JPH04345932A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH04345932A JPH04345932A JP3147953A JP14795391A JPH04345932A JP H04345932 A JPH04345932 A JP H04345932A JP 3147953 A JP3147953 A JP 3147953A JP 14795391 A JP14795391 A JP 14795391A JP H04345932 A JPH04345932 A JP H04345932A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光によって情報の
記録及び再生を行う光情報記録媒体に関する。
記録及び再生を行う光情報記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザ光によって情報の記録及び再生を
行う光情報記録媒体は光学的動画用ディスクや光学的オ
ーディオディスク、書込み型ディスク等として広く知ら
れている。これらの中の例えば書換えが出来る光磁気記
録媒体を例にとると、透明な基板上にTbFeCoやT
bDyFeCoのような希土類−遷移金属非晶質合金か
らなる記録層が誘電体層を介して設けられている。この
誘電体層は(1)レーザ光を多重反射させることによっ
て磁性体から成る記録層の見かけのカー回転角を大きく
しC/Nを高める、(2)基板からの水分や酸素の侵入
を防止し記録層を保護する、の2つの目的のために設け
られる。この誘電体層には通常Si3N4,AlN等の
窒化物、また酸化物としてSiO,SiO2,Ta2O
5等が検討されており、これらは通常スパッタリングに
よって基板上に形成される。
行う光情報記録媒体は光学的動画用ディスクや光学的オ
ーディオディスク、書込み型ディスク等として広く知ら
れている。これらの中の例えば書換えが出来る光磁気記
録媒体を例にとると、透明な基板上にTbFeCoやT
bDyFeCoのような希土類−遷移金属非晶質合金か
らなる記録層が誘電体層を介して設けられている。この
誘電体層は(1)レーザ光を多重反射させることによっ
て磁性体から成る記録層の見かけのカー回転角を大きく
しC/Nを高める、(2)基板からの水分や酸素の侵入
を防止し記録層を保護する、の2つの目的のために設け
られる。この誘電体層には通常Si3N4,AlN等の
窒化物、また酸化物としてSiO,SiO2,Ta2O
5等が検討されており、これらは通常スパッタリングに
よって基板上に形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
窒化物や酸化物をスパッタ装置の真空槽内で形成する場
合、当然ながら膜は基板以外に真空槽の内壁や基板ホル
ダー等の治具にも付着するが、金属と違って剥離し易く
、粉末状態となってターゲット上に堆積したり、ガスの
流れ等によって真空槽内を浮遊したりする。これらは基
板ホルダー等の動き(回転,移動)によってさらに増加
する。一方、光情報記録媒体において記録層を支持する
基板にはポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂から成る
成形基板、或いはガラス板上に紫外線硬化樹脂から成る
案内溝を形成した基板等が用いられる。これらは一般に
絶縁性の材料であり帯電し易い状態となっている。この
ため上述したように真空槽内に微小な粉塵が存在すると
、それらが静電気によって基板の成膜面に付着し、最終
的にディスクのビットエラー率(BER)が増大すると
いった問題点となる。
窒化物や酸化物をスパッタ装置の真空槽内で形成する場
合、当然ながら膜は基板以外に真空槽の内壁や基板ホル
ダー等の治具にも付着するが、金属と違って剥離し易く
、粉末状態となってターゲット上に堆積したり、ガスの
流れ等によって真空槽内を浮遊したりする。これらは基
板ホルダー等の動き(回転,移動)によってさらに増加
する。一方、光情報記録媒体において記録層を支持する
基板にはポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂から成る
成形基板、或いはガラス板上に紫外線硬化樹脂から成る
案内溝を形成した基板等が用いられる。これらは一般に
絶縁性の材料であり帯電し易い状態となっている。この
ため上述したように真空槽内に微小な粉塵が存在すると
