JPS62239348A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS62239348A JPS62239348A JP8166586A JP8166586A JPS62239348A JP S62239348 A JPS62239348 A JP S62239348A JP 8166586 A JP8166586 A JP 8166586A JP 8166586 A JP8166586 A JP 8166586A JP S62239348 A JPS62239348 A JP S62239348A
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- optical recording
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- film
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は光磁気記録媒体、特に磁気光学記憶素子に関す
るものである。
るものである。
口、従来技術
光ディスクは、高密度、大容鼠、高速アクセスの特徴を
持ち、種々の研究開発が行われている。
持ち、種々の研究開発が行われている。
このうち、一度だけ追加記録できる光ディスクの記録媒
体としては、TcOx 、TeC,’l’e −3n−
3e等が知られ、一部商品化されている。 一方、書き
換えが可能である光記録としては、光磁気記録が注目さ
れている。
体としては、TcOx 、TeC,’l’e −3n−
3e等が知られ、一部商品化されている。 一方、書き
換えが可能である光記録としては、光磁気記録が注目さ
れている。
光磁気記録媒体としては、MnB1 % MnCuB1
などの多結晶薄膜、TbFe 、GdFe 5GdCo
%DyFe 、GdTbFe 、TbDyFeなどの
非晶質e’iV膜などが知られている。 例えば、特開
昭59−171055号公報には、希土類−遷移金属ア
モルファス合金薄膜(例えばGdTbFe)と、酸素を
含有しないAIN又はS L+ N 4からなる透明誘
電体膜と、Ti又はTiNからなる反射膜とをこの順に
て基板上に積層せしめた磁気光学記憶素子が示されてい
る。
などの多結晶薄膜、TbFe 、GdFe 5GdCo
%DyFe 、GdTbFe 、TbDyFeなどの
非晶質e’iV膜などが知られている。 例えば、特開
昭59−171055号公報には、希土類−遷移金属ア
モルファス合金薄膜(例えばGdTbFe)と、酸素を
含有しないAIN又はS L+ N 4からなる透明誘
電体膜と、Ti又はTiNからなる反射膜とをこの順に
て基板上に積層せしめた磁気光学記憶素子が示されてい
る。
しかしながら、上記のように、磁性層に希土類金属を用
いた場合、非常に酸化されやすく、磁気光学特性が劣化
しやすい。 ところが、これまでの媒体においては、そ
うした酸化による経時変化を十分には防止できていない
。
いた場合、非常に酸化されやすく、磁気光学特性が劣化
しやすい。 ところが、これまでの媒体においては、そ
うした酸化による経時変化を十分には防止できていない
。
ハ0発明の目的
本発明の目的は、酸化による経時変化が防止され、再生
信号の品質の向上した光磁気記録媒体を提供することに
ある。
信号の品質の向上した光磁気記録媒体を提供することに
ある。
ニ0発明の構成及びその作用効果
即ら、本発明は、金属薄j1!2からなる光磁気記録層
と、反射膜とが積層されている光磁気記録媒体において
、前記反射膜が鉛系合金(特に、鉛を85a tom
ic%以上含有する合金)によって形成されていること
を特徴とする光磁気記録媒体に係るものである。
と、反射膜とが積層されている光磁気記録媒体において
、前記反射膜が鉛系合金(特に、鉛を85a tom
ic%以上含有する合金)によって形成されていること
を特徴とする光磁気記録媒体に係るものである。
本発明によれば、上記組成の反射膜を設けているので、
カー回転角の増大に加え、光磁気記録層の酸化防止効果
が十分となることが判明した。
カー回転角の増大に加え、光磁気記録層の酸化防止効果
が十分となることが判明した。
これは、上記反射膜を構成する合金元素が酸素の拡散を
阻止する作用をもつからであると考えられる。
阻止する作用をもつからであると考えられる。
本発明の目的を達成する上で、上記反射膜は鉛含有量が
85atomic%以上であるのが望ましく、例えば、
Pb −Cu−Bi金合金99a toa+ ic%P
b。
85atomic%以上であるのが望ましく、例えば、
