TW388875B - Optical information recording medium and method for making the same - Google Patents

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TW388875B
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information recording
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TW087111131A
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Noboru Yamada
Keiichiro Horai
Rie Kojima
Toshiaki Kashihara
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
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五、發明說明（23) 第87111131號專利申請案中文說明書修正頁 修正日期：89年1月 構成之部份截面圖。 第2圖係表示本發明一實施例之其他光學資訊記錄媒 體的構成之部份截面圈。 第3(a)圖係表示本發明一實施例之其他光學資訊記錄 媒醴的記錄層之N含有濃度分佈特性圖。 第3(b)圖係表示本發明一實施例之另一其他光學資訊 記錄媒體的記錄層之-N含有濃度分佈特性圖β 元件標號對照 1…基板 2···第1光干涉層 3…記錄層 4···第2光干涉層 5…反射層 6…保護層 7…介面層 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁> ·1111111 — — — — —— — — 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 26 五、 發明説明（ Λ7 H? 經濟部中央榡率局貝工消费合作社印製 » · 本發明所屬之技術領域 本發明係有關於一種以光學·性記錄、再生、消除資訊 之光碟等的光學資訊記錄媒體及其製造方法。 習知技藝 光學資訊兄錄媒艘’例如’光碟、一般為具有記錄層 、反射層、光干涉層之多層構造，而利用多重干涉效應讀 出信號。記錄層之材料方面，大眾所知者為^七卜讥，特 別是，GeTe-SbJe3擬二元系組成為高速結晶化材料，而 具有良好之記錄消除性能》欲予提升該擬二元系組成之反 覆記錄消除性能的方法上，於習知，有如在日本登錄專利 第2553736號所揭示，係在GeTe及Sb2Te3之化合物混合sb ，而再添加氮之方法。依據前述曰本登錄專利第2553736 號’乃使用氬與氮之混合氣體的濺射法，而形成在GeTe 與SbzTe3及Sb之混合艘含有氮之構成的記錄層，其混合比 為，設Sb/Sb2Te3之莫耳比為「b」，而GeTe/Sb2Te3i 莫耳比為「g」，並設定為OgbSl.O, 0.5Sg$2.3之範圍 。其效果為由於添加Sb以圊阻止局部性之偏析，又由於 添加氮以圖抑制隨記.錄、消除而生之物質移動，乃能改善 反覆記錄消除性能。 （_ 但是，於前述曰本登錄專利第2553736,對於含在GeTe 與Sbje3及Sb之混合體的氮N量之濃度並未開示》經予評 價記錄消除性能及反覆記錄消除性能之N濃度依存性的結 果，即，N量過少或過多，均不能確立上述之性能，因此 ，對於N濃度乃存在最適宜值，，是故，務必嚴密作決定。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 、νβ % 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 Λ7 IV? 五、發明説明（2 ) 又’獲知由於Te、Ge、Sb之組成比，對依賴性（可靠 性）有所影響。 本發明之簡要說明 本發明之光學資訊記錄媒體，係在基板上具有因照射 高能量光束而產生可逆性相變化之記錄層。該記錄層最少 含有Te、Ge、Sb'N，並且，對於整體之N的含有濃度約 為從0.1原子百分比〔％〕至1〇原子百分比〔％〕之範圍 内°特別是’在上述基板上以第1光干涉層、介面層、前 述記鍊層、第2光干涉層、反射層之順序形成。而前述介 面層乃依氮化物構成為宜。 本發明之光學資訊記錄媒體的製造方法，係由具有因 照射能董光束而產生可逆性相變化之記錄層，而該記錄層 乃將含有Te、Ge'及Sb之母材，•在含有氬氣與氮氣之氣 體環境中作濺射，以形成含有Te、Ge、Sb，及N之記錄層 的工程，製造之》特別是，前述N之含有濃度為約從〇1原 子百分比至10原子百分比之範圍為佳。 解決課題之本發明 , 本發明之光學資訊記錄媒體，係在基板上具有因照射 高能量光束，而產生可通性相變也之記錄層。該前述記錄 層最少含有Te、Ge、Sb、N ’並且，對於整體之N的含有 濃度為約從0.1原子百分比至10原子百分比之範圍内，為 其特徵。依該構成乃具有提高記錄消除性能、反覆換寫性 能及可靠性之作用。 本發明其他之光學資訊記錄媒體，係在前述之光學資 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 - * N 4 5 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 Λ7 H7 五、發明説明（3 ) 訊記錄媒體上，其前述記錄層最少含有Te、Ge、Sb、N之 4元素，而其中之Te、Ge、Sb的三元素成份之組成含有， 滿足（〇6丁6)*(81)2丁63)181^(1.6$\$2.2’0$7$0.8)之組成 式的比率，並且，N對於整體之含有濃度為，從〇.5至1〇原 子百分比〔％〕之範圍内，為其特徵。依該構成，即具有 提高記錄消除性能、反覆換寫性能及可靠性之作用β 本發明其他之另一;^學資訊記錄媒體，係在前述之光 學資訊記錄媒體上，其前述記錄層最少含有Te、Ge、Sb 、N24元素，而其中之Te、Ge、Sb之3種成份之組成含有 滿足（〇61'4(外2丁63)18匕丫（1.8$\$2.2，〇$0〇.5)的組成 式之比率，並且’ N對於整體之含有濃度為從1至3原子百 分比之範圍内’為其特徵。依該構成，即具有提高記錄消 除性能，反覆換寫性能及可靠性之作用。 本發明其他之另一光學資訊記錄媒體，係在前述之光 學資訊記錄媒艘上，於其基板上，由光干涉層與反射層之 中最少有一層與記錄層形成，為其特徵。由該構成，乃提 高能量光束之利用效率，而具有提高記錄消除性能，反覆 換寫性能及可靠性之作用》 本發明其他之另一光學資訊士錄媒體，係在前述之光 學資訊記錄媒體上，其前述之光干涉層乃以ZnS_Si〇2作為 主成份，為其特徵。由該構成，乃提高能量光束之利用效 率，而具有提高記錄消除性能、反覆換寫性能及可靠性之 作用》 本發明其他之另一光學資訊記錄媒體，係在前述之光 本紙張尺反通用宁國國家標率（CNS ) A4規格（2ΐ〇χ 297公楚） -8 * " -- (請先閲讀背面之注意事項其填寫本頁)
-6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 ____ 五、發明説明（4 ) 學資訊記錄媒體上，其反射層乃以Al、A1為主成份之合 金’或以Au、Au為主成份之合金的任一所構成，為其特 徵。由該構成，乃提高能量光束之利用效率，而具有提高 記錄消除性能，反覆換寫性能及可靠性之作用。 本發明其他之另一光學資訊記錄媒體，係在前述之光 學資訊記錄媒體上，及以第1光干涉層、介面層、記錄層 、第2光干涉層、反射雇之順序形成在基板上，而前述介 面層含有氮化物，為其特徵。由該構成，乃具有更能提高 記錄消除性能、反覆換寫性能及可靠性之作用。 本發明其他之另一光學資訊記錄媒體，係在前述之光 學資訊記錄媒體上，乃以第1光干涉層、記錄層 '第2光干 涉層、反射層之順序形成在基板上，並令第1光干涉層之 厚度為dl ’記錄層之厚度為d2、第2光干涉層之厚度為(13 、反射層之厚度為d4之時，即，140Sdl$200nm、20Sd2 S 30nm、40$ d3$ 60nm、50$ d4S 150nm，為其特徵。 由該構成，乃具有提高記錄消除性能、反覆換寫性能及可 靠性之作用。 • 本發明其他之另一光學資訊記錄媒體，係在前述之光 學資訊記錄媒體上，乃以第1光干1‘涉層、記錄層、第2光干 涉層、反射層之順序形成在基板上，並令第1光干涉層之 厚度為dl，記錄層之厚度為们、第2光干涉層之厚度為d3 、反射層之厚度為d4之時，即l〇〇$dlS 200nm、20$d2 S30nm、10Sd3S30nm ' 5j0^d4$3Onm ,為其特徵。由 該構成乃具有提高記錄消除性能、反覆換寫性能及可靠性 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（2丨〇X297公嫠） τ--,---- C (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 7 經濟部中央揉準局負工消費合作社印裝 Λ7 Β7 五、發明説明（5 ) 之作用。 本發明其他之另一光學資訊記錄媒體，係前述記錄層 具有N含有濃度向記錄層之厚度方向變化之部份，為其特 徵。由於，其可強力防止光干涉層與記錄層間之物質移動 ’因之’具有更可提高記錄消除性能、反覆換寫性能及可 靠性之作用。 本發明之其他另一先學資訊記錄媒體，係前述記錄層 具有N含有濃度向記錄層之厚度方向，以週期性變化之部 份，犮其特徵。由該構成，即，在記錄層内將構成疑似性 薄膜之介面層，因此，更可強力防止光干涉層與記錄層間 之物質移動，是故，具有更能提高記錄消除性能、反覆換 寫性能及可靠性之作用。 本發明之實施態樣 ， 以下，使用圖面說明本發明之實施態樣。 <第1實施例> / 第1圖係表示於本發明第1實施例之光學資訊記錄媒體 的構成之部份截面在第1©，於基板i上依序積層第i • 光干涉層2、記錄層3、第2光干涉層4、反射層5,並塗佈 保護層6，構成為單板構造。 11 基板1乃使用聚碳酸脂、非結晶體聚烯烴、聚甲基丙 烯等之合成樹脂或玻璃等。該基板丨為圓盤狀，並因應需 要而約以1 μπι之節距形成同心圓狀或螺旋狀的引導溝。該 基板1具有均質、透明而平滑之表面。 第1光干涉層2及第2光干涉層4為介電體薄臈，乃具有 ----Γ--,--ο裝-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 本紙浪尺度適用中國困家揉準（CNS ) A#規格（21〇χ297公犮） 鯉濟部中央樣準局負工消費合作.杜印製 Λ7 __?!_____ 五、發明説明（6 ) 調節光學距離以提高對記錄層之光吸收效率，並增大記錄 層前後之反射光量的變化，而使信號振幅加大之作用。第 1光干涉層2及第2光干涉層4，例如，使用Si〇2，Ta205等 之氧化物、SiN，AIN，TiN，TaN，ZrN，GeN等之氣化 物，ZnS等之硫化物、SiC等之碳化物、CaF2等之氟化物 ，以及該等之混合物ZnS-Si02等。 該第1光干涉層2及索2光干涉層4,能以喷濺或蒸鍍之 方法形成。第1光干涉層2及第2光干涉層4之膜厚，例如， 依據螘陣法（例如，參照久保田廣著「波動光學」，岩波 新書，1971年，第3章）之計算，以同時滿足記錄層結晶狀 態（記錄前）與記錄層非晶體狀態（記錄後）之反射光量的變 化成為更大之條件，以及對於記錄層之光吸收率成為更大 之條件，而與入射光波長之關係作嚴密之決定。 記錄層3之材料，係使用於結晶相與非晶相之間會產 生可逆性相變態之材料。該記錄層3之材料方面乃使用， 於含有 Te、Ge、Sb2Te-Ge-Sb、Te-Ge-Sb-Pd、Te-Ge-Sb-Se、Te-Ge-Sb-Bi、Te-Ge-Sb-Cr系列添加氮N之材料。在 • 該等系列中，特別是對於Te-Ge-Sb，其GeTe-Sb2Te3擬二 元系組成可作為能確保良好之記‘消除性能的高速結晶化 材料，而GeTe : Sb2Te3 = 2 : 1近傍，其相穩定性最良好， 乃是實用上適宜之組成。在含有該等Te、Ge、Sb之系列 ’添加氮之記錄層，乃以含有Te、Ge、Sb之系列的材料 作為母材’而能於Ar氣體及N2氣體之環境中，以反應性 嘴機法形成之。若以改變喷濺條件，即能控制含在記錄層 本紙法尺度^轉準（CNS) A4%# (2獻297公廣） - ί 111· - -I - i I HI \ 1^1 n , rs <請先閲讀背面之注意ί項再填窍本頁) 訂 Λ7 五、發明説明（7 ) 之N含有浪度。例如，增加&氣艘之流量、提高乂氣 分壓、或降低喷減功率，即，可促進從母材所飛出之離子 與N之反應，而能增加含在記錄層之有濃度。又相 逆，減少n2氣體之流量，降低n2氣體之分麼、或提高： 減功率，即，與N之反應將較難進行，因之，能減少含在 記錄層之N含有濃度。於該等喷濺條件之中，改變乂氣體 之流量的方法上，多方木必降低減射速度，就能控制含在 記錄層之N含有濃度。