JP2731202B2 - 情報記録媒体 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、例えばレーザ光の照射によりピットを形成
して情報を書込み、該ピットによるレーザ光の振幅の変
化を通じて該情報の読み出しを行う情報記録媒体に関す
る。
して情報を書込み、該ピットによるレーザ光の振幅の変
化を通じて該情報の読み出しを行う情報記録媒体に関す
る。
（従来の技術） レーザ光の照射により情報が記録され、さらに、記録
された情報の再生がなされる情報記録媒体の一種とし
て、Teを主成分とする記録膜を具備したものが開発され
ている。さらに、このTeを主成分とする記録膜に炭素並
びに水素を含んだ記録膜が開発され、実用化に至ってい
る（特開昭58-9234号公報参照）。
された情報の再生がなされる情報記録媒体の一種とし
て、Teを主成分とする記録膜を具備したものが開発され
ている。さらに、このTeを主成分とする記録膜に炭素並
びに水素を含んだ記録膜が開発され、実用化に至ってい
る（特開昭58-9234号公報参照）。
この記録膜を製造する際には、テルル（Te）を炭化水
素ガスを含む雰囲気中でスパッタする。すると、Te単体
の膜（Te膜）よりも高感度でかつ耐酸化性能にすぐれた
記録膜（以下「Te−Ｃ膜」と称する）が得られる。この
記録膜は、アモルファス膜であり、Te、Ｃ及びＨを含
み、また少なくともＣとＨは化学結合をしていることが
分っている。
素ガスを含む雰囲気中でスパッタする。すると、Te単体
の膜（Te膜）よりも高感度でかつ耐酸化性能にすぐれた
記録膜（以下「Te−Ｃ膜」と称する）が得られる。この
記録膜は、アモルファス膜であり、Te、Ｃ及びＨを含
み、また少なくともＣとＨは化学結合をしていることが
分っている。
この記録膜は、Te膜にならってTeと炭化水素をソース
とする蒸着（プラズマを用いない）で形成しようとして
も形成することができず、プラズマを利用して初めて得
られる。これは、炭化水素ガスがプラズマ中で一旦分解
した後、ＣとＨが化学反応をして成膜されるためであ
り、これが光記録膜形成時の大きな特徴となっている。
とする蒸着（プラズマを用いない）で形成しようとして
も形成することができず、プラズマを利用して初めて得
られる。これは、炭化水素ガスがプラズマ中で一旦分解
した後、ＣとＨが化学反応をして成膜されるためであ
り、これが光記録膜形成時の大きな特徴となっている。
そして特開昭58-9234号公報によれば、Te−Ｃ膜はＣ
とＨの組成比が５〜40at％のときに良好な光学的特性と
耐蝕性を兼ね備えるとある。さらに特公昭63-42594号公
報によれば、Te−Ｃ膜を希ガスと炭化水素ガスとの混合
雰囲気中でスパッタによって形成する時、両者のガス流
量をそれぞれＸ、Ｙとおいた場合に、X/Y＝1/4〜4/1を
満足する条件下で成膜すると良好な光学的特性と耐酸化
性を有すると述べられている。
とＨの組成比が５〜40at％のときに良好な光学的特性と
耐蝕性を兼ね備えるとある。さらに特公昭63-42594号公
報によれば、Te−Ｃ膜を希ガスと炭化水素ガスとの混合
雰囲気中でスパッタによって形成する時、両者のガス流
量をそれぞれＸ、Ｙとおいた場合に、X/Y＝1/4〜4/1を
満足する条件下で成膜すると良好な光学的特性と耐酸化
性を有すると述べられている。
（発明が解決しようとする課題） ところで情報記録媒体を用いて高速で情報の記録を行
う場合には、媒体の回転数を増大させなければならない
が、この場合、レーザ光と記録膜の接触時間が短くなっ
て十分な記録を行うことができなくなることがある。
う場合には、媒体の回転数を増大させなければならない
が、この場合、レーザ光と記録膜の接触時間が短くなっ
て十分な記録を行うことができなくなることがある。
そこで本発明は上記課題を解決するために、回転数を
増大させても、十分な光記録ができる高感度な記録膜を
具備した情報記録媒体を提供することにある。
増大させても、十分な光記録ができる高感度な記録膜を