Pb −Cu−Bi金合金99a toa+ ic%P
b。
最高0.08aLomic%Cu 、、最高0.005
atomic%Bi)をはじめ、Pb −Cu −Bi
−Tc合金(99,85atomic%Pb 、i高0
、085a tom ic%Cu 、Q高0.005
aLomic%Bi 、 0.05atomic%Te
)、Pb −3n合金(4〜10atomic%Sns
残部Pb)等から形成可能である。
atomic%Bi)をはじめ、Pb −Cu −Bi
−Tc合金(99,85atomic%Pb 、i高0
、085a tom ic%Cu 、Q高0.005
aLomic%Bi 、 0.05atomic%Te
)、Pb −3n合金(4〜10atomic%Sns
残部Pb)等から形成可能である。
他方、上記光磁気記録層は、膜面に垂直方向に磁化容易
軸を有するものであって、公知の材質、即らTbFe
、GdFe 、GdTbFeCo 、GdC。
軸を有するものであって、公知の材質、即らTbFe
、GdFe 、GdTbFeCo 、GdC。
等の希土類−遷移金属アモルファス合金で構成すること
ができる。 その製膜には、公知のようにスパッタリン
グを採用してよい。
ができる。 その製膜には、公知のようにスパッタリン
グを採用してよい。
また、この光磁気記録層上には、上記反射膜との間に透
明誘電体膜が設けられるが、こうした誘電体としては、
Si3N4をはじめAj!N、5ift、ZnS、 I
TO(Indium Tin 0xide)等が
挙げられる。 この誘電体膜はスパッタリングによって
光磁気記録層上に積層して設けることができるが、光磁
気記録層と基板との間にも設けて光磁気記録層を誘電体
膜でサンドインチした構造としてもよい。 このサンド
インチ構造にすれば、基板として樹脂基板を用いるとき
に生じがちな基板からの酸素の取り込みが膜形成時に生
じ難くなるので、有利であると考えられる。
明誘電体膜が設けられるが、こうした誘電体としては、
Si3N4をはじめAj!N、5ift、ZnS、 I
TO(Indium Tin 0xide)等が
挙げられる。 この誘電体膜はスパッタリングによって
光磁気記録層上に積層して設けることができるが、光磁
気記録層と基板との間にも設けて光磁気記録層を誘電体
膜でサンドインチした構造としてもよい。 このサンド
インチ構造にすれば、基板として樹脂基板を用いるとき
に生じがちな基板からの酸素の取り込みが膜形成時に生
じ難くなるので、有利であると考えられる。
また、基板の構成材料は種々のものが採用“可能である
が、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリメチルメタクリレ−1・の如きプラスチッ
クスがある。 ガラス等、セラミックス等からなる基板
も使用可能である。
が、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリメチルメタクリレ−1・の如きプラスチッ
クスがある。 ガラス等、セラミックス等からなる基板
も使用可能である。
或いは金属基板も使用してもよい。 基板又は基体の形
状はシート、カード、ディスク、ドラムの他、長尺テー
プ状でもよい。
状はシート、カード、ディスク、ドラムの他、長尺テー
プ状でもよい。
第1図は、基板1上に、誘電体11り5と光磁気韻!i
層2と誘電体膜3と反射膜4とが順次積層された、本発
明に基づく光磁気記録媒体の一例を示すものである。
ここで、各層の厚みは、誘′電体膜5がtooo〜20
00人、光磁気記録層2が200〜400人、誘電体膜
3が300〜700人、反射膜4が250〜1000人
であるのがよい。 この反射膜4の存在によって、耐蝕
性の向上に加えてカー回転角の増大、S/Nの向上が得
られる。
層2と誘電体膜3と反射膜4とが順次積層された、本発
明に基づく光磁気記録媒体の一例を示すものである。
ここで、各層の厚みは、誘′電体膜5がtooo〜20
00人、光磁気記録層2が200〜400人、誘電体膜
3が300〜700人、反射膜4が250〜1000人
であるのがよい。 この反射膜4の存在によって、耐蝕
性の向上に加えてカー回転角の増大、S/Nの向上が得
られる。
ホ、実施例
以下、本発明を実施例について更に詳細に説明する。
ス」1匹
透明ポリカーボネートW板上に、膜厚1400人の5i
iNnW電体膜と膜厚250人のCdTbFeC。
iNnW電体膜と膜厚250人のCdTbFeC。
非晶質合金薄膜とがスパッタリングによって順次形成さ
れ、その上に、膜厚500人の3i3N4誘電体膜(保
護1PJ)が窒素雰囲気中での反応性スパッタリングに
