JPH0567360A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0567360A JPH0567360A JP4040277A JP4027792A JPH0567360A JP H0567360 A JPH0567360 A JP H0567360A JP 4040277 A JP4040277 A JP 4040277A JP 4027792 A JP4027792 A JP 4027792A JP H0567360 A JPH0567360 A JP H0567360A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気記録媒体の記録感度を高めるととも
に、低エラーレートで高分解能の記録再生を安定に行う
ことができる記録パワーマージンを広いものとする。 【構成】 記録層５と金属反射層７との間に設層する第
２の誘電体層６に、Ｙを含む希土類元素の酸化物の１種
以上と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素とを含有させる。
に、低エラーレートで高分解能の記録再生を安定に行う
ことができる記録パワーマージンを広いものとする。 【構成】 記録層５と金属反射層７との間に設層する第
２の誘電体層６に、Ｙを含む希土類元素の酸化物の１種
以上と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素とを含有させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体のうち、光磁気記録媒体は情
報容量が大きい点で有望視され、近年その開発進歩が著
しい。光磁気記録媒体は、透明基板上に、誘電体層を介
して記録層磁性膜を設けて構成されている。そして、最
近では、記録層上に第２の誘電体層を設け、記録層を一
対の誘電体層で挟持するとともに、その最上層に金属反
射層を設け、再生信号の出力を高める試みがなされてい
る。
報容量が大きい点で有望視され、近年その開発進歩が著
しい。光磁気記録媒体は、透明基板上に、誘電体層を介
して記録層磁性膜を設けて構成されている。そして、最
近では、記録層上に第２の誘電体層を設け、記録層を一
対の誘電体層で挟持するとともに、その最上層に金属反
射層を設け、再生信号の出力を高める試みがなされてい
る。
【０００３】このような金属反射層としては、光反射率
やコストの点でＡｌないしＡｌ合金が有望とされてい
る。例えば、米国特許第４７１７６２８号明細書では２
〜１０at％のＮｉを含むＡｌ−Ｎｉ合金が記録感度や再
生のＣ／Ｎの点ですぐれているとされている。また、特
開平２−２９２７５３号には、Ａｌ−Ｔａ合金、同２−
２８５５３３号にはＡｌ等とＲｅとの合金、同２−２６
７７５２号には、Ａｌ−Ｎｂ合金等が提案されている。
やコストの点でＡｌないしＡｌ合金が有望とされてい
る。例えば、米国特許第４７１７６２８号明細書では２
〜１０at％のＮｉを含むＡｌ−Ｎｉ合金が記録感度や再
生のＣ／Ｎの点ですぐれているとされている。また、特
開平２−２９２７５３号には、Ａｌ−Ｔａ合金、同２−
２８５５３３号にはＡｌ等とＲｅとの合金、同２−２６
７７５２号には、Ａｌ−Ｎｂ合金等が提案されている。
【０００４】一方、このように金属反射層を積層する場
合、記録層、金属反射層間に設層される第２の誘電体層
としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の窒化物が
使用されており、このうち、窒化ケイ素は２程度の屈折
率を示すので、金属反射層の下に積層したとき、良好な
エンハンス効果が発揮されるとされている。しかし、金
属反射層も、各種窒化物等の第２の誘電体層も、ともに
熱伝導率が高く、記録時に記録層からの熱の散逸を助長
してしまい、記録感度、特に記録され始める記録パワー
しきい値（Pth ）が低く、低記録パワーで記録できない
という欠点がある。
合、記録層、金属反射層間に設層される第２の誘電体層
としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の窒化物が
使用されており、このうち、窒化ケイ素は２程度の屈折
率を示すので、金属反射層の下に積層したとき、良好な
エンハンス効果が発揮されるとされている。しかし、金
属反射層も、各種窒化物等の第２の誘電体層も、ともに
熱伝導率が高く、記録時に記録層からの熱の散逸を助長
してしまい、記録感度、特に記録され始める記録パワー
しきい値（Pth ）が低く、低記録パワーで記録できない
という欠点がある。
【０００５】ところで、光記録に際しては、単に記録パ
ワーのしきい値が低いだけでなく、エラーレートが小さ
く、例えばバイトエラーレート（ＢＥＲ）が特に５×１
０-5以下となる記録パワー下限値（Ｐmin ）が低い必要
がある。しかし、従来の構造では、この下限値Ｐmin の
点でも不十分である。
ワーのしきい値が低いだけでなく、エラーレートが小さ
く、例えばバイトエラーレート（ＢＥＲ）が特に５×１
０-5以下となる記録パワー下限値（Ｐmin ）が低い必要
がある。しかし、従来の構造では、この下限値Ｐmin の
点でも不十分である。
【０００６】他方、記録パワーを高めていくと、記録信
号間の分解能が低下してくる。所定の分解能、例えばＩ
ＳＯ規格§２４．１の規格に従い、各回転数での３Ｔ、
８Ｔ信号間の分解能が４０％まで低下する記録パワー上
限値をＰmaxとすると、このＰmax −Ｐmin の記録パワ
ーのマージンはできるだけ広いことが望まれる。ドライ
ブ装置ごとに記録レーザパワーは変動しており、また光
学系や検出系にもばらつきがある他、各装置ごとにおい
ても、レーザパワーの温度変動や経時劣化、光学系や検
出系の経時劣化、装填時のディスクのチルト角の変動や
ホコリによる散乱等、記録再生条件に各種変動要因が存
在する。また、異なる機種のドライブ装置への互換性も
必要とされる。これらから、装置ごと、あるいは装置間
や機種間の変動要因があっても、常に安定な記録再生を
行うことができるようにするためには、この記録パワー
マージンは広ければ広いほどよい。これによりドライブ
装置の設計が容易となり、ドライブ制御も容易となるか
らである。しかし、従来の構造では、この記録パワーマ
ージンも狭い。
号間の分解能が低下してくる。所定の分解能、例えばＩ
ＳＯ規格§２４．１の規格に従い、各回転数での３Ｔ、
８Ｔ信号間の分解能が４０％まで低下する記録パワー上
限値をＰmaxとすると、このＰmax −Ｐmin の記録パワ
ーのマージンはできるだけ広いことが望まれる。ドライ
ブ装置ごとに記録レーザパワーは変動しており、また光
学系や検出系にもばらつきがある他、各装置ごとにおい
ても、レーザパワーの温度変動や経時劣化、光学系や検
出系の経時劣化、装填時のディスクのチルト角の変動や
ホコリによる散乱等、記録再生条件に各種変動要因が存
