JPH03268247A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH03268247A JPH03268247A JP6416790A JP6416790A JPH03268247A JP H03268247 A JPH03268247 A JP H03268247A JP 6416790 A JP6416790 A JP 6416790A JP 6416790 A JP6416790 A JP 6416790A JP H03268247 A JPH03268247 A JP H03268247A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザビーム及び外部磁界を用いて情報の記
録・再生・消去を行う光磁気記録媒体およびその製造方
法に関する。
録・再生・消去を行う光磁気記録媒体およびその製造方
法に関する。
(従来の技術〕
従来、光磁気記録媒体の磁性膜の1つとして貴金属と遷
移金属の多層膜が用いられている。この(2) 磁性膜は希土類−遷移金属磁性膜に比べて耐食性が非常
に優れており、しかも短波長領域でのカー回転角が大き
いために、将来の短波長用磁性膜として有望であるが、
保磁力が1〜2kOeと小さいため、磁区長が0.5μ
m以下の高密度記録を行うのが困難である。また、従来
の貴金属−遷移金属多層膜では、希土類−遷移金属膜と
同様に、熱伝導率が0 、 I J / cw−deg
−sec以上と大きいために高密度記録を行うのが困難
である。すなわち、光変調記録方式では、第一の光パル
スによって発生した熱が後方に伝わり、第二の光パルス
による磁区形成に影響を与えるため、磁区同士を分離し
て記録できるパワーマージンが極めて小さい。また、磁
界変調記録方式では、三日月型磁区の曲率が大きくなり
、磁区の両端で磁区同志がつながってしまうため、再生
時のSN比が劣化する。
移金属の多層膜が用いられている。この(2) 磁性膜は希土類−遷移金属磁性膜に比べて耐食性が非常
に優れており、しかも短波長領域でのカー回転角が大き
いために、将来の短波長用磁性膜として有望であるが、
保磁力が1〜2kOeと小さいため、磁区長が0.5μ
m以下の高密度記録を行うのが困難である。また、従来
の貴金属−遷移金属多層膜では、希土類−遷移金属膜と
同様に、熱伝導率が0 、 I J / cw−deg
−sec以上と大きいために高密度記録を行うのが困難
である。すなわち、光変調記録方式では、第一の光パル
スによって発生した熱が後方に伝わり、第二の光パルス
による磁区形成に影響を与えるため、磁区同士を分離し
て記録できるパワーマージンが極めて小さい。また、磁
界変調記録方式では、三日月型磁区の曲率が大きくなり
、磁区の両端で磁区同志がつながってしまうため、再生
時のSN比が劣化する。
なお、本発明に関連する従来技術として、例えばアイイ
ーイーイートランザクションズオンマグネティクス第2
5巻第5号、1989年9月第3764〜3766頁等
を挙げることができる。
ーイーイートランザクションズオンマグネティクス第2
5巻第5号、1989年9月第3764〜3766頁等
を挙げることができる。
(3)
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の貴金属−遷移金属多層膜では、保磁力が1〜2k
Oeと小さく、しかも膜面内方向の熱伝導率が03lJ
/aIl−deg−5ec以上と大きいために、磁区長
が0.5μm以下の高密度記録を安定に行うことが困難
であった。本発明の目的は、保磁力が5kOe以上、膜
面内方向の熱伝導率が0.IJ / an −deg−
sec以下の、高密度記録が安定に行える磁性膜を提供
することにある。
Oeと小さく、しかも膜面内方向の熱伝導率が03lJ
/aIl−deg−5ec以上と大きいために、磁区長
が0.5μm以下の高密度記録を安定に行うことが困難
であった。本発明の目的は、保磁力が5kOe以上、膜
面内方向の熱伝導率が0.IJ / an −deg−
sec以下の、高密度記録が安定に行える磁性膜を提供
することにある。
上記目的は、貴金属膜と遷移金属−遷移金属酸化物混合
膜を交互に多層積層することによって達成できる。上記
貴金属としては、Pt、Ag。
膜を交互に多層積層することによって達成できる。上記
