JPH0573975A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0573975A JPH0573975A JP25870891A JP25870891A JPH0573975A JP H0573975 A JPH0573975 A JP H0573975A JP 25870891 A JP25870891 A JP 25870891A JP 25870891 A JP25870891 A JP 25870891A JP H0573975 A JPH0573975 A JP H0573975A
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- metal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高い再生信号特性および記録感度を有する光磁
気記録媒体を提供する。 【構成】基板／磁性層／熱伝導層の構成を少なくとも有
する光磁気記録媒体において、熱伝導層が、（Ａ）Ａ
ｌ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕから選ばれる少なくとも１種
の金属および（Ｂ）Ｇｅ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓ
ｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、ＺｎおよびＺｒ
から選ばれる少なくとも１種の金属を含み、（Ｂ）群の
金属が、（Ａ）群の金属および（Ｂ）群の金属の合計量
の０．１〜１モル％である光磁気記録媒体。
気記録媒体を提供する。 【構成】基板／磁性層／熱伝導層の構成を少なくとも有
する光磁気記録媒体において、熱伝導層が、（Ａ）Ａ
ｌ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕから選ばれる少なくとも１種
の金属および（Ｂ）Ｇｅ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓ
ｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、ＺｎおよびＺｒ
から選ばれる少なくとも１種の金属を含み、（Ｂ）群の
金属が、（Ａ）群の金属および（Ｂ）群の金属の合計量
の０．１〜１モル％である光磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高い再生信号特性およ
び高記録感度を有する再生可能な光磁気記録媒体に関す
る。
び高記録感度を有する再生可能な光磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】情報の記録・再生を繰返すこと、すなわ
ち情報の書換えが可能な記録層（磁性層）を備えた記録
媒体として、磁性層の微細な区域を光によってキュリー
点まで加熱し、この区域の保磁力が極端に低下した状態
で外部磁界を印加し磁化方向の反転を生じさせ、情報を
記録する光磁気記録媒体が実用化されている。
ち情報の書換えが可能な記録層（磁性層）を備えた記録
媒体として、磁性層の微細な区域を光によってキュリー
点まで加熱し、この区域の保磁力が極端に低下した状態
で外部磁界を印加し磁化方向の反転を生じさせ、情報を
記録する光磁気記録媒体が実用化されている。
【０００３】このような光磁気記録媒体では、情報は
０，１に対応する磁化方向の反転区域と未反転区域との
繰り返しとして記録される。記録された情報は、例えば
レーザー光が記録層の表面で反射する際に、その偏向面
が磁化の方向によって異なる方向に回転するカー効果を
利用し、この回転角（カー回転角θκ）の変化を読み取
ることにより再生される。
０，１に対応する磁化方向の反転区域と未反転区域との
繰り返しとして記録される。記録された情報は、例えば
レーザー光が記録層の表面で反射する際に、その偏向面
が磁化の方向によって異なる方向に回転するカー効果を
利用し、この回転角（カー回転角θκ）の変化を読み取
ることにより再生される。
【０００４】磁性層のカー回転角θκは、記録された情
報の再生特性に重大な影響をおよぼし、例えば情報の読
取りやすさの指標となるＣ／Ｎ比（再生信号特性）は、
カー回転角θκの増大とともに向上する。Ｃ／Ｎ比を向
上させることにより、情報再生装置の光学系の精度を下
げても正確な情報再生を行える他、再生速度を上げるこ
とが可能となる。
報の再生特性に重大な影響をおよぼし、例えば情報の読
取りやすさの指標となるＣ／Ｎ比（再生信号特性）は、
