JPS6187249A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS6187249A JPS6187249A JP19121584A JP19121584A JPS6187249A JP S6187249 A JPS6187249 A JP S6187249A JP 19121584 A JP19121584 A JP 19121584A JP 19121584 A JP19121584 A JP 19121584A JP S6187249 A JPS6187249 A JP S6187249A
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- optical recording
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- recording layer
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、磁気
カー効果などの磁気光学効果を利用して読み出すことの
できる磁気記録媒体に関するものである。
カー効果などの磁気光学効果を利用して読み出すことの
できる磁気記録媒体に関するものである。
光磁気メモリの研究は、１９５７年にＭ、Ｂ ６薄膜上
に熱ペンを用いて記録を行ない、その書き込み磁区を磁
気カー効果綽よって観察したのがその端諸であるといわ
れている。その後のレーザの発展に刺激されて、Ｍｆｉ
Ｂ４ 系の材料を中心として精力的な研究が行なわれ
てきたが、レーザ光源ならびにその利用技術が未成熟で
あったために実用化には至らなかった。
に熱ペンを用いて記録を行ない、その書き込み磁区を磁
気カー効果綽よって観察したのがその端諸であるといわ
れている。その後のレーザの発展に刺激されて、Ｍｆｉ
Ｂ４ 系の材料を中心として精力的な研究が行なわれ
てきたが、レーザ光源ならびにその利用技術が未成熟で
あったために実用化には至らなかった。
しかし、１９７０年代における光情報処理関連技術の進
展および非晶質希土類遷移金属合金薄膜に代表される新
しい磁性薄膜材料の研究が進み（特開出願公告昭５６−
８７６０７ ） 、 ＧｄＦｅ 、 ＴｂＦｅ 、 Ｄ
ｙｌ’ｅ 、 ＧｄＣｏ などの合金薄膜が開発され
てきた。これらの材料は、一般に次のような特徴を有し
ている。
展および非晶質希土類遷移金属合金薄膜に代表される新
しい磁性薄膜材料の研究が進み（特開出願公告昭５６−
８７６０７ ） 、 ＧｄＦｅ 、 ＴｂＦｅ 、 Ｄ
ｙｌ’ｅ 、 ＧｄＣｏ などの合金薄膜が開発され
てきた。これらの材料は、一般に次のような特徴を有し
ている。
ＧｄＦ’、 、 ＧｄＣ，などの補償点記録用光磁気記
録媒体は、カー回転角がキューリ一点記録用光磁気記録
媒体に比較して大きく光再生特性は優れているものの保
磁力が小さく（数百エルステッド）１μｍ径程度の微小
ビットが安定に得られない、また、ＴｂＦｅ 、 Ｄ３
／Ｆ＃などのキューリ一点記録用光磁気記録媒体は、上
述と逆に保磁力が大きく（数キロエルステッド）１趨径
程度の微小ビットを安定に得ることか出来るものの、カ
ー回転角が小さく光再生特性があまり良くないなどの欠
点を有していた。
録媒体は、カー回転角がキューリ一点記録用光磁気記録
媒体に比較して大きく光再生特性は優れているものの保
磁力が小さく（数百エルステッド）１μｍ径程度の微小
ビットが安定に得られない、また、ＴｂＦｅ 、 Ｄ３
／Ｆ＃などのキューリ一点記録用光磁気記録媒体は、上
述と逆に保磁力が大きく（数キロエルステッド）１趨径
程度の微小ビットを安定に得ることか出来るものの、カ
ー回転角が小さく光再生特性があまり良くないなどの欠
点を有していた。
またＴｂ、 Ｇｄ、 Ｄｙ 、 Ｈｏ、ｅｔｃ、 重
希土類は価格が高く実用に不向きである。
希土類は価格が高く実用に不向きである。
これらの二元合金薄膜の欠点を補うため、従来８つの方
法が試みられてきた。
法が試みられてきた。
（１）三元あるいは四元化する。例えば、二元のＧｄＦ
、とＴｂＦ、の長所を生かし、欠点を補うＧｄＴｂＦ。
、とＴｂＦ、の長所を生かし、欠点を補うＧｄＴｂＦ。
三元合金あるいはＧｄＴｂＦｅＣｏ 四元合金のよう
に多元化していく方法、（特開昭５６−１２６９０７、