在する。また、異なる機種のドライブ装置への互換性も
必要とされる。これらから、装置ごと、あるいは装置間
や機種間の変動要因があっても、常に安定な記録再生を
行うことができるようにするためには、この記録パワー
マージンは広ければ広いほどよい。これによりドライブ
装置の設計が容易となり、ドライブ制御も容易となるか
らである。しかし、従来の構造では、この記録パワーマ
ージンも狭い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、光磁気記録媒体の記録感度を向上し、安定な記録再
生を行うことができる記録パワーマージンを広いものと
することにある。
は、光磁気記録媒体の記録感度を向上し、安定な記録再
生を行うことができる記録パワーマージンを広いものと
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（１０）の本発明により達成される。
（１）〜（１０）の本発明により達成される。
【０００９】（１）基板上に、順に、第１の誘電体層、
記録層、第２の誘電体層および金属反射層を有し、前記
第２の誘電体層が、Ｙを含む希土類元素の１種以上の酸
化物と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素とを含有する光磁気
記録媒体。
記録層、第２の誘電体層および金属反射層を有し、前記
第２の誘電体層が、Ｙを含む希土類元素の１種以上の酸
化物と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素とを含有する光磁気
記録媒体。
【００１０】（２）前記希土類元素がＬａおよび／また
はＣｅである上記（１）の光磁気記録媒体。
はＣｅである上記（１）の光磁気記録媒体。
【００１１】（３）前記第２の誘電体層の膜厚が８００
A 以下である上記（１）または（２）の光磁気記録媒
体。
A 以下である上記（１）または（２）の光磁気記録媒
体。
【００１２】（４）化学量論組成換算で５〜５０モル％
の希土類元素酸化物を含み、Ｏ／Ｎの原子比が０．２〜
３である上記（１）ないし（３）のいずれかの光磁気記
録媒体。
の希土類元素酸化物を含み、Ｏ／Ｎの原子比が０．２〜
３である上記（１）ないし（３）のいずれかの光磁気記
録媒体。
【００１３】（５）前記金属反射層がＡｌ系またはＮｉ
系の金属または合金である上記（１）ないし（４）のい
ずれかの光磁気記録媒体。
系の金属または合金である上記（１）ないし（４）のい
ずれかの光磁気記録媒体。
【００１４】（６）前記金属反射層がＡｌを８０〜９９
wt% 含有するＡｌ系合金である上記（５）の光磁気記録
媒体。
wt% 含有するＡｌ系合金である上記（５）の光磁気記録
媒体。
【００１５】（７）前記Ａｌ系合金は２０wt% 以下のＮ
ｉを含有する上記（６）の光磁気記録媒体。
ｉを含有する上記（６）の光磁気記録媒体。
【００１６】（８）前記金属反射層がＮｉを主体とし、
Ｃｏ、Ｃｒ、Ｗ、ＭｏおよびＦｅのうち１種以上を含有
するＮｉ系合金である上記（５）の光磁気記録媒体。
Ｃｏ、Ｃｒ、Ｗ、ＭｏおよびＦｅのうち１種以上を含有
するＮｉ系合金である上記（５）の光磁気記録媒体。
【００１７】（９）前記Ｎｉ系合金は３５〜７５wt％の
ＮｉとＣｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＭｏおよびＦｅを含有する上
記（８）に記載の光磁気記録媒体。
ＮｉとＣｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＭｏおよびＦｅを含有する上
記（８）に記載の光磁気記録媒体。
【００１８】（１０）前記金属反射層の厚さが、４００
〜１５００A である上記（１）ないし（９）のいずれか
の光磁気記録媒体。
〜１５００A である上記（１）ないし（９）のいずれか
の光磁気記録媒体。
【００１９】
【作用】本発明では、希土類元素酸化物ＲＯｘ、窒化ケ
イ素ＳｉＮｘおよび酸化ケイ素ＳｉＯｘを含有する第２
の誘電体層を用いることにより、記録感度が格段と向上
する。このような場合、記録感度のうち、記録され始め
るしきい値Pth は著しく低下する。このしきい値Pth の
低下は、本発明の第２の誘電体層の熱伝導率が小さいの
で、熱伝導率の大きい金属反射層を用いても記録層に対
する高熱効果が発揮されるためであると考えられる。
イ素ＳｉＮｘおよび酸化ケイ素ＳｉＯｘを含有する第２
の誘電体層を用いることにより、記録感度が格段と向上
する。このような場合、記録感度のうち、記録され始め
るしきい値Pth は著しく低下する。このしきい値Pth の
低下は、本発明の第２の誘電体層の熱伝導率が小さいの
で、熱伝導率の大きい金属反射層を用いても記録層に対
する高熱効果が発揮されるためであると考えられる。
【００２０】そして、本発明では、これに加え、記録感
度のうち、バイトエラーレートＢＥＲ５．０×１０-5以
下となる記録パワー下限値Ｐmin も著しく低下する。そ
して、分解能４０％以上の得られる記録パワー上限値Ｐ
max とＰmin との間の記録パワーマージンもきわめて広
いものとなる。
度のうち、バイトエラーレートＢＥＲ５．０×１０-5以
下となる記録パワー下限値Ｐmin も著しく低下する。そ
して、分解能４０％以上の得られる記録パワー上限値Ｐ
max とＰmin との間の記録パワーマージンもきわめて広
いものとなる。
【００２１】この場合、本発明者らは、特開昭６３−１
６１５５１号、特開平２−１１０８４３号にて、ＲＯ
ｘ、ＳｉＮｘ、およびＳｉＯｘを含有する基板、記録層
間に介在させる第１の誘電体層についての提案を行って
いるが、これらの提案では金属反射層の使用には着眼し
ておらず、これらには、これらを第２の誘電体層として
金属反射層と積層したときの格別の感度向上効果および
記録マージン拡大効果は示されていない。
６１５５１号、特開平２−１１０８４３号にて、ＲＯ
ｘ、ＳｉＮｘ、およびＳｉＯｘを含有する基板、記録層
間に介在させる第１の誘電体層についての提案を行って
いるが、これらの提案では金属反射層の使用には着眼し
ておらず、これらには、これらを第２の誘電体層として
金属反射層と積層したときの格別の感度向上効果および
記録マージン拡大効果は示されていない。
【００２２】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００２３】本発明の光磁気記録媒体の好適例が図１に
示される。この光磁気記録媒体１は、基板２上に、第１
の誘電体層４、記録層５、第２の誘電体層６および反射
層７を順次積層したものである。
示される。この光磁気記録媒体１は、基板２上に、第１
の誘電体層４、記録層５、第２の誘電体層６および反射
層７を順次積層したものである。
【００２４】記録層３上に設けられる第２の誘電体層６
は記録層３のエンハンス効果と耐食性の向上のために設
けられるものであるが、本発明では、金属反射層７を設