具備した情報記録媒体を提供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は上記目的を達成するために、基板と、この基
板上に形成され、レーザ光の照射により情報が記録され
る、AgxTe100-x（２≦ｘ≦55原子％）合金並びに炭素及
び水素を含み、かつ前記炭素と水素の原子数％による組
成比が25at％≦Ｃ＋Ｈ≦38at％の記録膜とを具備したこ
とを特徴とする情報記録媒体、並びに基板と、この基板
上に形成され、レーザ光の照射により情報が記録され
る、AgxTe100-x（２≦ｘ≦55原子％）合金並びに炭素及
び水素を含み、かつ前記炭素と水素の原子数％による組
成比が25at％≦Ｃ＋Ｈ≦38at％並びに前記AgとTeの原子
数％による組成比が62at％≦Ag＋Te≦75at％の記録膜と
を具備したことを特徴とする情報記録媒体を提供する。
板上に形成され、レーザ光の照射により情報が記録され
る、AgxTe100-x（２≦ｘ≦55原子％）合金並びに炭素及
び水素を含み、かつ前記炭素と水素の原子数％による組
成比が25at％≦Ｃ＋Ｈ≦38at％の記録膜とを具備したこ
とを特徴とする情報記録媒体、並びに基板と、この基板
上に形成され、レーザ光の照射により情報が記録され
る、AgxTe100-x（２≦ｘ≦55原子％）合金並びに炭素及
び水素を含み、かつ前記炭素と水素の原子数％による組
成比が25at％≦Ｃ＋Ｈ≦38at％並びに前記AgとTeの原子
数％による組成比が62at％≦Ag＋Te≦75at％の記録膜と
を具備したことを特徴とする情報記録媒体を提供する。
（作用） 本発明によれば、Agが添加されることにより従来のTe
−Ｃ膜よりも高感度な記録ができる。さらに記録膜中に
Ag-Te合金、Ｃ及びＨを含むために、Te、Ｃ及びＨだけ
からなるTe−Ｃ膜に比べて、高温高湿度下に放置されて
も酸化されにくくなる。
−Ｃ膜よりも高感度な記録ができる。さらに記録膜中に
Ag-Te合金、Ｃ及びＨを含むために、Te、Ｃ及びＨだけ
からなるTe−Ｃ膜に比べて、高温高湿度下に放置されて
も酸化されにくくなる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の情報記録媒体の構造を概略的に示
した断面図である。本発明の情報記録媒体18は、基板13
及びこの基板13上に積層された記録膜14により構成され
る。
した断面図である。本発明の情報記録媒体18は、基板13
及びこの基板13上に積層された記録膜14により構成され
る。
基板13は、情報の記録及び再生のために情報記録媒体
上に照射されるレーザ光に対して透明な材質のものが用
いられる。例えば、近赤外近傍の発振波長を有するレー
ザ光を用いる場合は、ポリカーボネート（PC）、ポリメ
チルメタクリレート（PMMA）、ガラス、ポリオレフィン
並びにエポキシ樹脂等が用いられる。
上に照射されるレーザ光に対して透明な材質のものが用
いられる。例えば、近赤外近傍の発振波長を有するレー
ザ光を用いる場合は、ポリカーボネート（PC）、ポリメ
チルメタクリレート（PMMA）、ガラス、ポリオレフィン
並びにエポキシ樹脂等が用いられる。
但し、書込み及び再生レーザ光を、基板を透過させな
いで記録膜面側から入射させるときは、基板は不透明で
あってもよい。
いで記録膜面側から入射させるときは、基板は不透明で
あってもよい。
一方、記録膜14は、Ag-Te合金、炭素及び水素を含
み、炭素と水素が化学結合をしたＣ−Ｈマトリクス中に
Ag-Te合金クラスタが分散した構造をしている。
み、炭素と水素が化学結合をしたＣ−Ｈマトリクス中に
Ag-Te合金クラスタが分散した構造をしている。
既に知られているAg-Te二元系の状態図（第２図）に
よれば、金属間化合物としてはAg2Te及びAg3Te2が存在
する。しかし、これらの化合物は、融点がそれぞれ959
℃及び700℃でTe単体のそれ（450℃）よりもはるかに高
いため、記録膜を融解してピットを形成するヒートモー
ド記録方式においてはあまり実用的でない。
よれば、金属間化合物としてはAg2Te及びAg3Te2が存在
する。しかし、これらの化合物は、融点がそれぞれ959
