JP2888520B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光ビームを用いて情報が記録再生される光
情報記録媒体に関するものである。 （従来の技術） 化学量論組成のテルル化ゲルマニウム（Ge50Te50）及
び化学量論組成のテルル化ゲルマニウムのゲルマニウム
を錫あるいは鉛で置換したテルル化ゲルマニウム錫（Ge
50−xSnxTe50）、テルル化ゲルマニウム鉛（Ge50−yPby
Te50）、テルル化ゲルマニウム錫鉛（Ge50−ｘ−ｙ−Sn
xPbyTe50）（以下これらの材料をGeTe系材料と記す）
は、光記録材料として記録感度が高く再生信号の信号対
雑音比を大きくすることができる好適な材料である。 （発明が解決しようとする問題点） さて、光情報記録媒体は、データの長期保存の目的に
使用されることがあり、高温高湿の環境下に放置されて
も記録材料の変化がなく、記録データを正確に読み書き
できることが必要である。 GeTe系材料はかかる点についてみるとその薄膜は高温
高湿の環境下において徐々にではあるが酸化，腐食し、
反射率や透過率という光学的性質が変化する現象があ
る。 従来は、GeTe系薄膜に酸化物、窒化物等の無機薄膜を
非着させて保護膜とし、高温高湿環境下におけるGeTe系
薄膜の劣化を防止していたが、この方法によると、上記
保護膜作製に長時間を要したり、光情報記録媒体作製工
程の複雑化や媒体製造価格の上昇を招くという欠点があ
つた。 本発明は上記欠点を解消し、GeTe系薄膜の高温高湿環
境下における酸化，腐食を防止し、長時間にわたり安定
して情報を記録再生できる光情報記録媒体を提供するこ
とを目的としている。 （問題点を解決するための手段） GeTe系薄膜にCrを２原子パーセント以上、15原子パー
セント以下添加した薄膜を記録膜としている。 （作用） 本手段による作用を以下に説明する。 GeTe系材料は菱面体構造の結晶からなるが、GeとTeの
原子半径の差が大きいため結晶格子内には他の原子が侵
入することのできるすきまが存在する。GeTe系薄膜が高
温高湿の環境下におかれると酸素原子がこのすきまに侵
入し、Ge−Te，Ge−Ge，Te−Te結合を切断し、GeO2，Te
O2となつて薄膜を徐々に酸化させる。ところが本発明に
よるCrが添加されたGeTe系薄膜においては、Crによつて
あらかじめGe−Te結晶内のすきまが埋められているため
に酸素は侵入しにくい。また、わずかに侵入した酸素は
Crと結合しCrO2となつて不動態を形成し酸素の侵入を阻
止するので、GeTe系薄膜は酸素の侵入による劣化から保
護され、高温高湿の環境下に長時間置かれても記録材料
としての性質に変化が生じない。 （実施例） 第１図は本発明による光情報記録媒体の一実施例を示
したものである。即ち、11はポリカーボネート基板であ
り、その上に記録薄膜として、Crが添加されたGeTe系薄
膜12を有している。更に、該薄膜上には傷や埃を防止す
るための樹脂保護膜13を積層した。ここで基板11はポリ
カーボネートに限ることなく従来から公知のPMMA,ポリ
オレフイン，エポキシ等のプラスチツク板，ガラス板,A
l等の金属板等を使用できる。 Crが添加されたGeTe系薄膜は蒸着およびスパツタリン
グ法で作製する。蒸着法では、CrとGeTe系材料の２源同
時蒸発で各蒸発源からの各材料の蒸発速度を制御してCr
の添加量を調節する。スパツタリング法においては、Ge
Te系材料からなるターゲット及びCrターゲツトからの同
時スパツタリング、あるいはGeTe系材料にCrを添加した
ターゲツトからの一源スパツタリング、あるいはGeTe系
材料のターゲツトにCrチツプを載置し一源スパツタリン
グにて作製する。Cr添加量はそれぞれスパツタリング電
力，ターゲツト内のCr含有量、ターゲツト上のCrチツプ
量にて調節を行う。 本実施例によるデイスク状光情報記録媒体にレーザー
ビームを照射し回転数1800rpmで周波数1MHzの信号を記
録し、その後JIS C5024M−１の温湿度サイクル試験を行
つたときのビツト誤り率の変化を第２図に示す。なお、
本試験での１サイクルは通常の環境下では１年に相当す
る。 第２図からも明白なように、本実施例によるGeTe系材
料にCrを添加した薄膜を記録膜とする光情報記録媒体は
Crの添加されていない従来のGeTe系薄膜を記録膜とする
光情報記録媒体に比べて温湿度サイクル試験後もビツト
誤り率の変化が小さいことを示している。ビツト誤り率
が初期値（０サイクルのときの値）の３倍になる時点を
媒体寿命とすると従来例の媒体寿命は３年であるのに比
べて、本実施例による光情報記録媒体はCr添加量が２原
子パーセント、５原子パーセント,8原子パーセントと大
きくなるにしたがつて媒体寿命が７年,10年,20年という
長寿命になつていることがわかる。 次にCr添加量について説明する。Crが添加されていな
いGeTe系薄膜を用いた従来例ではレーザービームを用い