カー回転角θκの増大とともに向上する。Ｃ／Ｎ比を向
上させることにより、情報再生装置の光学系の精度を下
げても正確な情報再生を行える他、再生速度を上げるこ
とが可能となる。
【０００５】上記のような光磁気記録媒体は通常、基板
上に順次、第１誘電体層、記録層である磁性層および第
２誘電体層が形成された層構成を有している（特開平1-
263963号公報、特開昭62-209750 号公報および特開昭62
-217444 号公報）。第１誘電体層は、磁性層を保護する
役割を有しており、酸化されやすい磁性層への酸素、水
などの透過を防止する。さらに第１誘電体層は、カー効
果を高めるエンハンス層として働き、多重反射を利用し
て見かけ上のカー回転角を大きくして再生信号特性を向
上させる。また、第２誘電体層は磁性層の保護のために
設けられる。
上に順次、第１誘電体層、記録層である磁性層および第
２誘電体層が形成された層構成を有している（特開平1-
263963号公報、特開昭62-209750 号公報および特開昭62
-217444 号公報）。第１誘電体層は、磁性層を保護する
役割を有しており、酸化されやすい磁性層への酸素、水
などの透過を防止する。さらに第１誘電体層は、カー効
果を高めるエンハンス層として働き、多重反射を利用し
て見かけ上のカー回転角を大きくして再生信号特性を向
上させる。また、第２誘電体層は磁性層の保護のために
設けられる。
【０００６】さらに最近では、より大きな再生信号特性
を得るために、磁性層に隣接させて、もしくは第２誘電
体層の外側に、反射層を設けた構成の光磁気記録媒体に
ついての研究がなされている（特公昭62-27458号公報、
特開昭60-63747号公報）。これは、カー効果に加えて、
磁性層透過光の反射によるファラデー効果を利用しよう
とするものである。
を得るために、磁性層に隣接させて、もしくは第２誘電
体層の外側に、反射層を設けた構成の光磁気記録媒体に
ついての研究がなされている（特公昭62-27458号公報、
特開昭60-63747号公報）。これは、カー効果に加えて、
磁性層透過光の反射によるファラデー効果を利用しよう
とするものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】反射層は、磁性層にレ
ーザーによって書き込む際の熱を膜垂直方向に逃げやす
くし、ピットを矩形に書かせて高いＣ／Ｎ比を得る目的
で、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の材料が用いられてき
た。しかしながら、このような材料では記録感度が低
く、高記録パワー領域でしか高いＣ／Ｎ比を得ることが
できないという問題があった。
ーザーによって書き込む際の熱を膜垂直方向に逃げやす
くし、ピットを矩形に書かせて高いＣ／Ｎ比を得る目的
で、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の材料が用いられてき
た。しかしながら、このような材料では記録感度が低
く、高記録パワー領域でしか高いＣ／Ｎ比を得ることが
できないという問題があった。
【０００８】また、耐蝕性の改善、Ｃ／Ｎ比および記録
感度を高める等の目的で、Ａｌと、他の金属との合金を
用いる試みも知られている。例えば、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄを１５モル％まで（実
施例では３モル％）含むＡｌの合金（特開平1-173454号
公報および特開平1-173455号公報）、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ
またはＣｒを０．１〜１５モル％含むＡｌの合金（特開
昭64-86348号公報）等である。しかしながら、このよう
な合金の場合、書き込み時のレーザー熱の膜垂直方向へ
逃げる速度が低下するので記録感度は向上するが、ピッ
ト矩形性に劣るため、なおＣ／Ｎ比が低いという問題が
あった。
感度を高める等の目的で、Ａｌと、他の金属との合金を
用いる試みも知られている。例えば、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄを１５モル％まで（実
施例では３モル％）含むＡｌの合金（特開平1-173454号
公報および特開平1-173455号公報）、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ
またはＣｒを０．１〜１５モル％含むＡｌの合金（特開
昭64-86348号公報）等である。しかしながら、このよう
な合金の場合、書き込み時のレーザー熱の膜垂直方向へ
逃げる速度が低下するので記録感度は向上するが、ピッ
ト矩形性に劣るため、なおＣ／Ｎ比が低いという問題が
あった。
【０００９】そこで本発明は、高い再生信号特性および
高記録感度を有する光磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
高記録感度を有する光磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、反射層の
材質について鋭意検討を重ねた結果、従来使用されてい
たＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の材料に、特定の金属を極
微量添加すると、高い再生信号特性および高記録感度を
有する光磁気記録媒体を得ることができることを見出
し、本発明に到達した。
材質について鋭意検討を重ねた結果、従来使用されてい
たＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の材料に、特定の金属を極
微量添加すると、高い再生信号特性および高記録感度を
有する光磁気記録媒体を得ることができることを見出
し、本発明に到達した。
【００１１】すなわち本発明は、透明基板上に磁性層
と、該磁性層の基板と反対側に隣接して熱伝導層とが少
なくとも設けられた光磁気記録媒体において、該熱伝導
層が、（Ａ）Ａｌ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕから選ばれる
少なくとも１種の金属および（Ｂ）Ｇｅ、Ｉｒ、Ｎｂ、
Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、
ＺｎおよびＺｒから選ばれる少なくとも１種の金属を含
み、（Ｂ）群の金属が、（Ａ）群の金属および（Ｂ）群
の金属の合計量の０．１〜１モル％であることを特徴と
する光磁気記録媒体を提供する。
と、該磁性層の基板と反対側に隣接して熱伝導層とが少
なくとも設けられた光磁気記録媒体において、該熱伝導
層が、（Ａ）Ａｌ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕから選ばれる
少なくとも１種の金属および（Ｂ）Ｇｅ、Ｉｒ、Ｎｂ、
Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、
ＺｎおよびＺｒから選ばれる少なくとも１種の金属を含
み、（Ｂ）群の金属が、（Ａ）群の金属および（Ｂ）群
の金属の合計量の０．１〜１モル％であることを特徴と
する光磁気記録媒体を提供する。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体は、基板／磁性層
／熱伝導層の層構成を少なくとも有する。任意的に、基
板と磁性層の間に第１誘電体層を、そして熱伝導層の外
側（基板と反対側）に第２誘電体層を有することができ
る。
／熱伝導層の層構成を少なくとも有する。任意的に、基
板と磁性層の間に第１誘電体層を、そして熱伝導層の外
側（基板と反対側）に第２誘電体層を有することができ
る。
【００１３】基板の材料としては、具体的にはガラスな
どの無機材料、ポリカーボネート、ポリメチルメタアク
リレート、エポキシ樹脂などの樹脂材料を挙げることが
できる。基板の厚さは特に限定されず、必要に応じて変
えることができる。
どの無機材料、ポリカーボネート、ポリメチルメタアク
リレート、エポキシ樹脂などの樹脂材料を挙げることが
できる。基板の厚さは特に限定されず、必要に応じて変
えることができる。
【００１４】磁性層は記録層であり、通常希土類金属と
遷移金属との合金が使用できる。例えば、ＴｂＦｅＣｏ
系、ＧｄＦｅＣｏ系、ＤｙＦｅＣｏ系、ＰｒＦｅＣｏ系
等の非晶質合金が挙げられる。好ましくは、次式：［Ｔ
ｂX （Ｆｅ1-Y ＣｏY ）1-X ］100-Z ＭZ （式中、Ｍ
はＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｂ、Ｖおよ
びＩｎから選ばれ、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ、0.17≦
Ｘ≦0.26、０≦Ｙ≦0.20、０≦Ｚ≦６を満たす有理数で
ある）で示される組成を有する。層厚は、好ましくは20
0 〜600 オングストロームである。磁性層は公知の薄膜
形成法のいずれで形成しても良く、例えばスパッタ法、
真空蒸着法、イオンプレーティング法、気相成長法など
を使用できる。なかでもスパッタ法が特に好ましく、直
