JP2955639B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JP2955639B2 JP2955639B2 JP3147953A JP14795391A JP2955639B2 JP 2955639 B2 JP2955639 B2 JP 2955639B2 JP 3147953 A JP3147953 A JP 3147953A JP 14795391 A JP14795391 A JP 14795391A JP 2955639 B2 JP2955639 B2 JP 2955639B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光によって情報の
記録及び再生を行う光情報記録媒体に関する。
記録及び再生を行う光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光によって情報の記録及び再生を
行う光情報記録媒体は光学的動画用ディスクや光学的オ
ーディオディスク、書込み型ディスク等として広く知ら
れている。これらの中の例えば書換えが出来る光磁気記
録媒体を例にとると、透明な基板上にＴｂＦｅＣｏやＴ
ｂＤｙＦｅＣｏのような希土類−遷移金属非晶質合金か
らなる記録層が誘電体層を介して設けられている。この
誘電体層は（１）レーザ光を多重反射させることによっ
て磁性体から成る記録層の見かけのカー回転角を大きく
しＣ／Ｎを高める、（２）基板からの水分や酸素の侵入
を防止し記録層を保護する、の２つの目的のために設け
られる。この誘電体層には通常Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ等の窒
化物、また酸化物としてＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5等
が検討されており、これらは通常スパッタリングによっ
て基板上に形成される。
行う光情報記録媒体は光学的動画用ディスクや光学的オ
ーディオディスク、書込み型ディスク等として広く知ら
れている。これらの中の例えば書換えが出来る光磁気記
録媒体を例にとると、透明な基板上にＴｂＦｅＣｏやＴ
ｂＤｙＦｅＣｏのような希土類−遷移金属非晶質合金か
らなる記録層が誘電体層を介して設けられている。この
誘電体層は（１）レーザ光を多重反射させることによっ
て磁性体から成る記録層の見かけのカー回転角を大きく
しＣ／Ｎを高める、（２）基板からの水分や酸素の侵入
を防止し記録層を保護する、の２つの目的のために設け
られる。この誘電体層には通常Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ等の窒
化物、また酸化物としてＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5等
が検討されており、これらは通常スパッタリングによっ
て基板上に形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
窒化物や酸化物をスパッタ装置の真空槽内で形成する場
合、当然ながら膜は基板以外に真空槽の内壁や基板ホル
ダー等の治具にも付着するが、金属と違って剥離し易
く、粉末状態となってターゲット上に堆積したり、ガス
の流れ等によって真空槽内を浮遊したりする。これらは
基板ホルダー等の動き（回転，移動）によってさらに増
加する。一方、光情報記録媒体において記録層を支持す
る基板にはポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂から成
る成形基板、或いはガラス板上に紫外線硬化樹脂から成
る案内溝を形成した基板等が用いられる。これらは一般
に絶縁性の材料であり帯電し易い状態となっている。こ
のため上述したように真空槽内に微小な粉塵が存在する
と、それらが静電気によって基板の成膜面に付着し、最
終的にディスクのビットエラー率（ＢＥＲ）が増大する
といった問題点となる。
窒化物や酸化物をスパッタ装置の真空槽内で形成する場
合、当然ながら膜は基板以外に真空槽の内壁や基板ホル
ダー等の治具にも付着するが、金属と違って剥離し易
く、粉末状態となってターゲット上に堆積したり、ガス
の流れ等によって真空槽内を浮遊したりする。これらは
基板ホルダー等の動き（回転，移動）によってさらに増
加する。一方、光情報記録媒体において記録層を支持す
る基板にはポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂から成
る成形基板、或いはガラス板上に紫外線硬化樹脂から成
る案内溝を形成した基板等が用いられる。これらは一般
に絶縁性の材料であり帯電し易い状態となっている。こ
のため上述したように真空槽内に微小な粉塵が存在する
と、それらが静電気によって基板の成膜面に付着し、最