又，所使用之喷濺裝置，分有在1 個真空室有1種母材之方式，在丨個真空室有多數母材之方 式、靜止對向方式、自公轉方式、序列方式之中任意組合 方式為可行，而與N之反應性喷濺為可行者。 含在記錄層3之微量的N量，能以2次離子質量分析法 SIMS作定量。測定存在於每單位體積之N原子數，而對於 合計他元素之整體的原子數，能算出N原子濃度。 由於控制含在記錄層3之N含有濃度，即能控制記錄 層3之光學特性及熱特性，而使光學資訊記錄媒體之記錄 性能、消除性能、換寫性能變化。則，由於使含在記錄層 之N濃度作為最適宜化，就能獲得適宜於光學資訊記錄媒 想之使用條件（相對線速度範圍、I·雷射波長等）的記錄消除 性能、良好之週期性能、高可靠度。 又，在 Te、Ge、Sb 組成上，於 GeTe ·· Sb2Te3 = 2 : l(TesGe2Sb2)近傍混合Sb，即能控制結晶化速度。N濃度 雖因記錄層之組成而若干相異，惟，最高约為1〇原子百分 比〔％〕，而以約從1至3原子,百分比〔％〕為宜。 本紙張Μ適用中@國家椟準（C叫八4胁（训χ297公廣） « I -- - n n --- I - I (靖先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 訂. 經濟部中央榡準局員工消费合作社印製 10 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 Λ7 R7 五、發明説明（8 ) 反射層5之材料方面，能使用以Al、A1為主成份之合 金、或以Au、Au為主成份之合金。反射層乃具有在光學 上增大於記錄層所吸收之光量，而在熱學上，即迅速將在 記錄層所發生之熱作擴散之作用，並且，兼具有在使用環 境中保護多層膜之功用。上述反射層材料，均對对蝕性良 好並且會滿足急冷條件之優良材料。 保護層6可使用合▲樹脂，例如，能使用以丙烯樹脂 為主成份之材料或以環氧樹脂為主成份之材料。該保護層 6，例如，能予塗佈在反射層5上而依紫外線照射，使其硬 化而形成之。 <第2實施例> 以下，使用圖面說明本發明第2實施例之光學資訊記 錄媒體的構成。第2圖係表示本發明第2實施例之光學資訊 記錄媒體的構成之部份載面圖。在第2圖，乃以第1光干涉 層2’介面層7、記錄層3、第2光干涉層4、反射層5之順序 積層在基板1上，然後，塗佈合成樹脂之保護層6。該積層 艘為單板構造。
• 該介面層7含有氮化物。氮化物，例如，使用SiN、A1N 、ZrN、TiN、GeN、TaN等為主i；份之材料。又，在該等 氮化物亦能使用添加Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Ni、W、Mo 、Cr、Ti、Ta、Nb、Se、Si、Bi等之構成。該介面層7具 有防止因反覆記錄消除而在第1光涉層2及記錄層3之間， 所產生之物質移動的機能。由於設置該介面層7，乃能改 善週期性能。該等氮化物，與記錄層3同樣能於Ar氣體及 1= I I 1 — - il In I- I 4 I I. - I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本页)
、1T
Λ7 -—-____ _B7 五、發明説明（9 ) ' 一~~ &氣體之環境中，以反應性噴濺法形成之。若膜厚較厚 之時，即，多層構成之反射率或吸收率將大幅變化，而對 記錄消除性能有所影響，是故，膜厚以約從5至3〇nm為宜 ，而以約1 Onm為最佳。 <第3實施例> 經濟部中央橾準局工消費合作社印製 ----------—I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下，以圖面說明本發明第3實施例之光學資訊記錄 媒體的構成。記錄層之庠度方向與N濃度分佈之特性圖如 在第3(a)圖及第3(b)圓所示。如在第3(a)圖及3(b)圖所示， 使在苐1圖所示之記錄層3的!^濃度，於膜厚方向具有分佈 ’即’可使在第2圓所示之介面層7的機能含有在記錄層3 。其方法為，將記錄層3在Ar氣體及N2氣體之環境中以反 應性喷濺法形成之時，有如下之3種方法。即於濺射開始 後提高N濃度，然後，隨濺射之進行徐徐降低n濃度，或 ’於濺射開始後將N濃度提高為一定值，而從中途將N濃 度降低為一定或徐徐下降、或，於濺射開始後含有N，而 從中途起不加入N。如是，即如在第3(a)圖所示，於記錄 層之厚度方向，可形成控制N濃度之記錄層。在該等之任 • 一方法，含在記錄層3之總N濃度，依調整N2氣體流量或 濺射功率或N2氣體分壓，就能容#作控制。 特別是，以週期性增減1^2氣逋流量，週期性增減濺 射功率，即如在第3(b)圖所示，能將記錄層3内之N濃度， 在其厚度方向作週期性之變化。由於此，不增加膜厚或層 數’就能更予強化第1光干涉層2與記錄層3間之物質移動 的防止機能》又，上述之記錄層3於積層時之N濃度的分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公漦） A7 __________B7 五、發明説明（10) ~ --- 佈變化方法，以組合起來作控制亦可以，為理所當然。 又，在上述之說明，係以形成至保護層6之 的光學資訊記錄媒嫌作為例子，但並不限定於此。例如其 他，對於將形成至保護層6之光學資訊記錄媒趙2片，以例 如，熱融化性之接著劑貼合保護層側的兩面構造之光學資 訊記錄媒體’亦同樣為可實施。 <第1具體例> 使用具備圓形標靶及產生真空放電之電源的真空艙（ 室）的靜止對向式濺射（喷濺）裝置，進行實驗。首先，以 如下之步驟製作為測定記錄層之濺射速度用的薄膜試料。 使用Te-Ge-Sb標靶、濺射功率為50〇w、使Ar氣體流量為 一定而變化N2氣體之流量為從〇至i〇SCCM之範圍、而以 反應性濺射法在各個玻璃基板片上形成薄膜。以史太耳斯 法測定膜厚，而從濺射時間計算濺射速度。獲得從5.2至 4_lnm/sec之濺射速度。對於n2氣體流量之增加，濺射速 度之下降約為20%。其結果表示於表_i > 〔表1〕 " ·--f 袭-- Γ\ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 條件 No. n2流量 (SCCM) 濺射（喷濺） fnm/sec) 1 0.00 '· 5.2 2 0.03 5.2 3 0.05 5.2 4 0.10 5.2 5 0.30 5.2 6 0.50 5.1 7 1.00 5.0 8 1.50 4.9 9 3.00 4.7 10 5.00 4.5 11 7.00 4.3 12 10.00 4.1 13 本紙張尺度適用中國國家椟準（CNS ) Α4規格（210X297公嫠） 五、發明説明（11) 第2具體例>