℃及び700℃でTe単体のそれ（450℃）よりもはるかに高
いため、記録膜を融解してピットを形成するヒートモー
ド記録方式においてはあまり実用的でない。
しかし、共晶点を示すAg33Te67及びその近傍の組成比
のものの融点は、Teよりも低い融点（351〜449℃）を有
する。従ってAgの含有割合は２〜55at％がよい。この組
成比ならTeより融点が低いため、Te膜より高感度で記録
できる。またAgを添加すると、ピットの大きさが揃いか
つリム部分が少なくなって記録密度が高まる等の効果を
有することができる。
のものの融点は、Teよりも低い融点（351〜449℃）を有
する。従ってAgの含有割合は２〜55at％がよい。この組
成比ならTeより融点が低いため、Te膜より高感度で記録
できる。またAgを添加すると、ピットの大きさが揃いか
つリム部分が少なくなって記録密度が高まる等の効果を
有することができる。
この記録膜はＸ線回折分析によっても特定の回折角度
からの回折ピークが認められないアモルファス膜であ
る。情報はこの記録膜にピットを形成することによって
記録される。記録膜の厚さは100〜1000Åが好ましい。
膜厚が1000Åを超えるとピットの形成に多大なエネルギ
ーが必要になり、書込み感度が低下する。さらに好まし
くは300Å以下である。これは第３図に示すパルス幅60n
sec、線速5.5m/secの条件下でPC基板越しにレーザを入
射した場合の書込み感度特性からも明らかである。他
方、100Åより薄いと記録膜が不連続になってピンホー
ルが形成される確率が増加するため好ましくない。この
ピンホールは、読み出し時に本来のピットと間違うおそ
れがあるばかりでなく、記録酸化のトリガーともなるの
で、できるだけ少なくしなければならない。
からの回折ピークが認められないアモルファス膜であ
る。情報はこの記録膜にピットを形成することによって
記録される。記録膜の厚さは100〜1000Åが好ましい。
膜厚が1000Åを超えるとピットの形成に多大なエネルギ
ーが必要になり、書込み感度が低下する。さらに好まし
くは300Å以下である。これは第３図に示すパルス幅60n
sec、線速5.5m/secの条件下でPC基板越しにレーザを入
射した場合の書込み感度特性からも明らかである。他
方、100Åより薄いと記録膜が不連続になってピンホー
ルが形成される確率が増加するため好ましくない。この
ピンホールは、読み出し時に本来のピットと間違うおそ
れがあるばかりでなく、記録酸化のトリガーともなるの
で、できるだけ少なくしなければならない。
本発明の記録膜は、例えばAg-Te合金ターゲットを収
容する真空容器中に炭化水素ガスと希ガスの混合ガスを
流しながら、合金ターゲットを放電によってスパッタす
れば得られる。
容する真空容器中に炭化水素ガスと希ガスの混合ガスを
流しながら、合金ターゲットを放電によってスパッタす
れば得られる。
ところで、スパッタは、ターゲットのバッキングプレ
ート下にマグネットを配置したいわゆるマグネトロンス
パッタ方式が好ましい。磁場が形成されて、プラズマ中
の電子をターゲット近傍に閉じ込めることができ、プラ
ズマ中の電子が基板へ入射して温度が上昇するのを防止
できるからである。特にPC、PMMAなどの耐熱性が悪い基
板材料を用いる場合に有効である。またターゲット上の
プラズマが磁場内に閉込められると、ターゲット上のプ
ラズマ重合物が分解してターゲット上に堆積することが
なくなるため、AgTeターゲットがスパッタされやすくな
って成膜速度が安定する。
ート下にマグネットを配置したいわゆるマグネトロンス
パッタ方式が好ましい。磁場が形成されて、プラズマ中
の電子をターゲット近傍に閉じ込めることができ、プラ
ズマ中の電子が基板へ入射して温度が上昇するのを防止
できるからである。特にPC、PMMAなどの耐熱性が悪い基
板材料を用いる場合に有効である。またターゲット上の
プラズマが磁場内に閉込められると、ターゲット上のプ
ラズマ重合物が分解してターゲット上に堆積することが
なくなるため、AgTeターゲットがスパッタされやすくな
って成膜速度が安定する。