終的にディスクのビットエラー率（ＢＥＲ）が増大する
といった問題点となる。
【０００４】従って、本発明の目的は、誘電体層成膜工
程において基板表面への塵埃の付着を極力抑えることに
よってビットエラー率（ＢＥＲ）が向上した光情報記録
媒体を提供することにある。
程において基板表面への塵埃の付着を極力抑えることに
よってビットエラー率（ＢＥＲ）が向上した光情報記録
媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは鋭
意検討した結果、誘電体層を形成する真空槽内へ基板を
搬入する前に、基板の成膜面に１０ｋΩ／□以下の導電
処理を行うことによって上記目的が達成されることを見
い出した。
意検討した結果、誘電体層を形成する真空槽内へ基板を
搬入する前に、基板の成膜面に１０ｋΩ／□以下の導電
処理を行うことによって上記目的が達成されることを見
い出した。
【０００６】すなわち、本発明の光情報記録媒体は、透
明な基板上に誘電体層を介して記録層が形成されてお
り、誘導体層側の基板表面にシート抵抗１０ｋΩ／□以
下の導電処理が施こされていることを特徴としている。
明な基板上に誘電体層を介して記録層が形成されてお
り、誘導体層側の基板表面にシート抵抗１０ｋΩ／□以
下の導電処理が施こされていることを特徴としている。
【０００７】以下、本発明を図１に沿って説明するが、
光情報記録媒体の中の１つである光磁気記録媒体を例に
とって行う。
光情報記録媒体の中の１つである光磁気記録媒体を例に
とって行う。
【０００８】図１は本発明による光磁気記録媒体の一構
成例を示す断面図で、透明基板１上に誘電体層２、記録
層３及び保護層４が順次積層された構成となっている。
成例を示す断面図で、透明基板１上に誘電体層２、記録
層３及び保護層４が順次積層された構成となっている。
【０００９】〔基板〕本発明に用いる透明基板１として
はポリカーボネート（ＰＣ），ポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ），アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる成形基板、ガラス板上に紫外線硬
化樹脂から成る案内溝を形成した２Ｐ基板等が挙げられ
る。これらの基板はディスク形状をしており、厚みは
０．６〜１．２ｍｍ程度である。
はポリカーボネート（ＰＣ），ポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ），アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる成形基板、ガラス板上に紫外線硬
化樹脂から成る案内溝を形成した２Ｐ基板等が挙げられ
る。これらの基板はディスク形状をしており、厚みは
０．６〜１．２ｍｍ程度である。
【００１０】本発明では誘電体層２が形成される基板面
がシート抵抗１０ｋΩ／□以下になるように導電処理を
行っている。シート抵抗が１０ｋΩ／□より大きいと基
板表面が帯電しやすくなり、静電気によってゴミやほこ
りが付着しやすくなるという不都合がある。導電処理の
具体的手段としては、例えば基板表面に透明導電膜を形
成する方法が挙げられる。透明導電膜は通常Ａｕのよう
な金属膜とＩｎ2Ｏ3のような酸化物半導体膜に分類され
る。しかし酸化物半導体膜は誘電体層同様、成膜工程に
おいて真空槽内に多量の微粉末が発生し、基板表面に付
着しやすいため本発明の目的にはそぐわない。したがっ
て金属膜の方が好ましく、具体的な材料としてはＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｒｈなどがあ
り、又これらを主体とする合金でも良い。金属膜の厚さ
は、薄いと導電膜としての効果がなく、又厚すぎると透
光性が悪くなり記録再生光であるレーザ光の吸収が大き
くなってＣ／Ｎが低下する。従って３０〜１５０Å程度
が適当である。
がシート抵抗１０ｋΩ／□以下になるように導電処理を
行っている。シート抵抗が１０ｋΩ／□より大きいと基
板表面が帯電しやすくなり、静電気によってゴミやほこ
りが付着しやすくなるという不都合がある。導電処理の
具体的手段としては、例えば基板表面に透明導電膜を形
成する方法が挙げられる。透明導電膜は通常Ａｕのよう
な金属膜とＩｎ2Ｏ3のような酸化物半導体膜に分類され
る。しかし酸化物半導体膜は誘電体層同様、成膜工程に
おいて真空槽内に多量の微粉末が発生し、基板表面に付
着しやすいため本発明の目的にはそぐわない。したがっ
て金属膜の方が好ましく、具体的な材料としてはＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｒｈなどがあ
り、又これらを主体とする合金でも良い。金属膜の厚さ
は、薄いと導電膜としての効果がなく、又厚すぎると透
光性が悪くなり記録再生光であるレーザ光の吸収が大き