流スパッタ法、高周波スパッタ法、反応性高周波スパッ
タ法などが好ましく用いられる。
遷移金属との合金が使用できる。例えば、ＴｂＦｅＣｏ
系、ＧｄＦｅＣｏ系、ＤｙＦｅＣｏ系、ＰｒＦｅＣｏ系
等の非晶質合金が挙げられる。好ましくは、次式：［Ｔ
ｂX （Ｆｅ1-Y ＣｏY ）1-X ］100-Z ＭZ （式中、Ｍ
はＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｂ、Ｖおよ
びＩｎから選ばれ、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ、0.17≦
Ｘ≦0.26、０≦Ｙ≦0.20、０≦Ｚ≦６を満たす有理数で
ある）で示される組成を有する。層厚は、好ましくは20
0 〜600 オングストロームである。磁性層は公知の薄膜
形成法のいずれで形成しても良く、例えばスパッタ法、
真空蒸着法、イオンプレーティング法、気相成長法など
を使用できる。なかでもスパッタ法が特に好ましく、直
流スパッタ法、高周波スパッタ法、反応性高周波スパッ
タ法などが好ましく用いられる。
【００１５】本発明は、上記した磁性層の基板と反対側
の、磁性層に隣接して設けられる熱伝導層に特徴を有す
る。熱伝導層は、（Ａ）Ａｌ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕか
ら選ばれる少なくとも１種の金属および（Ｂ）Ｇｅ、Ｉ
ｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｗ、ＺｎおよびＺｒから選ばれる少なくとも１
種の金属を含み、（Ｂ）群の金属は、（Ａ）群の金属お
よび（Ｂ）群の金属の合計量の０．１〜１モル％であ
る。（Ｂ）群の金属が０．１モル％より少ないと記録感
度が低下し、１モル％より多いとＣ／Ｎ比が低下してし
まう。微量な（Ｂ）群の金属は、（Ａ）群の金属（母
材）中に均一に分散していても良く、または磁性層側に
近付くほどその濃度が高くなっていても良い。また、
（Ａ）群の金属および（Ｂ）群の金属は、一部または全
部が合金の形になっていても良い。熱伝導層には、
（Ａ）群の金属および（Ｂ）群の金属の他にさらに、Ｍ
ｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属を１モル％まで含むこと
もできる。熱伝導層の層厚は、150 〜300 オングストロ
ームであるのが好ましい。このような熱伝導層は、公知
の薄膜形成法のいずれで形成しても良い。なかでもスパ
ッタ法が特に好ましく、直流スパッタ法、高周波スパッ
タ法、反応性高周波スパッタ法などが好ましく用いられ
る。（Ａ）群の金属と（Ｂ）群の金属とを上記したよう
な割合で含む層は、（Ａ）群の金属ターゲット上に
（Ｂ）群の金属のチップをモザイク状に配置した複合タ
ーゲットを用いることによって得ることができる。
の、磁性層に隣接して設けられる熱伝導層に特徴を有す
る。熱伝導層は、（Ａ）Ａｌ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕか
ら選ばれる少なくとも１種の金属および（Ｂ）Ｇｅ、Ｉ
ｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｗ、ＺｎおよびＺｒから選ばれる少なくとも１
種の金属を含み、（Ｂ）群の金属は、（Ａ）群の金属お
よび（Ｂ）群の金属の合計量の０．１〜１モル％であ
る。（Ｂ）群の金属が０．１モル％より少ないと記録感
度が低下し、１モル％より多いとＣ／Ｎ比が低下してし
まう。微量な（Ｂ）群の金属は、（Ａ）群の金属（母
材）中に均一に分散していても良く、または磁性層側に
近付くほどその濃度が高くなっていても良い。また、
（Ａ）群の金属および（Ｂ）群の金属は、一部または全
部が合金の形になっていても良い。熱伝導層には、
（Ａ）群の金属および（Ｂ）群の金属の他にさらに、Ｍ
ｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属を１モル％まで含むこと
もできる。熱伝導層の層厚は、150 〜300 オングストロ
ームであるのが好ましい。このような熱伝導層は、公知
の薄膜形成法のいずれで形成しても良い。なかでもスパ
ッタ法が特に好ましく、直流スパッタ法、高周波スパッ
タ法、反応性高周波スパッタ法などが好ましく用いられ
る。（Ａ）群の金属と（Ｂ）群の金属とを上記したよう
な割合で含む層は、（Ａ）群の金属ターゲット上に
（Ｂ）群の金属のチップをモザイク状に配置した複合タ
ーゲットを用いることによって得ることができる。