從所獲得之濺射速度，製作 約300賺。對於12種類之薄膜試料以 =法’將氣之每單位艘積的原子數定量之結果： 〔表2〕 條件 No. %流量 (SCCM) 1 0.00 2 0.03 3 0.05 4 0.10 5 0.30 6 0.50 7 1.00 8 1.50 9 3.00 10 5.00 11 7.00 12 10.00 < N濃度 原子 -ο ο 9 5 9 o s 1. oo 2 4.0.6.4 ο· ο· ο· 0-112
5.9 10.1 12.2 16.3 I ^--0裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
<1T 於每lcm3存在從1〇19個至1〇2i個等級之1<[原子而對 於Te、Ge、Sb，即從組成比計算每單位體積之原子數， 並從該等原子數比算出記錄骐中蚨氮的原子濃度。增大 流量之時亦增加N原子數，在靜止對向式之高速濺射上， 亦確認到N取入於膜中。 <第3具體例> 以第1光干涉層2、記錄層3、第2光干涉層4、反射層5 之順序’形成在聚碳酸脂合成，樹脂基板1上的多層構成之 光學計算，乃依據矩陣法進行。第1光干涉層2與第2光干 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ί 經濟部中央樣準局負工消費合作社印笨 14 Λ7 Λ7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（12) 涉層 4 為 ZnS-Si02 ’ 記錄層 3 為(GeTeMSt^TeASbu+N， 反射層5為AlCr。欲使非晶體相與結晶相之反射率差△ r 及結晶相之吸收率Ac能成為更大，乃嚴密決定膜厚。計 算波長為790nm。從計算結果所決定之膜厚係，第1干涉 層2為155nm，記錄層3為23nm，第2光干涉層4為43nm， 反射層5為lOOnm。 〈第4具體例〉 使用Au作為反射層5,並進行與第3具體例同樣之實 驗。從計算結果所決定之膜厚係，第！光干涉層2為13〇ηιη 、記錄層3為23nm、第2光干涉層4為24nm、反射層5為10nm 〇 <第5具體例> 試作於第3具體例所決定之構♦成的光碟片，並作光碟 片之記錄性能、消除性能、週期性能之評償。現說明其結 果。於有形成引導溝槽之直徑120mm的聚碳酸酯合成樹脂 基板1上’依序以噴濺法積層第1光干涉層2之ZnS-Si02為 155nm、記錄層 3之（GeTe)2(Sb2Te3)丨Sb0.3+N為 23nm、第 2 • 光干涉層4之ZnS-SiO#43nm、反射層5之AlCr為lOOnm， 再塗佈保護層6之丙烯樹脂並依紫丨‘外線硬化之。於GeTei x==2.0，Sb之y=〇.3的記錄層3之N濃度，為在第2具體例 所實驗之12種類，而各個以上述構成所試作。 光碟片以每分鐘2000轉旋轉，並將波長790nm之雷射 調變為記錄峯值功率及消除偏壓功率而作照射，並測定於 各個光碟片之最内周部及最外周部之CNR及消除率。於此 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Μ規格（2丨〇><297公釐） 15 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,草 訂 --_______B7 ____ 五、發明説明（I3 ) ’光碟片為在半徑方向已隔為多數之大約一定實度的區域 ’而將每一區域之周方向的分割方向數為相異的MCAV方 式。最内周部之線速度為5m/s、而最外周部之線速度為 12m/s。 信號記錄條件為，以坑槽間隔作調變之PPM的2-7RLL 方式。固定記錄峯值功率與消除偏壓功率之比，而將記錄 臬值功率各以0.5#作變化，而以15T信號之CNR及於 UT信號作過度照明而從L5T信號的振幅衰減比，測定消 除率β 1.5T於最外周部有9MHz，而最内周部為4MHz。從 測定結果，以比CNR = 48dB之記錄峯值功率高20%之功 率作為測試功率。又求出消除率2 20dB之消除偏壓功率 範圍。又以測試功率評價週期性能。週期壽命由誤差率決 定之’將最外周部之評價結果表示於表_3，而將最内周部 之評償結果表示於表-4。表中之CNR為飽和值。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .¾. 經濟部中央棣準局負工消费合作社印製 尺 -張 -紙 本 準 梂 家 國 困 中 用 適 I釐 公 7 9 2 16 Λ7 B7 五、發明説明（Η) 〔表3〕 x=2.0，y=〇_3時，最外周部之記錄消除性能及週期(循環)性能之評價結果及判定 試作No. N濃度 (原子船 測試功率 (mW) CNR (dB) 消除功率界限 (%) 光碟片1 光碟片2 光碟片3 光碟片4 光碟片5 光碟片ό 光碟片7 光碟片8 光碟片9 光碟片10 先碟片11 光碟片12 002406419123 -00011235026 n It 1 _ 〇〇〇〇〇◎◎◎〇△>< X 5543175013 3333321197 n n n n n n n n 49.0 49.5 50.3 50.5 51.0 52.0 52.3 52.0 50.8 49.1 43.4 <40.0 ±0.0 ±2.1 ±3.4 ±5.8 ±10·0 ±12‘2 ±16.1 ±20.5 ±17.3 ±8.2 ± 0·5
X ΔΔΟ®@©©@οχ X _ I I - .- I —L n m rn m ΙΛ1 In I ^fv (請先閲讀背面之注f項再填商本頁) 標準功率判定◎ill.OmW以上未滿丨3,〇mW . 〇：13.0mW以上未滿M.OmW或9.0mW以上未滿ll.OmW △ : 14_0mW以上未滿丨5.0mW或7.0mW以上未滿9.0mW X ·· 15.0mW以上或未滿7.0mW CNR判定◎ : 52.0dB以上，〇：50.0dB以上来滿52.0dB △ : 48.0dB以上未滿50.0dB，X :未滿48.0dB 消除功率界限判定◎ : ±1〇·〇%以上，〇：±5·0%以上土未滿丨〇,〇% △ : ±1.0%以上未滿5.0%，X : ±0.0%以上未滿1.0% 訂 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印装
