JPS6242346A - 光デイスク保護膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 光ディスク基板上に記録層を挟んで形成されている保護
膜について、含有欠陥数を減少させて記録層に対する酸
化防止効果を向上させる保護膜の形°成力法。

〔産業上の利用分野〕

本発明はピンホールの含有が少なく、記録層に対する酸
化防止効果を向上した光ディスク保護膜の製造方法に関
する。

光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、記録容量が大きく非接触で記録と再生を
行うことができ、また塵埃の彫金を受けないなど優れた
特徴をもっている。

このように優れた’Ｈ＆を備えた光ディスクは記録媒体
の選択により読出し専用メモリにとどまらず書替え可能
なメモリ　（Ｅｒａｓａｂｌｅ　　Ｍｅｍｏｒｙ）など
各種のメモリが実用化が進められている。

すなわちテルル（Ｔｅ）、セレン化テルル（ＳｅＴｅ）
など低融点の非金属元素を記録媒体とする光ディスクは
レーザ光の照射によって被照射部の記録層を蒸発飛散さ
せて穴を作り、この穴の有無によって情報を記録する読
出し専用メモリである。

またインジウム・アンチモン（Ｉｎ　　−５ｂ）、イン
ジウム・ビスマス（Ｉｎ　　・Ｂｉ）などを記録媒体と
する書替え可能な光ディスクは結晶−結晶間あるいは結
晶−アモルファス間の相転移がある場合にそれぞれの状
態で反射率が異なるのを利用して情報記録を行うもので
ある。

マタテルビウム・鉄・コバルト（Ｔｅ　　１ｅ−ｃｏ）
＋ガドリニウム・テルビウム・鉄（Ｇｄ４ｅ・Ｆｅ）な
ど希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜を記録媒体と
する書替え可能なメモリはレーザ照射された磁性膜の温
度上昇による磁化反転を情報の書込みと消去に用いるも
ので、磁化の方向により偏光面の回転方向が異なること
を利用して情報の記録。

が行われている。

このように光ディスクには各種の材料が記録媒体として
使用されているが、何れも酸化され易い元素から構成さ
れているために光ディスクの信頼性を確保するには充分
な酸化防止構造をとることが必要である。

〔従来の技術〕 光ディスク用基板としてはガラス基板或いはポリメチル
メタアクリレート（略称ＰＭＭＡ）　、ポリカーボネー
ト（略称ＰＣ）のような透明なプラスチック基板が用い
られている。

ここでガラス基板は高価であり、また壊れ易いことから
特殊の用途を除いてはプラスチック基板、特にＰＭＭＡ
基板が使用されている。

然し、プラスチック基板特にＰＭＭＡ基板は透湿性が強
いため耐湿処理が必要である。

従来、耐酸化性に優れ湿気、水などを遮断する材料とし
て二酸化硅素（ＳｉＯｚ　）　、二酸化チタン（ＴｉＯ
ｚ　）、二酸化ジルコン（ＺｒＯｚ）、炭化チタン（Ｔ
ｉ０２）＋炭化硅素（ＳｉＣ）、窒化硅素（Ｓｉ３Ｎ　
ａ　）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化アルミニウム（Ａ
ＩＮ）などのセラミック材料が使用され、厚さが１．２
〜１．５　ｎのプラスチック基板例えばＰＭＭＡ基板の
上に高周波スパッタなどの方法で約１０００人の厚さに
被覆して保護膜が設けられている。

そして、この上に二元蒸着法や高周波スパッタ法など適
当な方法で記録層を形成した後は再び前記保護膜を杓１
０００人の厚さに形成し、−り下から被覆する耐湿構造
がとられている。

ここで、耐湿保護膜の厚さが約１０００人と薄い理由は
光ディスクへの情報の書込みと読出しはプラスチック基
板を通して行ねるが、この際に光吸収を成るべく少なく
抑えるためである。

然し、かかる薄膜にはピンホールや空隙（Ｖａｃａｎｃ
ｙ）などの発生は避けられず、これを通して透湿　。

が起こり、記録媒体を劣化させている。

そこで、光ディスクの信頬性向上のためにピンホールや
空隙などの欠陥のない保護膜の形成が要望されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上説明したように従来と同等な膜厚でピンホールや空
隙などの欠陥のない透明保護膜を如何にして形成するか
が問題である。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の問題はディスク基板の内縁部と外縁部とに金属電
極を形成した後、ディスク基板上に導電性透明膜を形成
し、該電極間に通電しながら前記基板上に下層保護膜の
形成を行い、該下層保護膜上に記録層を形成した後、再
び前記導電性透明膜に通電しながら上層保護膜を形成す
る光ディスク保護膜の製造方法により解決することがで
きる。