【００１６】第１および第２誘電体層にはそれぞれ、Ｚ
ｎＳ等の硫化物、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｓｎ
Ｏ2 等の酸化物、ＡｌＮ、窒化ケイ素等の窒化物が使用
できる。好ましくは窒化ケイ素であり、例えばＳｉＮ、
Ｓｉ2 Ｎ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 等が挙げられる。各誘電体層の
層厚は400 〜1500オングストロームが好ましい。特に保
護層である第２誘電体層の層厚は、十分な保護特性を得
ると共に良好な記録感度を保つために、500 〜1200オン
グストロームであるのが好ましい。このような誘電体層
は、上記した磁性層と同様に、公知の薄膜形成法のいず
れで形成しても良い。なかでもスパッタ法が特に好まし
く、直流スパッタ法、高周波スパッタ法、反応性高周波
スパッタ法などが好ましく用いられる。
ｎＳ等の硫化物、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｓｎ
Ｏ2 等の酸化物、ＡｌＮ、窒化ケイ素等の窒化物が使用
できる。好ましくは窒化ケイ素であり、例えばＳｉＮ、
Ｓｉ2 Ｎ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 等が挙げられる。各誘電体層の
層厚は400 〜1500オングストロームが好ましい。特に保
護層である第２誘電体層の層厚は、十分な保護特性を得
ると共に良好な記録感度を保つために、500 〜1200オン
グストロームであるのが好ましい。このような誘電体層
は、上記した磁性層と同様に、公知の薄膜形成法のいず
れで形成しても良い。なかでもスパッタ法が特に好まし
く、直流スパッタ法、高周波スパッタ法、反応性高周波
スパッタ法などが好ましく用いられる。
【００１７】
【作用】本発明の光磁気記録媒体においては、磁性層に
隣接して存在する熱伝導層が、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇおよび
Ｃｕから選ばれた金属に、上記した特定の金属が極微量
添加されたものであるので、書き込み時の熱の逃げる速
度は多少低下するが、ピット矩形性は劣化しないため、
高いＣ／Ｎ比を維持したまま、記録感度の向上が達成さ
れる。
隣接して存在する熱伝導層が、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇおよび
Ｃｕから選ばれた金属に、上記した特定の金属が極微量
添加されたものであるので、書き込み時の熱の逃げる速
度は多少低下するが、ピット矩形性は劣化しないため、
高いＣ／Ｎ比を維持したまま、記録感度の向上が達成さ
れる。
【００１８】
【実施例】以下の実施例により、本発明をさらに詳しく
説明する。実施例１〜１８および比較例１〜８ ポリカーボネート（以下、ＰＣということがある）基板
上に、順次、ＳｉＮx （第１誘電体層、ｘ＝２．３）、
Tb18.5Fe75.0Co6.5 の組成を有する磁性層、表に示した
材質の熱伝導層、およびＳｉＮx （第２誘電体層、ｘ＝
２．０）の各層を形成した。各層の形成は、プレーナー
マグネトロンスパッタ装置（基板自公転型、ＵＬＶＡＣ
社製）を使用して、同一バッチ内で、以下の条件にて行
った。ただし、熱伝導層は、母材となる（Ａ）群の金属
のターゲット上に（Ｂ）群の金属のチップをモザイク状
に配置した複合ターゲットを用いて行い、添加濃度は
（Ｂ）群の金属のチップ個数を変化させることにより行
った。初期真空度 第１および第２誘電体層形成時：２×10-6Torr以下 磁性層形成時：５×10-7Torr以下 熱伝導層形成時：２×10-6Torr以下スパッタガス種およびガス圧 第１誘電体層形成時：Ａｒ＋Ｎ2 、６×10-3Torr、 磁性層形成時：Ａｒ、５×10-3Torr、 熱伝導層形成時：Ａｒ、１×10-3Torr、 第２誘電体層形成時：Ａｒ＋Ｎ2 、３×10-3Torr かくして、基板／第１誘電体層／磁性層／熱伝導層／第
２誘電体層の層構成を有する光磁気記録媒体を作製し
た。各層の層厚は、第１誘電体層が、７５０オングスト
ローム、磁性層が３９０オングストロームおよび第２誘
電体層が１０００オングストロームであった。なお、熱
伝導層の層厚は表１に示したとおりである。 得られた
光磁気記録媒体の再生信号特性Ｃ／Ｎ比を、半径24 mm
の測定位置にて、ディスク回転数 2400rpm 、記録周波
数 3.84 MHz、分解能帯域幅 30KHz 、レーザー波長
830nm にて測定した。また、Ｃ／Ｎ＝45dB時の記録レー
