JPS61276147A - 光磁気記録用媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は光磁気記録用媒体、特に希土類と遷移金属と
を主成分とする合金薄膜を記録層とした光磁気記録用媒
体に関する。

（従来の技術） この種の希土類（ＲＥと称する）−遷移金属（ＴＭと称
する）系の合金薄膜（以下、ＲＥ−７Ｍ膜と称する）は
最も素晴な光磁気記録用媒体の一つとして知られ、例え
ば、特開昭５２−３１７０３号（特公昭５７−２０Ｅ１
９１号）及び特開昭５２−１０９１！３３号（特公昭５
７−２０８８２号）公報に開示されている。

この従来のＲＥ−７Ｍ膜は具体的にはＲＥとしてＣｄ、
Ｔｂ、　ａｙ等及びＴＭとしてはＦｅ又はＧｏを主成分
とした合金薄膜である。そして、このＲＥ−７Ｍ膜は膜
面に対して垂直な磁化をもついわゆる垂直磁化膜である
。また、ＲＥ−７Ｍ膜を用い形成した光磁気記録用媒体
は、例えばｔｐ腸程度のスポット径に絞ったレーザビー
ム及び外部磁界を用いた熱磁気書込み方式によって、１
０８ビツト／ｃ腸２という極めて高密度な記録が可能で
あり、原理的には、無限回に近い消去及び再書込みの繰
り返しが出来るという著しく優れた特色を有している。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、ＲＥ−ＴＭ膜は非常に耐食性が悪いとい
う重大な欠陥を有している。

先ず第一に、腐食として孔食の発生及び発達がある。こ
の孔食はＲＥ−鉄系膜においては短期間のうちに進行す
る。しかし、この種の腐食は膜表面に保護膜を形成する
ことによって防止することが出来、その保護膜として、
各種の酸化物とか窒化物を使用出来るので、その選択の
範囲は広い。

このＲＥ−７Ｍ膜の第二の腐食として希土類の選択酸化
がある。希土類は遷移金属元素に比べて著しく酸化され
易いために選択的に酸化され、これがためＲＥ−７Ｍ膜
の組成に変動が生じ、このＲＥ−７Ｍ膜が有する種々の
磁気特性を変化させてしまう、特に、この腐食に起因し
て保持力Ｈｅの変化が大きくなり、このため、記録が極
めて不安定となる。

この選択酸化の防止に窒化物が有効とされているが、こ
の窒化物のＲＥ−７Ｍ膜への被着は反応性スパッタ法を
用いて行う必要があるため、製造装置の面で制約が多く
利用が困難である。

このように、従来の光磁気記録用媒体は耐食性に関して
或いはその作製の容易性に関して満足出来るものではな
い。

従って、この発明の目的は耐食性に優れ、しかも、製造
方′法に制約が少ない新しい光磁気記録用媒体を提供す
ることにある。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明は、　ＲＥ−ＴＮ
系合金ＳＳを記録層とし、この記録層上に表面保護層と
してＣａ−Ｍ垂直磁化膜を被着して成る光磁気記録用媒
体である。ただし、この場合、ＲＥを希土類元素から選
ばれた一種以上の元素としかつＴＭを遷移金属元素から
選ばれた一種以上の元素とする。

また、このＣａ−Ｍ垂直磁化膜はＧｏ−Ｍを主成分とす
る層で、ＣＯとＭから成る場合もあり、また、ＣＯとＭ
以外に他のものが含まれる場合もある。

このＭは表面保護層のｈａｐ相を安定化しかつこれを不
働態化するＮｏ、Ｗ、Ｖ、Ｃｒ及びこれらに類似する元
素のうちから選らばれた少なくとも一種以上の元素を含
むものとする。

このｈＱｐ相の安定化はＧｏ−Ｍ垂直磁化膜を得るため
に必要である。

（作用） このように、この発明においては、ＲＥ−丁に系合金薄
Ｒ＊　（但し、ＲＥは一種類以上の希土類元素であり、
ＴＮは一種類以上の遷移金属である）の記録層上に表面
保護層としてＧｏ−Ｍを主成分とした層（以下、単にＣ
ｏ　−Ｍ　ｌという）を被着しでいる。

このＧｏ−Ｍ層の作用は次の通りである。

第一に、Ｇｏ−Ｍ層は不ｍ態層を形成するので。

外界からの酸素の侵入を抑える働きをする。

第二に、Ｍは侵入酸素のターゲットとして作用すること
になると推測される。

第三に、Ｇｏ−Ｍ層は垂直磁化膜であるため、ＲＥ−Ｔ
Ｍ系垂直磁化膜の垂直性を劣化させる恐れはない。

このようなＣｏ−Ｍ層の作用により、後述する如く、記
録層の組成変化が大幅に改善されるため保持力は劣化し
ないと共に、記録層、における孔食の発生も防止される
。

（実施例） 以下１図面を参照して、この発明の光磁気記録用媒体の
一実施例につき説明する。

第１図はこの発明の光磁気記録用媒体の一実施例を説明
するための構造を概略的に示す断面図である０図におい
て、ｌは基板で、この実施例では充分平滑でかつ透明な
、厚みが例えばｌａｍのガラス基板を用いたが、樹脂基
板とすることも出来、厚みもこれに限定されるものでは
ない、この基板ｌの上側に記録層２が設けられている。

この実施例では、記録層２としてＴｂ２ｓ　Ｆｅ７ｚ膜
を用いて形成し、その膜厚を８０ｎ−とした、さらに、
この記録層２上に１０Ｏｎ鳳のＣｏ−Ｍ層３を被着した
。この場合、ＧｏとＭとの相対量は垂直磁化膜が得られ
る程度の範囲内で種々設定することが出来る。

記録層２としてＴｂリッチ組成（磁化曲線に関して）の
Ｔｂ２．　Ｆｅ、２膜を用いた場合について、この発明
の光磁気記録用媒体の構造（基板／　Ｔｂ　−Ｆｅ／　
Ｃ。

−Ｍ）（実施例）と、保護層としてＣｏＭを用いた構造
（基板／　Ｔｂ　−Ｆｅ／　Ｇｏ）　　（比較例Ｉ）ｃ
７）場合と、保護層を被着していない構造（基板／Ｔｂ
−Ｆｅ）　　（比較例■）の場合とにおける保持力Ｈｃ
に関しての試験結果を表■に示す。

表Ｉ この実験は光磁気記録用媒体を１２０　”Ｃ！のベーク
炉中に５時間及び２０時間保存したときの保持力Ｈｃの
、初期値Ｈｃ６に対する変化を調べたものである。

実施例の説明 この表Ｉからも明らかなように、この発明による光磁気
記録用媒体では選択酸化がほとんど発生していないこと
を推察することが出来る。

すなわち、この実験では全てＴｂリッチのＴ　ｂＺ８　
Ｆ　ｅ　ｔｔ膜を記録層２として用いているため、Ｔｂ
の選択酸化が起る場合には、保持力Ｈａが増大し、さら
に酸化が進行すると、　Ｆｅリッチ組成に変化するいわ
ゆる反転した゛磁化曲線を示すはずであるから、この場
合には保持力Ｈａは減少しはじめるはずである。

ところが、実施例に示すように、この発明の光磁気記録
用媒体では、５時間の経過後はもとより２０時間程度の
保存時間の経過後であっても、保持力Ｈａの変化がほと
んどみられず、従来の選択酸化が進行していないことが
推察される。この保持力Ｈｃの若干の減少は高温保存に
伴なう一種の緩和現象によるものであると考えられてい
る。

孔食について試験をしたところ、この発明の実施例では
孔食に対しても強く、例えばＮａＣ１水溶液への浸漬や
、８５℃で８５％の相対湿度雰囲気中でも孔食は全く発
生せず、磁気特性及び光磁気特性の変化も全くみられな
かった。

尚、この発明の実施例の構造の光磁気記録用媒体につき
書込み及び消去の試験を行った。この場合１Ｇ＋＋＋Ｗ
以下の半導体レーザ光を用いて１ｇｇ以下の書込み時間
で記録書込みを行って、約１４ｍ以下の径の微小記録を
得た。また、この試験により１００万回以上の消去及び
書込みの繰り返しに耐えることを確認した。

比較例の説明 比較例Ｉ 表Ｉに比較例Ｉ及び■を示しである。

比較例Ｉは保護膜としてＣｏ膜を用いた場合であるが、
このＧｏはＧｏ−Ｍよりも不働態膜が弱いこと及びＧｏ
のみでは酸素のゲッター作用がないことから、選択酸化
が進行していることが分かる。また、ＣＯのみでは面内
磁化膜となるため、Ｔｂ−Ｆｅの垂直磁化性に影響し、
磁化曲線の形状劣化がみられた。また、Ｃｏの面内磁化
は基板側から測定したカー（Ｋｅｒｒ）　　ヒステリシ
スループにも影響してＴｂ−ＦｅＷＡを薄くするにつれ
てカーヒステリシスループの形状の劣化が益々大きくな
っ・てしまう、これに対し、この発明に用いるＧｏ−Ｍ
膜を用いた場合にはカーヒステリシスループの形状の劣
化はほとんどみられなかった。

比較例Ｉ 比較例Ｉは記録層２上に保：ｌ！膜を全く設けなかった
場合であり、この場合には、５時間後にはＨｃ／Ｈｃｏ
が４．５となり、２０時間後には磁化曲線がＦｅリッチ
形状へと反転した。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明による光
磁気記録用媒体によれば、従来のこの種の記録用媒体よ
りも耐食性が優れており、また、書込み及び消去の反復
性が著しく増大し得る利点がある。

初期保持力からの保持力の変動がほとんどないので、記
録の安定性が良い。

さらに、このＧｏ−Ｍ膜も垂直磁化膜となるため、ＲＥ
−７Ｍ膜の垂直磁化性を劣化させることがなく、従って
従来よりも読出しの特性が良くなる。

さらに、記録層としてＲＥ−７Ｍ膜を用いているため、
高密度記録が可能となると共に、記録感度も向上する。

またＣｏ−Ｍ膜は通常の薄膜作成方法であるスパッタリ
ング法或いは真空蒸着法を適宜に用いて容易に形成する
ことが出来、従来のように形成方法に制約を受ることが
ないという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の光磁気記録用媒体を説明するために
、その構造を概略的に示した線図である。１・・・基板
、　　　　　２・・・記録層３・・・表面保護Ｊｉｉ（
Ｇｏ−Ｍ層）。 特許出願人　　　　　沖電気工業株式会社ｆ：基糎 ２　：　富乙鉢層 Ｊ：ｃｏ−ｐイＩｆｌ（表ｉ係會１【）ｔ）米風気直嬬
用型８奎の前置バ０ 第１図 昭和６１年６月２７日

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＲＥを希土類元素から選ばれた一種以上の元素と
   しかつＴＭを遷移金属元素から選ばれた一種以上の元素
   としたＲＥ−ＴＭ系合金膜を記録層とした光磁気記録用
   媒体において、 該記録層上にＣｏ−Ｍを主成分とする層を表面保護層と
   して被着して成り、 該Ｍを、ｈｃｐ相を安定化しかつ不働態を形成する元素
   のうちから選ばれた一種以上の元素とする ことを特徴とする光磁気記録用媒体。
2. （２）ＭをＭｏ、Ｗ、Ｖ、Ｃｒ及びこれらに類似する元
   素から選ばれた一種以上の元素とすることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録用媒体。