特開昭５７−９４９４８） （２）二元合金薄膜のｔまで、作製法の改善あるいは新
しい作製法で特性を改善する方法、（日本応用磁気学会
８２７回研究会資料２７−５）（８）多Ｎ′ｏｔ造化す
る方法。記録媒体に誘電体層を重ねて多重反射によるカ
ー効果の増大をはかる。
に多元化していく方法、（特開昭５６−１２６９０７、
特開昭５７−９４９４８） （２）二元合金薄膜のｔまで、作製法の改善あるいは新
しい作製法で特性を改善する方法、（日本応用磁気学会
８２７回研究会資料２７−５）（８）多Ｎ′ｏｔ造化す
る方法。記録媒体に誘電体層を重ねて多重反射によるカ
ー効果の増大をはかる。
また記録層と再生層を分離して、それぞれに適した材料
を用いる。あるいは記録媒体の裏側に反射層を設けて、
表面からの反射光だけでなく、媒体を透過した光も反射
させて利用するなどの方法である。
を用いる。あるいは記録媒体の裏側に反射層を設けて、
表面からの反射光だけでなく、媒体を透過した光も反射
させて利用するなどの方法である。
また、光磁気記録に重希土類−遷移金属を用い反射膜の
かわりにパーマロイ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ’に用いたもの
（特開昭５８−２２２４５５）も見られるが、ビットが
安定に存在する特徴しかなく、パーマロイ、 Ｆ’ｇ
、ｃｏ、 Ｎｉ が多結晶であるため、ノイズの原因
となり８７Ｍの劣化につながっていた。
かわりにパーマロイ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ’に用いたもの
（特開昭５８−２２２４５５）も見られるが、ビットが
安定に存在する特徴しかなく、パーマロイ、 Ｆ’ｇ
、ｃｏ、 Ｎｉ が多結晶であるため、ノイズの原因
となり８７Ｍの劣化につながっていた。
しかしながら、これら上記の方法は、カー回転角は大き
くなるものの反射率が低下する、又カー回転角が多少向
上してもキューリ一温度が高くなりレーザー書き込みが
難しくなるなど一長一短があり根本的な改善には至って
いなかり、た。
くなるものの反射率が低下する、又カー回転角が多少向
上してもキューリ一温度が高くなりレーザー書き込みが
難しくなるなど一長一短があり根本的な改善には至って
いなかり、た。
本発明は、上記欠点であるカー回転角が小さい、１μｍ
ビットが安定に得られない等の欠点を根本的に改善し、
相反する特性を向上させ高い、高密度、高安定性、高速
読み書きのできる光磁気記録媒体を提供することを目的
とした。
ビットが安定に得られない等の欠点を根本的に改善し、
相反する特性を向上させ高い、高密度、高安定性、高速
読み書きのできる光磁気記録媒体を提供することを目的
とした。
本発明の光磁気記録媒体は磁化を保持する光磁気記録層
と、抗磁力が前記光磁気記録層の５分の１以下で且つ１
００エルステツド以下に選定された低抗磁力材層を有し
、該光磁気記録層と該低抗磁力材層との間に該光磁気記
録層と同等あるいはそれ以下の厚みを持った非磁性体層
を形成したことを特徴とし、該光磁気記録層がセリウム
、プラセオジウム、ネオジウムのうち少なくとも１種以
上の元素と鉄および不純物からなる合金にさらにチタン
、ジルコニウム、タンタル、ハフニウム。
と、抗磁力が前記光磁気記録層の５分の１以下で且つ１
００エルステツド以下に選定された低抗磁力材層を有し
、該光磁気記録層と該低抗磁力材層との間に該光磁気記
録層と同等あるいはそれ以下の厚みを持った非磁性体層
を形成したことを特徴とし、該光磁気記録層がセリウム
、プラセオジウム、ネオジウムのうち少なくとも１種以
上の元素と鉄および不純物からなる合金にさらにチタン
、ジルコニウム、タンタル、ハフニウム。
ニオブ、タングステン、イツトリウム、モリブデン、ホ
ウ素、ケイ素のうち少なくとも１種以上の元素を含み、
またはさらにクロム、コバルト、ニッケル、銅、マンガ
ンのうち少なくとも１種以上の元素を含む合金から成り
、且つ該低抗磁力材層がチタニウム、ジルコニウム、タ
ンタル、ニオブ、タングステン、ハフニウム、イツトリ
ウム、モリブデン、ホウ素、硅累のりち少なくとも１種
以上の元素とコバルト及び不純物よりなり優位的に非晶
質な合金であることを特徴とした。
ウ素、ケイ素のうち少なくとも１種以上の元素を含み、
またはさらにクロム、コバルト、ニッケル、銅、マンガ
ンのうち少なくとも１種以上の元素を含む合金から成り