〔作用〕

本発明は約１０００人のような薄い耐湿薄保護膜を欠陥
なく形成する方法として被処理基板を加熱しながら蒸着
を行うものである。

発明者等はピンホールや空隙などの欠陥は、■　被処理
基板上にガスが多く吸着されている場合。

■　プラスチック基板の中にガス、水やモノマ（単量体
）などが存在し、蒸着処理中に表面に浸透して出てくる
場合、 ■　蒸着した原子が被処理基板上で運動する運動量が少
ない場合、 に発生し易いことを確かめた。

そこで、これらの原因を除く方法として被処理基板を高
真空中で加熱しながら耐湿薄膜を形成すれば欠陥のない
理想的な薄膜を形成できることを見いだした。

そのためにはディスク基板の内縁部と外縁部とに金属電
極を形成し、これを結んで導電性透明膜を設け、これに
通電して加熱しながら保護膜を蒸着すると、上記の欠陥
形成条件が存在しないので理想的な膜形成が行われるの
である。

第１図はこれを行うための金属電極を設けた光ディスク
基板の平面図（Ａ）と断面図（Ｂ）であってディスク基
板１の内縁部と外縁部とに金属電極２，３を形成した状
態を示している。

次に第２図はこれを用いて保護膜を形成する本発明の工
程を示すもので、 同図（Ａ）に余す金属電極２．３に一部掛かって酸化イ
ンジウムＯｎ、２０　ｘ　）　、酸化錫（ＳｎＯ２）、
錫酸カドミ（Ｃ（１２ＳｎＯａ　）などの導電性透明膜
４を形成する（同図Ｂ）。

次に同図（Ｃ）に示すように金属電極２，３に通電して
導電性透明膜４を加熱した状態でＳｉ０２　。

Ｔｉ０２などの酸化物、ＴｉＣ，ＳｉＣなどの炭化物、
　Ｓｉ３Ｎ　４．ＡＩＮなどの窒化物など従来より使用
されている保護膜を形成して下層保護膜５を形成する（
同図Ｃ）。

次に、このように形成した欠陥のない下層保護膜５の上
に従来と同様に記録層６を形成した後（同図Ｄ）、再び
金属電極２．３の間に通電して導電性透明膜４を加熱し
ながら上層保護膜を形成すればよい。

なお以上の説明は記録層６が酸化物からなる導電性透明
膜４との接触を嫌う通常の光ディスクの場合について説
明したが、記録媒体が酸素イオンの影舌を受けないよう
な場合は導電性透明膜４の上に直接に記録層６を設けて
よく、この場合は導電性透明膜４にビンボールや空隙な
どの欠陥を含んでいないことが必要であり、その場合は
金属電極２，３の間に電圧を加え、通電しながら導電性
透明膜４の形成を行えばよい。

〔実施例〕

直径２００　ｍｍ、厚さ１．２１）のＰｌ’１ＭＡディ
スク基板１の内縁部と外縁部に恨（Ａｇ）をマスク蒸着
して金属電極２．３を作り、この基板上にＩｎ２Ｏ３を
１０００人の厚さに蒸着して導電性透明膜４を作った。

次に金属電極２，３の間に直流電圧を加えて基板表面の
温度を８０℃に保持しながら硫化亜鉛（ＺｎＳ）を２人
／Ｓの蒸着速度で８００人の厚さに蒸着して下層保護膜
５を形成した。

一方、同様なＰ聞Ａ基板を用い、導電性透明膜に通電し
ないで同じ厚さの下層保護膜５を形成し、両者について
欠陥の数を欠陥試験機を用いて測定したが、前者は後者
と較べて１／１００以下の値が得られた。

この結果から本発明を使用すればプラスチック基板の変
形を伴わずに基板加熱を行うことができ、欠陥数の少な
い保８Ｉ膜ができることが確かめられた。

〔発明の効果〕

以」：記したように本発明の実施により、ピンホールな
どの欠陥含有の少ない保護膜の形成が可能となり、これ
により光ディスクの信頼性向上が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施する光ディスク基板の平面図（Ａ
）と断面図（Ｂ）、 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の実施工程を示す断面図
、 である。 図において、 ■はディスク基板、　　　２，３は金属電極、４は導電
性透明膜、　　　　５は下層保護膜、６は記録層、 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ディスク基板（１）の内縁部と外縁部とに金属電極（２
   ）、（３）を形成した後、ディスク基板（１）上に導電
   性透明膜（４）を形成し、該電極（２）、（３）間に通
   電しながら前記基板（１）上に下層保護膜（５）の形成
   を行い、該下層保護膜（５）上に記録層（６）を形成し
   た後、再び前記導電性透明膜（４）に通電しながら上層
   保護膜を形成することを特徴とする光ディスク保護膜の
   製造方法。