JP2596902B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ビームを用いて情報が記録再生される光
情報記録媒体に関するものである。
情報記録媒体に関するものである。
テルル化ゲルマニウム及びテルル化ゲルマニウムのゲ
ルマニウムを錫あるいは鉛で置換したテルマ化ゲルマニ
ウム錫，テルル化ゲルマニウム鉛，テルル化ゲルマニウ
ム錫鉛（以下これらの材料をGe−Te系材料と記す）は、
光記録材料として記録感度が高く再生信号の信号雑音比
を大きくすることができる好適な材料である。
ルマニウムを錫あるいは鉛で置換したテルマ化ゲルマニ
ウム錫，テルル化ゲルマニウム鉛，テルル化ゲルマニウ
ム錫鉛（以下これらの材料をGe−Te系材料と記す）は、
光記録材料として記録感度が高く再生信号の信号雑音比
を大きくすることができる好適な材料である。
さて、光情報記録媒体は、データの長期保存の目的に
使用されることがあり、高温高湿の環境下に放置されて
も記録材料の変化がなく、記録データを正確に読み書き
できることが必要である。
使用されることがあり、高温高湿の環境下に放置されて
も記録材料の変化がなく、記録データを正確に読み書き
できることが必要である。
Ge−Te系材料はかかる点についてみると、その薄膜は
高温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化，腐食
し、反射率や透過率という光学的性質が変化する現象が
ある。
高温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化，腐食
し、反射率や透過率という光学的性質が変化する現象が
ある。
従来は、Ge−Te系薄膜に酸化物，窒化物等の無機薄膜
を被着させて保護膜とし、高温高湿環境下におけるGe−
Te系薄膜の劣化を防止していたが、この方法によると、
上記保護膜作製に長時間を要したり、光情報記録媒体作
製工程の複雑化や媒体製造価格の上昇を招くという欠点
があった。
を被着させて保護膜とし、高温高湿環境下におけるGe−
Te系薄膜の劣化を防止していたが、この方法によると、
上記保護膜作製に長時間を要したり、光情報記録媒体作
製工程の複雑化や媒体製造価格の上昇を招くという欠点
があった。
本発明は上記欠点を解消し、Ge−Te系薄膜の高温高湿
環境下における酸化，腐食を防止し、長時間にわたり安
定して情報を記録再生できる光情報記録媒体を提供する
ことを目的としている。
環境下における酸化，腐食を防止し、長時間にわたり安
定して情報を記録再生できる光情報記録媒体を提供する
ことを目的としている。
本発明は上記問題点を解決するために、Ge−Te系薄膜
に窒素を望ましくは12原子パーセント以下添加した薄膜
を記録膜として用いている。
に窒素を望ましくは12原子パーセント以下添加した薄膜
を記録膜として用いている。
本手段による作用を以下に説明する。
Ge−Te系材料は菱面体構造の結晶からなるが、GeとTe
の原子半径の差が大きいため結晶格子内には原子が浸入
することのできるすきまが存在する。Ge−Te系薄膜が高
温高温の環境下におかれると酸素原子がこのすきまに浸
入し、Ge−Te,Ge−Ge,Te−Te結合を切断し、Ge−O2,Te
−O2となって薄膜を徐々に酸化させる。ところが本発明
による窒素が添加されたGe−Te系薄膜においては、窒素
によってあらかじめGe−Te結晶内のすきまが埋められて
いるために酸素は浸入しにくいので、Ge−Te系薄膜は酸
素の浸入による劣化から保護され、高温高湿の環境下に
長時間置かれても記録材料としての性質に変化が生じな
い。
の原子半径の差が大きいため結晶格子内には原子が浸入
することのできるすきまが存在する。Ge−Te系薄膜が高
温高温の環境下におかれると酸素原子がこのすきまに浸
入し、Ge−Te,Ge−Ge,Te−Te結合を切断し、Ge−O2,Te
−O2となって薄膜を徐々に酸化させる。ところが本発明
による窒素が添加されたGe−Te系薄膜においては、窒素
によってあらかじめGe−Te結晶内のすきまが埋められて
いるために酸素は浸入しにくいので、Ge−Te系薄膜は酸
素の浸入による劣化から保護され、高温高湿の環境下に
長時間置かれても記録材料としての性質に変化が生じな
い。
第１図は本発明による光情報記録媒体の一実施例を示
したものである。即ち、11はポリカーボネート基板であ
り、その上に記録薄膜として、窒素が添加されたGe−Te
系薄膜12を有している。更に、該薄膜上には傷や埃を防
止するための樹脂保護膜13を積層した。ここで基板11は
ポリカーボネートに限ることなく従来から公知のPMMA,
ポリオレフィン，エポキシ等のプラスチック板，ガラス
板,Al等の金属板等を使用できる。
したものである。即ち、11はポリカーボネート基板であ
り、その上に記録薄膜として、窒素が添加されたGe−Te
系薄膜12を有している。更に、該薄膜上には傷や埃を防
止するための樹脂保護膜13を積層した。ここで基板11は
ポリカーボネートに限ることなく従来から公知のPMMA,
ポリオレフィン，エポキシ等のプラスチック板，ガラス
板,Al等の金属板等を使用できる。
窒素が添加されたGe−Te系薄膜は蒸着およびスパッタ
リング法で作製する。蒸着法では、Ge−Te系材料の蒸発
源上に設けられたイオン化電極近傍に窒素ガスを吹き込
み、その流量を制御して窒素の添加量を調節する。スパ
ッタリング法においては、アルゴンArと窒素の混合ガス
中において、Ge−Te系材料のターゲットを用いてスパッ
タリングを行うと、窒素を、含有したGe−Te系材料の薄
膜を得ることができる。窒素含有量は混合ガス中を窒素
分圧に依存するので、この分圧を調整して所望の窒素含
有量のGe−Te系薄膜を得る。
リング法で作製する。蒸着法では、Ge−Te系材料の蒸発
源上に設けられたイオン化電極近傍に窒素ガスを吹き込
み、その流量を制御して窒素の添加量を調節する。スパ
ッタリング法においては、アルゴンArと窒素の混合ガス
中において、Ge−Te系材料のターゲットを用いてスパッ
タリングを行うと、窒素を、含有したGe−Te系材料の薄
膜を得ることができる。窒素含有量は混合ガス中を窒素
分圧に依存するので、この分圧を調整して所望の窒素含
有量のGe−Te系薄膜を得る。
本実施例によるディスク状光情報記録媒体にレーザビ
