JPH06203410A

JPH06203410A - 光学情報記録媒体

Info

Publication number: JPH06203410A
Application number: JP50A
Authority: JP
Inventors: Rie Kojima; 理恵児島; Noboru Yamada; 昇山田; Shigeaki Furukawa; 惠昭古川; Katsumi Kawahara; 克巳河原
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-01-08
Filing date: 1993-01-08
Publication date: 1994-07-22

Abstract

(57)【要約】【構成】基板１上に光干渉層２、記録層３、光干渉層
４、光反射層５を順次スパッタリング法により積層し接
着性樹脂６を塗布してダミ−基板７と貼り合わせた構成
である。記録層３は結晶相とアモルファス相との間で可
逆的相変態を起こす材料を適用する。光反射層５はＣｕ
を主成分とするＣｕ−Ｍ合金を用い、ＭはＳｉ，Ｔｉ，
Ｎｂ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｚｎより選ばれ、添加濃度は
５原子％以下である。【効果】Ｃｕ−Ｍ合金薄膜のＭ濃度が５原子％以下で
あれば、Ｃｕ−Ｍ合金薄膜はＣｕの光学的特性と熱的特
性をあまり変化させずに耐食性の向上が図れる。また、
Ｍ濃度を調整することで熱伝導率の微調が可能であり、
ドライブの使用条件に応じてオ−バ−ライト特性を向上
させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報を記録再
生消去する情報記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光学情報記録媒体として例えば光ディス
クは、一般に記録層・光反射層・光干渉層を有する多層
構造になっており、多重干渉効果を利用して信号を読み
出す。

【０００３】光反射層は記録層に吸収される光量を増大
させるとともに、記録層で生じた熱を速やかに拡散させ
る働きも兼ねている。光反射層の材料としては熱伝導率
や反射率の大きな材料として、例えばＡｕ，Ａｌ等が用
いられていた。特にＡｕは耐食性にも優れており、膜厚
を薄くして且つ急冷条件を満足する光反射層材料として
は最も適している。また、耐食性を上げる目的でＡｌに
Ｔｉ，Ｃｒ等を添加することも行われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｕは
Ａｌや他の金属と比べると非常に高価であり、媒体のコ
スト増につながる。また、特性的には単元素であるので
光学特性および熱的特性はＡｕ固有の値であり、媒体の
使用条件に合わせて特性を調整することが不可能、とい
う課題を有していた。

【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、Ａｕよりもはるかに低コストでしかもＡｕとほぼ同
等の光学特性及び熱的特性を有し、かつ特性の微調整の
可能な反射層を適用した光学情報記録媒体の提供を目的
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の光学情報記録媒体は、光を吸収し物理的ま
たは化学的変化を生ずる記録層と、記録層に吸収される
光量を増大させるための光反射層と、光の行路長を調節
して記録層への光吸収効率を高めるための光干渉層とを
基板上に備えた光学情報記録媒体において、光反射層と
してＣｕ−Ｍ合金を主成分とする薄膜を用いる（ＭはＳ
ｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｚｎより選ばれ
る）。

【０００７】

【作用】添加物Ｍを含むＣｕ−Ｍ合金は、Ａｕよりもは
るかにコストが低い。しかもＭ濃度が小さい間はＡｕと
非常に近い光学定数ならびにＡｕと同じオーダーの大き
な熱伝導率を示す。また純Ｃｕに比べると耐食性も向上
する。したがって、この合金材料を反射層として用いる
ことで媒体の低コスト化が図れ、しかもＡｕを用いた場
合に匹敵する記録特性が実現される。

【０００８】

【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。

【０００９】図１に、本発明の光学情報記録媒体の一構
成例を示す。基板１の上に第１の光干渉層２、記録層
３、第２の光干渉層４、光反射層５を順次積層して接着
性樹脂６を塗布してダミー基板７と貼り合わせた構造と
した。基板１としては同心円またはスパイラル状の案内
溝を有するＰＭＭＡ・ポリカ−ボネ−ト・アモルファス
ポリオレフィン等の樹脂またはガラス等、通常光ディス
クに用いられる透明で表面の平滑なものを選んだ。