、それらが静電気によって基板の成膜面に付着し、最終
的にディスクのビットエラー率(BER)が増大すると
いった問題点となる。
【0004】従って、本発明の目的は、誘電体層成膜工
程において基板表面への塵埃の付着を極力抑えることに
よってビットエラー率(BER)が向上した光情報記録
媒体を提供することにある。
程において基板表面への塵埃の付着を極力抑えることに
よってビットエラー率(BER)が向上した光情報記録
媒体を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは鋭
意検討した結果、誘電体層を形成する真空槽内へ基板を
搬入する前に、基板の成膜面に10kΩ/□以下の導電
処理を行うことによって上記目的が達成されることを見
い出した。
意検討した結果、誘電体層を形成する真空槽内へ基板を
搬入する前に、基板の成膜面に10kΩ/□以下の導電
処理を行うことによって上記目的が達成されることを見
い出した。
【0006】すなわち、本発明の光情報記録媒体は、透
明な基板上に誘電体層を介して記録層が形成されており
、誘導体層側の基板表面にシート抵抗10kΩ/□以下
の導電処理が施こされていることを特徴としている。
明な基板上に誘電体層を介して記録層が形成されており
、誘導体層側の基板表面にシート抵抗10kΩ/□以下
の導電処理が施こされていることを特徴としている。
【0007】以下、本発明を図1に沿って説明するが、
光情報記録媒体の中の1つである光磁気記録媒体を例に
とって行う。
光情報記録媒体の中の1つである光磁気記録媒体を例に
とって行う。
【0008】図1は本発明による光磁気記録媒体の一構
成例を示す断面図で、透明基板1上に誘電体層2、記録
層3及び保護層4が順次積層された構成となっている。
成例を示す断面図で、透明基板1上に誘電体層2、記録
層3及び保護層4が順次積層された構成となっている。
【0009】〔基板〕本発明に用いる透明基板1として
はポリカーボネート(PC),ポリメチルメタクリレー
ト(PMMA),アモルファスポリオレフィン(APO
)等の樹脂からなる成形基板、ガラス板上に紫外線硬化
樹脂から成る案内溝を形成した2P基板等が挙げられる
。これらの基板はディスク形状をしており、厚みは0.
6〜1.2mm程度である。
はポリカーボネート(PC),ポリメチルメタクリレー
ト(PMMA),アモルファスポリオレフィン(APO
)等の樹脂からなる成形基板、ガラス板上に紫外線硬化
樹脂から成る案内溝を形成した2P基板等が挙げられる
。これらの基板はディスク形状をしており、厚みは0.
6〜1.2mm程度である。
【0010】本発明では誘電体層2が形成される基板面
がシート抵抗10kΩ/□以下になるように導電処理を
行っている。シート抵抗が10kΩ/□より大きいと基
板表面が帯電しやすくなり、静電気によってゴミやほこ
りが付着しやすくなるという不都合がある。導電処理の
具体的手段としては、例えば基板表面に透明導電膜を形
成する方法が挙げられる。透明導電膜は通常Auのよう
な金属膜とIn2O3のような酸化物半導体膜に分類さ
れる。しかし酸化物半導体膜は誘電体層同様、成膜工程
において真空槽内に多量の微粉末が発生し、基板表面に
付着しやすいため本発明の目的にはそぐわない。したが
って金属膜の方が好ましく、具体的な材料としてはAu
,Ag,Cu,Pd,Pt,Al,Cr,Rhなどがあ
り、又これらを主体とする合金でも良い。金属膜の厚さ
は、薄いと導電膜としての効果がなく、又厚すぎると透
光性が悪くなり記録再生光であるレーザ光の吸収が大き
くなってC/Nが低下する。従って30〜150Å程度
が適当である。
がシート抵抗10kΩ/□以下になるように導電処理を
行っている。シート抵抗が10kΩ/□より大きいと基
板表面が帯電しやすくなり、静電気によってゴミやほこ
りが付着しやすくなるという不都合がある。導電処理の
具体的手段としては、例えば基板表面に透明導電膜を形
成する方法が挙げられる。透明導電膜は通常Auのよう
な金属膜とIn2O3のような酸化物半導体膜に分類さ
れる。しかし酸化物半導体膜は誘電体層同様、成膜工程
において真空槽内に多量の微粉末が発生し、基板表面に
付着しやすいため本発明の目的にはそぐわない。したが
って金属膜の方が好ましく、具体的な材料としてはAu
,Ag,Cu,Pd,Pt,Al,Cr,Rhなどがあ
り、又これらを主体とする合金でも良い。金属膜の厚さ
は、薄いと導電膜としての効果がなく、又厚すぎると透
光性が悪くなり記録再生光であるレーザ光の吸収が大き