けたときの蓄熱効果付与による感度向上や、記録パワー
マージン拡大の機能を発揮し、一種以上の希土類元素
（Ｙを含む）の酸化物と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素と
が含有される。
は記録層３のエンハンス効果と耐食性の向上のために設
けられるものであるが、本発明では、金属反射層７を設
けたときの蓄熱効果付与による感度向上や、記録パワー
マージン拡大の機能を発揮し、一種以上の希土類元素
（Ｙを含む）の酸化物と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素と
が含有される。
【００２５】希土類元素としては、Ｙ、Ｌａ〜Ｓｍ、Ｅ
ｕ〜Ｌｎのいずれであってもよく、これらの１種以上が
含有される。これらのうち、Ｙを含むランタノイド元
素、特に少なくともＬａおよびＣｅのうち１種以上が含
有されることが好ましい。ＬａおよびＣｅの酸化物とし
ては、通常、Ｌａ2 Ｏ3 およびＣｅＯ2 である。これら
は、一般に化学量論組成であるが、これらから偏奇した
ものであってもよい。Ｌａおよび／またはＣｅが含まれ
る場合、ＬａおよびＣｅの酸化物はいずれか一方であっ
てもよく、両者が含有されてもよいが、両者が含有され
る場合、その量比は任意である。また、Ｌａおよび／ま
たはＣｅの酸化物の他、Ｙ、Ｅｒ等の希土類元素の酸化
物が希土類酸化物中１０at％（金属換算）程度以下含有
されていてよい。また、これらの他、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ等の酸化物が含有されていてもよ
い。これらの元素のうち、Ｆｅは、１０at％以下、ま
た、その他の元素は合計で１０at％以下含有されてもよ
い。
ｕ〜Ｌｎのいずれであってもよく、これらの１種以上が
含有される。これらのうち、Ｙを含むランタノイド元
素、特に少なくともＬａおよびＣｅのうち１種以上が含
有されることが好ましい。ＬａおよびＣｅの酸化物とし
ては、通常、Ｌａ2 Ｏ3 およびＣｅＯ2 である。これら
は、一般に化学量論組成であるが、これらから偏奇した
ものであってもよい。Ｌａおよび／またはＣｅが含まれ
る場合、ＬａおよびＣｅの酸化物はいずれか一方であっ
てもよく、両者が含有されてもよいが、両者が含有され
る場合、その量比は任意である。また、Ｌａおよび／ま
たはＣｅの酸化物の他、Ｙ、Ｅｒ等の希土類元素の酸化
物が希土類酸化物中１０at％（金属換算）程度以下含有
されていてよい。また、これらの他、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ等の酸化物が含有されていてもよ
い。これらの元素のうち、Ｆｅは、１０at％以下、ま
た、その他の元素は合計で１０at％以下含有されてもよ
い。
【００２６】第２の誘電体層６中には希土類酸化物に加
え、酸化ケイ素と窒化ケイ素が含有される。酸化ケイ素
は通常ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、また窒化ケイ素はＳｉ3 Ｎ4
の形で含有される。これらはこの化学量論組成から偏奇
していてもよい。
え、酸化ケイ素と窒化ケイ素が含有される。酸化ケイ素
は通常ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、また窒化ケイ素はＳｉ3 Ｎ4
の形で含有される。これらはこの化学量論組成から偏奇
していてもよい。
【００２７】このような第２の誘電体層６の６００〜９
００nmにおける屈折率は、好ましくは１．８〜３．０、
より好ましくは１．８〜２．５とする。屈折率が１．８
未満であると、カー回転角効果が小さく、出力が低下す
る。また、３．０を越えると、出力が低下し、またノイ
ズが増加する。
００nmにおける屈折率は、好ましくは１．８〜３．０、
より好ましくは１．８〜２．５とする。屈折率が１．８
未満であると、カー回転角効果が小さく、出力が低下す
る。また、３．０を越えると、出力が低下し、またノイ
ズが増加する。
【００２８】このような第２の誘電体層６中の希土類元
素酸化物とＳｉ化合物との量比は、それぞれ化学量論組
成換算で、希土類元素酸化物の合計／（Ｓｉ化合物＋希
土類元素酸化物の合計）として、０．０５〜０．５（モ
ル比）程度であり、化学量論組成換算で、５〜５０モル
％の希土類元素酸化物を含有することが好ましい。この
比が小さすぎると、出力が低下し、高温高湿下での耐久
性に乏しくなってくる。また、大きすぎると、ノイズが
増加し、高温高湿下での耐久性に乏しくなってくる。な
お、希土類元素／Ｓｉの原子比は０．０３〜０．６程度
である。また、第２の誘電体層６中のＯ／Ｎ原子比は、
０．２〜３程度である。この比が小さすぎると、高温高
湿下での耐久性に乏しくなり、大きすぎると出力が低下
し、経時劣化が生じてくる。
素酸化物とＳｉ化合物との量比は、それぞれ化学量論組
成換算で、希土類元素酸化物の合計／（Ｓｉ化合物＋希
土類元素酸化物の合計）として、０．０５〜０．５（モ
ル比）程度であり、化学量論組成換算で、５〜５０モル
％の希土類元素酸化物を含有することが好ましい。この
比が小さすぎると、出力が低下し、高温高湿下での耐久
性に乏しくなってくる。また、大きすぎると、ノイズが
増加し、高温高湿下での耐久性に乏しくなってくる。な
お、希土類元素／Ｓｉの原子比は０．０３〜０．６程度
である。また、第２の誘電体層６中のＯ／Ｎ原子比は、
０．２〜３程度である。この比が小さすぎると、高温高
湿下での耐久性に乏しくなり、大きすぎると出力が低下
し、経時劣化が生じてくる。
【００２９】これら原子比の測定には、オージェ電子分
光あるいはＥＤＡ等の分析手段を用いればよい。なお、
第２の誘電体層６中には、厚さ方向に酸素および窒素の
濃度勾配が存在してもよい。
光あるいはＥＤＡ等の分析手段を用いればよい。なお、
第２の誘電体層６中には、厚さ方向に酸素および窒素の
濃度勾配が存在してもよい。
【００３０】このような第２の誘電体層６を設層するに
は、スパッタ法を用いることが好ましい。ターゲットと
しては、希土類酸化物、好ましくはＬａ2Ｏ3 および／
またはＣｅＯ2 と、ＳｉＯ2 およびＳｉ3 Ｎ4 の混合物
の焼結体を用いることが好ましい。この場合、希土類酸
化物、特にＬａ2 Ｏ3 および／またはＣｅＯ2 の一部ま
たは全部を、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバ
ーメタル、ミッシュメタル、ウェルスバッハメタル等の
酸化物に換えて用いることもできる。
は、スパッタ法を用いることが好ましい。ターゲットと
しては、希土類酸化物、好ましくはＬａ2Ｏ3 および／
またはＣｅＯ2 と、ＳｉＯ2 およびＳｉ3 Ｎ4 の混合物
の焼結体を用いることが好ましい。この場合、希土類酸
化物、特にＬａ2 Ｏ3 および／またはＣｅＯ2 の一部ま