【００１０】ダミー基板７としては、基板１と同じもの
を用いることができる。第１の光干渉層２及び第２の光
干渉層４は誘電体薄膜であり、例えばＳｉＯ₂，Ｚｒ
Ｏ₂、ＴｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄，
ＡｌＮ，ＴｉＮ等の窒化物、ＺｎＳ，ＰｂＳ等の硫化
物、ＳｉＣ等の炭化物、ＣａＦ₂等のフッ化物、ＺｎＳ
ｅ等のセレン化物及びこれらの混合物としてＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂、ＳｉＮＯ等、あるいはダイヤモンド薄膜、ダイ
ヤモンドライクカーボン等を用いることができる。これ
らの薄膜は、蒸着、スパッタリング等の方法により形成
することができる。これらの光干渉層の働きは、一つに
は記録と消去を繰り返した時に記録層３が破壊されるの
を防止することであり、一つには多重干渉効果を利用し
て記録層３への光吸収効果を高めることであり、同時に
記録前後の反射光量または透過光量の変化を大きくして
ＣＮ比を上げることである。記録層３が光磁気記録膜の
場合には、反射光に対してはカ−効果を、透過光に対し
てはファラデ−効果を高めてＣＮ比を上げる役割を果た
す。第１及び第２の光干渉層の膜厚は、例えばマトリク
ス法（例えば久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７
１年、第３章を参照）に基づく計算によって、記録前後
の反射率変化がなるべく大きくなるように、また吸収率
が十分大きくなるようにといった点を満足するように厳
密に決定することができる。反射率変化と吸収率差（記
録層における結晶部での吸収率とアモルファス部での吸
収率との差）については光メモリーシンポジウム’９２
論文集Ｐ．２１〜２２参照。

【００１１】記録層３の材料としては、結晶相とアモル
ファス相との間で可逆的な相変態を起こす材料薄膜とし
て、代表的にはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ，Ａ
ｇ−Ｓｂ−Ｉｎ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ
−Ｂｉ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−
Ｓｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ−Ａ
ｕ等の系、あるいはこれらの系に酸素、窒素等の添加物
を加えた系を用いることができる。また希土類元素と遷
移金属元素よりなる光磁気記録材料としてＴｂーＦｅー
Ｃｏ、ＧｄーＴｂーＦｅーＣｏ、ＤｙーＦｅーＣｏ、Ｇ
ｄーＤｙーＦｅーＣｏ等を用いることもできる。

【００１２】光反射層５としては、Ｃｕを主成分とする
Ｃｕ−Ｍ合金を用いる。添加元素ＭはＣｕの耐食性を向
上させる上でＳｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚ
ｎが有効であり、Ｃｕ−Ｓｉ、Ｃｕ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｎ
ｂ、Ｃｕ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｚｎ
合金薄膜を用いた。光反射層は、記録層に吸収される光
量を増大させる働きとともに、記録層で生じた熱を速や
かに拡散させる働きも兼ねているので、反射率が大きい
ことと熱伝導率が大きいことが要求される。そこでＭと
しては、光学特性をほとんど変えないで耐食性を向上さ
せる元素が好ましい。組成的には経年変化で分相が生じ
ない、特性の連続的な制御が容易であるという見地から
固溶領域に選ぶことが好ましい。したがって、Ｍによっ
て異なるがその濃度は高々１０原子％、望ましくは５原
子％以下である。

【００１３】Ｃｕ−Ｍ合金薄膜のスパッタによる形成方
法は、Ｃｕタ−ゲットとＭタ−ゲットを用いて２元から
基板上に同時にスパッタリングする方法、Ｃｕ−Ｍの合
金タ−ゲットを用いてスパッタリングする方法がある。
また、Ｃｕ，Ｍの２ソ−スから蒸着して形成することも
できる。イオンプレ−ティングによる形成も可能であ
る。