くなってＣ／Ｎが低下する。従って３０〜１５０Å程度
が適当である。
【００１１】〔誘電体層〕本発明においては、上記基板
１と記録層３との間に誘電体層２を設けている。この層
には屈折率の高い（１．８以上) 透明膜を用い、この層
における再生光の多重反射を利用してＣ(キャリア)レベ
ルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ(ノイズ)レベ
ルを低下させ、トータルでＣ／Ｎを向上させることを目
的としている。又記録層３が希土類と遷移金属とからな
る非晶質合金薄膜のように酸化等の腐食を起こしやすい
材料の場合、この誘電体層２は記録層３の酸化を防止す
る保護膜としての役割も兼ね備えていなければならな
い。それには空気中や基板１からの水や酸素の侵入を防
ぎ、それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小
さいことが必要である。具体的な材料としては、Ｓｉ
Ｏ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｇｅ等との金属窒化物、Ｂ4Ｃ，Ｓｉ
Ｃ等の無機炭化物、ＺｎＳ等の金属硫化物が挙げられ、
これらは複合していたり（例、ＳｉＡｌＯＮ，ＳｉＺｒ
Ｎ）、多層膜であったりしても良い。屈折率によって膜
厚の最適値は異なるが、通常５００〜２０００Åで好ま
しくは８００〜１２００Åである。
１と記録層３との間に誘電体層２を設けている。この層
には屈折率の高い（１．８以上) 透明膜を用い、この層
における再生光の多重反射を利用してＣ(キャリア)レベ
ルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ(ノイズ)レベ
ルを低下させ、トータルでＣ／Ｎを向上させることを目
的としている。又記録層３が希土類と遷移金属とからな
る非晶質合金薄膜のように酸化等の腐食を起こしやすい
材料の場合、この誘電体層２は記録層３の酸化を防止す
る保護膜としての役割も兼ね備えていなければならな
い。それには空気中や基板１からの水や酸素の侵入を防
ぎ、それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小
さいことが必要である。具体的な材料としては、Ｓｉ
Ｏ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｇｅ等との金属窒化物、Ｂ4Ｃ，Ｓｉ
Ｃ等の無機炭化物、ＺｎＳ等の金属硫化物が挙げられ、
これらは複合していたり（例、ＳｉＡｌＯＮ，ＳｉＺｒ
Ｎ）、多層膜であったりしても良い。屈折率によって膜
厚の最適値は異なるが、通常５００〜２０００Åで好ま
しくは８００〜１２００Åである。
【００１２】〔記録層〕 上記誘電体層２上に形成される記録層３としてはＴｂＦ
ｅＣｏやＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属との非
晶質合金薄膜、ＢａＦｅ１２Ｏ１９、ＣｏＦｅ２Ｏ４，
（Ｂｉ，Ｙ）３Ｆｅ５Ｏ１２等の酸化物薄膜、ＭｎＢ
ｉ，ＣｏＰｔ等の多結晶合金薄膜が挙げられ、これらは
いずれも膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有している。
ｅＣｏやＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属との非
晶質合金薄膜、ＢａＦｅ１２Ｏ１９、ＣｏＦｅ２Ｏ４，
（Ｂｉ，Ｙ）３Ｆｅ５Ｏ１２等の酸化物薄膜、ＭｎＢ
ｉ，ＣｏＰｔ等の多結晶合金薄膜が挙げられ、これらは
いずれも膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有している。
【００１３】〔保護層〕本発明の光磁気記録媒体には通
常記録層３上に保護層４を設ける。この保護層４は空気
中（片面仕様媒体の場合）、又は接合層（両面仕様媒体
の場合）からの水や酸素又はハロゲン元素のような記録
層３に有害な物質の侵入を防止し、記録層３を保護する
目的で設けられるため、誘電体層２同様、それ自身の耐
食性が高く、記録層３との反応性が小さいことが必要で
ある。具体的な材料としては誘電体層２の材料として挙
げたもの以外に、Ａｌ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｐｔ
等の金属もしくはそれから成る合金でも良い。
常記録層３上に保護層４を設ける。この保護層４は空気
中（片面仕様媒体の場合）、又は接合層（両面仕様媒体
の場合）からの水や酸素又はハロゲン元素のような記録
層３に有害な物質の侵入を防止し、記録層３を保護する
目的で設けられるため、誘電体層２同様、それ自身の耐
食性が高く、記録層３との反応性が小さいことが必要で
ある。具体的な材料としては誘電体層２の材料として挙
げたもの以外に、Ａｌ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｐｔ
等の金属もしくはそれから成る合金でも良い。
【００１４】基板１上にこのような誘電体層２、記録層
３及び保護層４等を形成する手段としては、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の物理烝着法、プラズマ
ＣＶＤのような化学蒸着法等が用いられる。層構成は図
１に示した以外に記録層３に直接或いは保護層４を介し
てＡｌ，Ａｕのような反射層５を設けることによってさ
らにＣ／Ｎの向上を図ることを目的としたものでも良い
（図２）。又図１の保護層４上や図２の反射層５上にさ
らに５〜１０μｍの有機膜からなるカバー層を設けた
り、さらにはそれらの膜面どうしを接合剤によって貼合
わせた構成でも本発明の効果はそこなわれない。
３及び保護層４等を形成する手段としては、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の物理烝着法、プラズマ
ＣＶＤのような化学蒸着法等が用いられる。層構成は図
１に示した以外に記録層３に直接或いは保護層４を介し
てＡｌ，Ａｕのような反射層５を設けることによってさ
らにＣ／Ｎの向上を図ることを目的としたものでも良い
（図２）。又図１の保護層４上や図２の反射層５上にさ
らに５〜１０μｍの有機膜からなるカバー層を設けた
り、さらにはそれらの膜面どうしを接合剤によって貼合
わせた構成でも本発明の効果はそこなわれない。
【００１５】
【実施例】次に本発明の実施例を述べる。 実施例１ 直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基
板の成膜面に導電処理としてＡｕ膜を５０Å厚に形成し
た。基板表面のシート抵抗は２００Ω／□であった。次
に、誘電体層としてＳｉ3Ｎ4膜を１０００Å厚に、記録
層としてＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を８００Å厚に、保護層と
してＳｉ3Ｎ4膜を８００Å厚に順次形成し、本発明の実
施例とした。
板の成膜面に導電処理としてＡｕ膜を５０Å厚に形成し
た。基板表面のシート抵抗は２００Ω／□であった。次
に、誘電体層としてＳｉ3Ｎ4膜を１０００Å厚に、記録
層としてＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を８００Å厚に、保護層と
してＳｉ3Ｎ4膜を８００Å厚に順次形成し、本発明の実
施例とした。
【００１６】実施例２〜６ 基板として表１に示す樹脂成形基板を用い、その成膜面
に同表に示す金属材料を成膜して導電処理を施した。次
に、この基板上に、表１に示す材料及び膜厚で誘電体
層、記録層及び保護層を図１のように形成し、それぞれ
本発明の実施例とした。
に同表に示す金属材料を成膜して導電処理を施した。次
に、この基板上に、表１に示す材料及び膜厚で誘電体
層、記録層及び保護層を図１のように形成し、それぞれ
本発明の実施例とした。
【００１７】比較例１〜２ 表１に示す材料を用い上記実施例と同じ層構成で、金属
膜だけを設けない（導基板表面に導電処理を施さない）
光磁気ディスクを作製し、それぞれ比較例とした。
膜だけを設けない（導基板表面に導電処理を施さない）
光磁気ディスクを作製し、それぞれ比較例とした。
【表１】
【００１８】以上のようにして作製した各光磁気ディス
クの初期状態及び８０℃、８５％ＲＨの環境下に２００
０時間放置した後のビットエラー率（ＢＥＲ）を測定し
た。その結果を表１に併せて示す。尚、ＢＥＲは下記の
条件で測定した。 レーザ光波長 ８３０ｎｍ ＣＡＶ１８００ｒｐｍ 周波数３．７ＭＨｚ デューティー比２２％ パワー６ｍＷ（記録），１．５ｍＷ（再生)
クの初期状態及び８０℃、８５％ＲＨの環境下に２００
０時間放置した後のビットエラー率（ＢＥＲ）を測定し
た。その結果を表１に併せて示す。尚、ＢＥＲは下記の
条件で測定した。 レーザ光波長 ８３０ｎｍ ＣＡＶ１８００ｒｐｍ 周波数３．７ＭＨｚ デューティー比２２％ パワー６ｍＷ（記録），１．５ｍＷ（再生)
【００１９】表１より、本発明の実施例の方が比較例に
比べていずれも初期ＢＥＲが低いことがわかる。又８０
℃、８５％ＲＨの環境下に２０００時間放置した後にお
いては、比較例の方はＢＥＲが２倍以上に増加している
一方、実施例の方はいずれもほとんど変化していない。
比べていずれも初期ＢＥＲが低いことがわかる。又８０
℃、８５％ＲＨの環境下に２０００時間放置した後にお
いては、比較例の方はＢＥＲが２倍以上に増加している
一方、実施例の方はいずれもほとんど変化していない。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板上
に誘電体層を介して記録層が形成された光情報記録媒体
において、誘電体層が形成される基板表面に、シート抵