たは全部を、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバ
ーメタル、ミッシュメタル、ウェルスバッハメタル等の
酸化物に換えて用いることもできる。
【００３１】また、これに準じ、その他の気相成膜法、
例えばＣＶＤ法、蒸着法、イオンプレーティング法等を
適宜用いることも可能である。なお、誘電体層中の不純
物として、成膜雰囲気中に存在するＡｒ、Ｎ2 等が入っ
てもよい。その他、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ等の元素が不純物として入りうる。
例えばＣＶＤ法、蒸着法、イオンプレーティング法等を
適宜用いることも可能である。なお、誘電体層中の不純
物として、成膜雰囲気中に存在するＡｒ、Ｎ2 等が入っ
てもよい。その他、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ等の元素が不純物として入りうる。
【００３２】この第２の誘電体層６の膜厚は８００A 以
下、好ましくは５０〜６００A 、特に５０〜５００A と
することが好ましい。光透過率を高め、出力を向上する
ためには、膜厚は薄くすることが好ましいが、第２の誘
電体層６上に設けられる反射層７に熱伝導率の小さい材
質を用いれば、その膜厚をより薄くすることができる。
なお、膜厚が薄すぎるとノイズが増加し、厚すぎると出
力やＣ／Ｎが劣化してくる。このような第２の誘電体層
６は、膜応力が小さく、ヒートサイクル下での耐久性が
良好である。また記録層の保護効果も高い。
下、好ましくは５０〜６００A 、特に５０〜５００A と
することが好ましい。光透過率を高め、出力を向上する
ためには、膜厚は薄くすることが好ましいが、第２の誘
電体層６上に設けられる反射層７に熱伝導率の小さい材
質を用いれば、その膜厚をより薄くすることができる。
なお、膜厚が薄すぎるとノイズが増加し、厚すぎると出
力やＣ／Ｎが劣化してくる。このような第２の誘電体層
６は、膜応力が小さく、ヒートサイクル下での耐久性が
良好である。また記録層の保護効果も高い。
【００３３】このような第２の誘電体層上に設層される
金属反射層７の材質は、公知の各種金属材料、例えばＡ
ｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉおよびＦｅ等
の金属やその合金のいずれであってもよい。これらのう
ちでは、Ａｌ、Ｎｉあるいはこれらの合金、特にＡｌ系
合金やＮｉ系合金は、本発明の第２の誘電体層と組み合
わせたとき所定の反射率を示し、出力が向上し、すぐれ
た感度および記録パワーマージン向上効果を発揮する点
で好ましい。
金属反射層７の材質は、公知の各種金属材料、例えばＡ
ｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉおよびＦｅ等
の金属やその合金のいずれであってもよい。これらのう
ちでは、Ａｌ、Ｎｉあるいはこれらの合金、特にＡｌ系
合金やＮｉ系合金は、本発明の第２の誘電体層と組み合
わせたとき所定の反射率を示し、出力が向上し、すぐれ
た感度および記録パワーマージン向上効果を発揮する点
で好ましい。
【００３４】Ａｌ系合金としてはＡｌを８０〜９９wt％
含有し、これにＮｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｗ、Ａｕ、Ｓ
ｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｚｎ、Ｉ
ｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ等の一種
以上を含有させたものが好適である。Ａｌ系合金は、記
録パワーマージン拡大効果の点でもっとも優れている。
またＣ／Ｎもきわめて高くなる。そして、記録感度も向
上する。特に、Ｎｉを２０wt％以下、特に１〜１０wt％
含有し、残実質的にＡｌのＡｌ−Ｎｉ合金は好適であ
る。
含有し、これにＮｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｗ、Ａｕ、Ｓ
ｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｚｎ、Ｉ
ｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ等の一種
以上を含有させたものが好適である。Ａｌ系合金は、記
録パワーマージン拡大効果の点でもっとも優れている。
またＣ／Ｎもきわめて高くなる。そして、記録感度も向
上する。特に、Ｎｉを２０wt％以下、特に１〜１０wt％
含有し、残実質的にＡｌのＡｌ−Ｎｉ合金は好適であ
る。
【００３５】またＮｉ系合金は、熱伝導率が小さく、も
っともすぐれた記録感度向上効果を示す点で特に好まし
いこれらのうちでは、特にＮｉを３５〜７５wt％含有
し、これにＣｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅの１種以上を含
有するものが好ましい。そして、これらのうち、Ｎｉを
３５〜７５wt％、特に４０〜７０wt％、Ｃｏを０．１〜
５wt％、特に０．５〜５wt％、Ｃｒを０．１〜２５wt
％、特に０．５〜２５wt％、Ｗを０〜６wt％、Ｍｏを２
〜３０wt％、特に５〜３０wt％、およびＦｅを０．１〜
２５wt％、特に１〜２２wt％含有する、いわゆるハステ
ロイ合金は特に好ましい。この場合、これらに加え、３
wt％以下の範囲のＣｕ、Ｎｂ、Ｔａや、２wt％以下のＭ
ｎや、１wt％以下のＳｉ、Ｔｉ等が含有されていてもよ
い。これらＮｉ系合金では、前記第２の誘電体層と組み
合わせたとき、きわめて高い感度が実現する。また、熱
伝導率の低いＮｉ系合金を用いることにより、第２の誘
電体層６の厚さを薄くして出力を向上するとともに金属
反射層７そのものの膜厚も薄くすることができる。
っともすぐれた記録感度向上効果を示す点で特に好まし
いこれらのうちでは、特にＮｉを３５〜７５wt％含有
し、これにＣｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅの１種以上を含
有するものが好ましい。そして、これらのうち、Ｎｉを
３５〜７５wt％、特に４０〜７０wt％、Ｃｏを０．１〜
５wt％、特に０．５〜５wt％、Ｃｒを０．１〜２５wt
％、特に０．５〜２５wt％、Ｗを０〜６wt％、Ｍｏを２
〜３０wt％、特に５〜３０wt％、およびＦｅを０．１〜
２５wt％、特に１〜２２wt％含有する、いわゆるハステ
ロイ合金は特に好ましい。この場合、これらに加え、３
wt％以下の範囲のＣｕ、Ｎｂ、Ｔａや、２wt％以下のＭ
ｎや、１wt％以下のＳｉ、Ｔｉ等が含有されていてもよ
い。これらＮｉ系合金では、前記第２の誘電体層と組み
合わせたとき、きわめて高い感度が実現する。また、熱
伝導率の低いＮｉ系合金を用いることにより、第２の誘
電体層６の厚さを薄くして出力を向上するとともに金属
反射層７そのものの膜厚も薄くすることができる。
【００３６】このような金属反射層７の膜厚は、４００
〜１５００A 、より好ましくは５００〜１０００A とす
ればよい。膜厚が必要以上に薄くなると、金属反射層７
積層効果がなくなり出力やＣ／Ｎが低下してしまう。厚
すぎると感度が低下する。
〜１５００A 、より好ましくは５００〜１０００A とす
ればよい。膜厚が必要以上に薄くなると、金属反射層７
積層効果がなくなり出力やＣ／Ｎが低下してしまう。厚
すぎると感度が低下する。
【００３７】このような反射層７積層後の媒体の光反射
率は、１５％以上であることが好ましく、また反射層７
の複素屈折率の実部ｎは１．５〜３．５、虚部消衰係数
ｋは２．５〜７．０とするのが好ましい。このような反
射層７はスパッタ、蒸着、イオンプレーティング等によ
り形成することができるが、特にスパッタによって形成
されることが好ましい。
率は、１５％以上であることが好ましく、また反射層７
の複素屈折率の実部ｎは１．５〜３．５、虚部消衰係数
ｋは２．５〜７．０とするのが好ましい。このような反
射層７はスパッタ、蒸着、イオンプレーティング等によ
り形成することができるが、特にスパッタによって形成
されることが好ましい。
【００３８】このような反射層上には、保護コート８が
設層されることが好ましい。保護コート８は、例えば紫
外線硬化樹脂等の各種樹脂材質から、通常は、０．１〜
１００μm 程度の厚さに設層すればよい。保護コート８
は、層状であってもシート状であってもよい。保護コー
ト８は、特にアクリレート系等の放射線硬化型化合物お
よび光重合増感剤を含有する塗膜を放射線硬化したもの
であることが好ましい。
設層されることが好ましい。保護コート８は、例えば紫
外線硬化樹脂等の各種樹脂材質から、通常は、０．１〜
１００μm 程度の厚さに設層すればよい。保護コート８
は、層状であってもシート状であってもよい。保護コー
ト８は、特にアクリレート系等の放射線硬化型化合物お
よび光重合増感剤を含有する塗膜を放射線硬化したもの
であることが好ましい。
【００３９】このような保護コート８の上には、必要に
応じて接着剤層９を介して保護板１０が設けられてもよ
い。保護板１０は種々の樹脂を用いて設層すればよい。
なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を用いても
よい。このような保護コート８および保護板１０を設け
ることにより光磁気記録媒体の耐久性、耐食性がより一
層向上する。
応じて接着剤層９を介して保護板１０が設けられてもよ
い。保護板１０は種々の樹脂を用いて設層すればよい。
なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を用いても
よい。このような保護コート８および保護板１０を設け
ることにより光磁気記録媒体の耐久性、耐食性がより一
層向上する。
【００４０】このような反射層７および第２の誘電層６
がその上に設層される記録層５は、変調された熱ビーム
あるいは変調された磁界により、情報が磁気的に記録さ
れるものであり、記録情報は磁気−光変換して再生され
るものである。記録層５は、光磁気記録が行えるもので
あればその材質に特に制限はないが、希土類金属元素を
含有する合金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、
スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等、特にスパッ
タにより、非晶質膜として形成したものであることが好
ましい。
がその上に設層される記録層５は、変調された熱ビーム
あるいは変調された磁界により、情報が磁気的に記録さ
れるものであり、記録情報は磁気−光変換して再生され
るものである。記録層５は、光磁気記録が行えるもので
あればその材質に特に制限はないが、希土類金属元素を
含有する合金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、
スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等、特にスパッ
タにより、非晶質膜として形成したものであることが好
ましい。
【００４１】希土類金属としては、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、
Ｇｄ、Ｓｍ、Ｃｅのうちの１種以上を用いることが好ま
しい。遷移金属としては、ＦｅおよびＣｏが好ましい。
この場合、ＦｅとＣｏの総含有量は、６５〜８５at％で
あることが好ましい。そして、残部は実質的に希土類金
属である。
Ｇｄ、Ｓｍ、Ｃｅのうちの１種以上を用いることが好ま
しい。遷移金属としては、ＦｅおよびＣｏが好ましい。
この場合、ＦｅとＣｏの総含有量は、６５〜８５at％で
あることが好ましい。そして、残部は実質的に希土類金
属である。
【００４２】好適に用いられる記録層の組成としては、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏ等がある。なお、記録層中には、１０
at％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有
されてもよい。また、１０at％以下の範囲で、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類金属元素を含有しても
よい。このような記録層５の層厚は、通常、１０〜１０
００nm程度である。
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏ等がある。なお、記録層中には、１０
at％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有
されてもよい。また、１０at％以下の範囲で、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類金属元素を含有しても
よい。このような記録層５の層厚は、通常、１０〜１０
００nm程度である。
【００４３】この記録層５と保護層３の間には第１の誘
電体層４が設層される。そして、第１の誘電体層４の組
成は第２の誘電体層６と同一であってもよいが、酸化
物、炭化物、窒化物、硫化物、例えば、ＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｏ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＺｎＳ、ＢＮ、
ＴｉＯ2 、ＴｉＮ等ないしこれらの混合物などの各種誘
電体物質を用いることが好ましい。また、その膜厚は５
００〜２０００A 程度とすればよい。その形成方法は、
第２の誘電体層６の方法に準じればよい。
電体層４が設層される。そして、第１の誘電体層４の組
成は第２の誘電体層６と同一であってもよいが、酸化
物、炭化物、窒化物、硫化物、例えば、ＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｏ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＺｎＳ、ＢＮ、
ＴｉＯ2 、ＴｉＮ等ないしこれらの混合物などの各種誘
電体物質を用いることが好ましい。また、その膜厚は５
００〜２０００A 程度とすればよい。その形成方法は、
第２の誘電体層６の方法に準じればよい。
【００４４】基板２と記録層４との間には保護層３が設
層されてもよいが、その材質としては、ガラス、例えば
ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミ
ニウムホウケイ酸ガラス等あるいはこのものにＳｉ3 Ｎ
4 等を含むものなどを用いればよい。なかでも、ＳｉＯ
3 ４０〜８０wt％のホウケイ酸ガラス、バリウムホウケ
イ酸ガラス、アルミニウムホウケイ酸ガラスや、これら
のＳｉＯ2 の一部をＳｉ3 Ｎ4 等で置換したものが好ま
しい。保護層３の膜厚は３００〜１５００A 程度とすれ
ばよい。
層されてもよいが、その材質としては、ガラス、例えば
ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミ
ニウムホウケイ酸ガラス等あるいはこのものにＳｉ3 Ｎ
4 等を含むものなどを用いればよい。なかでも、ＳｉＯ
3 ４０〜８０wt％のホウケイ酸ガラス、バリウムホウケ
イ酸ガラス、アルミニウムホウケイ酸ガラスや、これら
のＳｉＯ2 の一部をＳｉ3 Ｎ4 等で置換したものが好ま
しい。保護層３の膜厚は３００〜１５００A 程度とすれ
ばよい。
【００４５】基板２は、記録光および再生光（４００〜
９００nm程度、特に６００〜８５０nm程度の半導体レー
ザー光、特に７８０nm）に対し、実質的に透明（好まし
くは透過率８０％以上）な樹脂から形成される。これに
より、基板裏面側からの記録および再生が可能となる。
９００nm程度、特に６００〜８５０nm程度の半導体レー
ザー光、特に７８０nm）に対し、実質的に透明（好まし
くは透過率８０％以上）な樹脂から形成される。これに
より、基板裏面側からの記録および再生が可能となる。
【００４６】基板材質としては樹脂を用いる。樹脂とし
ては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、アモルフ
ァスポリオレフィン等の各種熱可塑性樹脂が好適であ
る。なお、必要に応じ、基板２の外表面や、外周面等に
酸素遮断性の被膜を形成してもよい。また、基板２の記
録層５形成面には、トラッキング用のグループが形成さ
れていてもよい。
ては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、アモルフ
ァスポリオレフィン等の各種熱可塑性樹脂が好適であ
る。なお、必要に応じ、基板２の外表面や、外周面等に
酸素遮断性の被膜を形成してもよい。また、基板２の記
録層５形成面には、トラッキング用のグループが形成さ
れていてもよい。
【００４７】さらに、保護層３、第１の誘電体層４、記
録層５、第２の誘電体層６、反射層７、保護コート８等
を有する基板２を１対用いて、両記録層を内側にして対
向させて、接着剤層９を用いて貼り合せて、両基板の裏
面側から書き込みを行う、いわゆる両面記録タイプとし
てもよい。これらの基板２や保護板１０の裏面（記録層
５を設けていない側の面）には各種保護膜としてのコー
ティングを行うことが好ましい。コーティイングの材質
としては、前述した有機保護コート層８の材質と同様な
ものとしてもよい。
録層５、第２の誘電体層６、反射層７、保護コート８等
を有する基板２を１対用いて、両記録層を内側にして対
向させて、接着剤層９を用いて貼り合せて、両基板の裏
面側から書き込みを行う、いわゆる両面記録タイプとし
てもよい。これらの基板２や保護板１０の裏面（記録層
５を設けていない側の面）には各種保護膜としてのコー
ティングを行うことが好ましい。コーティイングの材質
としては、前述した有機保護コート層８の材質と同様な
ものとしてもよい。
【００４８】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
る。
【００４９】実施例１ ポリカーボネートを射出成形して８６mm径、厚さ１．２
mmの基板サンプルを得た。この基板上に、ＳｉＮｘ（ｘ
＝１．１）の第１の誘電体層を高周波マグネトロンスパ
ッタにより層厚９００A に設層した。次に、この第１の
誘電体層上に、Ｔｂ20Ｆｅ74Ｃｏ6 の組成を有する記録
層を、スパッタにより層厚２００A に設層した。
mmの基板サンプルを得た。この基板上に、ＳｉＮｘ（ｘ
＝１．１）の第１の誘電体層を高周波マグネトロンスパ
ッタにより層厚９００A に設層した。次に、この第１の
誘電体層上に、Ｔｂ20Ｆｅ74Ｃｏ6 の組成を有する記録
層を、スパッタにより層厚２００A に設層した。
【００５０】さらに、この記録層上に、Ｌａ2 Ｏ3 ３０
モル％、ＳｉＯ2 ２０モル％およびＳｉ3 Ｎ4 ５０モル
％を含有する第２の誘電体層を高周波マグネトロンスパ
ッタにより形成した。膜厚は２００A 、屈折率は２．
０、希土類元素／Ｓｉの原子比Ｒ／Ｓｉは０．３５であ
った。
モル％、ＳｉＯ2 ２０モル％およびＳｉ3 Ｎ4 ５０モル
％を含有する第２の誘電体層を高周波マグネトロンスパ
ッタにより形成した。膜厚は２００A 、屈折率は２．
０、希土類元素／Ｓｉの原子比Ｒ／Ｓｉは０．３５であ
った。
【００５１】この第２の誘電体層上に、Ｎｉ系合金（Ｎ
ｉ系Ｉ）の金属反射層を高周波マグネトロンスパッタに
より膜厚８００A となるように設層した。このＮｉ系Ｉ
の金属反射層の組成は、Ｃｏ２wt％、Ｃｒ１５wt％、Ｗ
４wt％、Ｍｏ１６wt％、Ｆｅ５wt％であって、Ｓｉ、Ｍ
ｎ１wt％以下、Ｃ、０．０５wt％以下、残Ｎｉであっ
た。
ｉ系Ｉ）の金属反射層を高周波マグネトロンスパッタに
より膜厚８００A となるように設層した。このＮｉ系Ｉ
の金属反射層の組成は、Ｃｏ２wt％、Ｃｒ１５wt％、Ｗ
４wt％、Ｍｏ１６wt％、Ｆｅ５wt％であって、Ｓｉ、Ｍ
ｎ１wt％以下、Ｃ、０．０５wt％以下、残Ｎｉであっ
た。
【００５２】この反射層上に保護コートを設層した。保
護コートは、オリゴエステルアクリレートを含有する紫
外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外線硬化して５μm 厚
の膜厚とした。これを光磁気記録ディスクサンプルNo.
１とする。なお、膜組成は、オージェ分光分析にて測定
した。
護コートは、オリゴエステルアクリレートを含有する紫
外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外線硬化して５μm 厚
の膜厚とした。これを光磁気記録ディスクサンプルNo.
