JPH02147392A - 情報記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、例えばレーザ光の照射により情報の記録及び
再生が行われる情報記録媒体に関する。
再生が行われる情報記録媒体に関する。
（従来の技術）
レーザ光の照射により情報が記録され、さらに、記録さ
れた情報の再生がなされる情報記録媒体の一種として、
Ｔｅを主成分とする記録膜を具備したものが開発されて
いる。さらに、このＴｅを主成分とする記録膜に炭素並
びに水素を含んだ記録膜が開発され、実用化に至ってい
る（特開昭５８−９２３４号公報参照）。
れた情報の再生がなされる情報記録媒体の一種として、
Ｔｅを主成分とする記録膜を具備したものが開発されて
いる。さらに、このＴｅを主成分とする記録膜に炭素並
びに水素を含んだ記録膜が開発され、実用化に至ってい
る（特開昭５８−９２３４号公報参照）。
この記録膜を作成する際には、Ｔｅを炭化水素ガスを含
む雰囲気中でスパッタする。すると、Ｔｅ単体の膜（Ｔ
ｅ膜）よりも高感度でかつ耐酸化性能に優れた記録膜（
以下Ｔｅ−Ｃ膜と称す）が得られる。この記録膜は、非
晶質膜であり、Ｔｅ。
む雰囲気中でスパッタする。すると、Ｔｅ単体の膜（Ｔ
ｅ膜）よりも高感度でかつ耐酸化性能に優れた記録膜（
以下Ｔｅ−Ｃ膜と称す）が得られる。この記録膜は、非
晶質膜であり、Ｔｅ。
Ｃ及びＨを含み、また少なくともＣとＨは化学結合をし
ていることが分っている。
ていることが分っている。
この記録膜は、Ｔｅ膜にならってＴｅと炭化水素をソー
スとする蒸着（プラズマを用いない）では形成すること
ができず、プラズマを利用して初めて得ることができる
。これは、炭化水素ガスがプラズマ中で一旦分解した後
、ＣとＨが化学反応をして成膜されるためであり、これ
が光記録膜形成時の大きな特徴となっている。
スとする蒸着（プラズマを用いない）では形成すること
ができず、プラズマを利用して初めて得ることができる
。これは、炭化水素ガスがプラズマ中で一旦分解した後
、ＣとＨが化学反応をして成膜されるためであり、これ
が光記録膜形成時の大きな特徴となっている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、Ｔｅ−Ｃ膜は、記録閾値を越えた書込みレーザ
パワーにおいてはピットが大きく開きまた形状が不揃い
となるため、Ｃ／ Ｎ （Ｃａｒｒ１ｅｒ／Ｎｏ１ｓｅ
）比が急激に低下するという問題点が有った。
パワーにおいてはピットが大きく開きまた形状が不揃い
となるため、Ｃ／ Ｎ （Ｃａｒｒ１ｅｒ／Ｎｏ１ｓｅ
）比が急激に低下するという問題点が有った。
本発明は、上記問題点を解決するために、高いＣ／Ｎ比
が得られる情報記録媒体を提供することを目的とする。
が得られる情報記録媒体を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するために、基板と、この基板
上に形成され、レーザ光の照射により情報が記録される
、Ｃｕ ｘ Ｔｅ ｔｏｏ−Ｘ （２≦ｘ≦４０原子
％）合金並びに炭素、窒素、フッ素及び水素を含む記録
膜とを具備した情報記録媒体を提供するものである。
上に形成され、レーザ光の照射により情報が記録される
、Ｃｕ ｘ Ｔｅ ｔｏｏ−Ｘ （２≦ｘ≦４０原子
％）合金並びに炭素、窒素、フッ素及び水素を含む記録
膜とを具備した情報記録媒体を提供するものである。
（作用）
本発明の情報記録媒体においては、記録膜を炭化水素雰
囲気中でスパッタするため、耐酸化性に優れたものとな
る。また、Ｃ−Ｈマトリクス中のレーザ光吸収物質をＴ
ｅからＣｕ Ｔｅとしたため、融点が４５０℃から３５
０℃に低下し、低パワーでも高感度な記録が可能になる
。さらに、本発明の情報記録媒体は、ピットの口径が小
さく且つ均一に揃うため、高いＣ／Ｎ比が得ることがで
きる。
囲気中でスパッタするため、耐酸化性に優れたものとな
る。また、Ｃ−Ｈマトリクス中のレーザ光吸収物質をＴ
ｅからＣｕ Ｔｅとしたため、融点が４５０℃から３５
０℃に低下し、低パワーでも高感度な記録が可能になる
。さらに、本発明の情報記録媒体は、ピットの口径が小
さく且つ均一に揃うため、高いＣ／Ｎ比が得ることがで
きる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の情報記録媒体１８の構造を概略的に
示した断面図である。本発明の情報記録媒体１８は、基
板１３及びこの基板１３上に積層された記録膜１４によ
り構成されるものである。
示した断面図である。本発明の情報記録媒体１８は、基
板１３及びこの基板１３上に積層された記録膜１４によ
り構成されるものである。
基板１３は、情報の記録及び再生のために情報記録媒体
上に照射されるレーザ光に対して透明な材質のものが用
いられる。例えば、近赤外近傍の発振波長を有するレー
ザ光を用いる場合は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ
メチルメタクリレート（ＰＭＭＡ） 、ガラス、ポリオ
レフィン並びにエポキシ樹脂等が用いられる。
上に照射されるレーザ光に対して透明な材質のものが用
いられる。例えば、近赤外近傍の発振波長を有するレー
ザ光を用いる場合は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ
メチルメタクリレート（ＰＭＭＡ） 、ガラス、ポリオ
レフィン並びにエポキシ樹脂等が用いられる。
また、記録膜１４は、Ｃｕ−Ｔｅ合金に炭素、窒素、フ
ッ素及び水素を含ませているものである。
ッ素及び水素を含ませているものである。
本発明におけるＣｕ−Ｔｅ合金の組成比について説明す
る。
る。
この記録膜１４におけるＣｕ−Ｔｅ合金の組成比につい
て説明する。
て説明する。
既に知られているＣｕ−Ｔｅ二元系の状態図によれば、
金属間化合物として、Ｃｕ２Ｔｅ、Ｃｕ、Ｔｅ３及びＣ
ｕ Ｔｅが存在することがわかっている。しかしながら
、これらの化合物は、融点が各々１１２５℃、８００℃
及び６００℃であり、Ｔｅ担体の融点（４５０℃）より
も遥かに高い。
金属間化合物として、Ｃｕ２Ｔｅ、Ｃｕ、Ｔｅ３及びＣ
ｕ Ｔｅが存在することがわかっている。しかしながら
、これらの化合物は、融点が各々１１２５℃、８００℃
及び６００℃であり、Ｔｅ担体の融点（４５０℃）より
も遥かに高い。
そのため、記録膜を融解してピットを形成するヒートモ
ード記録方式においてはあまり実用的でない。
ード記録方式においてはあまり実用的でない。
しかし、共晶点を示すＣｕ ２７Ｔ ｅ ｔｓの融点は
、約３３０℃となり、Ｔｅよりも低い温度で融解する。
、約３３０℃となり、Ｔｅよりも低い温度で融解する。
従って、Ｃｕの含有割合は２原子％〜４０原子％がよい
。この組成比ならＴｅより融点が低いため、Ｔｅ膜より
高感度で記録できる。
。この組成比ならＴｅより融点が低いため、Ｔｅ膜より
高感度で記録できる。
また、この記録膜１４の厚さは、１０００オングストロ
ーム以上であると書込み感度が低下する。
ーム以上であると書込み感度が低下する。
そのため、１０００オングストローム以下が好ましいが
、５００オングストローム以下、さらに好ましくは１０
０〜３００オングストロームがよい。
、５００オングストローム以下、さらに好ましくは１０
０〜３００オングストロームがよい。
これは、例えば第２図に示すように、パルス幅６０１ｓ
ｔ３８．線速度５．５ｍ／ｓｅｅの条件下でＰＣ基板越
しにレーザを入射した場合の書込み感度特性からも明ら
かである。また、１００オングストローム以下になると
、記録膜が不連続になってピンホールが形成される確率
が増加するため好ましくない。このピンホールは、ヒー
トモード記録の場合は、読出し時に本来のピットと間違
う恐れがある。さらに、記録膜酸化のトリガーともなる
。
ｔ３８．線速度５．５ｍ／ｓｅｅの条件下でＰＣ基板越
しにレーザを入射した場合の書込み感度特性からも明ら
かである。また、１００オングストローム以下になると
、記録膜が不連続になってピンホールが形成される確率
が増加するため好ましくない。このピンホールは、ヒー
トモード記録の場合は、読出し時に本来のピットと間違
う恐れがある。さらに、記録膜酸化のトリガーともなる
。
次に、第１図に示した情報記録媒体１８における再生レ
ーザパワーの許容度（記録膜に変質を起こすことなく再
生できるパワーレベル）について説明する。ピットに記
録した情報を読み出す再生レーザ光は、通常連続発振さ
せる。この状態において良好なＳ／Ｎ比で情報を読み出
すためには、再生レーザパワーも大きくする必要がある
が、ある閾値を越えるとピット（情報）を破壊し、再生
反射光のレベルが低下することがある。そこで線速５５
ｍ／ｓｅｅのトラックに連続的にホールドし、再生レー
ザパワーを変化させて反射光レベルの変化をシンクロス
コープで観察した。その観察結果を第３図に示す。
ーザパワーの許容度（記録膜に変質を起こすことなく再
生できるパワーレベル）について説明する。ピットに記
録した情報を読み出す再生レーザ光は、通常連続発振さ
せる。この状態において良好なＳ／Ｎ比で情報を読み出
すためには、再生レーザパワーも大きくする必要がある
が、ある閾値を越えるとピット（情報）を破壊し、再生
反射光のレベルが低下することがある。そこで線速５５
ｍ／ｓｅｅのトラックに連続的にホールドし、再生レー
ザパワーを変化させて反射光レベルの変化をシンクロス
コープで観察した。その観察結果を第３図に示す。
この観察結果によれば、どの膜厚の記録膜においても、
０．６又は０．８ｍＷのレーザパワーならば、３時間は
反射光のレベルが変化がなかった。
０．６又は０．８ｍＷのレーザパワーならば、３時間は
反射光のレベルが変化がなかった。
しかしながら、パワーを１ｍＷにすると数時間で反射光
のレベルが低下した。この場合、膜厚の薄い方が低下の
程度が大きかった。反射光のレベルは、再生直後のもの
を１として規格化したものである。
のレベルが低下した。この場合、膜厚の薄い方が低下の
程度が大きかった。反射光のレベルは、再生直後のもの
を１として規格化したものである。
現在標準化が進みつつある追記型記録膜の再生許容パワ
ーは、回転数１８０ Ｏｒｐｍで線速５．５Ｉｌ／ｓｅ
ｃの場合には、最大で０．５ｍＷと決められている。許
容最大再生レーザパワーＰｍａｘ （■Ｗ）は、Ｐｍ
ａｘ−０，２＋０．０５５Ｖで与えられる。ここでＶは
記録媒体の線速度（■／５ｅｅ）である。またｐ ｗａ
ｘで１０ サイクル連続的に再生しても反射光レベルに
変化がないことが要求されているが、これは回転数Ｌ８
００ ｒｐｍ ・線速５５ｍ／ｓｅｅの場合は少なくと
も１時間変化してはならないということである。従って
、本発明の情報記録媒体においては、該条件下で０．８
ｍＷのパワーでも３時間まで変化が起こらないために、
十分にその要求を満たすことになる。
ーは、回転数１８０ Ｏｒｐｍで線速５．５Ｉｌ／ｓｅ
ｃの場合には、最大で０．５ｍＷと決められている。許
容最大再生レーザパワーＰｍａｘ （■Ｗ）は、Ｐｍ
ａｘ−０，２＋０．０５５Ｖで与えられる。ここでＶは
記録媒体の線速度（■／５ｅｅ）である。またｐ ｗａ
ｘで１０ サイクル連続的に再生しても反射光レベルに
変化がないことが要求されているが、これは回転数Ｌ８
００ ｒｐｍ ・線速５５ｍ／ｓｅｅの場合は少なくと
も１時間変化してはならないということである。従って
、本発明の情報記録媒体においては、該条件下で０．８
ｍＷのパワーでも３時間まで変化が起こらないために、
十分にその要求を満たすことになる。
実施例１
第１図に示した情報記録媒体１８を形成する方法につい
て説明する。
て説明する。
第４図は、本発明の記録膜を形成するスパッタ装置の概
略図である。まず、このスパッタ装置のバルブ２をロー
タリーポンプ３側に開いてチェンバ１内を０．２Ｔｏｒ
ｒまで排気した。次いでバルブ２をクライオポンプ５側
に開いてＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下まで排気した。
略図である。まず、このスパッタ装置のバルブ２をロー
タリーポンプ３側に開いてチェンバ１内を０．２Ｔｏｒ
ｒまで排気した。次いでバルブ２をクライオポンプ５側
に開いてＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下まで排気した。
この時、排気量は制御する必要がないので、コンダクタ
ンスバルブ４は全開しておいた。
ンスバルブ４は全開しておいた。
次にバルブ６を開けて、Ａｒガスライン７からＡｒガス
をマスフローコントローラ（図示せず）で調節しながら
、チェンバ１内に１１０５ＣＣ導入した。次いでチェン
バ１内の圧力をイオンゲージ（図示せず）でモニターし
ながら、コンダクタンスバルブ４で５ Ｘ １０−’Ｔ
ｏｒｒに調整した。この圧力が変動しないことを確認し
てから、Ｃｕ −Ｔｅ合金ターゲット９（直径５インチ
：組成はＣｕ ２？Ｔ ｅ ７３ ；原子％）にＤＣパ
ワーサプライ１０から１００Ｗを印加し、シャッタ１１
を閉じたままスパッタ放電を５分間行なってスパッタク
リーニングをした。
をマスフローコントローラ（図示せず）で調節しながら
、チェンバ１内に１１０５ＣＣ導入した。次いでチェン
バ１内の圧力をイオンゲージ（図示せず）でモニターし
ながら、コンダクタンスバルブ４で５ Ｘ １０−’Ｔ
ｏｒｒに調整した。この圧力が変動しないことを確認し
てから、Ｃｕ −Ｔｅ合金ターゲット９（直径５インチ
：組成はＣｕ ２？Ｔ ｅ ７３ ；原子％）にＤＣパ
ワーサプライ１０から１００Ｗを印加し、シャッタ１１
を閉じたままスパッタ放電を５分間行なってスパッタク
リーニングをした。
Ａｒガスの供給とＤＣパワーの供給を停止した後、クラ
イオポンプ５を用いてチェンバ１内を一旦Ｉ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒ以下に排気した。その後バルブ６と１７と
２５を開けてチェンバ１内にＡｒガスとＣＨ４ガスとＮ
Ｆ、ガスを、Ａｒガスライン７とＣＨ４ガスライン８と
ＮＦ、ガスライン２６を通してマスフローコントローラ
（図示せず）で調節しながら、それぞれ１０．１０及び
５ＳＣＣＭ導入した。次いでコンダクタンスバルブ４を
用いてチェンバ１内の圧力を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ
に制御した。圧力変動がないことを確認した後、ＣｕＴ
ｅターゲット９にＤＣパワーサプライ１０から１００Ｗ
を印加し、スパッタ放電させた。安定に放電しているこ
とを確かめた後、シャッタ１１を開けて、予め回転子１
２にセットしておいたポリカーボネート（Ｐ Ｃ）基板
１３上にＡｕ Ｔｅ合金並びに炭素及び水素を含んだ記
録膜１４を積層した。回転子は６０ ｒｐｍで回転させ
た。膜厚が２５０オングストロームになったところで、
シャッタを閉じ、パワーの供給を停止した。次いでコン
ダクタンスバルブ４を全開し、クライオポンプ５を用い
てチェンバ１内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下まで排
気した。次いでバルブ１５を開けて、Ｎ２ガスライン１
６からＮ２ガスをチェンバ１内に導入して大気圧に戻し
た後、媒体１８を取出すことにより、第１図に示す情報
記録媒体１８を形成することができた。
イオポンプ５を用いてチェンバ１内を一旦Ｉ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒ以下に排気した。その後バルブ６と１７と
２５を開けてチェンバ１内にＡｒガスとＣＨ４ガスとＮ
Ｆ、ガスを、Ａｒガスライン７とＣＨ４ガスライン８と
ＮＦ、ガスライン２６を通してマスフローコントローラ
（図示せず）で調節しながら、それぞれ１０．１０及び
５ＳＣＣＭ導入した。次いでコンダクタンスバルブ４を
用いてチェンバ１内の圧力を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ
に制御した。圧力変動がないことを確認した後、ＣｕＴ
ｅターゲット９にＤＣパワーサプライ１０から１００Ｗ
を印加し、スパッタ放電させた。安定に放電しているこ
とを確かめた後、シャッタ１１を開けて、予め回転子１
２にセットしておいたポリカーボネート（Ｐ Ｃ）基板
１３上にＡｕ Ｔｅ合金並びに炭素及び水素を含んだ記
録膜１４を積層した。回転子は６０ ｒｐｍで回転させ
た。膜厚が２５０オングストロームになったところで、
シャッタを閉じ、パワーの供給を停止した。次いでコン
ダクタンスバルブ４を全開し、クライオポンプ５を用い
てチェンバ１内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下まで排
気した。次いでバルブ１５を開けて、Ｎ２ガスライン１
６からＮ２ガスをチェンバ１内に導入して大気圧に戻し
た後、媒体１８を取出すことにより、第１図に示す情報
記録媒体１８を形成することができた。
このようにして形成された情報記録媒体１８においては
、Ｘ線回折分析の結果、特定の回折角度からの回折ピー
クが認められない非晶質膜であることが確認された。非
晶質膜は、多結晶膜と違って結晶粒界がないため、再生
レーザ光が粒界部分で変調されて粒界ノイズを生ずるこ
とがない。
、Ｘ線回折分析の結果、特定の回折角度からの回折ピー
クが認められない非晶質膜であることが確認された。非
晶質膜は、多結晶膜と違って結晶粒界がないため、再生
レーザ光が粒界部分で変調されて粒界ノイズを生ずるこ
とがない。
実施例２
実施例１に示した方法により製造された情報記録媒体１
８において、耐酸化性の指標となる酸化による表面のザ
ラツキの結果起こる読出しエラーの比率（エラーレート
）を分析した。７５℃−９０％の加速条件下に、実施例
１に示したのと同じ膜厚のＴｅ膜及びＴｅ−Ｃ膜、並び
に本発明の記録膜１４を含有する情報記録媒体を一定時
間放置した後、書込みを行ないエラーレートを測定した
。その結果を第５図に示す。エラーレートは、加速条件
下に置く前の値を１として規格化した。
８において、耐酸化性の指標となる酸化による表面のザ
ラツキの結果起こる読出しエラーの比率（エラーレート
）を分析した。７５℃−９０％の加速条件下に、実施例
１に示したのと同じ膜厚のＴｅ膜及びＴｅ−Ｃ膜、並び
に本発明の記録膜１４を含有する情報記録媒体を一定時
間放置した後、書込みを行ないエラーレートを測定した
。その結果を第５図に示す。エラーレートは、加速条件
下に置く前の値を１として規格化した。
この図によれば、Ｔｅ膜はわずか数日でエラーレートが
増加している。Ｔｅ−Ｃ膜も１００時間以後は徐々に増
加している。一方、本発明の記録膜１４は、１０００時
間放置してもほとんど変化がなかった。従って、高温高
湿下でも耐酸化性が良好で、長寿命であることが分る。
増加している。Ｔｅ−Ｃ膜も１００時間以後は徐々に増
加している。一方、本発明の記録膜１４は、１０００時
間放置してもほとんど変化がなかった。従って、高温高
湿下でも耐酸化性が良好で、長寿命であることが分る。
尚、この記録膜１４は、この測定後にＸ線回折分析をし
た時も非晶質膜であった。
た時も非晶質膜であった。
第６図は、パルス幅５０ ｎ５ｅｅｓ書込み周波数３７
ＭＨｚ、波長８３０ ｎｓのＧａ Ａｓ系半導体レーザ
を用い、対物レンズの開口数（ＮＡ）０．５２、線速５
．５ｍ／ｓｅｅの条件下でのＣ／Ｎ（Ｃａｒｒｉｅｒ／
Ｎ ｏｉｓｅ）比の大きさを示している。この結果か
ら、本発明の記録膜は、従来の記録膜よりもさらに高感
度になっていることが分る。
ＭＨｚ、波長８３０ ｎｓのＧａ Ａｓ系半導体レーザ
を用い、対物レンズの開口数（ＮＡ）０．５２、線速５
．５ｍ／ｓｅｅの条件下でのＣ／Ｎ（Ｃａｒｒｉｅｒ／
Ｎ ｏｉｓｅ）比の大きさを示している。この結果か
ら、本発明の記録膜は、従来の記録膜よりもさらに高感
度になっていることが分る。
実施例３
第４図に示した装置において、ＣＨ４ガスの代わりにベ
ンゼンガスを用い、ＮＦ、ガスを用いない他は、実施例
１に示したものと全く同一の手順を踏んで成膜したとこ
ろ、第７図に示すように、基板１１３上にＣｕ ２ｔＴ
ｅ ７３合金とＣとＨを含む記録膜１１４を２５０オン
グストロ一ム積層した情報記録媒体１１８が得ることが
できた。
ンゼンガスを用い、ＮＦ、ガスを用いない他は、実施例
１に示したものと全く同一の手順を踏んで成膜したとこ
ろ、第７図に示すように、基板１１３上にＣｕ ２ｔＴ
ｅ ７３合金とＣとＨを含む記録膜１１４を２５０オン
グストロ一ム積層した情報記録媒体１１８が得ることが
できた。
この記録膜の書込み感度特性、再生レーザパワーの許容
度、エラーレート及びＣ／Ｎ比を各々第２、第３、第５
及び第６図と同一の条件下で調べたところ、第８、第９
、第１０及び第１１図に示しものと同様の結果が得られ
た。
度、エラーレート及びＣ／Ｎ比を各々第２、第３、第５
及び第６図と同一の条件下で調べたところ、第８、第９
、第１０及び第１１図に示しものと同様の結果が得られ
た。
従って、Ｃｕ Ｔｅ合金をベンゼン環を有する炭化水素
ガスを含む雰囲気下でスパッタしても、良好な記録特性
を有する記録膜が得られることが分る。
ガスを含む雰囲気下でスパッタしても、良好な記録特性
を有する記録膜が得られることが分る。
尚、本実施例においては、炭化水素ガス（メタン）とＮ
Ｆ、ガスと希ガス（アルゴン）の混合雰囲気下でＣｕ
Ｔｅターゲットをスパッタ放電したが、希ガスを含まな
い雰囲気下で放電させてもよい。
Ｆ、ガスと希ガス（アルゴン）の混合雰囲気下でＣｕ
Ｔｅターゲットをスパッタ放電したが、希ガスを含まな
い雰囲気下で放電させてもよい。
さらに本実施例においては、透明な有機樹脂基板を用い
たが、書込み及び再生レーザ光を、基板を透過させない
で記録膜面倒から入射させるときは、基板は不透明であ
ってもよい。
たが、書込み及び再生レーザ光を、基板を透過させない
で記録膜面倒から入射させるときは、基板は不透明であ
ってもよい。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、高温高湿の環境下
でも優れた耐酸化性を示し、長寿命、高感度の記録膜を
有する情報記録媒体を提供できる。
でも優れた耐酸化性を示し、長寿命、高感度の記録膜を
有する情報記録媒体を提供できる。
第１図は本発明の一実施例の情報記録媒体の断面図、第
２図は記録膜の膜厚と書込み感度の関係を示す図、第３
図は再生時間と反射レベルの変化を示す図、第４図は第
１図に示す情報記録媒体を製造するためのスパッタ装置
を示す図、第５図は加速条件を経た記録膜のエラーレー
トを示す図、第６図は記録膜の記録感度を示す図、第７
図は本発明の他の実施例に係る情報記録媒体の断面図、
第８図は本発明の他の実施例に係る記録膜の膜厚と書込
み感度の関係を示す図、第９図は再生時間と反射レベル
の変化を示す図、第１０図は加速条件を経た記録膜のエ
ラーレートを示す図、第１１図は従来の記録膜と本発明
の他の実施例に係る記録膜の記録感度を示す図である。 １３、 １１３ ・・・ 基板 １４、 １１４ ・・・ 記録膜１８、 １１
８ ・・・ 情報記録媒体第 図 第 因 弔 図 第 図 ｎｏ ３ 時 間 第 図 ｆ込みレーサ゛パワー
２図は記録膜の膜厚と書込み感度の関係を示す図、第３
図は再生時間と反射レベルの変化を示す図、第４図は第
１図に示す情報記録媒体を製造するためのスパッタ装置
を示す図、第５図は加速条件を経た記録膜のエラーレー
トを示す図、第６図は記録膜の記録感度を示す図、第７
図は本発明の他の実施例に係る情報記録媒体の断面図、
第８図は本発明の他の実施例に係る記録膜の膜厚と書込
み感度の関係を示す図、第９図は再生時間と反射レベル
の変化を示す図、第１０図は加速条件を経た記録膜のエ
ラーレートを示す図、第１１図は従来の記録膜と本発明
の他の実施例に係る記録膜の記録感度を示す図である。 １３、 １１３ ・・・ 基板 １４、 １１４ ・・・ 記録膜１８、 １１
８ ・・・ 情報記録媒体第 図 第 因 弔 図 第 図 ｎｏ ３ 時 間 第 図 ｆ込みレーサ゛パワー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板と、 この基板上に形成され、レーザ光の照射により情報が記
録される、Ｃｕ＿ｘＴｅ＿１＿０＿０＿−＿ｘ（２≦ｘ
≦４０原子％）合金並びに炭素、窒素、フッ素及び水素
を含む記録膜と、 を具備したことを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63300685A JPH02147392A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63300685A JPH02147392A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02147392A true JPH02147392A (ja) | 1990-06-06 |
Family
ID=17887843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63300685A Pending JPH02147392A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02147392A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003101750A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Pioneer Corporation | Information recording medium and process for producing the same |
| WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63300685A patent/JPH02147392A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003101750A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Pioneer Corporation | Information recording medium and process for producing the same |
| US7524612B2 (en) | 2002-06-03 | 2009-04-28 | Pioneer Corporation | Information recording medium and process for producing the same |
| WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
| US7381458B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-06-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording medium |
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