実施例１ 第１図に示した情報記録媒体を形成する方法について
説明する。
説明する。
第４図は、本発明の記録膜を形成するスパッタ装置の
概略図である。まず、このスパッタ装置のバルブ２をロ
ータリーポンプ３側に開いてチェンバ１内を0.2Torrま
で排気した。次いでバルブ２をクライオポンプ５側に開
いて１×10-5Torr以下まで排気した。その後バルブ６と
17を開けてチェンバ１内にArとCH4ガスを、Arガスライ
ン７とCH4ガスライン８を通してマスフローコントロー
ラ（図示せず）で調節しながら、それぞれ5SCCMづつ導
入した。炭化水素ガスの流量をＷ、希ガスの流量をした
とき、Ｑ＝W/（Ｗ＋Ｚ）とすると、この場合はＱ＝50％
となる。
概略図である。まず、このスパッタ装置のバルブ２をロ
ータリーポンプ３側に開いてチェンバ１内を0.2Torrま
で排気した。次いでバルブ２をクライオポンプ５側に開
いて１×10-5Torr以下まで排気した。その後バルブ６と
17を開けてチェンバ１内にArとCH4ガスを、Arガスライ
ン７とCH4ガスライン８を通してマスフローコントロー
ラ（図示せず）で調節しながら、それぞれ5SCCMづつ導
入した。炭化水素ガスの流量をＷ、希ガスの流量をした
とき、Ｑ＝W/（Ｗ＋Ｚ）とすると、この場合はＱ＝50％
となる。
次いでコンダクタンスバルブ４を用いてチェンバ１内
の圧力を５×10-3Torrに制御した。圧力変動がないこと
を確認した後、Ag-Te合金（組成はAg33Te67;at％）ター
ゲット９にDCパワーサプライ10から70Wを印加し、スパ
ッタ放電させた。安定に放電していることを確めた後、
シャッタ11を開けて、予め回転数60rpmの回転子12にセ
ットしておいたPC基板13上にAg-Te合金並びに炭素及び
水素を含んだ記録膜14を300Å積層した。次いでシャッ
タ11を閉じ、パワーの供給を停止した。さらにCH4ガス
とArガスの供給も停止した。
の圧力を５×10-3Torrに制御した。圧力変動がないこと
を確認した後、Ag-Te合金（組成はAg33Te67;at％）ター
ゲット９にDCパワーサプライ10から70Wを印加し、スパ
ッタ放電させた。安定に放電していることを確めた後、
シャッタ11を開けて、予め回転数60rpmの回転子12にセ
ットしておいたPC基板13上にAg-Te合金並びに炭素及び
水素を含んだ記録膜14を300Å積層した。次いでシャッ
タ11を閉じ、パワーの供給を停止した。さらにCH4ガス
とArガスの供給も停止した。
次いでコンダクタンスバルブ４を全開し、クライオポ
ンプ５を用いてチェンバ１内を１×10-5Torr以下まで排
気した。次いでバルブ15を開けて、Ｎ2ガスライン16か
らＮ2ガスをチェンバ１内に導入して大気圧に戻した
後、媒体18を取り出すことにより、第１図に示す情報記
録媒体が形成された。
ンプ５を用いてチェンバ１内を１×10-5Torr以下まで排
気した。次いでバルブ15を開けて、Ｎ2ガスライン16か
らＮ2ガスをチェンバ１内に導入して大気圧に戻した
後、媒体18を取り出すことにより、第１図に示す情報記
録媒体が形成された。
Ag-Te合金、Ｃ及びＨからなる記録膜を便宜的に「AgT
e−Ｃ膜」と称する。第５図には、AgTe−Ｃ膜とTe−Ｃ
膜の同一の膜厚における記録感度の差を示した。縦軸に
はC/N（Carrier/Noise）比をとり、横軸には記録レーザ
パワーを取った。記録条件は回転数1800rpm、記録半径
ｒ＝30mm、記録周波数3.7MHz、対物レンズの開口数（N
A）＝0.50の場合の結果である。全体的にAgTe−Ｃ膜の
方が高いC/N値を示しており、高感度な記録ができるこ
とが分る。
e−Ｃ膜」と称する。第５図には、AgTe−Ｃ膜とTe−Ｃ
膜の同一の膜厚における記録感度の差を示した。縦軸に
はC/N（Carrier/Noise）比をとり、横軸には記録レーザ
パワーを取った。記録条件は回転数1800rpm、記録半径
ｒ＝30mm、記録周波数3.7MHz、対物レンズの開口数（N
A）＝0.50の場合の結果である。全体的にAgTe−Ｃ膜の
方が高いC/N値を示しており、高感度な記録ができるこ