よって形成された。 更にその上に、1ooo人のPb
−Cu Bi 系合金膜(99atomic%pb
、B高0.08atomtc%Cu 、 最高0 、0
05a tom ic%Bi)がスパッタリングによっ
て反射膜として形成された。
れ、その上に、膜厚500人の3i3N4誘電体膜(保
護1PJ)が窒素雰囲気中での反応性スパッタリングに
よって形成された。 更にその上に、1ooo人のPb
−Cu Bi 系合金膜(99atomic%pb
、B高0.08atomtc%Cu 、 最高0 、0
05a tom ic%Bi)がスパッタリングによっ
て反射膜として形成された。
ごのようにして作製された光磁気記録媒体を温度60℃
、相対湿度80%の恒温恒湿槽に入れて、耐腐蝕性試験
を行った。
、相対湿度80%の恒温恒湿槽に入れて、耐腐蝕性試験
を行った。
几5け1
実施例において、反射膜としてTi膜を用いた以外は同
様の記録媒体を作成し、これを上記した耐腐蝕性試験に
供した。
様の記録媒体を作成し、これを上記した耐腐蝕性試験に
供した。
以上の結果を第2図に示したが、θk(カー凹転角)に
ついては両者ともそれ程度化がないが、Hc (保磁
力)については反射膜が′riの場合よりも本発明に基
づ<pb系合金の場合の方が変化がずっと少ないことが
分かる。
ついては両者ともそれ程度化がないが、Hc (保磁
力)については反射膜が′riの場合よりも本発明に基
づ<pb系合金の場合の方が変化がずっと少ないことが
分かる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思芯に基づいて更に変形可能である。
思芯に基づいて更に変形可能である。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第1図は光
磁気記録媒体の断面図、 第2図は耐腐蝕試験の結果を比較して示すグラフ である。 なお、図面に示す符号に於いて、 ■−・・・・・・・・・一基板 2−・−・・・・光磁気記録層 3.5−−−−一・−・・−誘電体膜 4−−−−−−−−・−・反射膜 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第2図
磁気記録媒体の断面図、 第2図は耐腐蝕試験の結果を比較して示すグラフ である。 なお、図面に示す符号に於いて、 ■−・・・・・・・・・一基板 2−・−・・・・光磁気記録層 3.5−−−−一・−・・−誘電体膜 4−−−−−−−−・−・反射膜 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第2図
Claims (1)
- 1、金属薄膜からなる光磁気記録層と、反射膜とが積層
されている光磁気記録媒体において、前記反射膜が鉛系
合金によって形成されていることを特徴とする光磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8166586A JPS62239348A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8166586A JPS62239348A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62239348A true JPS62239348A (ja) | 1987-10-20 |
Family
ID=13752625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8166586A Pending JPS62239348A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62239348A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04137237A (ja) * | 1990-03-30 | 1992-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP8166586A patent/JPS62239348A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04137237A (ja) * | 1990-03-30 | 1992-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
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