、且つ該低抗磁力材層がチタニウム、ジルコニウム、タ
ンタル、ニオブ、タングステン、ハフニウム、イツトリ
ウム、モリブデン、ホウ素、硅累のりち少なくとも１種
以上の元素とコバルト及び不純物よりなり優位的に非晶
質な合金であることを特徴とした。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
本発明の基本構造を第１図に示す、１１は基板、１２は
光磁気記録層、１３は低抗磁力材層、１４は、常磁性体
層である。この構造の場合、記録再生は基板側より光を
入射して行うが、１２を低抗磁力材層。
光磁気記録層、１３は低抗磁力材層、１４は、常磁性体
層である。この構造の場合、記録再生は基板側より光を
入射して行うが、１２を低抗磁力材層。
１３を光磁気記録層として光を基板に対して光磁気記録
層のある側から入射し記録再生を行っても何らさしつか
えない、さらに本発明は上記構造に限定されるものでは
なく、前記８層を基本とし、この他に多重反射を利用し
てカー回転角を増巾する透明膜、あるいは保護膜等４層
以上の積層を行うことは何ら本発明の効果を損うもので
はなく問題はない。
層のある側から入射し記録再生を行っても何らさしつか
えない、さらに本発明は上記構造に限定されるものでは
なく、前記８層を基本とし、この他に多重反射を利用し
てカー回転角を増巾する透明膜、あるいは保護膜等４層
以上の積層を行うことは何ら本発明の効果を損うもので
はなく問題はない。
実施例１
（１）第２図Ｃａ）に示す構造を有する媒体で基板おと
して、よく洗浄したガラスを用い、スパッタ法を用いて
ガラス基板上に厚み５００Ａの非晶質ＮｄＦｅＢ 垂直
磁化膜をρとして形成し、その上にスパッタ法を用い、
２１としてｃ（、Ｔ４ 非晶質膜を１００ＯＡ形成し
た。上記ＣＯＴ、： 非晶質膜の抗磁力は約７エルス
テツドであり、試料ＡＩとした。また比較として上記ｃ
６ｒ７ 非晶質膜のかわりにＡＪｆニスバッタ法で１
０００Ｘ形成したものを試料Ａ２とした。
して、よく洗浄したガラスを用い、スパッタ法を用いて
ガラス基板上に厚み５００Ａの非晶質ＮｄＦｅＢ 垂直
磁化膜をρとして形成し、その上にスパッタ法を用い、
２１としてｃ（、Ｔ４ 非晶質膜を１００ＯＡ形成し
た。上記ＣＯＴ、： 非晶質膜の抗磁力は約７エルス
テツドであり、試料ＡＩとした。また比較として上記ｃ
６ｒ７ 非晶質膜のかわりにＡＪｆニスバッタ法で１
０００Ｘ形成したものを試料Ａ２とした。
（２）第２図（６）に示す構造を有する媒体で、（１）
と同様に田はガラス基板−２２はＨｄＦｅＢ膜・２１は
ｃ、Ｔｚ膜で、冴は誘電体層で６−を８００人形成しで
ある。これはＮｄＦｅＢ膜ガラス膜板ラス基板間ること
によりカー回転角を二ンノ・ンスするものである。
と同様に田はガラス基板−２２はＨｄＦｅＢ膜・２１は
ｃ、Ｔｚ膜で、冴は誘電体層で６−を８００人形成しで
ある。これはＮｄＦｅＢ膜ガラス膜板ラス基板間ること
によりカー回転角を二ンノ・ンスするものである。
これを試料点８とした。また比較として上記ｃＯＴ＜非
晶質膜のかわりに八！をスパッタ法で１０００１形成し
たものを試料４４とした。
晶質膜のかわりに八！をスパッタ法で１０００１形成し
たものを試料４４とした。
（８）第２図（Ｃ）に示す構造を有する媒体で、（２）
と同様におはガラス基板−２２はＮｄ１Ｆ、Ｔｉ 膜
・２１はｃ（、Ｔｚ膜・冴はＥ３ｉＣＪｚＭである。２
５はＢｓＣＪｚｆｆｊ＆で、ｘ、１ｙ、ｒ６膜とＣ０Ｔ
ｚ 膜間に形成したもので１０ＯＡ厚みである。これ
を試料点５とし、比較としてｃＯｘ４ 膜をへ！膜に
置き替えたものを試料Ａ６とした。
と同様におはガラス基板−２２はＮｄ１Ｆ、Ｔｉ 膜
・２１はｃ（、Ｔｚ膜・冴はＥ３ｉＣＪｚＭである。２
５はＢｓＣＪｚｆｆｊ＆で、ｘ、１ｙ、ｒ６膜とＣ０Ｔ
ｚ 膜間に形成したもので１０ＯＡ厚みである。これ
を試料点５とし、比較としてｃＯｘ４ 膜をへ！膜に
置き替えたものを試料Ａ６とした。
（４）第２図（菊に示す構造を有する媒体で、２６はＰ
ＭＭＡ基板であり１．６μｍ間隔・深さ７００Ａの案内
溝を設けたものである。また（１）と同様にｎはＮｄＦ
ｅＴｉ膜・２１はｃｏ’ｒ６ 膜である。これを試料
点７とした。また比較としてＣ，）Ｔ＜ 非晶質膜の
かわりにＡＡ膜を形成したものを試料＆８とした。
ＭＭＡ基板であり１．６μｍ間隔・深さ７００Ａの案内