抗が１０ｋΩ／□以下になるように金属膜を形成する等
の導電処理を施こすことによって、誘電体層成膜工程時
における静電気による基板表面への粉塵の付着が防止で
きるため初期ＢＥＲが良好となる。又、膜内に取り込ま
れた微小な塵埃が経時と共に剥がれ落ちＢＥＲ増加につ
ながることもない。したがって初期ＢＥＲが低く、かつ
経時的に変化しない高信頼性の媒体となる。
に誘電体層を介して記録層が形成された光情報記録媒体
において、誘電体層が形成される基板表面に、シート抵
抗が１０ｋΩ／□以下になるように金属膜を形成する等
の導電処理を施こすことによって、誘電体層成膜工程時
における静電気による基板表面への粉塵の付着が防止で
きるため初期ＢＥＲが良好となる。又、膜内に取り込ま
れた微小な塵埃が経時と共に剥がれ落ちＢＥＲ増加につ
ながることもない。したがって初期ＢＥＲが低く、かつ
経時的に変化しない高信頼性の媒体となる。
【００２１】尚、上記では、本発明の説明を光磁気記録
媒体を例にして行ったが、記録層にＡｌ，Ａｕ，Ｔｅ，
Ｂｉ等の金属や色素、相変化記録材料を用いた光情報記
録媒体に本発明を適用した場合も同様な効果を得ること
ができる。
媒体を例にして行ったが、記録層にＡｌ，Ａｕ，Ｔｅ，
Ｂｉ等の金属や色素、相変化記録材料を用いた光情報記
録媒体に本発明を適用した場合も同様な効果を得ること
ができる。
【図１】本発明による一構成例の光磁気記録媒体の層構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図２】本発明による別の構成例の光磁気記録媒体の層
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
１ 透明基板 ２ 誘電体層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 反射層
Claims (3)
- 【請求項１】 透明な基板上に誘電体層を介して記録層
が形成された光情報記録媒体において、誘電体層側の基
板表面にシート抵抗が１０ｋΩ／□以下になるように導
電処理が施こしてあることを特徴とする光情報記録媒
体。 - 【請求項２】 前記基板表面に厚さ３０〜１５０Åの金
属膜を設けることにより導電処理が施こされていること
を特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記金属膜がＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，
Ｐｔ，Ａｌ，Ｃｒ及びＲｈの内の１種以上から成ること
を特徴とする請求項２記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3147953A JP2955639B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 光情報記録媒体 |
| US07/883,297 US5251202A (en) | 1991-05-23 | 1992-05-14 | Optical information recording medium having multi-layered structures for preventing undesired reflection and electric charging |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3147953A JP2955639B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04345932A JPH04345932A (ja) | 1992-12-01 |
| JP2955639B2 true JP2955639B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=15441817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3147953A Expired - Fee Related JP2955639B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2955639B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-23 JP JP3147953A patent/JP2955639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04345932A (ja) | 1992-12-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070723 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |