M_2層を不働態形成元素Cr、Ti、Al、Zr、M
    o、W、Ta、V及びHfから選らばれた少なくとも一
    種以上の元素から成る金属又は合金膜とした ことを特徴とする光磁気記録用媒体。
JP11783385A 1985-05-31 1985-05-31 光磁気記録用媒体 Pending JPS61276150A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63113835A (ja) * 1986-10-29 1988-05-18 Kyocera Corp 光磁気記録素子
US4877690A (en) * 1989-03-01 1989-10-31 Eastman Kodak Company Magnetooptical recording element
JPH01165926U (ja) * 1988-05-16 1989-11-21
US5340647A (en) * 1988-11-04 1994-08-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optomagnetic recording medium
US5492773A (en) * 1988-09-13 1996-02-20 Teijin Limited Magneto-optical recording medium

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