JPH0737273A

JPH0737273A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH0737273A
Application number: JP5181489A
Authority: JP
Inventors: Kazumi Yoshioka; 一己吉岡; Tetsuya Akiyama; 哲也秋山; Hidemi Isomura; 秀己磯村
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-07-22
Filing date: 1993-07-22
Publication date: 1995-02-07

Abstract

(57)【要約】【目的】記録、消去特性に優れ記録、消去の繰り返し特
性の安定した光記録媒体を提供することを目的とする。【構成】透明基板１の一方の面に第１の誘電体層９、第
２の誘電体層２、光を吸収し情報の書き込み及び消去を
する記録層３、第３の誘電体層４、第４の誘電体層５、
反射層６を順次形成し、第２、第３の誘電体層２、４よ
りも低線膨張の材料の第１、第４の誘電体層９、５を用
いて、基板１の熱変形や第２、第３の誘電体層の熱変形
を抑制する光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザービーム等の光
により、情報を高密度、大容量で記録・再生及び消去で
きる光記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体としての光ディスクは、使用
する記録薄膜に応じて追記型ディスクと、書換型ディス
クとに分類される。追記型ディスクは記録再生が可能で
あるが、一度データを書き込むと消去するこができず、
再度データを書き込むことはできない。これに対し、書
換型ディスクは同一のデータ領域に何度もデータを書き
換えることが可能である。

【０００３】追記型ディスクは、レーザー光の照射によ
って記録薄膜にデータを記録し、記録薄膜からの反射光
量の変化をフォトダイオードによって検出することによ
りデータを再生するものである。ここで使用される記録
薄膜は、Ｔｅと、ＴｅＯ₂を主成分とするＴｅＯ_x（０
＜ｘ＜２．０）成分とからなる薄膜であり、レーザー光
の照射によって膜温度が上昇することにより、その状態
が非晶状態（アモルファス状態）から結晶状態に変化す
るものである。この現象を利用してデータの記録が行わ
れる。一方この記録薄膜は、逆に結晶状態からアモルフ
ァス状態へ変化することはできない。従って、追記型デ
ィスクでは記録再生は可能であるが、書換（オーバーラ
イト）を行うことはできない。

【０００４】他方、書換型ディスクとしては、光磁気記
録ディスクと相変化記録ディスクが主流である。光磁気
記録ディスクにおいては、記録薄膜として希土類遷移金
属からなる非晶質合金膜（アモルファス合金膜）である
磁性薄膜が用いられる。ここに、磁性薄膜ではレーザ光
が照射された部分において膜温度が上昇し、保磁力が減
少する。このため、かかる磁性薄膜に弱い外部磁界を与
えた場合、その部分が磁化反転を起こし、スポット状の
磁区となって保持される。従って、この現象を利用する
ことによってデータの記録が行われている。また再生に
あたっては、磁化の向きによりレーザー光の偏光面が回
転するため、かかる現象を利用し、記録時よりは弱いパ
ワーのレーザー光を磁性薄膜に照射し、レーザー光の偏
光面の変化状態を検出することにより行われている。な
お、レーザー光における偏光面の変化状態については、
検光子（直線偏光板）と呼ばれる偏光面回転を光強度の
変化に替える素子を用いることによって検出される。一
方、磁化反転した上記スポット状磁区については、強い
磁界を与えることによって元の状態に戻すことができる
ため、書換が可能となる。

【０００５】また、記録ディスクは通常円盤形状をな
し、これを回転させて使用するものであるが、相変化記
録ディスクにおいては、記録薄膜を予め結晶化させてお
き、これに対し約１μｍに絞ったレーザー光を情報に対
応させて強度変調させ、照射している。この場合、ピー
クパワーレーザー光照射部位は記録薄膜の融点以上に加
熱・融解され、その後急冷される。こうすることによ
り、記録薄膜上には非晶質化したマークが形成される。
そこで、かかるマークを記録マークとして情報の記録が
行われることになる。