溝を設けたものである。また（１）と同様にｎはＮｄＦ
ｅＴｉ膜・２１はｃｏ’ｒ６ 膜である。これを試料
点７とした。また比較としてＣ，）Ｔ＜ 非晶質膜の
かわりにＡＡ膜を形成したものを試料＆８とした。
（５）第２図（ｅ））に示す構造を有する媒体で、基板
２６として、（４）と同じＰＭＭＡを用い（２）の試料
＆８と 〆同様（Ｄ ５ｚ０２ ／ＨｄＦｅＴｉ／Ｃｏ
Ｔｉ 構造としたもノヲ試料Ａ９とし、比較として試
料点９のＣ□Ｔｚ’ をＡｊとしたものを試料＆ １
０とした。
２６として、（４）と同じＰＭＭＡを用い（２）の試料
＆８と 〆同様（Ｄ ５ｚ０２ ／ＨｄＦｅＴｉ／Ｃｏ
Ｔｉ 構造としたもノヲ試料Ａ９とし、比較として試
料点９のＣ□Ｔｚ’ をＡｊとしたものを試料＆ １
０とした。
（６）第２図ωに示す構造を有する媒体で、基板あとし
て４と同じＰＭＭＡを用い（２）の試料点５と同様のＥ
３ｉ０２／Ｎｄ’ＦｅＴｉ／ＢｉＣｋｘ ／ｃＱ’ｒ７
構造としたものを試料Ａ １１とし、比較として試料Ａ
１１のｃ（、Ｔｚ をＡＩ！／としたものを試料Ａ１
２とした。
て４と同じＰＭＭＡを用い（２）の試料点５と同様のＥ
３ｉ０２／Ｎｄ’ＦｅＴｉ／ＢｉＣｋｘ ／ｃＱ’ｒ７
構造としたものを試料Ａ １１とし、比較として試料Ａ
１１のｃ（、Ｔｚ をＡＩ！／としたものを試料Ａ１
２とした。
（７）第２図（α）の構造を有する媒体で、（１）の試
料点１ ＯＣａｄｉ ｆ ＣＯＺ？！Ｎ６５ Ｌ ｆｃ
−もノヲ試料厘１３とした。
料点１ ＯＣａｄｉ ｆ ＣＯＺ？！Ｎ６５ Ｌ ｆｃ
−もノヲ試料厘１３とした。
このＣｏＺＴＮ６ の抗磁力は約５エルステツドであ
る。
る。
（８）第２図（α）の構造を有する媒体で、（１）の試
料Ａ１のＣＯＴ、：をＣｏＴαとしたものを試料Ａ １
４とした。
料Ａ１のＣＯＴ、：をＣｏＴαとしたものを試料Ａ １
４とした。
このＣｏＴα の抗磁力は約６エルステツドである。
（９）第２図Ｇ）の構造を持つ媒体で（１）の非晶質Ｎ
ｄＦｅＴｓを非晶質ＰｒＦ’ｅＺｒ 厚さ５００Ａとし
たものを試料＆１５左し、比較として試料Ａ１５のｃＯ
ｒｚをＡｊとしたものを試料＆１６とした。
ｄＦｅＴｓを非晶質ＰｒＦ’ｅＺｒ 厚さ５００Ａとし
たものを試料＆１５左し、比較として試料Ａ１５のｃＯ
ｒｚをＡｊとしたものを試料＆１６とした。
αΦ第２図（α）の構造を持つ媒体で（１）の非晶質Ｎ
ｄＦｅを厚み５００ＡのＣｇＦ（３ＴａＣｆ とした
ものを試料点１７とし、比較のため試料Ａ１７のｃＯｘ
４をＡｊとしたものを試料点１８とした。
ｄＦｅを厚み５００ＡのＣｇＦ（３ＴａＣｆ とした
ものを試料点１７とし、比較のため試料Ａ１７のｃＯｘ
４をＡｊとしたものを試料点１８とした。
Ｃ１）第２図（α）の構造を有する媒体で、（１）の試
料点１のＮｄＦｅＴｊをＮｄＰｆＦ、としたものを試料
＆１９とし、比較のため試料１９のｃｍＴ４をＡｊとし
たものを試料加とした。
料点１のＮｄＦｅＴｊをＮｄＰｆＦ、としたものを試料
＆１９とし、比較のため試料１９のｃｍＴ４をＡｊとし
たものを試料加とした。
θ２）Ｍ２図（α）の構造を有する媒体で、（１）の試
料点１のＮｄＦｅＴ７をＮｄＦｅＨｆＣｏとしたものを
試料点２１とし、比較のため試料Ａ２１のＣＱＴｚをＡ
ｊとしたものを試料＆乙とした。
料点１のＮｄＦｅＴ７をＮｄＦｅＨｆＣｏとしたものを
試料点２１とし、比較のため試料Ａ２１のＣＱＴｚをＡ
ｊとしたものを試料＆乙とした。
０の第２図（ｇ）の構造を有する媒体で％（５）の試料
点９のＮｄＦ、Ｔ７をＴ６Ｆ、としたものを試料Ａ２３
とし、比較のため試料屋幻のＣＱＴｉをＡｊとしたもの
を試料Ａ２４とした。
点９のＮｄＦ、Ｔ７をＴ６Ｆ、としたものを試料Ａ２３
とし、比較のため試料屋幻のＣＱＴｉをＡｊとしたもの
を試料Ａ２４とした。
以上乙種類のサンプルについてカー効果を測定した。カ
ー効果の測定は試料にｌＯキロエールステッドの磁場を
かけ、残留磁化状態としＨ，−Ｎ、ガスレーザー（波長
６８２．８ ＋ １メートル）で測定した。測定、の結
果を表１に示す。
ー効果の測定は試料にｌＯキロエールステッドの磁場を
かけ、残留磁化状態としＨ，−Ｎ、ガスレーザー（波長
６８２．８ ＋ １メートル）で測定した。測定、の結
果を表１に示す。
（１）〜（６）の試料１〜試料１２においてすべての構
造で非晶質Ｃ０Ｔｉ を用いたものはＡＡに比してカ
ー回転角は＃１ぼ２倍に増加している。また（７） 、