くなってC/Nが低下する。従って30〜150Å程度
が適当である。
【0011】〔誘電体層〕本発明においては、上記基板
1と記録層3との間に誘電体層2を設けている。この層
には屈折率の高い(1.8以上) 透明膜を用い、この
層における再生光の多重反射を利用してC(キャリア)
レベルを上げ、又反射率を小さくすることでN(ノイズ
)レベルを低下させ、トータルでC/Nを向上させるこ
とを目的としている。又記録層3が希土類と遷移金属と
からなる非晶質合金薄膜のように酸化等の腐食を起こし
やすい材料の場合、この誘電体層2は記録層3の酸化を
防止する保護膜としての役割も兼ね備えていなければな
らない。それには空気中や基板1からの水や酸素の侵入
を防ぎ、それ自身の耐食性が高く、記録層3との反応性
が小さいことが必要である。具体的な材料としては、S
iO,SiO2,Al2O3,Ta2O5等の金属酸化
物、Si,Al,Zr,Ge等との金属窒化物、B4C
,SiC等の無機炭化物、ZnS等の金属硫化物が挙げ
られ、これらは複合していたり(例、SiAlON,S
iZrN)、多層膜であったりしても良い。屈折率によ
って膜厚の最適値は異なるが、通常500〜2000Å
で好ましくは800〜1200Åである。
1と記録層3との間に誘電体層2を設けている。この層
には屈折率の高い(1.8以上) 透明膜を用い、この
層における再生光の多重反射を利用してC(キャリア)
レベルを上げ、又反射率を小さくすることでN(ノイズ
)レベルを低下させ、トータルでC/Nを向上させるこ
とを目的としている。又記録層3が希土類と遷移金属と
からなる非晶質合金薄膜のように酸化等の腐食を起こし
やすい材料の場合、この誘電体層2は記録層3の酸化を
防止する保護膜としての役割も兼ね備えていなければな
らない。それには空気中や基板1からの水や酸素の侵入
を防ぎ、それ自身の耐食性が高く、記録層3との反応性
が小さいことが必要である。具体的な材料としては、S
iO,SiO2,Al2O3,Ta2O5等の金属酸化
物、Si,Al,Zr,Ge等との金属窒化物、B4C
,SiC等の無機炭化物、ZnS等の金属硫化物が挙げ
られ、これらは複合していたり(例、SiAlON,S
iZrN)、多層膜であったりしても良い。屈折率によ
って膜厚の最適値は異なるが、通常500〜2000Å
で好ましくは800〜1200Åである。
【0012】〔記録層〕上記誘電体層2上に形成される
記録層3としてはTbFeCoやTbDyFeCo等の
希土類と遷移金属との非晶質合金薄膜、BaFe12O
19,CoFe2O4,(Bi,Y)3Fe5O12等
の酸化物薄膜、MnBi,CoPr等の多結晶合金薄膜
が挙げられ、これらはいずれも膜面に垂直な方向に磁化
容易軸を有している。
記録層3としてはTbFeCoやTbDyFeCo等の
希土類と遷移金属との非晶質合金薄膜、BaFe12O
19,CoFe2O4,(Bi,Y)3Fe5O12等
の酸化物薄膜、MnBi,CoPr等の多結晶合金薄膜
が挙げられ、これらはいずれも膜面に垂直な方向に磁化
容易軸を有している。
【0013】〔保護層〕本発明の光磁気記録媒体には通
常記録層3上に保護層4を設ける。この保護層4は空気
中(片面仕様媒体の場合)、又は接合層(両面仕様媒体
の場合)からの水や酸素又はハロゲン元素のような記録
層3に有害な物質の侵入を防止し、記録層3を保護する
目的で設けられるため、誘電体層2同様、それ自身の耐
食性が高く、記録層3との反応性が小さいことが必要で
ある。具体的な材料としては誘電体層2の材料として挙
げたもの以外に、Al,Cr,Ni,Mo,Ti,Pt
等の金属もしくはそれから成る合金でも良い。
常記録層3上に保護層4を設ける。この保護層4は空気
中(片面仕様媒体の場合)、又は接合層(両面仕様媒体
の場合)からの水や酸素又はハロゲン元素のような記録
層3に有害な物質の侵入を防止し、記録層3を保護する
目的で設けられるため、誘電体層2同様、それ自身の耐
食性が高く、記録層3との反応性が小さいことが必要で
ある。具体的な材料としては誘電体層2の材料として挙
げたもの以外に、Al,Cr,Ni,Mo,Ti,Pt
等の金属もしくはそれから成る合金でも良い。
【0014】基板1上にこのような誘電体層2、記録層
3及び保護層4等を形成する手段としては、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の物理烝着法、プラズマ
CVDのような化学蒸着法等が用いられる。層構成は図