【０００６】また、この記録薄膜上に形成された非晶質
状態の記録マークに対し、同じくレーザー光を照射し、
そのガラス転移点（融点よりは低い）以上の結晶化し易
い温度に加熱して所定の時間を保つと、結晶化が行われ
る。こうすることにより、記録マーク即ち、既記録信号
情報が消去される。なお、再生にあたっては、上記追記
型ディスクと同様に、記録薄膜からの反射光量の変化を
フォトダイオードで検出して行われる。

【０００７】ところで、記録・再生及び書換が可能な相
変化記録ディスクにおいては、図３のような構成が一般
的である。すなわち、基板１の上に順に、誘電体層１
２、記録薄膜３、誘電体層１３、反射層６、接着剤層
７、保護板８が形成されてなるものである。その記録薄
膜３の材料としては、Ｓ．Ｒ．オブシンスキー氏等が提
案したＧｅ₁₅Ｔｅ₈₁Ｓｂ₂Ｓ₂等カルコゲン材料や、Ａ
ｓ₂Ｓ₃、Ａｓ₂Ｓｅ₃或いはＳｂ₂Ｓｅ₃等カルコゲ
ン元素と周期律表第Ｖ族若しくは第ＩＶ族の元素等の組
合せからなる材料が広く知られている。

【０００８】また上述したように、記録薄膜は加熱及び
冷却が頻繁に繰り返されるものであるから、通常その上
下面には耐熱性の優れた誘電体１２、１３からなる保護
層が設けられている。従って、かかる保護層の熱伝動特
性によって記録薄膜における昇温・急冷・徐冷特性が変
化するため、その材質や層構成を選ぶことにより記録・
消去特性を向上させることができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、相変化記録
方式による書換型ディスクを使用する場合には、記録・
消去が繰り返し行われるため、記録薄膜における相変化
回数が極めて多くなり、情報読取りに必要な信号品質が
変動するという不具合が発生する。これは、レーザー光
からなる記録スポット光及び消去スポット光の照射によ
り、記録薄膜が４００℃以上に急速に加熱され、しかる
後急速に冷却されるという厳しい熱的操作が繰り返され
るため、記録薄膜自身及びその上下面に設けた保護層が
熱損傷を受けることに加え、かかる保護層が膨張・収縮
を繰り返し、脈動することにより、記録薄膜の膜厚変化
を引起し、記録状態を不均一にするためである。

【００１０】上記不具合を解消するために、従来記録薄
膜の膜厚を薄くしてその熱容量を小さくすると共に、そ
の上下面に設けた保護層の膜厚を厚くすることにより、
機械強度を強くした所謂厚膜構成が提案されている。

【００１１】しかしながらこのような対策案では、その
厚膜構成のため、多数回の記録・消去の繰り返しによっ
て、かえって保護層に熱が籠もるという現象を招くこと
となり、結局その熱が原因して信号品質の劣化を引き起
こしてしまうという課題がある。

【００１２】本発明は、このような従来の光記録媒体の
課題を考慮し、記録・消去特性が良好であり、しかも繰
り返し特性の安定した光記録媒体を提供することを目的
とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１の本発明は、透
明基板の一方の面に第１の誘電体層、第２の誘電体層、
光を吸収し情報の書き込み及び消去をする記録層、第３
の誘電体層、第４の誘電体層、反射層を順次形成した光
記録媒体であって、前記第１の誘電体層は、前記第２の
誘電体層より低線膨張の材料で構成され、また、前記第
４の誘電体層は、前記第３の誘電体層より低線膨張の材
料で構成されている光記録媒体である。

【００１４】また、請求項２の本発明は、第１、第４の
誘電体層が酸化物、窒化物または炭化物からなり、３×
１０^-6Ｋ^-1以下の線膨張係数を有する材料からなること
を特徴としている。

【００１５】また、請求項３の本発明は、第３の誘電体
層と第４の誘電体層の膜厚の和が４０ｎｍ以下であっ
て、第１と第２の誘電体層の和の膜厚よりも薄いことを
特徴としている。

【００１６】また、請求項４の本発明は、第３の誘電体
層の膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴としている。

【００１７】また、請求項５の本発明は、第１の誘電体
層の膜厚が５０ｎｍ以下であって、第２の誘電体層の膜
厚よりも薄いことを特徴としている。

【００１８】また、請求項６の本発明は、第１、第４の
誘電体層が、ＳｉＯ₂材料からなることを特徴としてい
る。

【００１９】また、請求項７の本発明は、第２及び第３
の誘電体層が、金属のカルコゲン化亜鉛と酸化物、また
は金属のカルコゲン化亜鉛と窒化物を主たる成分とする
材料からなることを特徴としている。