試作No. Ν濃度 (原子％) 週期壽命 (萬次） 最外周部 判定 光碟片1 0.00 3 X X 光碟片2 0.09 10 Δ △ 光碟片3 0.25 15 Δ Δ 光碟片4 0.49 29 〇 〇 光碟片5 1.0 51 ◎ ◎ 光碟片ό 1.6 70 ◎ ◎ 光碟片7 2.4 85 ◎ ◎ 光碟片8 3.1 66 ◎ ◎ 光確片9 5.9 44 〇 〇 光碟片10 10.1 11 Δ Δ 光碟片Π 12.2 3 X X 光碟片12 16.3 X X 遇期壽命判定◎ : 50萬次以上，〇：20萬次以上未滿50萬次 △ : 10萬次以上未滿20萬土，X :未滿10萬次 .A- I - 1 —4 · 17 本紙張又度適用中國國家搮準（CNS ) A4规格（210X297公釐） Λ7 B7 五、發明説明（15) 〔表4〕 於x=2.0，y=0.3時，最内周部之記錄消除性能及週期性能之評償結果及判定 試作No. N濃度 (原子％) 測試功率 CNR 消除功率界限 (mW) (dB) (%) 光碟片1 光碟片2 光碟片3 光碟片4 光碟片5 光碟片6 光碟片7 光碟片8 光碟片9 .光碟片10 光碟片11 光碟片12 0.00 0.09 0.25 0.491.01.6 2.4 3.1 5.910.1 12.2 16.3 0098620578 -10000-9864 «I n n
〇〇〇〇〇◎◎◎〇△>< X 50.5 51.0 51.8 52.1 53.0 53.4 53.8 53.1 49.5 48.0 < 40.0 < 40.0 ±23.5 ±23.8 ±24.3 ±25.0 ±26.7 ±27.4 ±27.6 ±28.6 士 25.9 ±11-1
◎ ◎◎◎◎◎◎◎◎◎ X X ----------3裝-- C (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
標準功率判定◎ : 8.5mW以上未滿10.5mW 〇：10.5mW以上未滿11.5mW或6.5mW以上未滿8.5mW △ : 11.5mW以上未滿12.5mW或4.5mW以上未滿6.5mW X : 12.5mW以上或未滿4.5mW CNR判定◎ : 52.0dB以上，〇：50.0dB以上来滿52.0dB △ : 48.0dB以上未滿50.0dB，X :未滿48.0dB 消除功率界限判定◎ : ±10.0%以上，〇：±5.0%以上未滿±10.0% △ : ±1.0%以上未滿5.0%，X : ±0.0%以上未滿1.0% ,ιτ 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製
試作No. N濃度 (原子％) 週期壽命 (萬次） 最内周部 判定 綜合判定 光碟片1 0.00 11 Δ △ X 光碟月2 0.09 11 Δ Δ Δ 光碟片3 0.25 13 Δ Δ Δ 光碟片4 0.49 22 〇 〇 光碟片5 1.0 43 〇丨 ◎ ◎ 光碟片6 1.6 58 ◎ ◎ ◎ 光碟片7 2.4 71 ◎ ◎ ◎ 光碟片8 3.1 50 ◎ ◎ ◎ 光碟片9 5.9 35 〇 〇 〇 光碟片10 10.1 11 Δ Δ Δ 光碟片11 12.2 X X X 光碟片12 16.3 X X X 遇期壽命判定◎ : 50萬次以上，〇：20萬次以上未滿50萬次 △ : 10萬次以上未滿20萬i，X :未滿10萬次 18 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（2丨OX297公釐） Λ7 B7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（16) 從該等結果可知，含在記錄層3之N濃度增加之時， 測試功率就變成愈小，而記錄感度乃成為更高。如光碟片 U、12，其N濃度超過1〇原子％之光碟，其感度過高，乃 會產生由消除偏壓功率所記錄，或由再生光產生信號劣化 之可能性，並且，CNR之下降亦顯著，因此，實用困難。 又，N濃度為〇·〇原子％之時，即，無最外周部之消除功率 界限，而N濃度為〇.〇9原’子％之時，可獲得界限。因此， N濃度最少需要〇.1原子％，而有〇5原子％以上就能確保 消除功率界限±5%，對於週期性能，N濃度依存性亦顯 著，於最外周部，從約1至3原子％之n滚度範圍，可獲得 50萬次以上之週期特性，從約⑴丨至⑺原子濃度範圍 ’可達成10萬次以上之週期特性。 綜合上述内容作綜合判定，即，記錄層3之N濃度為 從0‘1至10.0原子％的範圍之場合，内外周部均有實用性 ，而於從0.5至5.9原子％之範圍的場合，即，於所有之項 目均能獲得良好之性能。特別是從^至^丨原子％之範圍 的場合，在内外周部均有充分之界限，而對於所有之項目 可獲得優良之性能》因此，記錄層3之N濃度，從^丨至丨^ 原子％之範圍為實用性，而從約〖至3原子％之]^濃度範圍 為最佳。 <第6具體例> 於 GeTe 之 χ=2_0，對於 Sb 之 y=0.0，〇.1，0.2，0.4， 0_5，0·6，0·7，0.8，0.9，1.0，亦進行與第5具體例同樣 之實驗。其結果，「y」從0.0至〇·8之場合，獲得與第5具 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（2丨OX297公楚） in n-n n t— - I I - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 19 Λ7 B7 五、發明説明（17) 體例同樣之結果。「y」為0.9及1.0之場合，於外周部之 消除率為1 OdB以下，乃未達到實用水準。將「y」為0.9之 時的判定結果表示於表-5，而「y」為1.0之時的判定結果 表示於表-6。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -νΛ · 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 20 Λ7 五、發明説明（18) 〔表5〕 於x=2.0，y= 0.9時最外周部之記錄消除性能之評價結果及判定 試作No. 光碟片13 光碟片14 光碟片15 光碟片16 光碟片17 光碟片18 光碟片19 光碟片20 光碟片21 光碟片22 光螓片23 _光碟片24 〔表.6〕 N濃度 (原子％) 0.00 0.09 0.25 0.491.01.6 2.4 3.1 5.910.112.2 16.3 測試功率 CNR 消除功率界限 (mW) (dB) (%)
2 2 10 8 3 3 3 3 3 2 2 1M IK n n n II 5 8 0 0·8·7· 50.1 50.6 52.0 52.5 53.3 53.5 54.0 53.6 52.4 50.6 45.0 < 40.0