1に示した以外に記録層3に直接或いは保護層4を介し
てAl,Auのような反射層5を設けることによってさ
らにC/Nの向上を図ることを目的としたものでも良い
(図2)。又図1の保護層4上や図2の反射層5上にさ
らに5〜10μmの有機膜からなるカバー層を設けたり
、さらにはそれらの膜面どうしを接合剤によって貼合わ
せた構成でも本発明の効果はそこなわれない。
3及び保護層4等を形成する手段としては、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の物理烝着法、プラズマ
CVDのような化学蒸着法等が用いられる。層構成は図
1に示した以外に記録層3に直接或いは保護層4を介し
てAl,Auのような反射層5を設けることによってさ
らにC/Nの向上を図ることを目的としたものでも良い
(図2)。又図1の保護層4上や図2の反射層5上にさ
らに5〜10μmの有機膜からなるカバー層を設けたり
、さらにはそれらの膜面どうしを接合剤によって貼合わ
せた構成でも本発明の効果はそこなわれない。
【0015】
【実施例】次に本発明の実施例を述べる。
実施例1
直径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート基
板の成膜面に導電処理としてAu膜を50Å厚に形成し
た。基板表面のシート抵抗は200Ω/□であった。次
に、誘電体層としてSi3N4膜を1000Å厚に、記
録層としてTbDyFeCo膜を800Å厚に、保護層
としてSi3N4膜を800Å厚に順次形成し、本発明
の実施例とした。
板の成膜面に導電処理としてAu膜を50Å厚に形成し
た。基板表面のシート抵抗は200Ω/□であった。次
に、誘電体層としてSi3N4膜を1000Å厚に、記
録層としてTbDyFeCo膜を800Å厚に、保護層
としてSi3N4膜を800Å厚に順次形成し、本発明
の実施例とした。
【0016】実施例2〜6
基板として表1に示す樹脂成形基板を用い、その成膜面
に同表に示す金属材料を成膜して導電処理を施した。次
に、この基板上に、表1に示す材料及び膜厚で誘電体層
、記録層及び保護層を図1のように形成し、それぞれ本
発明の実施例とした。
に同表に示す金属材料を成膜して導電処理を施した。次
に、この基板上に、表1に示す材料及び膜厚で誘電体層
、記録層及び保護層を図1のように形成し、それぞれ本
発明の実施例とした。
【0017】比較例1〜2
表1に示す材料を用い上記実施例と同じ層構成で、金属
膜だけを設けない(導基板表面に導電処理を施さない)
光磁気ディスクを作製し、それぞれ比較例とした。
膜だけを設けない(導基板表面に導電処理を施さない)
光磁気ディスクを作製し、それぞれ比較例とした。
【表1】
【0018】以上のようにして作製した各光磁気ディス
クの初期状態及び80℃、85%RHの環境下に200
0時間放置した後のビットエラー率(BER)を測定し
た。その結果を表1に併せて示す。尚、BERは下記の
条件で測定した。 レーザ光波長 830nm CAV1800rpm 周波数3.7MHz デューティー比22% パワー6mW(記録),1.5mW(再生)
クの初期状態及び80℃、85%RHの環境下に200
0時間放置した後のビットエラー率(BER)を測定し
た。その結果を表1に併せて示す。尚、BERは下記の
条件で測定した。 レーザ光波長 830nm CAV1800rpm 周波数3.7MHz デューティー比22% パワー6mW(記録),1.5mW(再生)
【0019
】表1より、本発明の実施例の方が比較例に比べていず
れも初期BERが低いことがわかる。又80℃、85%
RHの環境下に2000時間放置した後においては、比
較例の方はBERが2倍以上に増加している一方、実施
例の方はいずれもほとんど変化していない。
】表1より、本発明の実施例の方が比較例に比べていず
れも初期BERが低いことがわかる。又80℃、85%
RHの環境下に2000時間放置した後においては、比
較例の方はBERが2倍以上に増加している一方、実施
例の方はいずれもほとんど変化していない。
【0020】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板上
に誘電体層を介して記録層が形成された光情報記録媒体
において、誘電体層が形成される基板表面に、シート抵
抗が10kΩ/□以下になるように金属膜を形成する等
の導電処理を施こすことによって、誘電体層成膜工程時
における静電気による基板表面への粉塵の付着が防止で