【００２０】また、請求項８の本発明は、第２と第３の
誘電体層が、ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合膜からなり、Ｓｉ
Ｏ₂の配合比率が５〜４０ｍｏｌ％であることを特徴と
している。

【００２１】また、請求項９の本発明は、透明基板の一
方の面に第１の誘電体層、を吸収し情報の書き込み及び
消去をする記録層、第２の誘電体層、射層を順次形成し
た光記録媒体であって、前記第１、第２の誘電体が膜厚
方向に成分組成の分布勾配を設けたことを特徴としてい
る。

【００２２】また、請求項１０の本発明は、第１、第２
の誘電体層が、記録薄膜層より遠ざかる方向にその構成
成分である酸化物の分布率を増加させ、透明基板との境
界面近傍と反射層との境界面近傍において１００％の分
布率をもつように分布勾配を設けたことを特徴としてい
る。

【００２３】また、請求項１１の本発明は、第１及び第
２の誘電体層の構成成分としての酸化物が、ＳｉＯ₂で
あることを特徴としている。

【００２４】また、請求項１２の本発明は、第１及び第
２の誘電体層が、ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合膜からなり、
ＳｉＯ₂の配合比率が５〜４０ｍｏｌ％であることを特
徴としている。

【００２５】

【作用】上記請求項１〜８の本発明によれば、第２の誘
電体層よりも第１の誘電体層が低線膨張の材料を用い、
第３の誘電体層よりも第４の誘電体層が低線膨張の材料
を用いているので、記録、消去時の記録膜の熱による誘
電体層２、３の変形を抑制する。

【００２６】また、上記第２及び第３の誘電体層は、熱
伝動率の低い金属のカルコゲン化物であるカルコゲン化
亜鉛と酸化物或いは窒化物を主たる成分とする材料で形
成されているか又は、ＺｎＳとＳｉＯ₂（ＳｉＯ₂の配
合比率は５〜４０ｍｏｌ％）の混合膜から形成されてい
る。従って、記録薄膜層は第２及び第３の誘電体層に挟
まれ、その熱変化特性即ち、記録感度を調整される。

【００２７】一方、上記第３の誘電体層と第４の誘電体
層の膜厚の和は、第１、第２の誘電体層の膜厚の和より
も薄く、４０ｎｍ以下に形成されている。従って、記録
薄膜層と反射層との離隔距離はより接近し、記録・消去
に伴って記録薄膜層で発生した熱は速やかに反射層に伝
達され除去される。

【００２８】また、第３の誘電体層の膜厚は更に第４の
誘電体層の膜厚よりも薄く、１０ｎｍ以下に形成されて
いると共に、上記第４の誘電体層は、第３の誘電体層に
比べて、より小さい線膨張係数（３×１０^-6Ｋ^-1以下の
線膨張係数）を有する材料である酸化物、窒化物、炭化
物材料或いはＳｉＯ₂材料により形成されている。従っ
て、記録薄膜に接する第３の誘電体層の熱変形（熱膨張
及び収縮）を第４の誘電体層が抑制すると共に、記録薄
膜で発生した熱は第３の誘電体層を介して第４の誘電体
層に伝達された後、速やかに第４の誘電体層に接する反
射層に伝達され除去される。

【００２９】また、基板と第２の誘電体層の間にも低線
膨張係数（３×１０^-6Ｋ^-1以下の線膨張係数）を有する
材料である酸化物、窒化物、炭化物材料或いはＳｉＯ₂
材料により第１の誘電体層が形成されている。従って、
記録薄膜に接する第２の誘電体層の熱変形（熱膨張及び
収縮）を第１の誘電体層が抑制すると共に、記録薄膜で
発生した熱は第の２誘電体層を介して第１の誘電体層に
伝達され速やかに除去される。このため基板の熱変形を
抑制できる。