±0.0 X ± 0.0 X ± 0.0 X ±0.0 X ±0.0 X ± 0.0 X ± 0.0 X ±0.0 X ± 0.0 X ± 0.0 X X X H· In n- In >n Γ· I ti HI n.. Q (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 鯉濟部中央棣準局I工消費合作社印製
於x=2.0，y = 1.0時最外周部之記錄消除性能之評償結果及判定 試作No. N濃度 (原子％) 測試功率 (mW) •CNR (Db) 消除功率界限 (%) 光碟片25 0.00 13.0 〇 50.0 〇 ± 0·0 X 光碟片26 0.09 13.0 〇 50.7 〇 ±0.0 X 光碟片27 0.25 13.0 〇 52.1 ◎ ±0.0 X 先碟片28 0.49 12.8 ◎ 52.5 ◎ ± 0_0 X 光碟片29 1.0 12.6 @ 53.2 ◎ ±0.0 X 光碟片30 1.6 12.1 ◎ 53.4 © ±0.0 X 光碟片31 2.4 10.9 〇 53.9 © ±0.0 X 光碟片32 3.1 10.3 〇 53.8 ◎ ±0.0 X 光碟片33 5.9 8.6 △ 52.6 ◎ ±0.0 X 光碟片34 10.1 6.8 X ίί〇.5 〇 ±0.0 X 光碟片35 12.2 X 45.2 X X _光碟片36 16.3 X <40.0 χ X 橾準功率判定◎ : ll.OmW以上未滿13.0mW 〇：13.0mW以上未滿14.0mW或9.0mW以上未滿ll.OmW △ ·· 14.0mW以上未滿15.0mW或7.0mW以上未滿9.0mW X : 15.0mW以上或未滿7.0mW CNR判定◎ : 52.0dB以上，〇：50.0dB以上未滿52.0dB △ : 48.0dB以上未滿50.0dB，X :未滿48.0dB 消除功率界限判定◎ : ±丨0 0%以上，〇·· 士5.0%以上未滿士丨〇·〇% △ : ±1.0%以上未滿5.0%，X : ±0 0%以上未滿〗·〇% 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0X297公嫠） 21 - m J · —~----------- - B7 五、發明説明（I9) 〈第7具體例> 對於GeTe於x= 1.6，1.8，2.2，亦進行與第5具體例 及第6具體例同樣之實驗。其結果，rXj為18及22之時 ’獲得與第5具體例及第6具體例同樣之結果。rXj 6 之時，其結晶化速度快速，最内周部之CNR值雖降低約2dB ’惟’相逆地，其消除功率界限即擴大。因此，「X」乃 從1.6至2,2為實用範圍，但，「x」乃以從1<8至2.2之範圍 為佳。 <第8具體例> 對於在第4具艘例所決定之反射層，以Au構成之光碟 片亦進行與第5、6、7具體例同樣之實驗。其結果，獲得 與第5、6、7具體例為同樣之結果。 <第9具體例> · 為確認可靠度以決定記錄層3之y值乃進行可靠度（信 賴度）試驗。於GeTe為χ=2·0，而將Sb之y值從〇.〇至〇.8， 各以0.1作變化之記錄層3上添加2原子％ ，並以第3具 雜例之構成試作各個5片之光碟片。比較初期之CNR值與90 °C 80%RH200小時放置後之CNR值，而以降低3dB之時作 為壽命。欲予同時判定能對應高_送速率化之可行性，乃 以每分鐘2000，3000，4000轉，旋轉光碟片，並評價光碟 片最内周部與最外周部上的記錄保存性（Archival)及過度 照明特性（Shelf)。線速度，從最内周部至最外周部為2〇〇〇 轉時，即從5至12m/s，於3000轉時為從7.5至18m/s，於4000 轉時為從10至24m/s。由於此，乃決定於該等線速度範圍 22 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS > A4规格（210X297公釐） Λ7 Ιί7 五、發明説明（2〇 能使用之組成比。其結果表示於表-7。表中「Α」為Archival ，而「S」為Shelf。「〇」為90°C 80%RH200小時放置 後之CNR下降未滿初期之3dB，「Xj為3dB以上。 其結果，於2000轉所能適用之「y」為0.2$ 0.8， 於3000轉所能適用之「yj為〇_〇$yS〇.5，於4000轉所能 適用之「y」為0.0盔yS〇.2之組成比。由於此，Sb之「y 」值，以0.0SyS0.8為·實用性，而能對應高轉送速率化 之值為0·0盔yS0.5之範圍。 〔表7〕 (請先聞讀背面之注^^項再填耗本頁〕 .q 經濟部中失樣準局貞工消費合作社印裝 於x== 2.0時之信賴性評價結果及判定 Sb Y值 線速度（m/s) 5 7.5 10 12 18 24 _ A s A S A S A S A S A S 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 X X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 …ό— 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ο Ο 〇 ό 〇 〇 〇 —ό— 〇 〇 〇 〇 ό 〇 〇 〇 "ο" 〇 〇 〇 〇 ο 〇 〇 ό α ο δ ο 〇 δ" Ο 〇 〇 ---- 〇 〇 〇 ο" 〇 〇 δ 〇 〇 〇 〇 〇 ό" 〇 〇 〇 〇 〇 δ 〇 〇 〇 〇 ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X X X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X— X X X X X ......1 〇：CNR以下未滿3dB X : CNR以下3dB以上 □ : 4000轉使用可 G : 3000轉使用可 G : 2000轉使用可 <第1〇具體例> 對於GeTe之x=l_6 ’ 1.8，2.2，亦進行與第9具艘例 •訂· 東. 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Λ7 Β·7 五、發明説明（21 ) 同樣之實驗。其結果，「Xj為丨8及2 2之時，獲得與第9 具艘例同樣之結I。「Xj為之時，&於結晶化速度快 速，而獲得表-8之結果。 於x=1.6，在2000轉其適用可能之「y」值為〇4gy S0.8，在3000轉其適用可能之「y」值為〇 2$0〇 7，在 4000轉，其適用可能之「y」值為〇 〇$^〇 4。於乂=16 ，對應於各轉數之「y」·值，與χ為從〗8至22之場合相異 ，但，0.0S 0.8為實用性範圍。該結果與第9具體例一 致。對於「X」值，即，1.62為實用範圍，惟，以 1·8$ 2·2為最適宜。 〔表8〕 於χ= 1.6時之信賴性評價結果及判定
In ί I I - -m I 1— i m an c (請先閱讀背面之注^mr.項存填寫本霣) 订
值 Y 15 m Γ\ 度 速 線10 經濟部中央揉率局貝工消費合作社印装 012345678 xxx xo〇〇〇〇 〇〇〇〇一〇〇〇〇〇 x XOQO 〇〇〇o s ool〇 oo'oooo'
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X X X X <第11具體例> 對於在第4具體例所決定之反射層為au構成之碟片， 亦進行第9、10具體例同樣之實驗。其結果，獲得與第9、 10具體例同樣之結果。 24 本紙張尺度逋用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210XW7公釐） Λ7 ------ - B*? 五、發明説明（22) <第12具體例> 在第3具體例之構成上，使用設置i〇nm GeN之介面層 7的構成之記錄媒體，而評價記錄層3之N濃度從1〇至31 原子％的4種類之碟片的週期性能，並說明其結果。週期 性能之評價條件乃依據第5具體例。其結果表示於表·9。 由該結果，與無介面層之第5具體例的場合作比較， 其週期性能，於最外周部提升約2〇萬次，而於最内周部即 提升約10萬次。由於記錄層3之1^濃度的最適宜化以及設 置介面層，乃能以飛躍性改善週期性能， 〔表9〕 ------0¾.-- (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) 試作No. N濃度 週期壽命 (原子） 最外周部(萬次） 最内周部(萬次） 光碟片37 1.0 72 , 55 光碟片38 1.6 95 71 光碟片39 2.4 104 85 光碟片40 3.1 85 63
,1T 於上述具體例，乃以光碟為例作說明，但，對於使用 同樣原理之記錄媒體的光卡或光帶等，本發明同樣亦有效 ，乃是自明之事。 如上述，依據本發明，而將記錄層iTe_Ge_Sb的組成 比以及所添加之氮浪.度作最適宜化，並且，由於設置介面 層，乃獲得提高記錄消除性能，反覆換寫性能及可靠度之 效果》 圖式之簡單說明 第1圖係表示本發明一實施例之光學資訊記錄媒體的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 東 經濟部中央榡準局負工消费合作社印製 25
五、發明說明（23) 第87111131號專利申請案中文說明書修正頁 修正日期：89年1月 構成之部份截面圖。 第2圖係表示本發明一實施例之其他光學資訊記錄媒 體的構成之部份截面圈。 第3(a)圖係表示本發明一實施例之其他光學資訊記錄 媒醴的記錄層之N含有濃度分佈特性圖。 第3(b)圖係表示本發明一實施例之另一其他光學資訊 記錄媒體的記錄層之-N含有濃度分佈特性圖β 元件標號對照 1…基板 2···第1光干涉層 3…記錄層 4···第2光干涉層 5…反射層 6…保護層 7…介面層 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁> ·1111111 — — — — —— — — 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 26

Claims (1)

  1. 09* U A8 B8 j /. C8 v ； D8 丁 . i i 八、Φ發直兩1益ffi …J >七丨 第87111131號專利申請案申請專利範園修正本 修正曰期：89年1月 --------J--1 ^-- C- (請先《讀背面之注$項再埃寫本頁) 1. 一種光學資訊記錄媒體，係在基板上具有因照射能量 弋束，而產生可逆性相變化之記錄層，其中， 布述記錄層含有Te，Ge，Sb及N，而前述N之含 有濃度約從0.1原子％至約10原子％之範圍。 2. 如申請專利範圍第丨項所記載之光學資訊記錄媒體，其 中， 前述記錄層中之前述Te，Ge，Sb的3成份，乃含 有滿足（GeTe^Sl^TeASby 及 1.6Sx$2.2，OSy 彡 0.8 之組成比的比率，而前述N之含有濃度為從約0.5至約1〇 原子％之範圍内。 3. 如申請專利範圍第1項所記載之光學資訊記錄媒體，其 中， 前述記錄層中之前述Te、Ge、Sb之3成份，乃含 有滿足（GeTeWSb^TeASby及 1.8 各 χ$2.2，0SyS0.5 冬組成比钓比率，而前述N之含有濃度為從約」至3原 子％之範圍内。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4. 如申請專利範圍第1窄所記載之光學資訊記錄媒艎， 於前述基板上，更具有光干涉層。 5. 如t請專利範圍第4項所記載之光學資訊記錄媒體，其 中， ，葡Γ述光干涉層乃以ZnS-Si02為主成份。 6·如申請專利範圍第i項所記載之光學資訊記錄媒體， 、 在前述基板上’更具有反射層。 7.如申請專韻圍第6項所記載之光學資訊記錄媒艘，其
    -27 - 09* U A8 B8 j /. C8 v ； D8 丁 . i i 八、Φ發直兩1益ffi …J >七丨 第87111131號專利申請案申請專利範園修正本 修正曰期：89年1月 --------J--1 ^-- C- (請先《讀背面之注$項再埃寫本頁) 1. 一種光學資訊記錄媒體，係在基板上具有因照射能量 弋束，而產生可逆性相變化之記錄層，其中， 布述記錄層含有Te，Ge，Sb及N，而前述N之含 有濃度約從0.1原子％至約10原子％之範圍。 2. 如申請專利範圍第丨項所記載之光學資訊記錄媒體，其 中， 前述記錄層中之前述Te，Ge，Sb的3成份，乃含 有滿足（GeTe^Sl^TeASby 及 1.6Sx$2.2，OSy 彡 0.8 之組成比的比率，而前述N之含有濃度為從約0.5至約1〇 原子％之範圍内。 3. 如申請專利範圍第1項所記載之光學資訊記錄媒體，其 中， 前述記錄層中之前述Te、Ge、Sb之3成份，乃含 有滿足（GeTeWSb^TeASby及 1.8 各 χ$2.2，0SyS0.5 冬組成比钓比率，而前述N之含有濃度為從約」至3原 子％之範圍内。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4. 如申請專利範圍第1窄所記載之光學資訊記錄媒艎， 於前述基板上，更具有光干涉層。 5. 如t請專利範圍第4項所記載之光學資訊記錄媒體，其 中， ，葡Γ述光干涉層乃以ZnS-Si02為主成份。 6·如申請專利範圍第i項所記載之光學資訊記錄媒體， 、 在前述基板上’更具有反射層。 7.如申請專韻圍第6項所記載之光學資訊記錄媒艘，其
    -27 - A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 中， —前述反射層乃以A1、A1為主成份之合金，以及au 、Au為主成份之合金之中，最少由其任一材料所構成 〇 8.如申請專利範圍第1項所記載之光學資訊記錄媒體，其 中， 在前述基板上依序設置第1先干涉層，前述記錄層 、第2光干涉層、反射層。 9’如+請專利範圍第1項所記載之光學資訊記錄媒想，其 中， 在前述基板上依序設置第1光干涉層、介面層、前 述記錄層、第2光干涉層、反射層。 10. 如申請專利範圍第1項所記載之光學資訊記錄媒想，其 中， 在前述基板上依序設置第1光干涉層、介面層、前_ 述記錄層，第2光干涉層，反射層，而前述介面層含有 氣化物。 11. 如申請專利範圍第1項所記載之光學資訊記錄媒想，其 ，中， 在前述基板上依序形成第干涉層、前述記US 、弟2光干涉層、反射層，而該前述第1光干涉層之厚 度為「(11」、前述記錄層之厚度為「d2」、前述第2光 干涉層之厚度為「(13 j、前述反射層之厚度為「d4」 之場合，即為，140 ‘ dl S 200(nm)、20 g d2 g 30(nm) 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '衣--------訂---------線‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 28 C8 ' —.08________ 六、申請專利範圍 、40S d3S60(nm)、及 50Sd4$ 150(nm)。 12·如申請專利範園第1項所記載之光學資訊記錄媒艘其 中， 在前述基板上依序形成第1光干涉層、前述記錄層 、第2光干涉層、反射層’而該前述第1光干涉層之厚 度為「dl丄、前述記錄層之厚度為rd2」、前述第2光 •干涉層之厚度為「<13」、前述反射層之厚度為「d4j -j π之時，即為，l〇〇SdlS200(nm)、20$d2S30(nm)、1〇 Sd3S30(nm)、&5$d4S30(nm)。 !1·如申請專利範团第1項所記載之光學資訊記錄媒體，其 中， 前述記錄層具有前述Ν含有濃度於前述記錄層之 厚度方向變化之部份。 如申請專利範圍第1項所記載之光學資訊記錄媒體，其 中， 前述記錄層具有前述含有濃度於前述記錄層之厚 度方向，以週期性變化之部份。 15. 如申$專利範圍第1項所記載之光學資訊記錄媒體，其 中， 前述記錄層具有多數之記錄層。 16. —種光學資訊記錄媒體之製造方法，係用以製造具有 里照it能量光束而生可逆性層變化之記錄層的方法 ，含有： 喷滅工程，係在含有氬氣艘與氮氣體之氣體環境 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ^--------訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 29 388875 六、申請專利範圍 中，戏-射含有Te、Ge、及讣之母材’形成含有丁卜㈦ 、Sb及N之前述記錄層。 17·如申請專利範圍第16項所記載之光學資訊記錄媒想的 製造方法，其中， 在前述記錄層所含有之前述N的含有濃度為從約 〇.1原子％至約10原子％之範圍。 18. ^申請專利範圍第16項所記載之光學資訊記錄媒體的 製造方法，其中， 厂…形成前述記錄層之工程上，在 (a)进射開始後，導入含有所.定之濃度的前述氮氣 ，然後，隨著濺射之進行雨導入控制前述氮氣之含有 量的前述氣體之工程；及 r(b)濺射開始後，導入未含有前述氮氣之前述氣想 ，然後，導入控制前述氮氣之含有量的前述氣體之工 程； 線 _之中，最少具備一種工程，而由前述工程，在厚度方 •向形成具有所定之激度的前述記錄層。 19. 如啤請專利範圍第16項所記載之光學資訊記錄媒體的 製造方法，其中， 形成前述記錄層之工程上，在 (a) 於濺射中以周期性變化前述氮氣之濃度的工 程；及 (b) 於濺射中.，以周期性變化濺射功率之工程； 之中’最少具備一種工程’而由前述工程，在厚度方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210x297公釐） 30 、申請專利範圍 向敗成晏有所定之N濃度的前述記錄層。 20. 蛑申請專利範圍第16項所記載之光學資訊記錄媒體皈 製造方法，含有： 光干涉層形成工程，係形成在基板上；及 記錄層形成工程，係形成在前述光干涉層上。 21. 如申請專利範面第20項所記載之光學資訊記錄媒想的 製造方法，其更含有： 反射層形成工程，係形成在前述記錄層上β 22·如申請專利範团第16項所記载{光學資訊記錄媒想的 製造方法，包含： 第1光干涉層形成工程，係形成在基板上； . ....... 記錄層形成工程，係形成在前述第丨光干涉層上； 第2光干涉層形成工程，係形成在前述記錄層上； 及 ， 反射層形成工程，係形成在前述第2光干涉層上。 23.如申請專利範圍第16項所記載之光學資訊記錄媒體的 製造方法，包含： 策1光干涉層形成工程，係形成在基板上； -允面層形成工程，係形成在前述第丨光干涉層上； e錄層形成工程，係形成在前述介面層上； 第2光干涉層形成工程，係形成在前述記錄層上； 及 反射層形成工程，係形成在前述第2光干涉層上。 24.如申料利範圍第16項所記載之光學資訊記錄媒想 A8 B8 C8 D8 388875 六、申請專利範圍 製造方法，包含： I - 光干涉層形成工程，係形成在基板上； 介雨層形成工程’係形成在前述光干涉層上；及 記錄層形成工程，係形成在前述介面層上； 其中前述介面層含有氮化物，而前遂氮化物乃在含 有氩氣體及氮氣體之氣體環境中，由濺射標靶之工程 所形成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 32
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