ームを照射し、回転数1800rpmで周波数1MHzの信号を記
録し、その後JISC5024M−１の温湿度サイクル試験を行
ったときのビット誤り率の変化を第２図に示す。なお、
本試験での１サイクルは通常の環境下では１年に相当す
る。
ームを照射し、回転数1800rpmで周波数1MHzの信号を記
録し、その後JISC5024M−１の温湿度サイクル試験を行
ったときのビット誤り率の変化を第２図に示す。なお、
本試験での１サイクルは通常の環境下では１年に相当す
る。
第２図からも明白なように、本実施例によるGe−Te系
材料に窒素を添加した薄膜を記録膜とする光情報記録媒
体は、窒素の添加されていない従来のGe−Te系薄膜を記
録膜とする光情報記録媒体に比べて、温湿度サイクル試
験後もビット誤り率の変化が小さいことを示している。
ビット誤り率が初期値（０サイクルのときの値）の３倍
になる時点を媒体寿命とすると、従来例の媒体寿命は３
年であるのに比べて、本実施例による光情報記録媒体は
窒素添加量が３原子パーセント,7原子パーセント,12原
子パーセントと大きくなるにしたがって媒体寿命が７
年,10年,20年という長寿命になっていることがわかる。
材料に窒素を添加した薄膜を記録膜とする光情報記録媒
体は、窒素の添加されていない従来のGe−Te系薄膜を記
録膜とする光情報記録媒体に比べて、温湿度サイクル試
験後もビット誤り率の変化が小さいことを示している。
ビット誤り率が初期値（０サイクルのときの値）の３倍
になる時点を媒体寿命とすると、従来例の媒体寿命は３
年であるのに比べて、本実施例による光情報記録媒体は
窒素添加量が３原子パーセント,7原子パーセント,12原
子パーセントと大きくなるにしたがって媒体寿命が７
年,10年,20年という長寿命になっていることがわかる。
次に窒素添加量について説明する。窒素が添加されて
いないGe−Te系薄膜を用いた従来例では、レーザビーム
を用いて回転数1800rpmで周波数1MHzの信号を記録再生
したとき、56dBの信号対雑音比（CNR）が得られる。窒
素添加のGe−Te系薄膜を記録膜とした光情報記録媒体で
は、窒素添加量が６原子パーセントまではCNRは56dB得
られる。しかし、さらに窒素添加量が増すとCNRが徐々
に低下し、窒素添加量が12原子パーセントになると、CN
Rが45dBになり情報記録媒体としての性能が低くなる。
したがって窒素添加量は12原子パーセント以下とするの
が望ましい。
いないGe−Te系薄膜を用いた従来例では、レーザビーム
を用いて回転数1800rpmで周波数1MHzの信号を記録再生
したとき、56dBの信号対雑音比（CNR）が得られる。窒
素添加のGe−Te系薄膜を記録膜とした光情報記録媒体で
は、窒素添加量が６原子パーセントまではCNRは56dB得
られる。しかし、さらに窒素添加量が増すとCNRが徐々
に低下し、窒素添加量が12原子パーセントになると、CN
Rが45dBになり情報記録媒体としての性能が低くなる。
したがって窒素添加量は12原子パーセント以下とするの
が望ましい。
このように本発明によれば、窒素が添加されたGe−Te
系薄膜を記録膜とする光情報記録媒体は、高温高湿の環
境下に放置されても窒素がGe−Te系材料の酸化，腐食を
防止するので記録材料の変化が少なく、したがって長時
間にわたって正確に情報を記録再生することができる。
系薄膜を記録膜とする光情報記録媒体は、高温高湿の環
境下に放置されても窒素がGe−Te系材料の酸化，腐食を
防止するので記録材料の変化が少なく、したがって長時
間にわたって正確に情報を記録再生することができる。
第１図は本発明による光情報記録媒体の断面図の一例を
示し、第２図は本発明による光情報記録媒体のビット誤
り率の変化を示す図である。 11……基板 12……記録媒体 13……保護膜
示し、第２図は本発明による光情報記録媒体のビット誤
り率の変化を示す図である。 11……基板 12……記録媒体 13……保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】基体上に形成された薄膜へ光ビームを照射
し情報を記録する光情報記録媒体において、上記薄膜は
Ge−Te系材料を主成分とし、更に窒素が添加されて成る
光情報記録媒体。 - 【請求項２】上記薄膜中の窒素含有量が12原子パーセン
ト以下であることを特徴とする請求項１記載の光情報記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118917A JP2596902B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118917A JP2596902B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290136A JPH01290136A (ja) | 1989-11-22 |
| JP2596902B2 true JP2596902B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=14748377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63118917A Expired - Lifetime JP2596902B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2596902B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2296298T3 (es) * | 1996-09-06 | 2008-04-16 | Ricoh Company, Ltd | Medio de grabacion optica. |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP63118917A patent/JP2596902B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01290136A (ja) | 1989-11-22 |
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