きるため初期BERが良好となる。又、膜内に取り込ま
れた微小な塵埃が経時と共に剥がれ落ちBER増加につ
ながることもない。したがって初期BERが低く、かつ
経時的に変化しない高信頼性の媒体となる。
に誘電体層を介して記録層が形成された光情報記録媒体
において、誘電体層が形成される基板表面に、シート抵
抗が10kΩ/□以下になるように金属膜を形成する等
の導電処理を施こすことによって、誘電体層成膜工程時
における静電気による基板表面への粉塵の付着が防止で
きるため初期BERが良好となる。又、膜内に取り込ま
れた微小な塵埃が経時と共に剥がれ落ちBER増加につ
ながることもない。したがって初期BERが低く、かつ
経時的に変化しない高信頼性の媒体となる。
【0021】尚、上記では、本発明の説明を光磁気記録
媒体を例にして行ったが、記録層にAl,Au,Te,
Bi等の金属や色素、相変化記録材料を用いた光情報記
録媒体に本発明を適用した場合も同様な効果を得ること
ができる。
媒体を例にして行ったが、記録層にAl,Au,Te,
Bi等の金属や色素、相変化記録材料を用いた光情報記
録媒体に本発明を適用した場合も同様な効果を得ること
ができる。
【図1】本発明による一構成例の光磁気記録媒体の層構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図2】本発明による別の構成例の光磁気記録媒体の層
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 透明基板
2 誘電体層
3 記録層
4 保護層
5 反射層
Claims (3)
- 【請求項1】 透明な基板上に誘電体層を介して記録
層が形成された光情報記録媒体において、誘電体層側の
基板表面にシート抵抗が10kΩ/□以下になるように
導電処理が施こしてあることを特徴とする光情報記録媒
体。 - 【請求項2】 前記基板表面に厚さ30〜150Åの
金属膜を設けることにより導電処理が施こされているこ
とを特徴とする請求項1記載の光情報記録媒体。 - 【請求項3】 前記金属膜がAu,Ag,Cu,Pd
,Pt,Al,Cr及びRhの内の1種以上から成るこ
とを特徴とする請求項2記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3147953A JP2955639B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 光情報記録媒体 |
US07/883,297 US5251202A (en) | 1991-05-23 | 1992-05-14 | Optical information recording medium having multi-layered structures for preventing undesired reflection and electric charging |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3147953A JP2955639B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04345932A true JPH04345932A (ja) | 1992-12-01 |
JP2955639B2 JP2955639B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=15441817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3147953A Expired - Fee Related JP2955639B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2955639B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-23 JP JP3147953A patent/JP2955639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2955639B2 (ja) | 1999-10-04 |
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Legal Events
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