とが分る。
これと同じ手順でCH4ガスとArガスの流量を種々調節
して様々なＱ値下で記録膜を製造した。第６図には、こ
れらの記録膜の光記録感度特性を示した。同図中、縦軸
は第７図に示す光記録後の再生反射光の変調振幅比を示
す。また縦軸は書込み時のレーザパワー（波長830nmの
半導体レーザを用いた）である。パルス幅は80nsecとし
た。
して様々なＱ値下で記録膜を製造した。第６図には、こ
れらの記録膜の光記録感度特性を示した。同図中、縦軸
は第７図に示す光記録後の再生反射光の変調振幅比を示
す。また縦軸は書込み時のレーザパワー（波長830nmの
半導体レーザを用いた）である。パルス幅は80nsecとし
た。
これをみると、Ｑ＝20％下で成膜した光記録膜が最も
高い書込み感度を示している。続いてＱ＝40％、80％の
順で感度は低下し、Ｑ＝100％、即ちCH4ガスのみでスパ
ッタして得た場合は一段と感度が低くなっている。また
Ｑ＝０、即ちAgTeだけからなる膜の場合も、感度が低
い。
高い書込み感度を示している。続いてＱ＝40％、80％の
順で感度は低下し、Ｑ＝100％、即ちCH4ガスのみでスパ
ッタして得た場合は一段と感度が低くなっている。また
Ｑ＝０、即ちAgTeだけからなる膜の場合も、感度が低
い。
第８図は、種々のＱ値下で成膜した光記録膜の高温高
湿状態（60℃−90％）での反射率の変化を示した。反射
率は成膜直後のそれを１として規格化してある。反射率
の低下は記録膜の耐酸化性のパラメータとなる同図によ
れば、Ｑ＝０のAg-Te合金だけからなる膜が最も耐酸化
性が悪い。Ｑ値が20、40及び80％と上昇するにつれて反
射率の低下は改善され、Ｑ＝100％のときは、10,000時
間経過しても反射率はほとんど低下しない。
湿状態（60℃−90％）での反射率の変化を示した。反射
率は成膜直後のそれを１として規格化してある。反射率
の低下は記録膜の耐酸化性のパラメータとなる同図によ
れば、Ｑ＝０のAg-Te合金だけからなる膜が最も耐酸化
性が悪い。Ｑ値が20、40及び80％と上昇するにつれて反
射率の低下は改善され、Ｑ＝100％のときは、10,000時
間経過しても反射率はほとんど低下しない。
第９図は各Ｑ値下で成膜した記録膜の可能な最大再生
レーザパワー値を示している。再生レーザパワー値はＱ
＝０の記録膜のものを１として規格化してある。これを
みると、Ｑ＝50％を超えるとほぼ一定となっている。他
方Ｑ＝０〜50％の場合は高い再生パワーも使用できる。
即ち再生レーザパワーのマージンを広くとることがで
き、再生レーザ光のパワー調節が容易になる。
レーザパワー値を示している。再生レーザパワー値はＱ
＝０の記録膜のものを１として規格化してある。これを
みると、Ｑ＝50％を超えるとほぼ一定となっている。他
方Ｑ＝０〜50％の場合は高い再生パワーも使用できる。
即ち再生レーザパワーのマージンを広くとることがで
き、再生レーザ光のパワー調節が容易になる。
第６図、第８図及び第９図の種々の特性を総合する
と、Ｑ＝40〜80％下で成膜した光記録膜が感度、耐酸化
性及びレーザパワーマージンの点から優れているといえ
る。
と、Ｑ＝40〜80％下で成膜した光記録膜が感度、耐酸化
性及びレーザパワーマージンの点から優れているといえ
る。
第10図は、各Ｑ値下で成膜した記録膜の組成分析値で
ある。Ｑ＝40〜80％に対応する組成は、25at％≦Ｃ＋Ｈ
≦38at％であることが分る。他方AgとTeの組成を分析し
たところ、丁度ＣとＨの組成比を100％から差し引いた
値、即ち62at％≦Ag＋Te≦75at％であることが分った。
本実施例においては、Ｃ及びＨは元素分析、AgとTeは原
子吸光分析にかけた。
ある。Ｑ＝40〜80％に対応する組成は、25at％≦Ｃ＋Ｈ
≦38at％であることが分る。他方AgとTeの組成を分析し
たところ、丁度ＣとＨの組成比を100％から差し引いた
値、即ち62at％≦Ag＋Te≦75at％であることが分った。
本実施例においては、Ｃ及びＨは元素分析、AgとTeは原
子吸光分析にかけた。
またＱ＝40〜80％に対応するH/C値は、1.00≦H/C≦1.