て回転数1800rpmで周波数1MHzの信号を記録再生したと
き56dBの信号対雑音化（CNR）が得られる。Cr添加のGeT
e系薄膜を記録膜とした光情報記録媒体ではCr添加量が
８原子パーセントまではCNRは56dB得られる。しかし、
更にCr添加量が増すとCNRが徐々に低下しCr添加量が15
原子パーセントになるとCNRが45dBになり情報記録媒体
としての性能が低くなる。したがつてCr添加量は15原子
パーセント以下とするのが望ましい。 （発明の効果） このように本発明によれば、Crが添加されたGeTe系薄
膜を記録膜とする光情報記録媒体は、高温高湿の環境下
に放置されてもCrがGeTe系材料の酸化、腐食を防止する
ので記録材料の変化が少なく、したがつて長期間にわた
つて正確に情報を記録再生することができる。
情報記録媒体に関するものである。 （従来の技術） 化学量論組成のテルル化ゲルマニウム（Ge50Te50）及
び化学量論組成のテルル化ゲルマニウムのゲルマニウム
を錫あるいは鉛で置換したテルル化ゲルマニウム錫（Ge
50−xSnxTe50）、テルル化ゲルマニウム鉛（Ge50−yPby
Te50）、テルル化ゲルマニウム錫鉛（Ge50−ｘ−ｙ−Sn
xPbyTe50）（以下これらの材料をGeTe系材料と記す）
は、光記録材料として記録感度が高く再生信号の信号対
雑音比を大きくすることができる好適な材料である。 （発明が解決しようとする問題点） さて、光情報記録媒体は、データの長期保存の目的に
使用されることがあり、高温高湿の環境下に放置されて
も記録材料の変化がなく、記録データを正確に読み書き
できることが必要である。 GeTe系材料はかかる点についてみるとその薄膜は高温
高湿の環境下において徐々にではあるが酸化，腐食し、
反射率や透過率という光学的性質が変化する現象があ
る。 従来は、GeTe系薄膜に酸化物、窒化物等の無機薄膜を
非着させて保護膜とし、高温高湿環境下におけるGeTe系
薄膜の劣化を防止していたが、この方法によると、上記
保護膜作製に長時間を要したり、光情報記録媒体作製工
程の複雑化や媒体製造価格の上昇を招くという欠点があ
つた。 本発明は上記欠点を解消し、GeTe系薄膜の高温高湿環
境下における酸化，腐食を防止し、長時間にわたり安定
して情報を記録再生できる光情報記録媒体を提供するこ
とを目的としている。 （問題点を解決するための手段） GeTe系薄膜にCrを２原子パーセント以上、15原子パー
セント以下添加した薄膜を記録膜としている。 （作用） 本手段による作用を以下に説明する。 GeTe系材料は菱面体構造の結晶からなるが、GeとTeの
原子半径の差が大きいため結晶格子内には他の原子が侵
入することのできるすきまが存在する。GeTe系薄膜が高
温高湿の環境下におかれると酸素原子がこのすきまに侵
入し、Ge−Te，Ge−Ge，Te−Te結合を切断し、GeO2，Te
O2となつて薄膜を徐々に酸化させる。ところが本発明に
よるCrが添加されたGeTe系薄膜においては、Crによつて
あらかじめGe−Te結晶内のすきまが埋められているため
に酸素は侵入しにくい。また、わずかに侵入した酸素は
Crと結合しCrO2となつて不動態を形成し酸素の侵入を阻
止するので、GeTe系薄膜は酸素の侵入による劣化から保
護され、高温高湿の環境下に長時間置かれても記録材料
としての性質に変化が生じない。 （実施例） 第１図は本発明による光情報記録媒体の一実施例を示
したものである。即ち、11はポリカーボネート基板であ
り、その上に記録薄膜として、Crが添加されたGeTe系薄
膜12を有している。更に、該薄膜上には傷や埃を防止す
るための樹脂保護膜13を積層した。ここで基板11はポリ
カーボネートに限ることなく従来から公知のPMMA,ポリ
オレフイン，エポキシ等のプラスチツク板，ガラス板,A
l等の金属板等を使用できる。 Crが添加されたGeTe系薄膜は蒸着およびスパツタリン
グ法で作製する。蒸着法では、CrとGeTe系材料の２源同
時蒸発で各蒸発源からの各材料の蒸発速度を制御してCr
の添加量を調節する。スパツタリング法においては、Ge
Te系材料からなるターゲット及びCrターゲツトからの同
時スパツタリング、あるいはGeTe系材料にCrを添加した
ターゲツトからの一源スパツタリング、あるいはGeTe系
材料のターゲツトにCrチツプを載置し一源スパツタリン
グにて作製する。Cr添加量はそれぞれスパツタリング電
力，ターゲツト内のCr含有量、ターゲツト上のCrチツプ
量にて調節を行う。 本実施例によるデイスク状光情報記録媒体にレーザー
ビームを照射し回転数1800rpmで周波数1MHzの信号を記
録し、その後JIS C5024M−１の温湿度サイクル試験を行
つたときのビツト誤り率の変化を第２図に示す。なお、
本試験での１サイクルは通常の環境下では１年に相当す
る。 第２図からも明白なように、本実施例によるGeTe系材
料にCrを添加した薄膜を記録膜とする光情報記録媒体は
Crの添加されていない従来のGeTe系薄膜を記録膜とする
光情報記録媒体に比べて温湿度サイクル試験後もビツト
誤り率の変化が小さいことを示している。ビツト誤り率
が初期値（０サイクルのときの値）の３倍になる時点を
媒体寿命とすると従来例の媒体寿命は３年であるのに比
べて、本実施例による光情報記録媒体はCr添加量が２原
子パーセント、５原子パーセント,8原子パーセントと大
きくなるにしたがつて媒体寿命が７年,10年,20年という
長寿命になつていることがわかる。 次にCr添加量について説明する。Crが添加されていな
いGeTe系薄膜を用いた従来例ではレーザービームを用い
て回転数1800rpmで周波数1MHzの信号を記録再生したと
き56dBの信号対雑音化（CNR）が得られる。Cr添加のGeT
e系薄膜を記録膜とした光情報記録媒体ではCr添加量が
８原子パーセントまではCNRは56dB得られる。しかし、
更にCr添加量が増すとCNRが徐々に低下しCr添加量が15
原子パーセントになるとCNRが45dBになり情報記録媒体
としての性能が低くなる。したがつてCr添加量は15原子
パーセント以下とするのが望ましい。 （発明の効果） このように本発明によれば、Crが添加されたGeTe系薄
膜を記録膜とする光情報記録媒体は、高温高湿の環境下
に放置されてもCrがGeTe系材料の酸化、腐食を防止する
ので記録材料の変化が少なく、したがつて長期間にわた
つて正確に情報を記録再生することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による光情報記録媒体の断面図の一例を
示し、第２図は本発明による光情報記録媒体のビツト誤
り率の変化を示す図である。 11……基板、12……記録薄膜、13……保護膜
示し、第２図は本発明による光情報記録媒体のビツト誤
り率の変化を示す図である。 11……基板、12……記録薄膜、13……保護膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 原 敬一郎
神奈川県川崎市川崎区港町５番１号 日
本コロムビア株式会社川崎工場内
(56)参考文献 特開 昭61−217287（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−30086（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
B41M 5/26
G11B 7/24
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．基体上に形成された薄膜へ光ビームを照射し情報を
記録する光情報記録媒体において、上記薄膜は化学量論
組成のGeTe或いは化学量論組成のGeTeのGeをSn及び／ま
たはPbに置換してなるGeTe系材料を主成分とし、更にCr
が添加されて成る光情報記録媒体。 ２．上記薄膜中のCr含有量が２原子パーセント以上15パ
ーセント以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272398A JP2888520B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272398A JP2888520B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01116935A JPH01116935A (ja) | 1989-05-09 |
| JP2888520B2 true JP2888520B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=17513343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62272398A Expired - Lifetime JP2888520B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2888520B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07115536B2 (ja) * | 1985-07-31 | 1995-12-13 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録部材 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP62272398A patent/JP2888520B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01116935A (ja) | 1989-05-09 |
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