【００１４】以下、Ｃｕ−Ｓｉを例にとって本発明を詳
しく説明する。（実施例１）１つの真空チャンバー中に直径１００ｍｍ
のターゲットに対応する４つのカソードを備えたスパッ
タ装置を用い、様々な組成のＣｕ−Ｓｉ合金を作成し
た。まずＣｕ及びＳｉ各々のスパッタレートを測定する
ために、Ｃｕ及びＳｉの各々について単独に石英ガラス
基板上にスパッタした。Ｓｉ濃度の小さい組成を試すた
めには、ＣｕとＳｉの成膜レートの差を十分大きくしな
ければならない。したがってＣｕはＲＦスパッタ法によ
り１．０〜２．０ｋＷの高パワーで、ＳｉはＤＣスパッ
タ法により５０〜４００Ｗの低パワーでスパッタした。
Ａｒガス圧力は２ｍＴｏｒｒである。段差計により膜厚
を測定し、成膜レートを求めた。得られたＣｕ及びＳｉ
の成膜レートと各々の密度から組成比を求めた結果を
（表１）に示す。この結果から、Ｓｉ濃度１原子％以下
という微量でもＣｕ及びＳｉの成膜レート差を十分大き
くすることで調整可能であることが確認された。

【００１５】

【表１】

【００１６】（実施例２）実施例１で得られた成膜レー
トと組成比の結果から、ＣｕターゲットとＳｉターゲッ
トを同時にスパッタして、Ｃｕ−Ｓｉ合金薄膜の屈折率
ｎと消衰係数ｋを決定するための薄膜サンプルを作製し
た。これらのサンプルは、Ｓｉ濃度の変化に対する光学
特性の変化を調べるためにＳｉ濃度を少しずつ変え、ま
た計算の精度をあげるために各々約２０ｎｍの極く薄い
膜にして、高い透過率が得られるようにした。段差計に
より膜厚を、スペクトロメーターにより反射率と透過率
を測定し、測定結果を元に計算を行いｎとｋを決定し
た。その結果を図２（ａ）、（ｂ）に示す。Ｓｉ濃度を
０〜８．５原子％の範囲で変える間に、ｎは０．２７〜
０．７３まで直線的に変化したが、変化量は小さかっ
た。またｋの値は、Ｓｉ濃度が変化してもほとんど変化
せずほぼ４．８であった。

【００１７】次にＣｕ及びＣｕ−Ｓｉの熱的特性につい
て説明する。（表２）に室温におけるＣｕ、Ｃｕ−Ｓ
ｉ、Ａｕ，Ａｌの熱伝導率を示す。

【００１８】

【表２】

【００１９】ＣｕーＳｉ合金では、Ｓｉの添加濃度によ
って熱伝導率を連続的に変化させることができる。Ｃｕ
にＳｉを微量に添加していくと熱伝導率は徐徐に小さく
なり、８原子％程度添加するとＣｕの熱伝導率の約１０
分の１ほどになる。Ａｕ及びＡｌの熱伝導率と比較する
と、Ｓｉ濃度０．５原子％弱でほぼ同じ熱伝導率が得ら
れることがわかる。つまりＣｕ−Ｓｉ合金では、光学特
性を大きく変えることなく熱的特性のみを変えることが
可能であることがわかった。

【００２０】（実施例３）実施例２で決定した各Ｓｉ濃
度に対するｎ，ｋの値を用いてマトリクス法により第１
及び第２の光干渉層の膜厚を決定した。光干渉層にはＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂混合物膜を用い、記録層３は厚さ３０ｎ
ｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜、光反射層５のＣｕ−Ｓｉ合金
薄膜は１０ｎｍに固定して計算を行った。波長は７８０
ｎｍである。その結果、例えばアモルファス部と結晶部
の間の反射率変化が１５％以上、結晶部の吸収率がアモ
ルファス部よりも５％以上大きい、かつ結晶部での吸収
率が５０％以上であるということを基準にとると、第１
の光干渉層２が８１ｎｍ、第２の光干渉層４が１５０ｎ
ｍの各膜厚条件が好ましかった。（各値は±５％程度の
膜厚許容巾があった。）またその結果は、Ｓｉ濃度０〜５原子％まで同膜厚であ
った。これによってＳｉ濃度のかなり広い組成範囲に渡
って光学特性への影響がないことが示された。

【００２１】（実施例４）実施例３の計算結果を元にデ
ィスクを試作し、最内周部と最外周部における記録特性
及び消去特性を評価した結果を示す。１．２μｍピッチ
の案内溝が形成された直径３００ｍｍのポリカ−ボネ−
ト基板１上に、第１の光干渉層２のＺｎＳ−ＳｉＯ₂を
８１ｎｍ、記録層３のＧｅＳｂＴｅを３０ｎｍ、第２の
光干渉層４のＺｎＳ−ＳｉＯ₂を１５０ｎｍ、光反射層
５のＣｕ−Ｓｉを１０ｎｍ順次スパッタリング法により
積層し、接着性樹脂を塗布してダミー基板７を接着し
た。同じ構成で、光反射層のＳｉ濃度が異なるディスク
を８枚試作した。

【００２２】ディスクを毎分１８００回転で回転させ、
記録ピ−クパワ−と消去バイアスパワ−は図３に示すよ
うな変調レ−ザ−パワ−レベルで照射した。レーザー波
長は７８０ｎｍである。最内周部の線速度は８ｍ／ｓ、
最外周部の線速度は２７ｍ／ｓである。まず、記録ピー
クパワーに対するＣＮ比の変化を最内周部及び最外周部
において測定した。最内周部は、消去バイアスパワーを
５ｍＷに固定して記録ピークパワーを１０ｍＷから２３
ｍＷまで１ｍＷずつ変化させてＣＮ比を測定した。記録
信号は６．５ＭＨｚの単一周波数とし、パルス幅３０ｎ
ｓｅｃである。最外周部は消去バイアスパワーを１０ｍ
Ｗに固定して記録ピークパワーを１５ｍＷから２８ｍＷ
まで１ｍＷずつ変化させてＣＮ比を測定した。記録信号
は２２ＭＨｚの単一周波数とし、パルス幅１４ｎｓｅｃ
である。次に消去バイアスパワ−の変化に対するオ−バ
−ライト消去率を最内周部及び最外周部において測定し
た。最内周部は、記録ピークパワーを２０ｍＷに固定し
て消去バイアスパワーを４ｍＷから１１ｍＷまで１ｍＷ
ずつ変化させてオーバーライト消去率を測定した。オー
バーライト消去率は、６．５ＭＨｚ（ｆ１）の信号を記
録してＣＮ比を測定し、次に２.５ＭＨｚ（ｆ２）の信
号をオ−バ−ライトして、ｆ１成分の減衰比から測定し
た。最外周部は、記録ピークパワーを２５ｍＷに固定し
て消去バイアスパワーを９ｍＷから１６ｍＷまで１ｍＷ
ずつ変化させてオーバーライト消去率を測定した。ｆ１
＝２２ＭＨｚ、ｆ２＝８ＭＨｚである。比較のため、光
反射層にＡｕを用いた場合とＡｌＣｒを用いた場合の結
果も併せて（表３）に示す。

【００２３】

【表３】

【００２４】この結果、Ｃｕ−Ｓｉ合金薄膜のＳｉ濃度
が５原子％以下であるディスク１〜６については最内周
部から最外周部まで、Ａｕを用いた場合と同様にＣＮ比
≧５０ｄＢで消去率≧３０ｄＢという結果が得られてい
る。特に最内周部の消去率についてはＡｌＣｒよりもは
るかに高い値を示すことがわかる。しかしＳｉ濃度が８
原子％であるディスク７は、最外周部の消去率は３０ｄ
Ｂが得られているが、最内周部の消去率が２０ｄＢ程度
まで低下している。さらにＳｉを１０原子％まで添加し
たディスク８は内外周部共に消去率が２０ｄＢ以下にな
り、ＣＮ比も低下している。これらの結果から、Ｓｉ濃
度は５原子％以下が望ましいことがわかる。また、最内
周部ではＳｉ濃度が０〜０.６原子％、最外周部ではＳ
ｉ濃度が５原子％のときにより高い消去率が得られてお
り、ディスクの内周部から外周部に向かってＳｉ濃度を
増加させることにより、さらにディスク全周における消
去率を向上させることが可能である。したがって、光デ
ィスクの外周部の高線速条件においてはＳｉ濃度をやや
多めにすることで熱伝導率を小さくして冷却速度を抑
え、最内周部の低線速条件においてはＳｉ濃度を極微量
にすることで熱伝導率を大きくして冷却速度を上げるこ
とにより線速比の大きい場合にも、高いＣＮ比と良好な
オ−バ−ライト特性が得られることが確認できた。

【００２５】（実施例５）実施例４のディスクと同時に
スパッタした薄膜サンプルの光学特性を評価した。薄膜
はディスクと同じ膜構成で、石英ガラス上に積層されて
いる。波長７８０ｎｍにおける反射率と透過率をスペク
トロメータにより測定した。吸収率は反射率と透過率よ
り求めた。反射率と吸収率を記録層が結晶相の場合とア
モルファス相の場合について（表４）に示す。この場合
の吸収率は、光反射層と記録層の吸収率を合わせた値で
ある。ＡｕとＡｌＣｒのサンプルについても比較のため
に示す。

【００２６】

【表４】

【００２７】光反射層にＣｕ−Ｓｉ合金薄膜を用いたサ
ンプル１〜８の中でも、特にサンプル１〜６はＡｕを用
いた場合と反射率及び吸収率が非常に近い値を示した。
これは、実施例４におけるＣＮ比と消去率の測定結果が
Ｃｕ−Ｓｉ合金とＡｕでほぼ同等であったことと一致し
ている。また、サンプル７及び８は結晶相とアモルファ
ス相の吸収率差が小さくなっているために消去率が低下
し、反射率変化も小さいのでＣＮ比が低下したものと思
われる。またＡｌＣｒを用いた場合に低消去率であった
のは、アモルファス相の吸収率が結晶相の吸収率よりも
大きいためであることが実測で確認できた。したがって
光反射層にＣｕ−Ｓｉ合金薄膜を用い、Ｓｉ添加濃度を
５原子％程度にした場合、Ａｕを用いた場合と同等の性
能が得られることがわかる。

【００２８】（実施例６）高線速条件での消去率を上げ
るためには、結晶部とアモルファス部の到達温度を同じ
にする必要がある。そのためには、結晶部のみ有する融
解潜熱の分だけ結晶部の吸収率をアモルファス部の吸収
率より大きくする必要がある。Ａｕ反射層を用いた場合
についてはその条件を満足する光干渉層の膜厚条件があ
ることが確認されている。（光メモリーシンポジウム’
９２論文集Ｐ．２１〜２２参照）そこで、実施例５と同
様に石英ガラス基板、光反射層のＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合
物薄膜、記録層のＧｅＳｂＴｅ薄膜を用いて波長７８０
ｎｍを前提に、記録層の厚さを２０ｎｍから６５ｎｍ、
光反射層のＣｕ−Ｓｉ合金薄膜の膜厚を３ｎｍから４０
ｎｍまで変えた、各種の薄膜サンプルを試作し、その光
学特性を評価した。（表５）は試作した薄膜サンプルに
ついての特性評価結果を示す。表中、○印はΔＲ≧１５
％かつΔＡ≧５％を満足する第１及び第２の光干渉層の
膜厚条件が十分広い膜厚域（例えば±５％以上）をもっ
て存在すること、△印はΔＲ≧１５％かつΔＡ≧５％を
満足する光干渉層の膜厚条件があること、×印は上記条
件が満たされないことを示す。

【００２９】

【表５】

【００３０】この評価から、Ｃｕ−Ｓｉ合金薄膜の膜厚
を１５ｎｍ以下に選べば、記録層の結晶部の吸収率がア
モルファス部の吸収率よりも大きくなる光干渉層の膜厚
条件が広く存在することが確認できた。

【００３１】（実施例７）実施例１、２、３、４、５、
６を添加元素Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎにつ
いても行い同様の良好な結果を得た。

【００３２】（実施例８）記録層が光磁気記録膜である
場合についても説明する。１．５μｍピッチの案内溝が
形成された直径３００ｍｍのポリカ−ボネ−ト基板１上
に、第１の光干渉層２のＺｎＳ−ＳｉＯ2を５０ｎｍ、
記録層３のＧｄＴｂＴｅＣｏを４０ｎｍ、第２の光干渉
層４のＺｎＳ−ＳｉＯ2を１００ｎｍ、光反射層５のＣ
ｕ−Ｓｉを１００ｎｍ順次スパッタリング法により積層
し、接着性樹脂を塗布してダミー基板７を接着した。同
じ構成で、光反射層のＳｉ濃度が異なるディスクを６枚
試作した。第１の光干渉層２及び第２の光干渉層４の膜
厚は反射率が低くカー回転角が最大になるように計算に
より決定した。また、記録層を薄くして光反射層を厚く
することによりカー回転だけでなくファラデー回転も利
用して見かけ上の回転角を増加させるようにした。試作
したディスクのカー回転角は０．９〜１．０度という大
きな値が得られ、光反射層にＡｌまたはＡｌ合金を用い
た場合と同等の磁気特性を示すことが確認できた。

【００３３】次に記録消去パワー特性について説明す
る。最内周部と最外周部において評価した。ディスクを
毎分１８００回転で回転させ、予め磁化の向きを消去方
向にそろえたトラックに外部磁界を４００Ｇａｕｓｓ印
加して記録パワーのみ変調して、３．７ＭＨｚの単一周
波数の信号を記録し、ＣＮ比と２次高調波を測定した。

【００３４】記録した信号を連続消去パワーで消去し、
信号の減衰比から消去率を測定した。

【００３５】記録パワー特性の評価結果を（表６）及び
消去パワー特性の評価結果を（表７）に示す。

【００３６】比較のため光反射層にＡｌＴｉ、ＡｌＣ
ｒ、Ａｌを用いた場合の結果についても示す。記録感度
は、２次高調波が最小となる記録パワーである。

【００３７】

【表６】

【００３８】

【表７】

【００３９】この結果Ｃｕ−Ｓｉ反射層を光磁気記録膜
に用いても、高いＣＮ比と記録感度が得られ、消去率に
ついても全く問題ないことが確認できた。同様の実験を
Ｃｕ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｎｂ、Ｃｕ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｃ
ｕ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｚｎ合金薄膜についても行った結果Ｓ
ｉと同等の性能が得られ、光磁気記録媒体にもＣｕ−Ｍ
合金薄膜が適用できることがわかった。

【００４０】（実施例９）Ｃｕ−Ｍ合金薄膜の耐食性に
ついて検討した結果について説明する。石英ガラス基板
上にＣｕ，Ｃｕ−Ｓｉ，Ｃｕ−Ｔｉ，Ｃｕ−Ｎｂ，Ｃｕ
−Ｃｒ，Ｃｕ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ａｌ，Ｃｕ−Ｚｎをスパッ
タリング法により形成した。添加元素の濃度は、いずれ
も５原子％程度で膜厚は約１００ｎｍである。これらの
薄膜サンプルを８５℃８５％ＲＨの環境下に３００時間
放置した。比較のため、Ａｕ薄膜のサンプルも同時に試
験を行った。薄膜の腐食状況を表８に示す。

【００４１】

【表８】

【００４２】この結果からＣｕ単体では耐食性が不十分
であるが、ＣｕにＳｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａ
ｌ，Ｚｎを添加することにより耐食性が向上し、Ａｕと
同等の耐食性を有することがわかる。

【００４３】なお、ディスクの構成としては図１に限ら
れるものではなく、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のよう
な構成でも良い。また、薄膜が積層された基板をホット
メルト等の接着性樹脂で貼り合わせた両面構造やエアー
ギャップ構造の両面ディスクでももちろん良い。

【００４４】

【発明の効果】以上のように本発明は、光を吸収し物理
的または化学的変化を生ずる記録層と、記録層に吸収さ
れる光量を増大させるための光反射層と、光の行路長を
調節して記録層への光吸収効率を高めるための光干渉層
とを基板上に備えた光学情報記録媒体であって、光反射
層がＣｕ−Ｍ合金を主成分とする薄膜で形成され、Ｍ
は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｚｎより選
ばれることにより、Ａｕと非常に近い屈折率と消衰係数
を示し、またＡｕと同等の熱伝導率を有し、且つ耐食性
に優れた低コストな光反射層を有する優れた光学的情報
記録媒体を実現できる。さらにＭ濃度を選択することに
より熱伝導率の微調ができ、記録薄膜材料の特性（組
成、膜厚等）および線速度等に応じて特性の調整が可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例における光学情報記録媒体の
部分断面図

【図２】（ａ）は本発明の第２の実施例におけるＳｉ濃
度（原子％）に対する屈折率ｎの変化を示す特性図（ｂ）は本発明の第２の実施例におけるＳｉ濃度（原子
％）に対する消衰係数ｋの変化を示す特性図

【図３】第４の実施例における光学情報記録媒体への照
射パワー出力波形図

【図４】第９の実施例における光学情報記録媒体の部分
断面図

【符号の説明】

１基板２第１の光干渉層３記録層４第２の光干渉層５光反射層６接着性樹脂７ダミー基板８第３の光干渉層９第４の光干渉層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者河原克巳大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光を吸収し物理的または化学的変化を生ず
る記録層と、上記記録層に吸収される光量を増大させる
ための光反射層と、光の行路長を調節して上記記録層へ
の光吸収効率を高めるための光干渉層とを基板上に備え
た光学情報記録媒体であって、上記光反射層がＣｕ−Ｍ
合金を主成分とする薄膜で形成され、Ｍは、Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｚｎより選ばれることを
特徴とする光学情報記録媒体。
【請求項２】基板がディスク状であることを特徴とする
請求項１記載の光学情報記録媒体。
【請求項３】Ｃｕ−Ｍ合金薄膜の組成をＣｕ_100ーX Ｍ_X
としたとき、Ｘを０＜Ｘ≦５（原子％）の範囲に選ぶこ
とを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒体。
【請求項４】ディスク状媒体の内周部から外周部に向か
って、Ｃｕ−Ｍ合金のＭの濃度が増加することを特徴と
する請求項２記載の光学情報記録媒体。
【請求項５】Ｃｕ−Ｍ合金薄膜の膜厚ｄを５≦ｄ≦１０
０（ｎｍ）の範囲に選ぶことを特徴とする請求項１記載
の光学情報記録媒体。
【請求項６】記録層が、結晶相とアモルファス相との間
で可逆的に相変態を起こす材料よりなる相変化記録膜で
あることを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒
体。
【請求項７】記録層が、膜面に垂直な方向に磁化容易軸
を有する希土類ー遷移金属合金よりなる光磁気記録膜で
あることを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒
体。