（８）の試料１３及び試料１４においてｃ（、Ｔ４以
外のＣ（、系非晶質薄膜を用いた場合においても、試料
２の八！に対してやはり２倍程度の増加があった。
造で非晶質Ｃ０Ｔｉ を用いたものはＡＡに比してカ
ー回転角は＃１ぼ２倍に増加している。また（７） 、
（８）の試料１３及び試料１４においてｃ（、Ｔ４以
外のＣ（、系非晶質薄膜を用いた場合においても、試料
２の八！に対してやはり２倍程度の増加があった。
（９） 〜４Ｇにおいて記録層としてＰｒＦｇＺｒ 、
ＣｅＦｅＴａＣｒ ｒ ＮｄＰｒＦｅ 、 Ｎｄ’ｌ
’ｅＣｏ としたものにおいてもやはりカー回転角は
大きくなった。
ＣｅＦｅＴａＣｒ ｒ ＮｄＰｒＦｅ 、 Ｎｄ’ｌ
’ｅＣｏ としたものにおいてもやはりカー回転角は
大きくなった。
α３は従来より光磁気記録媒体として用いられているＴ
ｂＦ、 を記録層としカー回転角を測定したがこの場
合でも約１．５倍に増加した。
ｂＦ、 を記録層としカー回転角を測定したがこの場
合でも約１．５倍に増加した。
尚、光磁気記録媒体にｃｒ、 ｎ６ 、 ｃｌＬ、 Ｍ
ＴＬを添加したものは、試料２１のＧｏ添加と同一の効
果で耐候性に優れ、膜面に垂直に磁化容易軸を有する光
磁気記録媒体であった。さらに、ここではｃｍ系アモル
ファス低抗磁力材層の具体例として、Ｃｏ Ｋ Ｔｓ
、 Ｚｒ 、 Ｔａ 、 Ｈｂ を少なくとも一種以
上添加した材料で本発明の詳細な説明したが、これに限
定されず、ｃ（、にＷ 、 Ｈｆ 、 Ｙ 、 Ｍｏ
、 Ｂ 、 Ｓ＜を添加した材料でも効果は全く同じで
ある。
ＴＬを添加したものは、試料２１のＧｏ添加と同一の効
果で耐候性に優れ、膜面に垂直に磁化容易軸を有する光
磁気記録媒体であった。さらに、ここではｃｍ系アモル
ファス低抗磁力材層の具体例として、Ｃｏ Ｋ Ｔｓ
、 Ｚｒ 、 Ｔａ 、 Ｈｂ を少なくとも一種以
上添加した材料で本発明の詳細な説明したが、これに限
定されず、ｃ（、にＷ 、 Ｈｆ 、 Ｙ 、 Ｍｏ
、 Ｂ 、 Ｓ＜を添加した材料でも効果は全く同じで
ある。
実飽例２
低抗磁力材層の抗磁力とカー回転角の関係を調べた。結
果ｔ−第８図に示す。第３図において横軸は抗磁力、縦
軸はカー回転角である。用いた試料はすべて第２図（α
）の構造を有するもので、αはガラス／ ＮｄＦｅＴｉ
／ ＣｏＴ＜ 、 ｂはガラス／ ＮｔｉＦｅＴｉ
／ＣｏＺｒＮｂ 、 ｃはガラス／ ＴｂＦｅ ／ ｅ
ＱＴｚ である。α５ｂａｃの８種数すべて低抗磁力
層の抗磁力が小さくなるに従ってカー回転角が増加する
。しかし抗磁力が約１００エールステツド程度になると
、Ａ！の反射層を設けたものと同等となる（図中ｄ、ｅ
）、さらに抗磁力が大きくなった場合にはむしろ八！に
比してカー回転角は小さくなる。これは、反射率が八！
に比してＧｏ系合金が小さいためである。
果ｔ−第８図に示す。第３図において横軸は抗磁力、縦
軸はカー回転角である。用いた試料はすべて第２図（α
）の構造を有するもので、αはガラス／ ＮｄＦｅＴｉ
／ ＣｏＴ＜ 、 ｂはガラス／ ＮｔｉＦｅＴｉ
／ＣｏＺｒＮｂ 、 ｃはガラス／ ＴｂＦｅ ／ ｅ
ＱＴｚ である。α５ｂａｃの８種数すべて低抗磁力
層の抗磁力が小さくなるに従ってカー回転角が増加する
。しかし抗磁力が約１００エールステツド程度になると
、Ａ！の反射層を設けたものと同等となる（図中ｄ、ｅ
）、さらに抗磁力が大きくなった場合にはむしろ八！に
比してカー回転角は小さくなる。これは、反射率が八！
に比してＧｏ系合金が小さいためである。
第１表
実施例８
光磁気記録再生可能な光学ヘッドを用い、第４図（α）
に示す媒体構造で周波数特性を調べた。レーザー波長は
７８０ｕの半導体レーザーを用いた。
に示す媒体構造で周波数特性を調べた。レーザー波長は
７８０ｕの半導体レーザーを用いた。
ディスク回転数は１８００ ｒｐｍ 、半径５ｃｒｎに
固定とし、書き込み周波数を可変させた。読み書きは基
板側から行った。基板はグループ付ポリカーボネイト４
１とし、第２表に記したような薄膜を形成し、３層構造
とした。第１ＲはＡＡＮ ４２で８０ＯＡ、第２層は光
磁気記録層４３で１００ＯＡ、第８層は従来例としてＡ
Ａ反射膜または本発明によるアモルファスＣＯ系低抗磁
力Ｍ４４でここではＣ０８ｏＴｉ２゜とし、５００Ａの
膜厚とした。形成手段はＤＣマグネトロンスパッタ法と
した。それぞれの光磁気記録媒体における書き込み周波
数に対するＣβｒａｔｉｏを示したものが第４図（ｂ）
である。従来の様な反射膜として非磁性層！を用いた場
合と較べ本発明によるアモルファスＣＯ系抵抗磁力層を
設けたことによりＣ／Ｎ ｒａｔｉｏが上昇した。さら
に、本発明によるＦ、中にＣ（３、Ｐｒ、 Ｎｄ を
少なくとも一種以上含んだ光磁気記録媒体においては、
さらにその効果は大きく、書き込み周波数特性が飛躍的
に向上した。
固定とし、書き込み周波数を可変させた。読み書きは基
板側から行った。基板はグループ付ポリカーボネイト４
１とし、第２表に記したような薄膜を形成し、３層構造
とした。第１ＲはＡＡＮ ４２で８０ＯＡ、第２層は光
磁気記録層４３で１００ＯＡ、第８層は従来例としてＡ
Ａ反射膜または本発明によるアモルファスＣＯ系低抗磁
力Ｍ４４でここではＣ０８ｏＴｉ２゜とし、５００Ａの
膜厚とした。形成手段はＤＣマグネトロンスパッタ法と
した。それぞれの光磁気記録媒体における書き込み周波
数に対するＣβｒａｔｉｏを示したものが第４図（ｂ）
である。従来の様な反射膜として非磁性層！を用いた場
合と較べ本発明によるアモルファスＣＯ系抵抗磁力層を
設けたことによりＣ／Ｎ ｒａｔｉｏが上昇した。さら
に、本発明によるＦ、中にＣ（３、Ｐｒ、 Ｎｄ を
少なくとも一種以上含んだ光磁気記録媒体においては、
さらにその効果は大きく、書き込み周波数特性が飛躍的
に向上した。
第２表 （組成単位は原子チ表示）
実施例４
第２図ωに示す構造を持った媒体を作成し光磁気記録層
と低抗磁力材層の間の非磁性中間層の厚みをパラメータ
として、記録パワーを変えた時のＣ／Ｎ比を調べた。
と低抗磁力材層の間の非磁性中間層の厚みをパラメータ
として、記録パワーを変えた時のＣ／Ｎ比を調べた。
媒体は第２図ωの２１の低抗磁力材層としてＣＯＴ？、
、。
、。
を１００ＯＡ、２２の光磁気記録層としてＮｄＦ６Ｈｆ
Ｃ。
Ｃ。
を１００ＯＡ、２４の多重反射層としてＳｉＯ２を９０
０Ｘ形成し、５の非磁性中間層として５ｈｏ２を１０Ｏ
Ａから１００ＯＡまで変えたものを作成した。
０Ｘ形成し、５の非磁性中間層として５ｈｏ２を１０Ｏ
Ａから１００ＯＡまで変えたものを作成した。
非磁性中間層のそれぞれの厚みについて、書込みレーザ
ーパワーに対するＣ／Ｎ比を第５図に示した。
ーパワーに対するＣ／Ｎ比を第５図に示した。
ｓｈｏ、の厚みを増していくと低いレーザーパワーでｃ
、、’ｓ比が飽和する。すなわち書込み感度が向上して
いる。しかし５ｈＯ２を２００ＯＡと厚くした場合はＣ
／Ｎ比が飽和するレーザーパワーは低いが０７Ｍ比の飽
和値も低くなって、しまう。
、、’ｓ比が飽和する。すなわち書込み感度が向上して
いる。しかし５ｈＯ２を２００ＯＡと厚くした場合はＣ
／Ｎ比が飽和するレーザーパワーは低いが０７Ｍ比の飽
和値も低くなって、しまう。
このことから非磁性中間層の厚みは光磁気記録層と同等
かそれ以下が望ましい。
かそれ以下が望ましい。
なお、第５図中のαは非磁性層の厚みが１００’Ａｎ
６Ｈ同２００Ｘ、 Ｃ１Ｊ１．５０ＯＲ，ｄｉ；ｔ、１
００〔効果〕 以上の実施例に示された様に本発明による構造を有する
光磁気記録媒体は、カー回転角がほぼ２倍に増加し、Ｃ
Ａ比も改善される。
６Ｈ同２００Ｘ、 Ｃ１Ｊ１．５０ＯＲ，ｄｉ；ｔ、１
００〔効果〕 以上の実施例に示された様に本発明による構造を有する
光磁気記録媒体は、カー回転角がほぼ２倍に増加し、Ｃ
Ａ比も改善される。
さらに、記録磁区が安定するために高記録密度において
もＣ／Ｎ比の劣化が小さく、より高密度記録に適した媒
体である。
もＣ／Ｎ比の劣化が小さく、より高密度記録に適した媒
体である。
また、従来のＴｂ１ｌ’、 、 ＧｄＣＱ 、 ＴｂＦ
６ＧＯ、ＴｂｅｄＦ。
６ＧＯ、ＴｂｅｄＦ。
等の重希土類を含む媒体に比してＮｄ 、 Ｄ７− 、
Ｃ６の軽希土類を含むものは材料費が安くなり、本発
明による光磁気記録媒体は、軽希土類を含む媒体に対し
ての方がその効果が大きいといり特徴をもっている。
Ｃ６の軽希土類を含むものは材料費が安くなり、本発
明による光磁気記録媒体は、軽希土類を含む媒体に対し
ての方がその効果が大きいといり特徴をもっている。
記録層は、非晶質であるため記録層上にＣＯ系非晶質に
成長させる、あるいは逆にｃｍ系非晶質層上に非晶質の
光磁気記録層を成長させることは非常に容易であり、且
つ、ＣＯ系非晶質は非常に化学的に安定であるため信頼
性も向上する。
成長させる、あるいは逆にｃｍ系非晶質層上に非晶質の
光磁気記録層を成長させることは非常に容易であり、且
つ、ＣＯ系非晶質は非常に化学的に安定であるため信頼
性も向上する。
また、光磁気記録層と低抗磁力材層間に非磁性中間層を
設けることによって書込み感度を向上させることが可能
である。さらに光磁気記録層が多少光を透過するならば
、低抗磁力材層と光磁気記録層間において、カー回転角
をエンハンスメントすることも可能である。
設けることによって書込み感度を向上させることが可能
である。さらに光磁気記録層が多少光を透過するならば
、低抗磁力材層と光磁気記録層間において、カー回転角
をエンハンスメントすることも可能である。
第１図（ＣＬ）（ｂ）は本発明による光磁気記録媒体の
基本的層祷造を示す図である。 （ａ） 、 （ｂ）に
おいて１１・拳Φ基板 １２・・・光磁気記録層 １３・・・低抗磁力層 あるいは １２・・・低抗磁力層 １３・・Φ光磁気記録層 また（ｂ）において １４・・・中間層 である。 第２図（α）〜Ｕ′）は本発明による光磁気記録媒体の
具体的実施例の構造を示す図である。各図において、 ２１・φ・低抗磁力層 匹・・・光磁気記録層 お・・・基板 ２４・＠慟透明誘電体層 ５・Φ・中間層 ２６・・・案内溝付き基板 である。 第８図は本発明による光磁気記録媒体の効果を示す図で
ある。 α・・ガラス基板／ ＮｄＦ６Ｔｉ ／ ＦｓｌＮｉの
構造を有する媒体において？、Ｎ４ の抗磁力に対す
るカー回転角を示したもの。 ６１１＠ガラス基板／ ＮｄＸ’ ｇ Ｔ ｓ ／ Ｍ
ＯＦ ｅ ＮＳの構造を有する媒体においてＭｏＦ、Ｎ
ｊ の抗磁力に対するカー回転角を示したもの。 ｃｅ・ガラス基板／ ＴｂＦｅ ／ Ｘ’ｅＮ％の構造
を有する媒体においてＰ、Ｎ４ の抗磁力に対するカ
ー回転角を示したもの。 ｄ・・ガラス基板／ ＮｄＦｇＴｊ／ＡＪの構造を有す
る媒体のカー回転角。 ｅ・・ガラス基板／ Ｔｂ７ｇ／ＡＡの構造を有する媒
体のカー回転角。 第４図は本発明による光磁気記録媒体の記録再生周波数
特性を示す図である。（α）は実験に用いた媒体の構造
を示し ４１・・・基板 ４２・・・Ａ７Ｎ（透明誘電体層） ４３ＩＩＩＩ・光磁気記録層 祠・・・低抗磁力材層あるいはＡ！ である。 （ｂ）は書込み周波数に対するＯＮ比を示したもので図
中の１α〜５α及び１ｂ〜５ｂは第２表に示した試料番
号である。 第５図は光磁気記録層と低抗磁力材層の間の非磁性中間
層の厚みをパラメータとして書込みレーザーパワーに対
するＣ／Ｈ比をとったものである。 ／−（〆１１ ゝ＼−ｒＮ、 （ａ＞ ＜ｂ）第１図 第２図
基本的層祷造を示す図である。 （ａ） 、 （ｂ）に
おいて１１・拳Φ基板 １２・・・光磁気記録層 １３・・・低抗磁力層 あるいは １２・・・低抗磁力層 １３・・Φ光磁気記録層 また（ｂ）において １４・・・中間層 である。 第２図（α）〜Ｕ′）は本発明による光磁気記録媒体の
具体的実施例の構造を示す図である。各図において、 ２１・φ・低抗磁力層 匹・・・光磁気記録層 お・・・基板 ２４・＠慟透明誘電体層 ５・Φ・中間層 ２６・・・案内溝付き基板 である。 第８図は本発明による光磁気記録媒体の効果を示す図で
ある。 α・・ガラス基板／ ＮｄＦ６Ｔｉ ／ ＦｓｌＮｉの
構造を有する媒体において？、Ｎ４ の抗磁力に対す
るカー回転角を示したもの。 ６１１＠ガラス基板／ ＮｄＸ’ ｇ Ｔ ｓ ／ Ｍ
ＯＦ ｅ ＮＳの構造を有する媒体においてＭｏＦ、Ｎ
ｊ の抗磁力に対するカー回転角を示したもの。 ｃｅ・ガラス基板／ ＴｂＦｅ ／ Ｘ’ｅＮ％の構造
を有する媒体においてＰ、Ｎ４ の抗磁力に対するカ
ー回転角を示したもの。 ｄ・・ガラス基板／ ＮｄＦｇＴｊ／ＡＪの構造を有す
る媒体のカー回転角。 ｅ・・ガラス基板／ Ｔｂ７ｇ／ＡＡの構造を有する媒
体のカー回転角。 第４図は本発明による光磁気記録媒体の記録再生周波数
特性を示す図である。（α）は実験に用いた媒体の構造
を示し ４１・・・基板 ４２・・・Ａ７Ｎ（透明誘電体層） ４３ＩＩＩＩ・光磁気記録層 祠・・・低抗磁力材層あるいはＡ！ である。 （ｂ）は書込み周波数に対するＯＮ比を示したもので図
中の１α〜５α及び１ｂ〜５ｂは第２表に示した試料番
号である。 第５図は光磁気記録層と低抗磁力材層の間の非磁性中間
層の厚みをパラメータとして書込みレーザーパワーに対
するＣ／Ｈ比をとったものである。 ／−（〆１１ ゝ＼−ｒＮ、 （ａ＞ ＜ｂ）第１図 第２図
Claims (2)
- （１）磁化の向きが膜面に垂直で上向きか下向きかの二
値をとる光磁気記録層に光を照射し記録再生を行う光磁
気記録媒体において、磁化を保持する前記光磁気記録層
と、抗磁力が前記光磁気記録層の五分の一以下で且つ百
エルステッド以下に選定された低抗磁力材層を有し、前
記光磁気記録層と前記低抗磁力材層との間に前記光磁気
記録層と同等あるいはそれ以下の厚みを持った非磁性体
層を形成したことを特徴とした光磁気記録媒体。 - （２）特許請求の範囲第一項記載の光磁気記録層がセリ
ウム、プラセオジウム、ネオジウムのうち少なくとも一
種以上の元素と鉄および不純物からなる合金にさらにチ
タン、ジルコニウム、タンタル、ハフニウム、ニオブ、
タングステン、イットリウム、モリブデン、ホウ素、ケ
イ素のうち少なくとも一種以上の元素を含み、またはさ
らにクロム、コバルト、ニッケル、銅、マンガンのうち
少なくとも一種以上の元素を含む合金から成り、且つ低
抗磁力材層がチタニウム、ジルコニウム、タンタル、ニ
オブ、タングステン、ハフニウム、イットリウム、モリ
ブデン、ホウ素、ケイ素のうち少なくとも一種以上の元
素とコバルト及び不純物よりなり優位的に非晶な合金で
あることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の光磁
気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19121584A JPS6187249A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光磁気記録媒体 |
| US07/193,020 US5100741A (en) | 1984-09-12 | 1988-05-12 | Magneto-optic recording systems |
| US08/231,866 US5529854A (en) | 1984-09-12 | 1994-04-25 | Magneto-optic recording systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19121584A JPS6187249A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187249A true JPS6187249A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16270821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19121584A Pending JPS6187249A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187249A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4932012A (en) * | 1985-12-09 | 1990-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for regenerating information from a magneto-optical information recording medium |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP19121584A patent/JPS6187249A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4932012A (en) * | 1985-12-09 | 1990-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for regenerating information from a magneto-optical information recording medium |
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