貴金属としては、Pt、Ag。
Pdの少なくとも一種以上、遷移金属としてはCo、M
n、Ni、Feの少なくとも一種以上が望ましい。
n、Ni、Feの少なくとも一種以上が望ましい。
上記の遷移金属を、酸素を含むアルゴン雰囲気中でスパ
ッタあるいは蒸着すると、形成される膜は、直径約10
0人の柱状の遷移金属とそのまわりを覆う厚さ約10人
の遷移金属酸化物の集合体(4) (いわゆる遷移金属−遷移金属酸化物混合膜)となる。
ッタあるいは蒸着すると、形成される膜は、直径約10
0人の柱状の遷移金属とそのまわりを覆う厚さ約10人
の遷移金属酸化物の集合体(4) (いわゆる遷移金属−遷移金属酸化物混合膜)となる。
この遷移金属−遷移金属酸化物混合膜と資金層膜を交互
に積層すれば、上述した膜構造のために、従来の貴金属
−遷移金属多層膜(超格子膜)に比べて保磁力が大きく
なり、熱伝導率が小さくなる。
に積層すれば、上述した膜構造のために、従来の貴金属
−遷移金属多層膜(超格子膜)に比べて保磁力が大きく
なり、熱伝導率が小さくなる。
上述した磁性膜を作成する方法としては、酸素を含むア
ルゴン雰囲気中で、貴金属と遷移金属とを交互にスパッ
タあるいは蒸着する方法がある。
ルゴン雰囲気中で、貴金属と遷移金属とを交互にスパッ
タあるいは蒸着する方法がある。
特に、貴金属としてPt、遷移金属としてC。
を、酸素を含むアルゴン雰囲気中で、交互に10Å以下
ずつ積層した場合には、最も良い記録特性が得られる。
ずつ積層した場合には、最も良い記録特性が得られる。
また、Ti、Zr、Nb、Ta、Crの少なくとも一種
以上の酸化物と遷移金属を同時にアルゴン雰囲気中でス
パッタ、あるいは蒸着し、貴金属膜と交互に積層するこ
とによっても、前述した柱状構造を持つ磁性膜を得るこ
とができる。
以上の酸化物と遷移金属を同時にアルゴン雰囲気中でス
パッタ、あるいは蒸着し、貴金属膜と交互に積層するこ
とによっても、前述した柱状構造を持つ磁性膜を得るこ
とができる。
遷移金属−遷移金属酸化物混合膜の一例として、(5)
Co膜を酸素を含むアルゴン雰囲気中でスパッタにより
形成すると、第2図に示すように、直径約100人の円
柱状のGoと、そのまわりを覆う厚さ約10人のGo酸
化物との集合体(全体として膜になる)が形成される。
形成すると、第2図に示すように、直径約100人の円
柱状のGoと、そのまわりを覆う厚さ約10人のGo酸
化物との集合体(全体として膜になる)が形成される。
このCo−0膜と貴金属の膜を交互に多層積層すること
により、光磁気記録が可能な垂直磁化膜となる。
により、光磁気記録が可能な垂直磁化膜となる。
上記の磁性膜では、円筒状のCO酸化物によって磁壁の
移動が妨げられるため、保磁力が4〜5koeと大きく
なり、安定した微小磁区を記録することが可能である。
移動が妨げられるため、保磁力が4〜5koeと大きく
なり、安定した微小磁区を記録することが可能である。
また、膜面内方向の熱の伝達は熱伝導率の小さなCO酸
化物によってさえぎられるため、膜面に垂直方向の熱伝
導率(従来の貴金属−遷移金属多層膜の熱伝導率と同じ
)に比べて、膜面内方向の熱伝導率は1ケタから2ケタ
程度小さくなる。
化物によってさえぎられるため、膜面に垂直方向の熱伝
導率(従来の貴金属−遷移金属多層膜の熱伝導率と同じ
)に比べて、膜面内方向の熱伝導率は1ケタから2ケタ
程度小さくなる。
実施例1
第1図は本発明の一実施例の光磁気記録媒体である。ガ
ラス基板上にSiN膜を800人積層し、(6) さらにCoとptを交互に酸素を含むAr雰囲気中で多
層積層した。Co−0とPtの膜厚は両者とも9人で、
磁性膜の総膜厚は540人とした。
ラス基板上にSiN膜を800人積層し、(6) さらにCoとptを交互に酸素を含むAr雰囲気中で多
層積層した。Co−0とPtの膜厚は両者とも9人で、
磁性膜の総膜厚は540人とした。
また、C0−0膜中の酸素の量は原子パーセントで10
%である。酸素を含まないA r−雰囲気中で同様の磁
性膜を作製した場合の保磁力は1kOe以下であるのに
対して、本発明による磁性膜の保磁力は約4kOeとな
った。
%である。酸素を含まないA r−雰囲気中で同様の磁
性膜を作製した場合の保磁力は1kOe以下であるのに
対して、本発明による磁性膜の保磁力は約4kOeとな
った。
第3図に、上述のようにして作製したPt/C0−0多
層膜を持つディスク(b)と、従来のPt/Co多層膜
を持つディスク(a)に、それぞれ磁界変調方式で磁区
を記録した場合の磁区形状を示す。
層膜を持つディスク(b)と、従来のPt/Co多層膜
を持つディスク(a)に、それぞれ磁界変調方式で磁区
を記録した場合の磁区形状を示す。
本発明によるディスクでは、従来のディスクに比べて三
日月型磁区の曲率が小さくなった。これは、P t /
G o−〇多層膜の膜面内方向の熱伝導率が0.IJ
/印・deg−see以下と小さいため、光スポツト中
心から見た温度分布がほぼ同心円状となったためである
。さらに、本発明のディスクでは磁性膜の保磁力が大き
くなったため、従来のデ(7) イスクで見られるような磁区周囲の乱れがなく、良好な
形状の磁区が得られた。
日月型磁区の曲率が小さくなった。これは、P t /
G o−〇多層膜の膜面内方向の熱伝導率が0.IJ
/印・deg−see以下と小さいため、光スポツト中
心から見た温度分布がほぼ同心円状となったためである
。さらに、本発明のディスクでは磁性膜の保磁力が大き
くなったため、従来のデ(7) イスクで見られるような磁区周囲の乱れがなく、良好な
形状の磁区が得られた。
上述したP t / Co−〇多層膜の代わりに、P
d / Co−〇多層膜を用いても、同様の良好な記録
特性が得られた。
d / Co−〇多層膜を用いても、同様の良好な記録
特性が得られた。
実施例2
第4図は、ガラス基板上にSiN膜を800人積層し、
さらにCoZr○とptを交互に多層積層した場合であ
る。磁性膜は、Goのプレート上にZrO2のチップを
はりつけたターゲットとptメタ−ットを用いて、Ar
雰囲気中でスパッタ法により作製した。Co Z r○
の膜組成はC01l□01□ZrGである。このディス
クに磁界変調方式で磁区を記録したところ、第3図(b
)に示した、P t / Co −0多層膜を持つディ
スクの磁区形状と同様な良好な磁区形状が得られた。
さらにCoZr○とptを交互に多層積層した場合であ
る。磁性膜は、Goのプレート上にZrO2のチップを
はりつけたターゲットとptメタ−ットを用いて、Ar
雰囲気中でスパッタ法により作製した。Co Z r○
の膜組成はC01l□01□ZrGである。このディス
クに磁界変調方式で磁区を記録したところ、第3図(b
)に示した、P t / Co −0多層膜を持つディ
スクの磁区形状と同様な良好な磁区形状が得られた。
実施例3
UV樹脂で案内溝を設けたガラス基板あるいはポリカー
ボネート基板上に、実施例1及び2で示した磁性膜を直
接形成した場合にも、第3図(b)(8) に示したような良好な磁区形状が得られた。
ボネート基板上に、実施例1及び2で示した磁性膜を直
接形成した場合にも、第3図(b)(8) に示したような良好な磁区形状が得られた。
本発明による光磁気記録媒体を用いれば、従来の貴金属
−遷移金属多層膜を磁性膜として持つ、光磁気記録媒体
に比べて、磁性膜の保磁力が大きくなり、また、磁性膜
面内方向の熱伝導率が小さくなる。このため、光変調方
式で記録した場合の磁区同士を分離して記録できるパワ
ーマージンが大きくなり、また、磁界変調方式で記録し
た場合には、曲率が小さく、周囲の乱れのない良好な形
状の三日月型磁区が得られる。さらに、耐食性は、従来
のTbFeCo磁性膜を持つ光磁気記録媒体よりも大き
く向上する。
−遷移金属多層膜を磁性膜として持つ、光磁気記録媒体
に比べて、磁性膜の保磁力が大きくなり、また、磁性膜
面内方向の熱伝導率が小さくなる。このため、光変調方
式で記録した場合の磁区同士を分離して記録できるパワ
ーマージンが大きくなり、また、磁界変調方式で記録し
た場合には、曲率が小さく、周囲の乱れのない良好な形
状の三日月型磁区が得られる。さらに、耐食性は、従来
のTbFeCo磁性膜を持つ光磁気記録媒体よりも大き
く向上する。
第1図、第4図は本発明の実施例である光磁気記録媒体
の積層構造を示す断面図、第2図はCo−〇膜内の構造
を示す模式的斜視図、第3図は従来のPt/Co多層膜
と本発明のP t / G o −0多層膜における記
録磁区形状を示す平面図である。 1・・・ガラス基板、2・・・SiN膜、3・・・P
t / C。 (9) 一〇多層膜、4・・・P t / Co Z r O多
層膜。 (10)
の積層構造を示す断面図、第2図はCo−〇膜内の構造
を示す模式的斜視図、第3図は従来のPt/Co多層膜
と本発明のP t / G o −0多層膜における記
録磁区形状を示す平面図である。 1・・・ガラス基板、2・・・SiN膜、3・・・P
t / C。 (9) 一〇多層膜、4・・・P t / Co Z r O多
層膜。 (10)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性膜を含む
光磁気記録媒体において、当該磁性膜が貴金属膜と遷移
金属−遷移金属酸化物混合膜とを交互に2層以上積み重
ねた多層膜からなることを特徴とする光磁気記録媒体。 2、上記光磁気記録媒体において、当該磁性膜中に、貴
金属としてPt、Ag、Pdの少なくとも1種以上、遷
移金属としてCo、Mn、Ni、Feの少なくとも1種
以上、及び酸素を含むことを特徴とする請求項1記載の
光磁気記録媒体。 3、請求項1記載の光磁気記録媒体を製造する方法にお
いて、貴金属及び遷移金属を酸素を含む雰囲気中で、ス
パッタあるいは蒸着によつて交互に積層して磁性膜を作
製することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 4、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性膜を含む
光磁気記録媒体において、当該磁性膜が、遷移金属、酸
素及びTi、Zr、Nb、Ta、Crの少なくとも一種
以上を含む膜と貴金属膜とを交互に積層した多層膜から
成ることを特徴とする光磁気記録媒体。 5、請求項4記載の光磁気記録媒体を製造する際方法に
おいて、遷移金属とTi、Zr、Nb、Ta、Crの少
なくとも一種以上の酸化物とを同時にスパッタあるいは
蒸着することにより作製した膜を貴金属膜とを交互に積
層し、磁性膜を作製することを特徴とする光磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6416790A JPH03268247A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6416790A JPH03268247A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03268247A true JPH03268247A (ja) | 1991-11-28 |
Family
ID=13250238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6416790A Pending JPH03268247A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03268247A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015105939A1 (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | University Of Houston System | Systems and methods for locally reducing oxides |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6416790A patent/JPH03268247A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015105939A1 (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | University Of Houston System | Systems and methods for locally reducing oxides |
US9818535B2 (en) | 2014-01-08 | 2017-11-14 | University Of Houston System | Systems and methods for locally reducing oxides |
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