35であることが分る。
35であることが分る。
従って組成分析の結果、上述の組成が得られるなら
ば、その記録膜は、1000時間を越す加速テストによらな
くても耐酸化性に優れていることが分る。さらに記録感
度がよく、レーザパワーマージンが広いことも半日程度
の短時間で容易に判別できる。
ば、その記録膜は、1000時間を越す加速テストによらな
くても耐酸化性に優れていることが分る。さらに記録感
度がよく、レーザパワーマージンが広いことも半日程度
の短時間で容易に判別できる。
実施例２ 希ガスと炭化水素ガスまたは炭化水素ガス中でAg-Te
合金ターゲットをスパッタすると、記録膜中のAg-Te合
金の組成がAg-Te合金ターゲットの組成と等しくなくな
り、記録膜中でAgが少なくなることがある。そこで第４
図に示した装置を用い、Ag-Te合金ターゲットの組成を
変えた他は実施例１と同様な条件下で成膜し、Ag-Te合
金ターゲットの組成と記録膜中のAg-Te合金の組成の関
係をICP（誘導結合型プラズマ発光分光分析）法によっ
て調べてみた。その検出結果を第11図に示す。同図か
ら、記録膜Ag-Te合金の組成は、ターゲットのそれより
も10％ほどAgが少なくなる傾向があることが分る。従っ
て共晶点（Ag33Te67）の組成の記録膜を得る場合には、
Ag45Te55程度の組成のターゲットを用いるのが望まし
い。
合金ターゲットをスパッタすると、記録膜中のAg-Te合
金の組成がAg-Te合金ターゲットの組成と等しくなくな
り、記録膜中でAgが少なくなることがある。そこで第４
図に示した装置を用い、Ag-Te合金ターゲットの組成を
変えた他は実施例１と同様な条件下で成膜し、Ag-Te合
金ターゲットの組成と記録膜中のAg-Te合金の組成の関
係をICP（誘導結合型プラズマ発光分光分析）法によっ
て調べてみた。その検出結果を第11図に示す。同図か
ら、記録膜Ag-Te合金の組成は、ターゲットのそれより
も10％ほどAgが少なくなる傾向があることが分る。従っ
て共晶点（Ag33Te67）の組成の記録膜を得る場合には、
Ag45Te55程度の組成のターゲットを用いるのが望まし
い。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、耐酸化性及び記
録感度の優れた記録膜を具備した情報記録媒体を提供す
ることができる。
録感度の優れた記録膜を具備した情報記録媒体を提供す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の断面
図、第２図はAg-Te状態図、第３図はAgTe−Ｃ膜の膜厚
と記録感度の関係を示す図、第４図は本発明の一実施例
に係る光記録膜形成装置、第５図はTe−Ｃ膜とAgTe−Ｃ
膜の記録感度を示す図、第６図は種々のＱ値下で成膜し
た記録膜の光記録感度を示す図、第７図は再生反射光の
変調振幅を示す図、第８図は種々のＱ値下で成膜した記
録膜の反射率の変化を示す図、第９図は種々のＱ値下で
成膜した記録膜の最大再生レーザパワー値を示す図、第
10図は種々のＱ値下で成膜した記録膜の組成比を示す
図、及び第11図はAg-Te合金ターゲットのAgの組成と記
録膜中のAgの組成の関係を示す図である。 １……チェンバ、９……Ag-Te合金ターゲット、13……P
C基板、14……AgTe−Ｃ膜。
図、第２図はAg-Te状態図、第３図はAgTe−Ｃ膜の膜厚
と記録感度の関係を示す図、第４図は本発明の一実施例
に係る光記録膜形成装置、第５図はTe−Ｃ膜とAgTe−Ｃ
膜の記録感度を示す図、第６図は種々のＱ値下で成膜し
た記録膜の光記録感度を示す図、第７図は再生反射光の
変調振幅を示す図、第８図は種々のＱ値下で成膜した記
録膜の反射率の変化を示す図、第９図は種々のＱ値下で
成膜した記録膜の最大再生レーザパワー値を示す図、第
10図は種々のＱ値下で成膜した記録膜の組成比を示す
図、及び第11図はAg-Te合金ターゲットのAgの組成と記
録膜中のAgの組成の関係を示す図である。 １……チェンバ、９……Ag-Te合金ターゲット、13……P
C基板、14……AgTe−Ｃ膜。