【００３０】上記請求項９〜１２の本発明によれば、前
記第１、第２の誘電体が膜厚方向に成分組成の分布勾配
を設けている。

【００３１】また、ここで使用される第１及び第２の誘
電体層は、熱伝動率の低い金属のカルコゲン化物である
カルコゲン化亜鉛とＳｉＯ₂等の酸化物或いは窒化物を
主たる成分とする材料で形成されているか又は、ＺｎＳ
とＳｉＯ₂（ＳｉＯ₂の配合比率は５〜４０ｍｏｌ％）
の混合膜から形成されている。

【００３２】すなわち、言い替えれば、第１、第２の誘
電体層については、膜厚方向にその成分組成の分布勾配
が設けられている。具体的には、ＺｎＳとＳｉＯ₂を構
成成分として、記録薄膜層より遠ざかる方向にＳｉＯ₂
の分布率が増加し、基板と反射層とのそれぞれの境界面
近傍においてその分布率が１００％となるように連続し
た分布勾配が設けられている。このため、ＴｅとＧｅと
Ｓｂの３成分を含有する記録薄膜との境界近傍における
第１、第２の誘電体層では、同様な成分からなるＺｎＳ
がリッチ状態となり、逆に記録薄膜層より遠ざかるにつ
れ、線膨張係数の小さなＳｉＯ₂がリッチ状態となる。
従って、記録・消去に伴って記録薄膜層で発生する熱に
より熱変形を起こすことが緩和され、疲労破壊が起こり
にくくなる。また、分布勾配を変化させることにより、
記録感度を調整することができる。

【００３３】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００３４】図１は、本発明に係る光記録媒体の一実施
例の構成を示す縦断面図である。この光記録媒体は、図
に示すように多層構造をなし、矢印Ａで示す方向より、
情報に応じて強度変調を施したレーザー光の照射を受
け、記録・消去及び再生が行われるものである。すなわ
ち、矢印Ａで示す方向に、下方よりポリカーボネイト樹
脂等の透明樹脂材料からなる基板１、ＳｉＯ₂からなり
膜厚が約３０ｎｍの第１の誘電体層９、その上に膜厚が
約１５０ｎｍであって、耐熱性の優れたＺｎＳ−ＳｉＯ
₂の混合膜からなる第２の誘電体層２、膜厚が約３０ｎ
ｍであって、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂからなる記録薄膜層３、
膜厚が約１０ｎｍであって、第２の誘電体層２の材料と
同じ材料からなる第３の誘電体層４、膜厚が約２０ｎｍ
であって、第１の誘電体層９と同一材料のＳｉＯ₂から
なる第４の誘電体層５、膜厚が約１５０ｎｍであってＡ
ｌ合金からなる反射層６、接着剤層７、保護板８とが積
層状態に形成されている。

【００３５】ここで、第１、第４の誘電体層９、５は、
第２、第３の誘電体層２、４よりも低線膨張の材料で出
来ている。それによって、ＳｉＯ₂からなる第１の誘電
体層９は記録、消去時の熱による基板１、第２の誘電体
層２の変形を抑制でき、また第４の誘電体層５は第３の
誘電体層４の熱変形を抑制する。

【００３６】なお、基板１については、予めレーザー光
案内用の溝を形成した樹脂基板であるか又は２Ｐ法で溝
を形成したガラス板基板であるか或いはガラス板に直接
溝を形成したガラス板基板であってもよい。

【００３７】また、第２の誘電体層２、記録薄膜層３、
第３の誘電体層４、第１の誘電体層９及び第４の誘電体
層５、反射層６の形成方法については、真空蒸着法か或
いはスパッタリング法が用いられる。

【００３８】（実験例）（１）第３の誘電体層４及び第４の誘電体層５の膜厚に
ついて：第３の誘電体層４の膜厚については、３〜１５
ｎｍの範囲において、記録感度が及びサイクル特性が良
好であった。さらに好ましくは５〜１０ｎｍの範囲が良
い。

【００３９】また、第４の誘電体層５としてＳｉＯ₂を
使用した場合の膜厚については、１５〜３０ｎｍの範囲
が適当であった。即ち、膜厚を１５ｎｍ以下とした場合
には、記録・消去に伴って第３の誘電体層４が熱膨張及
び収縮して変形を抑制する効果が小さく、さらに記録薄
膜３と反射層６との距離が近くなるために記録薄膜３の
熱が逃げ易くなり記録感度が下がるため良くない。逆
に、膜厚を３０ｎｍ以上とした場合には、記録薄膜３と
反射層６との距離が遠くなるために記録薄膜３の熱が逃
げにくくなり記録・消去に伴って第４の誘電体層５の部
分で熱が籠もってしまい、サイクル特性が劣化した。

【００４０】更に、第３及び第４の誘電体層４、５の膜
厚の和を約４０ｎｍとした場合は、反射層６への熱伝達
が良好であり、記録薄膜３を急冷するに効果的であっ
た。具体的には記録不良が起こらなかったので、ノイズ
の発生がなかった。（２）第１の誘電体層９の膜厚について：低線膨張率の
ＳｉＯ₂を用いた第１の誘電体層９の膜厚については、
１０〜５０ｎｍの範囲において、さらに好ましくは２０
〜３０ｎｍの範囲がサイクル特性が良好であった。ま
た、第２の誘電体層２の膜厚については、１３０〜２０
０ｎｍの範囲が適当であった。さらに好ましくは１５０
〜１８０ｎｍがよい。（３）第２及び第３の誘電体層２、４を形成するＺｎＳ
−ＳｉＯ₂混合膜におけるＳｉＯ₂の配合比率につい
て：５ｍｏｌ％以下にした場合には、結晶粒径を小さく
する効果が薄れてしまった。また、４０ｍｏｌ％以上に
した場合には、ＳｉＯ₂膜の性質が大きくなり、膜強度
が十分ではなくなってしまった。従って、ＳｉＯ₂のモ
ル分率については、５〜４０ｍｏｌ％の範囲にするのが
適当であると言える。（４）オーバライト特性について：本実施例で示す光記
録媒体（外径１３０ｍｍ）を、回転数１８００ｒｐｍ、
線速度８ｍ／ｓｅｃのところで、ｆｌ＝３．４３ＭＨｚ
の信号及びｆ２＝１．２５ＭＨｚの信号のオーバーライ
ト特性を測定した。なお、オーバーライトは、１個のサ
ークルスポットで約１μｍのレーザー光により、高いパ
ワーレベル１６ｍＷ、低いパワーレベル８ｍＷの間の変
調で、高いパワーレベルで非晶質化記録マークを形成
し、低いパワーレベルで非晶質化記録マークを結晶化し
て消去する同時消録方法で行った。

【００４１】その結果、記録信号のＣ／Ｎ比（ノイズの
評価尺度のこと）として、５５ｄＢ以上の値が得られ
た。また、オーバライト消去率として３０ｄＢ以上の値
が得られ、従来の光記録媒体に比べて記録消去特性が向
上した。

【００４２】更に、オーバーライトのサイクル特性につ
いては、ビットエラー・レイト特性を測定した結果、１
０⁶サイクル以上において劣化が見られなかった。

【００４３】図２は、光記録媒体の構成の第２の実施例
を示す縦断面図である。なお、図１で示す同一構成要素
については同一番号で示す。図１との相違点は、記録薄
膜層３を挟んでいる第２、第３の誘電体層１０、１１の
膜厚を大きくし、更にＺｎＳとＳｉＯ₂の組成比を膜厚
方向に連続的に変化させ、事実上、上記第１、第４の誘
電体層９、５の役割を果たす部分を形成させている点で
ある。具体的には、記録薄膜層３と接する界面ではＺｎ
Ｓを８０％とし、ＳｉＯ₂を２０％としてある。また、
基板１、反射層６との界面においてはＳｉＯ₂を１００
％となるように形成してある。もちろん、このような組
成に限定されるものではなく、その組成比を変えること
によって記録薄膜層３の熱伝動率を制御することができ
る。即ち、記録感度を調整することができることにな
る。なお、この実施例においても実験の結果、上述した
オーバーライト特性を満足することが確認できた。

【００４４】なお、上記実施例では、第１と第４の誘電
体層は、第２と第３の誘電体層より低線膨張の材料で構
成されていたが、本発明は、これに限らず、第１の誘電
体層は、第２の誘電体層より低線膨張の材料で構成さ
れ、あるいはまた、第４の誘電体層は、第３の誘電体層
より低線膨張の材料で構成されているものであればよ
い。

【００４５】

【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明によれば、記録薄膜層の上下に設けた誘電体層が
記録・消去に伴って熱膨張及び収縮する脈動現象がなく
なるので、記録薄膜層がディスク回転方向案内溝に沿っ
て移動する物質移動現象が大幅に抑制される。このた
め、記録薄膜層における厚さムラが無くなり、信号品質
の劣化を防止することが可能となる。その結果、記録・
消去の繰り返し特性が格段に向上する。

【００４６】また、記録薄膜層と反射層との間に設けた
誘電体層の厚みを薄くすることにより、記録薄膜層の急
冷効果が顕著に向上するため、均一な非晶質化、即ち、
均一な記録マークの形成が可能となる。従って、光記録
媒体における記録並びに消去特性が極めて良好となる。
その結果、１０⁶回以上の書換にも対応できる耐久性の
優れた光記録媒体を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の一実施例の構成を示
す縦断面図である。

【図２】本発明に係る光記録媒体の他の実施例の構成を
示す縦断面図である。

【図３】従来の光記録媒体の縦断面図である。

【符号の説明】

１基板２第２の誘電体層３記録薄膜層４第３の誘電体層５第４の誘電体層６反射層７接着剤層８保護板９第１の誘電体層１０第２の誘電体層１１第３の誘電体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板の一方の面に第１の誘電体層、
第２の誘電体層、光を吸収し情報の書き込み及び消去を
する記録層、第３の誘電体層、第４の誘電体層、反射層
を順次形成した光記録媒体であって、前記第１の誘電体
層は、前記第２の誘電体層より低線膨張の材料で構成さ
れ、また、前記第４の誘電体層は、前記第３の誘電体層
より低線膨張の材料で構成されていることを特徴とする
光記録媒体。
【請求項２】第１、第４の誘電体層が酸化物、窒化物
または炭化物からなり、３×１０^-6Ｋ^-1以下の線膨張係
数を有する材料からなることを特徴とする請求項１記載
の光記録媒体。
【請求項３】第３の誘電体層と第４の誘電体層の膜厚
の和が４０ｎｍ以下であって、前記第１と第２の誘電体
層の和の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１記載
の光記録媒体。
【請求項４】第３の誘電体層の膜厚が１０ｎｍ以下で
あることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項５】第１の誘電体層の膜厚が５０ｎｍ以下で
あって、前記第２の誘電体層の膜厚よりも薄いことを特
徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項６】第１、第４の誘電体層が、ＳｉＯ₂材料
からなることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項７】第２及び第３の誘電体層が、金属のカル
コゲン化亜鉛と酸化物、または金属のカルコゲン化亜鉛
と窒化物を主たる成分とする材料からなることを特徴と
する請求項１記載の光記録媒体。
【請求項８】第２と第３の誘電体層が、ＺｎＳとＳｉ
Ｏ₂の混合膜からなり、ＳｉＯ₂の配合比率が５〜４０
ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１記載の光記録
媒体。
【請求項９】透明基板の一方の面に、第１の誘電体
層、光を吸収し情報の書き込み及び消去をする記録層、
第１の誘電体層と同一材料からなる第２の誘電体層、反
射層を順次形成した光記録媒体であって、前記第１、第
２の誘電体は膜厚方向に成分組成の分布勾配が設けられ
ていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項１０】第１、第２の誘電体層が、前記記録薄
膜層より遠ざかる方向にその構成成分である酸化物の分
布率を増加させ、前記透明基板との境界面近傍と反射層
との境界面近傍において実質上１００％の分布率をもつ
ように分布勾配が設けられていることを特徴とする請求
項９記載の光記録媒体。
【請求項１１】第１及び第２の誘電体層の構成成分と
しての酸化物が、ＳｉＯ₂であることを特徴とする請求
項１０記載の光記録媒体。
【請求項１２】第１及び第２の誘電体層が、ＺｎＳと
ＳｉＯ₂の混合膜からなり、ＳｉＯ₂の配合比率が５〜
４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項９記載の光
記録媒体。