ザパワーを記録感度とし、およびＣ／Ｎ≧45dBの記録レ
ーザパワー範囲を45dBマージン幅として評価した。結果
を表１に示す。
説明する。実施例１〜１８および比較例１〜８ ポリカーボネート（以下、ＰＣということがある）基板
上に、順次、ＳｉＮx （第１誘電体層、ｘ＝２．３）、
Tb18.5Fe75.0Co6.5 の組成を有する磁性層、表に示した
材質の熱伝導層、およびＳｉＮx （第２誘電体層、ｘ＝
２．０）の各層を形成した。各層の形成は、プレーナー
マグネトロンスパッタ装置（基板自公転型、ＵＬＶＡＣ
社製）を使用して、同一バッチ内で、以下の条件にて行
った。ただし、熱伝導層は、母材となる（Ａ）群の金属
のターゲット上に（Ｂ）群の金属のチップをモザイク状
に配置した複合ターゲットを用いて行い、添加濃度は
（Ｂ）群の金属のチップ個数を変化させることにより行
った。初期真空度 第１および第２誘電体層形成時：２×10-6Torr以下 磁性層形成時：５×10-7Torr以下 熱伝導層形成時：２×10-6Torr以下スパッタガス種およびガス圧 第１誘電体層形成時：Ａｒ＋Ｎ2 、６×10-3Torr、 磁性層形成時：Ａｒ、５×10-3Torr、 熱伝導層形成時：Ａｒ、１×10-3Torr、 第２誘電体層形成時：Ａｒ＋Ｎ2 、３×10-3Torr かくして、基板／第１誘電体層／磁性層／熱伝導層／第
２誘電体層の層構成を有する光磁気記録媒体を作製し
た。各層の層厚は、第１誘電体層が、７５０オングスト
ローム、磁性層が３９０オングストロームおよび第２誘
電体層が１０００オングストロームであった。なお、熱
伝導層の層厚は表１に示したとおりである。 得られた
光磁気記録媒体の再生信号特性Ｃ／Ｎ比を、半径24 mm
の測定位置にて、ディスク回転数 2400rpm 、記録周波
数 3.84 MHz、分解能帯域幅 30KHz 、レーザー波長
830nm にて測定した。また、Ｃ／Ｎ＝45dB時の記録レー
ザパワーを記録感度とし、およびＣ／Ｎ≧45dBの記録レ
ーザパワー範囲を45dBマージン幅として評価した。結果
を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【発明の効果】本発明により、高い再生信号特性および
記録感度を有する光磁気記録媒体を提供することができ
る。したがって、本発明の光磁気記録媒体は実用性が高
く、工業的に有用である。
記録感度を有する光磁気記録媒体を提供することができ
る。したがって、本発明の光磁気記録媒体は実用性が高
く、工業的に有用である。
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に磁性層と、該磁性層の基板
と反対側に隣接して熱伝導層とが少なくとも設けられた
光磁気記録媒体において、該熱伝導層が、（Ａ）Ａｌ、
Ａｕ、ＡｇおよびＣｕから選ばれる少なくとも１種の金
属および（Ｂ）Ｇｅ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、
Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、ＺｎおよびＺｒから
選ばれる少なくとも１種の金属を含み、（Ｂ）群の金属
が、（Ａ）群の金属および（Ｂ）群の金属の合計量の
０．１〜１モル％であることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 熱伝導層の層厚が１５０〜３００オング
ストロームである請求項１記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25870891A JPH0573975A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25870891A JPH0573975A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573975A true JPH0573975A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17323994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25870891A Pending JPH0573975A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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