フロントページの続き (72)発明者 東野 宏行 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会 社東芝柳町工場内 (56)参考文献 特開 平１−249489（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−112984（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−121889（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−145385（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−169293（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−169294（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】基板と、 この基板上に形成され、レーザ光の照射により情報が記
録される、AgxTe100-x（２≦ｘ≦55原子％）合金並びに
炭素及び水素を含み、かつ前記炭素と水素の原子数％に
よる組成比が25at％≦Ｃ＋Ｈ≦38at％の記録膜と、 を具備したことを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項２】基板と、 この基板上に形成され、レーザ光の照射により情報が記
録される、AgxTe100-x（２≦ｘ≦55原子％）合金並びに
炭素及び水素を含み、かつ前記炭素と水素の原子数％に
よる組成比が25at％≦Ｃ＋Ｈ≦38at％並びに前記AgとTe
の原子数％による組成比が62at％≦Ag＋Te≦75at％の記
録膜と、 を具備したことを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324930A JP2731202B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 情報記録媒体 |
| EP19890121847 EP0371428A3 (en) | 1988-11-29 | 1989-11-27 | Information storage medium |
| US07/442,713 US5013635A (en) | 1988-11-29 | 1989-11-29 | Information storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324930A JP2731202B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02169295A JPH02169295A (ja) | 1990-06-29 |
| JP2731202B2 true JP2731202B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=18171200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63324930A Expired - Fee Related JP2731202B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-12-23 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2731202B2 (ja) |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63324930A patent/JP2731202B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02169295A (ja) | 1990-06-29 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |