JPH1158962A - 光学情報記録媒体 - Google Patents
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Abstract
改善することを目的とする。 【解決手段】 記録膜3がTe,Ge,Sb,Nを含ん
でなり、かつ、全体に対するNの含有濃度が0.1から
10原子%の範囲内にすることにより、顕著に繰り返し
記録消去性能を改善するができる。
Description
録、再生、消去する光ディスクなどの光学的情報記録媒
体に関するものである。
クは、一般に記録層,反射層,光干渉層を有する多層構
造になっており、多重干渉効果を利用して信号を読み出
す。記録層の材料としてTe−Ge−Sbの中でも特
に、GeTe−Sb2Te3擬二元系組成は高速結晶化材
料として優れた記録消去性能を示す。この擬二元系組成
の繰り返し記録消去性能を向上させる方法として従来、
登録特許第2553736号に開示されているように、
GeTeとSb2Te3の化合物にSbを混合し、さらに
は窒素を添加する方法がある。前記登録特許第2553
736号によれば、アルゴンと窒素の混合ガスを用いた
スパッタ法によりGeTeとSb2Te3とSbの混合体
に窒素を含ませてなる記録層を形成し、その混合比は、
Sb/Sb2Te3のモル比をb,GeTe/Sb2Te3
のモル比をgとして、0≦b≦1.0,0.5≦g≦
2.3の範囲に設定されている。その効果としてはSb
の添加により局所的な偏析を阻止し、窒素添加により記
録・消去に伴う物質移動の抑制が図れ、繰り返し記録消
去性能が改善できるというものである。
録特許第2553736号においてはGeTeとSb2
Te3とSbの混合体に含ませる窒素N量の濃度が開示
されていない。GeTeとSb2Te3とSbの混合体に
含ませるN量を定量化し、記録消去性能および繰り返し
記録消去性能のN濃度依存性を評価したところ、少なす
ぎても多すぎても性能は確立できず、N濃度には最適値
が存在し、厳密に決定しなければならないことが判っ
た。また、Te,Ge,Sbの組成比によって信頼性に
影響を与えることも判った。
層のTe−Ge−Sbの組成比及び添加する窒素濃度を
定量し最適化して、記録消去性能、繰り返し書き換え性
能及び信頼性を高めることを目的とする。
に本発明の光学情報記録媒体は、高エネルギ−ビ−ムの
照射によって可逆的相変化を生起する記録層を基板上に
備え、記録層が少なくともTe,Ge,Sb,Nを含ん
でなり、かつ全体に対するNの含有濃度が0.1から1
0原子%の範囲内とするものである。
層,記録層,第二の光干渉層,反射層が順に形成され、
前記界面層は窒化物より構成するものである。
は、高エネルギ−ビ−ムの照射によって可逆的相変化を
生起する記録層を基板上に備えた光学情報記録媒体であ
って、前記記録層が少なくともTe,Ge,Sb,窒素
Nを含んでなり、かつ、全体に対するNの含有濃度が
0.1から10原子%の範囲内にあることを特徴とする
ものであり記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信
頼性を高めるという作用を有する。
1記載の光学情報記録媒体において記録層が少なくとも
Te,Ge,Sb,Nの4元素を含んでなり、そのうち
Te,Ge,Sbの3つの成分の組成が(GeTe)x
(Sb2Te3)1Sby(1.6≦x≦2.2,0≦y≦
0.8)の組成式を満足する割合で含まれており、か
つ、全体に対するNの含有濃度が0.5から10原子%
の範囲内にあることを特徴とするものであり記録消去性
能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという作
用を有する。
1記載の光学情報記録媒体において記録層が少なくとも
Te,Ge,Sb,Nの4元素を含んでなり、そのうち
Te,Ge,Sbの3つの成分の組成が(GeTe)x
(Sb2Te3)1Sby(1.8≦x≦2.2,0≦y≦
0.5)の組成式を満足する割合で含まれており、か
つ、全体に対するNの含有濃度が1から3原子%の範囲
内にあることを特徴とするものであり記録消去性能、繰
り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという作用を有
する。
1記載の光学情報記録媒体において、基板上に光干渉層
と反射層のうち少なくとも一つと、記録層が形成されて
いることを特徴とするものでありエネルギービームの利
用効率を高め、記録消去性能、繰り返し書き換え性能及
び信頼性を高めるという作用を有する。本発明の請求項
5に記載の発明は、請求項4記載の光学情報記録媒体に
おいて、光干渉層がZnS−SiO2を主成分とするこ
とを特徴とするものでありエネルギービームの利用効率
を高め、記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼
性を高めるという作用を有する。
4記載の光学情報記録媒体において、反射層がAl,A
lを主成分とする合金,Au,Auを主成分とする合金
のいずれかより構成されることを特徴とするものであり
エネルギービームの利用効率を高め、記録消去性能、繰
り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという作用を有
する。
4記載の光学情報記録媒体において、基板上に第一の光
干渉層,界面層,記録層,第二の光干渉層,反射層が順
に形成され、前記界面層は窒化物よりなることを特徴と
するものであり記録消去性能、繰り返し書き換え性能及
び信頼性をさらに高めるという作用を有する。本発明の
請求項8に記載の発明は、請求項6記載の光学情報記録
媒体において、基板上に第一の光干渉層,記録層,第二
の光干渉層,反射層が順に形成され、第一の光干渉層の
厚みをd1,記録層の厚みをd2,第二の光干渉層の厚
みをd3,反射層の厚みをd4としたとき,140≦d
1≦200(nm),20≦d2≦30(nm),40
≦d3≦60(nm),50≦d4≦150(nm)で
あることを特徴とするものであり記録消去性能、繰り返
し書き換え性能及び信頼性を高めるという作用を有す
る。
6記載の光学情報記録媒体において、基板上に第一の光
干渉層,記録層,第二の光干渉層,反射層が順に形成さ
れ、第一の光干渉層の厚みをd1,記録層の厚みをd
2,第二の光干渉層の厚みをd3,反射層の厚みをd4
としたとき、100≦d1≦200(nm),20≦d
2≦30(nm),10≦d3≦30(nm),5≦d
4≦30(nm)であることを特徴とするものであり記
録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高める
という作用を有する。
用いて説明する。図1は、本発明の光学情報記録媒体の
一構成例を示し、基板1の上に第一の光干渉層2,記録
層3,第二の光干渉層4,反射層5を順次積層して樹脂
の保護層6を塗布した単板構造としている。基板1とし
ては円盤状で、必要に応じて同心円状またはスパイラル
状に1μm前後のピッチで案内溝が形成されたポリカ−
ボネ−トまたはアモルファスポリオレフィンまたはPM
MAなどの樹脂またはガラスを用いることができ、均
質、透明で表面の平滑なものを使用する。
誘電体薄膜で、光学距離を調節して記録層への光吸収効
率を高めるとともに、記録前後の反射光量の変化を大き
くして信号振幅を大きくする働きがある。第一の光干渉
層2及び第二の光干渉層4は例えばSiO2,Ta2O5
などの酸化物,SiN,AlN,TiN,TaN,Zr
N,GeNなどの窒化物,ZnSなどの硫化物,SiC
などの炭化物,CaF 2などのフッ化物及びこれらの混
合物としてZnS−SiO2などを用いることができ、
スパッタリングや蒸着などの方法により形成することが
できる。第一の光干渉層2及び第二の光干渉層4の膜厚
は、例えばマトリクス法(例えば久保田広著「波動光
学」岩波新書,1971年,第3章を参照)に基づく計
算により、記録層結晶状態(記録前)と記録層アモルフ
ァス状態(記録後)の反射光量の変化がより大きく且つ
記録層への光吸収率がより大きくなる条件を満足するよ
うに入射光波長との関係で厳密に決定することができ
る。
ファス相との間で可逆的な相変態を起こす材料としてT
e,Ge,Sbを含むTe−Ge−Sb,Te−Ge−
Sb−Pd,Te−Ge−Sb−Se,Te−Ge−S
b−Bi,Te−Ge−Sb−Crの系に窒素Nを添加
した材料を使用する。これらの系の中でも,特にTe−
Ge−SbではGeTe−Sb2Te3擬二元系組成が高
速結晶化材料として良好な記録消去性能を確保すること
ができ、GeTe:Sb2Te3=2:1近傍が最も相安
定性に優れ、実用的に好ましい組成である。これらT
e,Ge,Sbを含む系に窒素を添加した記録層は、T
e,Ge,Sbを含む系の材料を母材として、Arガス
及びN2ガス雰囲気中で反応性スパッタリング法により
形成することができる。スパッタリング条件を変えるこ
とにより記録層に含まれるN含有濃度を制御することが
でき、例えばN2ガスの流量を増やしたり、N2ガスの分
圧を上げたり、スパッタパワ−を下げたりすることによ
り、いずれの方法でも母材から飛び出すイオンとNとの
反応が促進され、記録層に含まれるN含有濃度を増加さ
せることができる。また、逆にN2ガスの流量を減らし
たり、N2ガスの分圧を下げたり、スパッタパワ−を上
げたりすることにより、Nとの反応が進みにくくなり、
記録層に含まれるN含有濃度を減少させることができ
る。これらスパッタリング条件の中でも、N2ガスの流
量を変える方法はスパッタ速度をほとんど下げることな
く、記録層に含まれるN含有濃度を制御することができ
る。また使用するスパッタリング装置は、1つの真空室
に1つの母材がある方式,1つの真空室に複数個の母材
がある方式,静止対向方式,自公転方式,インライン方
式のいずれを組み合わせてもよく、Nとの反応性スパッ
タリングが可能である。
質量分析法(SIMS)により定量することができ、単
位体積当たりに存在するN原子数を測定して、他元素と
合わせた全体の原子数に対してN原子濃度を算出するこ
とができる。記録層3に含まれるN含有濃度を制御する
ことにより、記録層の光学的特性及び熱的特性を制御す
ることができ、光学情報記録媒体の記録性能、消去性
能、書き換え性能が変化する。すなわち、記録層に含ま
れるN濃度を最適化することにより、光学情報記録媒体
の使用条件(相対線速度範囲、レ−ザ波長など)に適し
た記録消去性能、優れた繰り返し書き換え性能(サイク
ル性能)、高い信頼性を得ることができる。
eTe:Sb2Te3=2:1(Te 5Ge2Sb2)近傍
にSbを混合することにより結晶化速度を制御できる。
N濃度は記録層の組成により若干異なるが高々10原子
%で、好ましくは1から3原子%である。反射層5の材
料としては、Al,Alを主成分とする合金、Au,A
uを主成分とする合金を用いることができる。反射層は
光学的には記録層に吸収される光量を増大させ、熱的に
は記録層で生じた熱を速やかに拡散させるという働きを
もち、さらには多層膜を使用環境から保護する役割をも
兼ね備えている。上記反射層材料は、いずれも耐食性に
優れ且つ急冷条件を満足する優れた材料である。
材料またはエポキシ樹脂を主成分とした材料を用いるこ
とができ、反射層5上に塗布し紫外線照射により硬化し
形成することができる。図2は、本発明の光学情報記録
媒体の他の構成例を示し、基板1の上に第一の光干渉層
2,界面層7,記録層3,第二の光干渉層4,反射層5
を順次積層して樹脂の保護層6を塗布した単板構造とし
ている。界面層7は窒化物よりなり、SiN,AlN,
ZrN,TiN,GeN,TaNなどを主成分とした材
料を使用し、Au,Ag,Cu,Pt,Pd,Ni,
W,Mo,Cr,Ti,Ta,Nb,Se,Si,Bi
などを添加してもよい。この界面層7は,繰り返し記録
消去による第一の光干渉層2及び記録層3の間で生じる
物質移動を防止する機能を持ち、この界面層7を設層す
ることによりサイクル性能が改善できる。これらの窒化
物は、記録層3と同様にArガス及びN2ガス雰囲気中
で反応性スパッタリング法により形成することができ
る。膜厚が厚いと多層構成の反射率や吸収率が大きく変
化して記録消去性能に影響を与えるため、5から30n
mが望ましく最も好ましい膜厚は、約10nmである。
をもたせて、界面層7の機能を記録層3に含めることも
可能である。その方法としては、記録層3をArガス及
びN 2ガス雰囲気中で反応性スパッタリングにより形成
する際に、スパッタ開始後はN濃度を高くしスパッタが
進むに伴いN濃度を徐々に下げる、またはスパッタ開始
後はN濃度を一定に高くし途中からN濃度を一定または
徐々に下げる、またはスパッタ開始後はNを含有させる
が途中からNを入れないというものである。いずれの方
法でも記録層3に含まれる総N濃度は、N2ガス流量や
スパッタパワ−やN2ガス分圧を調整することにより容
易に制御できる。
た単板構造の光学情報記録媒体を例として説明したが、
その他保護層6まで形成した光学情報記録媒体2枚を、
例えばホットメルト性の接着剤で保護層側を貼り合わせ
た両面構造の光学情報記録媒体についても同様に実施可
能である。
ための電源を備えた真空チャンバ−をもつ静止対向式ス
パッタ装置で実験を行った。まず、記録層のスパッタ速
度を測定するための薄膜試料を以下の手順で作製した。
Te−Ge−Sbタ−ゲットを用い、スパッタパワ−5
00W、Arガス流量を一定にしてN2ガスの流量を0
から10SCCMの範囲で変えて、各々ガラス基板片上
に反応性スパッタ法により薄膜を形成した。スタイラス
法により膜厚を測定し、スパッタ時間からスパッタ速度
を計算した。スパッタ速度は5.2から4.1nm/s
ecが得られ、N2ガス流量の増加に対し、スパッタ速
度の低下は20%程度であった。その結果を(表1)に
示す。
記録膜中の窒素量を定量するための薄膜試料を作製し
た。実施例1と同様の条件でシリコン基板上に約300
nm形成した。12種類の薄膜試料について、窒素の単
位体積当たりの原子数を2次イオン質量分析(SIM
S)法により定量した結果を(表2)に示す。
−ダ−のN原子が存在し、Te,Ge,Sbについて
は、組成比から単位体積当たりの原子数を計算し、それ
らの原子数比から記録膜中の窒素の原子濃度を算出し
た。N2流量を増やすとN原子数も増加し、静止対向式
の高速スパッタでもNが膜中に取り込まれていることが
確認できた。
第一の光干渉層2,記録層3,第二の光干渉層4,反射
層5が順に形成された多層構成の光学計算をマトリクス
法に基づいて行った。第一の光干渉層2と第二の光干渉
層4はZnS−SiO2,記録層3は(GeTe)2(S
b2Te3)1Sb0.3+N,反射層5はAlCrである。
アモルファス相と結晶相の反射率差ΔRと結晶相の吸収
率Acがより大きくなるように,厳密に膜厚を決定し
た。計算波長は790nmである。計算結果から決定し
た膜厚は第一の光干渉層2が155nm,記録層3が2
3nm,第二の光干渉層4が43nm,反射層5が10
0nmであった。
場合についても実施例3を行い、計算結果から決定した
膜厚は第一の光干渉層2が130nm,記録層3が23
nm,第二の光干渉層4が24nm,反射層5が10n
mであった。 (実施例5)実施例3で決定した構成のディスクを試作
し、ディスクの記録性能、消去性能、サイクル性能を評
価した結果を説明する。案内溝が形成された直径120
mmのポリカ−ボネ−ト基板1上に、第一の光干渉層2
のZnS−SiO2を155nm,記録層3の(GeT
e)2(Sb2Te3)1Sb0.3+Nを23nm,第二の
光干渉層4のZnS−SiO2を43nm,反射層5の
AlCrを100nm順次スパッタリング法により積層
し、保護層6のアクリル樹脂を塗布して紫外線により硬
化させた。
における記録層3のN濃度は、実施例2で実験した12
種類で、各々上記構成で試作した。ディスクを毎分20
00回転で回転させ、波長790nmのレ−ザを記録ピ
−クパワ−と消去バイアスパワ−に変調して照射し、各
々のディスクの最内周部と最外周部におけるCNRと消
去率を測定した。ここでディスクは半径方向に複数の略
一定幅のゾーンに区切られゾーン毎の周方向の分割セク
ター数を異ならせたMCAV方式で最内周部の線速度は
5m/s、最外周部の線速度は12m/sである。
PMの2−7RLL方式で、記録ピ−クパワ−と消去バ
イアスパワ−の比を固定して記録ピ−クパワ−を0.5
mWずつ変化させ、1.5T信号のCNRと、1.5T
信号に4T信号をオ−バ−ライトして1.5T信号の振
幅減衰比から消去率を測定した。1.5Tは最外周部で
9MHz、最内周部で4MHzである。測定結果からC
NR=48dBなる記録ピ−クパワ−より20%高いパ
ワ−をテストパワ−とした。また、消去率≧20dBの
消去バイアスパワ−範囲を求めた。テストパワ−でサイ
クル性能を評価し、サイクル寿命はエラ−レ−トにより
決定した。最外周部の評価結果を(表3)に、最内周部
の評価結果を(表4)に示す。表内CNRは飽和値であ
る。
濃度が増加すると、テストパワ−がより小さくなり記録
感度がより高くなっていることがわかる。ディスク1
1,12のようにN濃度が10原子%を越えているもの
は感度が高すぎて、消去バイアスパワ−で記録された
り、再生光による信号劣化を生じる可能性があり、CN
Rの低下も著しく実用は困難である。また、N濃度が
0.0原子%では最外周部の消去パワ−マ−ジンが無
く、0.09原子%でも含んでいればマ−ジンが得られ
る。したがって、N濃度は少なくとも0.1原子%は必
要で、0.5原子%以上あれば消去パワ−マ−ジン±5
%を確保できる。サイクル性能についてもN濃度依存性
が顕著で、最外周部では1から3原子%の範囲で50万
回以上が得られ、0.1から10原子%の範囲で10万
回以上が達成できている。
のN濃度は0.1から10.1原子%の範囲で内外周部
共に実用性があり、0.5から5.9原子%の範囲は全
ての項目で良好な性能が得られ、特に1.0から3.1
原子%の範囲は内外周部共に十分なパワ−マ−ジンがあ
り、全ての項目について優れた性能が得られた。したが
って、記録層3のN濃度は0.1から10.1原子%の
範囲が実用的であり、最も好ましいのは1から3原子%
の範囲である。
bのy=0.0,0.1,0.2,0.4,0.5,
0.6,0.7,0.8,0.9,1.0についても実
施例5を行ったところ、y=0.0から0.8は同様の
結果を得た。y=0.9と1.0は外周部で消去率が1
0dB以下で、実用レベルに達しなかった。y=0.9
の判定結果を(表5)に、y=1.0の判定結果を(表
6)に示す。
8,2.2についても実施例5および6を行った結果、
x=1.8及び2.2については同様の結果を得た。x
=1.6については結晶化速度が速く最内周部のCNR
値が約2dB低かったが、逆に消去パワ−マ−ジンは広
がった。したがって1.6から2.2まで実用範囲であ
り、1.8から2.2が好ましい。
Auである構成のディスクについても実施例5,6,7
を行い、同様の結果を得た。 (実施例9)記録層3のy値を信頼性を確認して決定す
るために信頼性試験を行った。GeTeのx=2.0で
Sbのy値を0.0から0.8まで0.1ずつ変化させ
た記録層3にNを2原子%添加して、実施例3の構成で
ディスクを各々5枚ずつ試作した。初期のCNR値と、
90℃80%RH200時間放置後のCNR値を比較し
て3dB低下で寿命とする。高転送レ−ト化に対応でき
る可能性も合わせて判定するため、ディスクを毎分20
00,3000,4000回転で回転させ、ディスク最
内周部と最外周部において、記録保存性(Archiv
al)とオ−バ−ライト特性(Shelf)を評価し
た。線速度は最内周部から最外周部まで2000回転で
5から12m/s、3000回転で7.5から18m/
s、4000回転で10から24m/sになる。従って
これらの線速度範囲で使用できる組成比を決める。その
結果を(表7)に示す。表中AはArchival、S
はShelfで、○は90℃80%RH200時間放置
後のCNR低下が初期の3dB未満、×は3dB以上で
ある。
0.2≦y≦0.8,3000回転では0.0≦y≦
0.5,4000回転は0.0≦y≦0.2の組成比で
ある。従って、Sbのy値は0.0≦y≦0.8が実用
的で、高転送レ−ト化に対応可能な値は0.0≦y≦
0.5の範囲である。 (実施例10)GeTeのx=1.6,1.8,2.2
についても実施例9を行った結果、x=1.8及び2.
2については同様の結果を得た。x=1.6については
結晶化速度が速いため、(表8)の結果を得た。
y値は0.4≦y≦0.8,3000回転は0.2≦y
≦0.7,4000回転は0.0≦y≦0.4であっ
た。x=1.6では、各回転数に対応したy値がx=
1.8から2.2の場合と異なるが、0.0≦y≦0.
8が実用的範囲であるという結果は実施例9と一致し
た。x値については1.6≦x≦2.2が実用範囲であ
り,1.8≦x≦2.2が最も好ましい。
がAuである構成のディスクについても実施例9,10
を行い、同様の結果を得た。 (実施例12)実施例3の構成に界面層7としてGeN
を10nm設けた構成で、記録層3のN濃度が1.0か
ら3.1原子%である4種類のディスクのサイクル性能
を評価した結果を説明する。サイクル性能の評価条件は
実施例5に基づく。その結果を(表9)に示す。
と比較して、最外周部で約20万回、最内周部で約10
万回サイクル性能が向上した。記録層3のN濃度の最適
化及び界面層の設層により、サイクル性能を飛躍的に改
善することができた。なお上記実施例では光ディスクを
例に説明したが、同様の原理を用いる記録媒体の光カー
ドや光テープなどにおいても本発明は有効なことは自明
である。
Te−Ge−Sbの組成比及び添加する窒素濃度を最適
化し、さらには界面層を設けることにより記録消去性
能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという効
果が得られるものである。
体の部分断面図
媒体の部分断面図
Claims (9)
- 【請求項1】高エネルギ−ビ−ムの照射によって可逆的
相変化を生起する記録層を基板上に備えた光学情報記録
媒体であって、前記記録層が少なくともTe,Ge,S
bおよび窒素Nを含んでなり、かつ、全体に対するNの
含有濃度が0.1から10原子%の範囲内にあることを
特徴とする光学情報記録媒体。 - 【請求項2】記録層が少なくともTe,Ge,Sb,N
の4元素を含んでなり、そのうちTe,Ge,Sbの3
つの成分の組成が(GeTe)x(Sb2Te3)1Sby
(1.6≦x≦2.2,0≦y≦0.8)の組成式を満
足する割合で含まれており,かつ、全体に対するNの含
有濃度が0.5から10原子%の範囲内にあることを特
徴とする請求項1記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項3】記録層が少なくともTe,Ge,Sb,N
の4元素を含んでなり、そのうちTe,Ge,Sbの3
つの成分の組成が(GeTe)x(Sb2Te3)1Sby
(1.8≦x≦2.2,0≦y≦0.5)の組成式を満
足する割合で含まれており、かつ、全体に対するNの含
有濃度が1から3原子%の範囲内にあることを特徴とす
る請求項1記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項4】基板上に光干渉層と反射層のうち少なくと
も一つと、記録層が形成されていることを特徴とする請
求項1記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項5】光干渉層がZnS−SiO2を主成分とす
ることを特徴とする請求項4記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項6】反射層がAl,Alを主成分とする合金,
Au,Auを主成分とする合金のいずれかより構成され
ることを特徴とする請求項4記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項7】基板上に第一の光干渉層,界面層,記録
層,第二の光干渉層,反射層が順に形成され、前記界面
層は窒化物よりなることを特徴とする請求項4記載の光
学情報記録媒体。 - 【請求項8】基板上に第一の光干渉層,記録層,第二の
光干渉層,反射層が順に形成され、第一の光干渉層の厚
みをd1,記録層の厚みをd2,第二の光干渉層の厚み
をd3,反射層の厚みをd4としたとき,140≦d1
≦200(nm),20≦d2≦30(nm),40≦
d3≦60(nm),50≦d4≦150(nm)であ
ることを特徴とする請求項6記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項9】基板上に第一の光干渉層,記録層,第二の
光干渉層,反射層が順に形成され、第一の光干渉層の厚
みをd1,記録層の厚みをd2,第二の光干渉層の厚み
をd3,反射層の厚みをd4としたとき、100≦d1
≦200(nm),20≦d2≦30(nm),10≦
d3≦30(nm),5≦d4≦30(nm)であるこ
とを特徴とする請求項6記載の光学情報記録媒体。
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