１とする。なお、膜組成は、オージェ分光分析にて測定
した。
【００５３】このサンプルについて、（１）反射率、
（２）記録感度、（３）Ｃ／Ｎ比を測定した。
（２）記録感度、（３）Ｃ／Ｎ比を測定した。
【００５４】（１）反射率（媒体） ８３０nmの波長の半導体レーザを照射して、８３０nmで
の反射率を光磁気記録ディスク検査機で測定した。反射
率は、２０．７％であった。
の反射率を光磁気記録ディスク検査機で測定した。反射
率は、２０．７％であった。
【００５５】（２）記録感度 ディスクを１８００rpm で回転し２００Ｏｅの磁界を印
加しつつ３．７MHz 、デューティ比３３％の光パルスを
用いて半径３０mmの位置に記録を行い、この時の記録さ
れ始めるパワー(Pth) を測定した。結果を表１に示す。
加しつつ３．７MHz 、デューティ比３３％の光パルスを
用いて半径３０mmの位置に記録を行い、この時の記録さ
れ始めるパワー(Pth) を測定した。結果を表１に示す。
【００５６】（３）Ｃ／Ｎ 下記の条件にてＣ／Ｎ比を測定した。 線速 １８００rpm 搬送周波数 ３．７MHz 分解能 ３０KHz ビデオバンド巾 １KHz 記録パワー（８３０nm) ６．５mW 再生パワー（８３０nm) １．５Ｗ
【００５７】この結果、Ｃ／Ｎは４５．７dBであった。
またこのサンプルの耐食性も良好であった。
またこのサンプルの耐食性も良好であった。
【００５８】比較例１ 第２の誘電体層の組成をＳｉＮｘ（Ｘ＝１．１）とした
他は、実施例１と全く同一の条件の条件で光磁気記録デ
ィスクサンプルを得た。結果を表１に示す。
他は、実施例１と全く同一の条件の条件で光磁気記録デ
ィスクサンプルを得た。結果を表１に示す。
【００５９】実施例２
【００６０】実施例１の第２の誘電体層の膜厚を５００
A とし第１の誘電体層の厚さを１１００A とした他は同
一の条件で光磁気記録ディスクサンプルを得た。結果を
表１に示す。なお、ディスクの反射率は１９．０％、Ｃ
／Ｎは４５．２dBであり、耐食性も良好であった。
A とし第１の誘電体層の厚さを１１００A とした他は同
一の条件で光磁気記録ディスクサンプルを得た。結果を
表１に示す。なお、ディスクの反射率は１９．０％、Ｃ
／Ｎは４５．２dBであり、耐食性も良好であった。
【００６１】比較例２ 第２の誘電体層の組成をＳｉＮｘ（Ｘ＝１．１）とした
他は実施例２と同一の条件で光磁気記録ディスクサンプ
ルを得た。結果を表１に示す。
他は実施例２と同一の条件で光磁気記録ディスクサンプ
ルを得た。結果を表１に示す。
【００６２】実施例３ 実施例１における第２の誘電体層の組成をかえて、Ｌａ
2 Ｏ3２０モル％、ＳｉＯ2 ２０モル％、Ｓｉ3 Ｎ4 ６
０モル％とした他は全く同一の条件で光磁気記録ディス
クサンプルを得た。第２の誘電体の屈折率は２．４、Ｒ
／Ｓｉは０．２０、ディスクの反射率は２０．０％、Ｃ
／Ｎは４５．８dBであり、良好な耐食性を示した。結果
を表１に示す。
2 Ｏ3２０モル％、ＳｉＯ2 ２０モル％、Ｓｉ3 Ｎ4 ６
０モル％とした他は全く同一の条件で光磁気記録ディス
クサンプルを得た。第２の誘電体の屈折率は２．４、Ｒ
／Ｓｉは０．２０、ディスクの反射率は２０．０％、Ｃ
／Ｎは４５．８dBであり、良好な耐食性を示した。結果
を表１に示す。
【００６３】実施例４ 実施例１の第２の誘電体層の組成をＣｅＯ2 ２０モル
％、ＳｉＯ2 ３０モル％、Ｓｉ3 Ｎ4 ５０モル％と
した他は、全く同一の条件で光磁気記録サンプルを得
た。この第２の誘電体層の屈折率は２．１、Ｒ／Ｓｉは
０．１１、ディスクの反射率は２０．５％、ＣＮは４
５．７dBであり、良好な耐食性を示した。結果を表１に
示す。
％、ＳｉＯ2 ３０モル％、Ｓｉ3 Ｎ4 ５０モル％と
した他は、全く同一の条件で光磁気記録サンプルを得
た。この第２の誘電体層の屈折率は２．１、Ｒ／Ｓｉは
０．１１、ディスクの反射率は２０．５％、ＣＮは４
５．７dBであり、良好な耐食性を示した。結果を表１に
示す。
【００６４】実施例５ 実施例１においてＮｉ系合金Ｉの組成をかえて反射層を
設層した（Ｎｉ系II）。このＮｉ系合金II反射槽（Ｎｉ
系II）の組成は、Ｃｏ２wt％、Ｃｒ２２wt％、Ｗ０．５
wt％、Ｍｏ６wt％、Ｆｅ２０wt％、Ｃｕ２wt％、Ｍｎ１
wt％、Ｎｂ、Ｔａ２wt％、Ｓｉ０．５wt％、Ｃ０．０１
wt％、残Ｎｉであった。これ以外は実施例１と同一の条
件で光磁気記録ディスクサンプルを得た。ディスクの反
射率は１８．２％、Ｃ／Ｎは４５．２dBであり、耐食性
も良好であった。
設層した（Ｎｉ系II）。このＮｉ系合金II反射槽（Ｎｉ
系II）の組成は、Ｃｏ２wt％、Ｃｒ２２wt％、Ｗ０．５
wt％、Ｍｏ６wt％、Ｆｅ２０wt％、Ｃｕ２wt％、Ｍｎ１
wt％、Ｎｂ、Ｔａ２wt％、Ｓｉ０．５wt％、Ｃ０．０１
wt％、残Ｎｉであった。これ以外は実施例１と同一の条
件で光磁気記録ディスクサンプルを得た。ディスクの反
射率は１８．２％、Ｃ／Ｎは４５．２dBであり、耐食性
も良好であった。
【００６５】実施例６ 実施例１の金属反射層の組成をＮｉ６wt% 、残Ａｌとし
た他は、全く同一の条件で光磁気記録ディスクサンプル
を得た。このものの反射率は２０．９％、Ｃ／Ｎは４
７．０dBであり、耐食性も良好であった。結果を表１に
示す。
た他は、全く同一の条件で光磁気記録ディスクサンプル
を得た。このものの反射率は２０．９％、Ｃ／Ｎは４
７．０dBであり、耐食性も良好であった。結果を表１に
示す。
【００６６】実施例７ 実施例６において、第２の誘電体をＬａＳｉＯＮＩか
ら、Ｌａ2 Ｏ3 ２０モル％、ＳｉＯ2 ３０モル％お
よびＳｉ3Ｎ4 ５０モル％のＬａＳｉＯＮIIIに変更し
た。膜厚は２００A 、屈折率は２．０、Ｒ／Ｓｉは０．
２２であった。これ以外は実施例６と全く同一の条件で
光磁気記録ディスクサンプルを得た。このものの反射率
は２１．０％、Ｃ／Ｎは４７．０dBであり、耐食性も良
好であった。結果を表１に示す。
ら、Ｌａ2 Ｏ3 ２０モル％、ＳｉＯ2 ３０モル％お
よびＳｉ3Ｎ4 ５０モル％のＬａＳｉＯＮIIIに変更し
た。膜厚は２００A 、屈折率は２．０、Ｒ／Ｓｉは０．
２２であった。これ以外は実施例６と全く同一の条件で
光磁気記録ディスクサンプルを得た。このものの反射率
は２１．０％、Ｃ／Ｎは４７．０dBであり、耐食性も良
好であった。結果を表１に示す。
【００６７】実施例８ 実施例４の金属反射層の組成を実施例６のＡｌＮｉ合金
とした他は、全く同一の条件で光磁気記録ディスクサン
プルを得た。このものの反射率は２０．７％、Ｃ／Ｎは
４７．０dBであり、耐食性も良好であった。結果を表１
に示す。
とした他は、全く同一の条件で光磁気記録ディスクサン
プルを得た。このものの反射率は２０．７％、Ｃ／Ｎは
４７．０dBであり、耐食性も良好であった。結果を表１
に示す。
【００６８】比較例３ 第２の誘電体層の組成をＳｉＮｘ（Ｘ＝１．１）とした
他は実施例６と全く同一の条件で光磁気記録ディスクサ
ンプルを得た。結果を表１に示す。
他は実施例６と全く同一の条件で光磁気記録ディスクサ
ンプルを得た。結果を表１に示す。
【００６９】実施例９ 実施例６の第２の誘電体層の膜厚を５００A とした他
は、全く同一の条件で光磁気記録ディスクサンプルを得
た。このものの反射率は、１９．０％、Ｃ／Ｎは４６．
５dBであり、耐食性も良好であった。結果を表１に示
す。
は、全く同一の条件で光磁気記録ディスクサンプルを得
た。このものの反射率は、１９．０％、Ｃ／Ｎは４６．
５dBであり、耐食性も良好であった。結果を表１に示
す。
【００７０】比較例４ 第２の誘電体層の組成をＳｉＮｘ（Ｘ＝１．１）とした
他は実施例９と全く同一の条件で光磁気記録ディスクサ
ンプルを得た。結果を表１に示す。
他は実施例９と全く同一の条件で光磁気記録ディスクサ
ンプルを得た。結果を表１に示す。
【００７１】
【表１】
【００７２】表１に示されるように、本発明の実施例の
各サンプルは比較例のサンプルと比較してきわめて高い
感度Pth を示すことがわかる。
各サンプルは比較例のサンプルと比較してきわめて高い
感度Pth を示すことがわかる。
【００７３】次に、各サンプルの記録パワーの下限値と
そのマージンの比較を行った。
そのマージンの比較を行った。
【００７４】（４）記録パワー下限値Ｐmin バイトエラーレートＢＥＲを下記の条件で測定した。 ディスク回転数 １８００、２４００、
３６００rpm 記録信号 Ｂ３パターン 測定場所 ０〜３００トラック 記録磁界 ２００Oe レーザ波長 ７８０nm
３６００rpm 記録信号 Ｂ３パターン 測定場所 ０〜３００トラック 記録磁界 ２００Oe レーザ波長 ７８０nm
【００７５】記録パワーを１．５mWから上げていき、Ｂ
ＥＲ５．０×１０-5以下となる記録パワーの下限値Ｐmi
n ［mW］を測定した。
ＥＲ５．０×１０-5以下となる記録パワーの下限値Ｐmi
n ［mW］を測定した。
【００７６】（５）記録パワーマージン 分解能を下記の条件で測定した。 ディスク回転数 １８００、２４００、
３６００rpm 記録信号 ３Ｔ、８Ｔ 測定場所 半径２４mm 記録磁界 ４００Oe レーザ波長 ８２５nm
３６００rpm 記録信号 ３Ｔ、８Ｔ 測定場所 半径２４mm 記録磁界 ４００Oe レーザ波長 ８２５nm
【００７７】記録パワーを１．５mWから上げていき、分
解能４０％以上を維持する記録パワーの上限値Ｐmax
［mW］を測定し、Ｐmax−Ｐmin ［mW］を記録パワーマ
ージンとした。これらの結果を表２に示す。
解能４０％以上を維持する記録パワーの上限値Ｐmax
［mW］を測定し、Ｐmax−Ｐmin ［mW］を記録パワーマ
ージンとした。これらの結果を表２に示す。
【００７８】
【表２】
【００７９】表２に示される結果から、同一の金属反射
層を用い、同一のPth を示すように設層しても、本発明
の第２の誘電体層を用いれば、誘電体層の厚さを薄くす
ることができ、低エラーレート（ＢＥＲ５．０×１０-5
以下）、高分解能（４０％以上）の安定な記録を行うこ
とができる記録パワー下限値Ｐmin を格段と小さくする
ことができ、記録マージンをきわめて広くすることがで
きることがわかる。
層を用い、同一のPth を示すように設層しても、本発明
の第２の誘電体層を用いれば、誘電体層の厚さを薄くす
ることができ、低エラーレート（ＢＥＲ５．０×１０-5
以下）、高分解能（４０％以上）の安定な記録を行うこ
とができる記録パワー下限値Ｐmin を格段と小さくする
ことができ、記録マージンをきわめて広くすることがで
きることがわかる。
【００８０】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、きわめて高
い記録感度と、きわめて広い記録パワーマージンとが得
られる。
い記録感度と、きわめて広い記録パワーマージンとが得
られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体の１例を示す断面図で
ある。
ある。
１ 光磁気記録媒体 ２ 基板 ３ 保護層 ４ 第１の誘電体層 ５ 記録層 ６ 第２の誘電体層 ７ 金属反射層 ８ 保護コート ９ 接着剤層 １０ 保護板
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に、順に、第１の誘電体層、記録
層、第２の誘電体層および金属反射層を有し、 前記第２の誘電体層が、Ｙを含む希土類元素の１種以上
の酸化物と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素とを含有する光
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記希土類元素がＬａおよび／またはＣ
ｅである請求項１の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記第２の誘電体層の膜厚が８００A 以
下である請求項１または２の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 化学量論組成換算で５〜５０モル％の希
土類元素酸化物を含み、Ｏ／Ｎの原子比が０．２〜３で
ある請求項１ないし３のいずれかの光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記金属反射層がＡｌ系またはＮｉ系の
金属または合金である請求項１ないし４のいずれかの光
磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記金属反射層がＡｌを８０〜９９wt%
含有するＡｌ系合金である請求項５の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記Ａｌ系合金は２０wt% 以下のＮｉを
含有する請求項６の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記金属反射層がＮｉを主体とし、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｗ、ＭｏおよびＦｅのうち１種以上を含有す
るＮｉ系合金である請求項５の光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記Ｎｉ系合金は３５〜７５wt％のＮｉ
とＣｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＭｏおよびＦｅを含有する請求項
８に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記金属反射層の厚さが、４００〜１
５００A である請求項１ないし９のいずれかの光磁気記
録媒体。
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|---|---|---|---|
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| US08/558,419 US5700567A (en) | 1991-03-14 | 1995-11-16 | Magneto-optical recording medium |
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|---|---|
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| JP2001023259A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Sony Corp | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| KR100590269B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
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| US7410910B2 (en) | 2005-08-31 | 2008-08-12 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films |
| JP2007299472A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujitsu Ltd | 光再生媒体および光再生媒体の製造方法 |
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-
1992
- 1992-01-30 JP JP4040277A patent/JP2968632B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-16 US US08/558,419 patent/US5700567A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5700567A (en) | 1997-12-23 |
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