JPH04219644A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH04219644A JPH04219644A JP7043591A JP7043591A JPH04219644A JP H04219644 A JPH04219644 A JP H04219644A JP 7043591 A JP7043591 A JP 7043591A JP 7043591 A JP7043591 A JP 7043591A JP H04219644 A JPH04219644 A JP H04219644A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レ―ザ―を用いて情報
の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関する。
の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクはレ―ザ―光を用いて情
報の記録及び再生を行うため、記憶容量が大きくしかも
記録膜に磁性体を用いているため書換えが可能である。 又非接触で記録再生出来、塵埃の影響を受けないことか
ら安定性にも優れている。この光磁気記録層（以下記録
層）に用いる材料としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属非晶質合
金（以下ＲＥ−ＴＭ）が知られており、粒界ノイズが無
くスパッタリングを等を用いることによって容易に垂直
磁化膜が得られることから盛んに開発が行なわれており
、現在商品化段階を迎えるまでに至っている。
報の記録及び再生を行うため、記憶容量が大きくしかも
記録膜に磁性体を用いているため書換えが可能である。 又非接触で記録再生出来、塵埃の影響を受けないことか
ら安定性にも優れている。この光磁気記録層（以下記録
層）に用いる材料としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属非晶質合
金（以下ＲＥ−ＴＭ）が知られており、粒界ノイズが無
くスパッタリングを等を用いることによって容易に垂直
磁化膜が得られることから盛んに開発が行なわれており
、現在商品化段階を迎えるまでに至っている。
【０００３】この光磁気記録媒体の構成として、レ―ザ
―光の記録再生効率を向上させるために記録層を２００
〜３００Åの厚さまで薄くし、その上に反射層を設ける
方式が提案されている。（特公昭６２−２７４５８）。 この構成はカ―効果とファラデ―効果の両方が利用出来
るためＣ／Ｎやジッタ―マ―ジンが大きくとれるという
点で優れている。反射層としてＡｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ
等のような記録再生光であるレ―ザ―光に対して反射率
の高い材料を用いた場合、Ｃ／Ｎ特にキャリアレベルが
大きくなるが、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕのような熱伝導率が大
きい材料は記録時に反射層において熱が拡散してしまい
反射層を用いない構成の媒体に比べて記録感度が大幅に
低下してしまうといった欠点を有している。よってこれ
らの中でも比較的熱伝導率が小さく、かつ反射率の高い
Ａｌ又はＡｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＳｉ等）
が現在一般に用いられている。しかし反射層がＡｌ等の
単層膜の場合、膜厚が厚い（６００Å以上）とＣ／Ｎの
立上がり記録パワ―が大きくなってしまい記録感度の悪
い媒体になってしまう。
―光の記録再生効率を向上させるために記録層を２００
〜３００Åの厚さまで薄くし、その上に反射層を設ける
方式が提案されている。（特公昭６２−２７４５８）。 この構成はカ―効果とファラデ―効果の両方が利用出来
るためＣ／Ｎやジッタ―マ―ジンが大きくとれるという
点で優れている。反射層としてＡｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ
等のような記録再生光であるレ―ザ―光に対して反射率
の高い材料を用いた場合、Ｃ／Ｎ特にキャリアレベルが
大きくなるが、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕのような熱伝導率が大
きい材料は記録時に反射層において熱が拡散してしまい
反射層を用いない構成の媒体に比べて記録感度が大幅に
低下してしまうといった欠点を有している。よってこれ
らの中でも比較的熱伝導率が小さく、かつ反射率の高い
Ａｌ又はＡｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＳｉ等）
が現在一般に用いられている。しかし反射層がＡｌ等の
単層膜の場合、膜厚が厚い（６００Å以上）とＣ／Ｎの
立上がり記録パワ―が大きくなってしまい記録感度の悪
い媒体になってしまう。
【０００４】一方、膜厚が薄い（４００Å程度）と高感
度となるが逆に高パワ―（８ｍＷ以上）でＣ／Ｎが低下
する。この原因としては、膜厚が薄いと、高パワ―時に
反射層で広がった熱が磁性層に伝導し、ビット形状が不
均一になるためであると考えられる。高パワ―でＣ／Ｎ
が低下すると記録パワ―マ―ジンが少なくなってしまい
レ―ザ―パワ―のバラツキに対して十分対応がとれない
媒体になってしまう。
度となるが逆に高パワ―（８ｍＷ以上）でＣ／Ｎが低下
する。この原因としては、膜厚が薄いと、高パワ―時に
反射層で広がった熱が磁性層に伝導し、ビット形状が不
均一になるためであると考えられる。高パワ―でＣ／Ｎ
が低下すると記録パワ―マ―ジンが少なくなってしまい
レ―ザ―パワ―のバラツキに対して十分対応がとれない
媒体になってしまう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、記録感度が
高く、高パワ―でもＣ／Ｎやジッタ―マ―ジンの低下が
ない光磁気記録媒体を提供しようとするものである。
高く、高パワ―でもＣ／Ｎやジッタ―マ―ジンの低下が
ない光磁気記録媒体を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述の欠
点を克服すべく鋭意検討した結果、特定の材料で反射層
を２層構造にすることによって、記録感度が高く、高パ
ワ―でもＣ／Ｎやジッタ―マ―ジンの低下しない、パワ
―マ―ジンの大きな光磁気記録媒体が得られることを見
出した。それに基づいた本発明の構成は、特許請求の範
囲に記載の通りの光磁気記録媒体である。図１を参照し
て本発明の一例を具体的に説明すると、本発明の光磁気
記録媒体は透明な基板上１に干渉層２、光磁気記録層３
および反射層が順次積層されてなり、その反射層は２層
構成となっており、記録再生光が入射する側の第１反射
層４は反射率が高くかつ熱伝導率が小さく、又第２反射
層５は熱伝導率が大きく比熱が小さいことを特徴とする
ものである。以下、本発明を詳細に説明する。
点を克服すべく鋭意検討した結果、特定の材料で反射層
を２層構造にすることによって、記録感度が高く、高パ
ワ―でもＣ／Ｎやジッタ―マ―ジンの低下しない、パワ
―マ―ジンの大きな光磁気記録媒体が得られることを見
出した。それに基づいた本発明の構成は、特許請求の範
囲に記載の通りの光磁気記録媒体である。図１を参照し
て本発明の一例を具体的に説明すると、本発明の光磁気
記録媒体は透明な基板上１に干渉層２、光磁気記録層３
および反射層が順次積層されてなり、その反射層は２層
構成となっており、記録再生光が入射する側の第１反射
層４は反射率が高くかつ熱伝導率が小さく、又第２反射
層５は熱伝導率が大きく比熱が小さいことを特徴とする
ものである。以下、本発明を詳細に説明する。
【０００７】本発明に用いる透明基板としてはポリカ―
ボネ―ト（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ―ト（ＰＭＭ
Ａ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等の樹脂
からなるプラスチック基板、又はアルミノ珪酸、バリウ
ム硼珪酸等のガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が
挙げられる。これらの基板はディスク形状をしており、
厚みは１．２ｍｍ程度である。記録層としてはＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類
と遷移金属の非晶質合金薄膜、ＢａＦｅ１２Ｏ１９、Ｃ
ｏＦｅ２Ｏ４、（Ｂｉ，Ｙ）３Ｆｅ５Ｏ１２等の酸化物
薄膜、ＭｎＢｉ、ＣｏＰｔ等の多結晶合金薄膜が挙げら
れ、これらはいずれも膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有している。厚みは合金薄膜の場合１００〜６００Åで
好ましくは２００〜３００Å。酸化物薄膜の場合、多く
は記録再生光に対して透光性が大きいので特に厚みに制
約はないが１０００〜５０００Åが好ましい。又記録層
は単層膜に限らず多層膜でも良い。
ボネ―ト（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ―ト（ＰＭＭ
Ａ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等の樹脂
からなるプラスチック基板、又はアルミノ珪酸、バリウ
ム硼珪酸等のガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が
挙げられる。これらの基板はディスク形状をしており、
厚みは１．２ｍｍ程度である。記録層としてはＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類
と遷移金属の非晶質合金薄膜、ＢａＦｅ１２Ｏ１９、Ｃ
ｏＦｅ２Ｏ４、（Ｂｉ，Ｙ）３Ｆｅ５Ｏ１２等の酸化物
薄膜、ＭｎＢｉ、ＣｏＰｔ等の多結晶合金薄膜が挙げら
れ、これらはいずれも膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有している。厚みは合金薄膜の場合１００〜６００Åで
好ましくは２００〜３００Å。酸化物薄膜の場合、多く
は記録再生光に対して透光性が大きいので特に厚みに制
約はないが１０００〜５０００Åが好ましい。又記録層
は単層膜に限らず多層膜でも良い。
【０００８】本発明においては、上記基板と記録層との
間に干渉層を設けている。この層には屈折率の高い（１
．８以上）透明膜を用い、光の多重効果によってキャリ
アレベルを上げ、又、反射率をおさえることでノイズレ
ベルを低下させ、全体でＣ／Ｎを向上させることを目的
としている。又、記録層が希土類と遷移金属とからなる
非晶質合金薄膜のように酸化等の腐食を起こしやすい材
料の場合、この干渉層は記録層の酸化を防止する保護膜
としての役割も兼ね備えていなければならない。それに
は空気中や基板からの水や酸素の侵入を防ぎ、それ自身
の耐食性が高く、記録層との反応性が小さいことが必要
である。具体的な材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａ
ｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚ
ｒ、Ｇｅ等との金属窒化物、Ｂ４Ｃ，ＳｉＣ等の無機炭
化物、ＺｎＳ等の金属硫化物が挙げられ、これらは複合
していたり（例、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＺｒＮ）、多層膜
であったりしても良い。屈折率によって膜厚の最適値は
異なるが、通常５００〜２０００Å好ましくは８００〜
１２００Åである。
間に干渉層を設けている。この層には屈折率の高い（１
．８以上）透明膜を用い、光の多重効果によってキャリ
アレベルを上げ、又、反射率をおさえることでノイズレ
ベルを低下させ、全体でＣ／Ｎを向上させることを目的
としている。又、記録層が希土類と遷移金属とからなる
非晶質合金薄膜のように酸化等の腐食を起こしやすい材
料の場合、この干渉層は記録層の酸化を防止する保護膜
としての役割も兼ね備えていなければならない。それに
は空気中や基板からの水や酸素の侵入を防ぎ、それ自身
の耐食性が高く、記録層との反応性が小さいことが必要
である。具体的な材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａ
ｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚ
ｒ、Ｇｅ等との金属窒化物、Ｂ４Ｃ，ＳｉＣ等の無機炭
化物、ＺｎＳ等の金属硫化物が挙げられ、これらは複合
していたり（例、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＺｒＮ）、多層膜
であったりしても良い。屈折率によって膜厚の最適値は
異なるが、通常５００〜２０００Å好ましくは８００〜
１２００Åである。
【０００９】本発明においては、記録層上に２層膜から
なる反射層を設けている。記録再生光が入射する側の第
１反射層は反射率が高く熱伝導率が小さいことが条件で
ある。具体的には、 ・反射率：記録再生光に対して７０％以上・熱伝導率：
０．４（ｃａｌ／ｃｍ・Ｓ・℃）以下・材料：Ａｌ又は
下記の一般式で表されるＡｌ合金ＲＸＡｌ１−Ｘ、 ０．１≦Ｘ≦０．５ Ｒ：Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒから選ばれる１つ以
上の元素 ・膜厚：２００〜５００（Å） 第２反射層は第１反射層に比較して熱伝導が大きく比熱
が小さいことが条件である。具体的には、
なる反射層を設けている。記録再生光が入射する側の第
１反射層は反射率が高く熱伝導率が小さいことが条件で
ある。具体的には、 ・反射率：記録再生光に対して７０％以上・熱伝導率：
０．４（ｃａｌ／ｃｍ・Ｓ・℃）以下・材料：Ａｌ又は
下記の一般式で表されるＡｌ合金ＲＸＡｌ１−Ｘ、 ０．１≦Ｘ≦０．５ Ｒ：Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒから選ばれる１つ以
上の元素 ・膜厚：２００〜５００（Å） 第２反射層は第１反射層に比較して熱伝導が大きく比熱
が小さいことが条件である。具体的には、
【００１０】
・熱伝導率０．４（ｃａｌ／ｃｍ・Ｓ・℃）以上 ・比熱：０．３（ｃａｌ／ｇ・℃）以下・材料：Ａｕ，
Ｃｕ，Ａｇ，の単体又はそれらを主成分とする合金、あ
るいは、Ａｌ又は下記の一般式で表されるＡｌ合金 ＲＸＡｌ１−Ｘ、 Ｏ＜Ｘ＜０．１ Ｒ：Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒから選ばれる１つ以
上の元素 ・膜厚：５０〜２００（Å） 基板上に干渉層、記録層及び反射層を形成する手段とし
ては、スパッタリング、イオンプレ―ティング等の物理
蒸着法、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法等が用いら
れる。又、層構成は図１に示した構成以外に、記録層３
と第１反射層４との間にさらに第２の干渉層６を設けた
り（図２）、第２反射層５の上に保護層を設けたり、又
それらの膜面どうしを接着剤によって貼り合わせた構成
でも本発明の効果はそこなわれない。
・熱伝導率０．４（ｃａｌ／ｃｍ・Ｓ・℃）以上 ・比熱：０．３（ｃａｌ／ｇ・℃）以下・材料：Ａｕ，
Ｃｕ，Ａｇ，の単体又はそれらを主成分とする合金、あ
るいは、Ａｌ又は下記の一般式で表されるＡｌ合金 ＲＸＡｌ１−Ｘ、 Ｏ＜Ｘ＜０．１ Ｒ：Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒから選ばれる１つ以
上の元素 ・膜厚：５０〜２００（Å） 基板上に干渉層、記録層及び反射層を形成する手段とし
ては、スパッタリング、イオンプレ―ティング等の物理
蒸着法、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法等が用いら
れる。又、層構成は図１に示した構成以外に、記録層３
と第１反射層４との間にさらに第２の干渉層６を設けた
り（図２）、第２反射層５の上に保護層を設けたり、又
それらの膜面どうしを接着剤によって貼り合わせた構成
でも本発明の効果はそこなわれない。
【００１１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に
説明する。 実施例１ 直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグル―ブ付ポリ
カ―ボネ―ト基板をスパッタリング装置の真空槽内にセ
ットし、４×１０−７Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気
する。まずＡｒとＮ２との混合ガスを真空槽内に導入し
、圧力を１×１０−２Ｔｏｒｒに調整し、Ｓｉをタ―ゲ
ットとして放電電力２ｋｗ（４Ｗ／ｃｍ２）で高周波ス
パッタリングを行ない干渉層として、ＳｉＮ膜を１００
０Å堆積した。続いて記録層として、Ｔｂ１２Ｄｙ１２
Ｆｅ６８Ｃｏ８合金（添数字は組成（原紙％）を示す）
をタ―ゲットとしてスパッタリングによってＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜を２００Å設けた。更に同様な方法によって第
１反射層としてＡｌ膜を４００Å第２反射層としてＡｕ
膜又はＣｕ膜を２００Å形成した。（表１参照）
説明する。 実施例１ 直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグル―ブ付ポリ
カ―ボネ―ト基板をスパッタリング装置の真空槽内にセ
ットし、４×１０−７Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気
する。まずＡｒとＮ２との混合ガスを真空槽内に導入し
、圧力を１×１０−２Ｔｏｒｒに調整し、Ｓｉをタ―ゲ
ットとして放電電力２ｋｗ（４Ｗ／ｃｍ２）で高周波ス
パッタリングを行ない干渉層として、ＳｉＮ膜を１００
０Å堆積した。続いて記録層として、Ｔｂ１２Ｄｙ１２
Ｆｅ６８Ｃｏ８合金（添数字は組成（原紙％）を示す）
をタ―ゲットとしてスパッタリングによってＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜を２００Å設けた。更に同様な方法によって第
１反射層としてＡｌ膜を４００Å第２反射層としてＡｕ
膜又はＣｕ膜を２００Å形成した。（表１参照）
【００１２】
【表１】
┏━━━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━━
━━┓ ┃ ┃
反 射 層
┃ ┃ ┣━━━━━━━━
┳━━━━━━━━┫ ┃
┃ 第１反射層 ┃ 第２反射層 ┃
┣━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━
━━┫ ┃実施例Ｉ−１┃Ａｌ（４００Å）┃Ａｕ（
２００Å）┃ ┣━━━━━━╋━━━━━━━━╋
━━━━━━━━┫ ┃ 〃 Ｉ−２┃Ａｌ（４
００Å）┃Ｃｕ（２００Å）┃ ┣━━━━━━╋━
━━━━━━━┻━━━━━━━━┫ ┃比較例Ｉ−
１┃ Ａｌ（４００Å）
┃ ┣━━━━━━╋━━━━━━━━━━━
━━━━━━┫ ┃ 〃 Ｉ−２┃
Ａｌ（６００Å） ┃ ┗━
━━━━━┻━━━━━━━━━━━━━━━━━┛
━━┓ ┃ ┃
反 射 層
┃ ┃ ┣━━━━━━━━
┳━━━━━━━━┫ ┃
┃ 第１反射層 ┃ 第２反射層 ┃
┣━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━
━━┫ ┃実施例Ｉ−１┃Ａｌ（４００Å）┃Ａｕ（
２００Å）┃ ┣━━━━━━╋━━━━━━━━╋
━━━━━━━━┫ ┃ 〃 Ｉ−２┃Ａｌ（４
００Å）┃Ｃｕ（２００Å）┃ ┣━━━━━━╋━
━━━━━━━┻━━━━━━━━┫ ┃比較例Ｉ−
１┃ Ａｌ（４００Å）
┃ ┣━━━━━━╋━━━━━━━━━━━
━━━━━━┫ ┃ 〃 Ｉ−２┃
Ａｌ（６００Å） ┃ ┗━
━━━━━┻━━━━━━━━━━━━━━━━━┛
【
００１３】これらの記録媒体の記録パワ―とＣ／Ｎとの
関係を図３に示す。記録再生条件は以下の通り。 （記録条件）：ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、半径３０ｍｍ位
置、記録周波数３．７ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比２２％（再生
条件）：ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、再生パワ―１ｍｗ 図３より反射層を本発明のごとく特定の材料で二層構造
にした実施例Ｉ−１、２は比較例Ｉ−１、２に比べて比
較的低パワ―でＣ／Ｎが立上がり、かつ高パワ―でもＣ
／Ｎが低下しない。これは、第１反射層の熱伝導率が小
さく第２反射層の比熱が小さいため低パワ―でもビット
が書け、又、第２反射層の熱伝導率が大きいため高パワ
―において、第２反射層で熱が逃げ磁性層に悪影響を与
えずビットが均一に保たれるためである。
００１３】これらの記録媒体の記録パワ―とＣ／Ｎとの
関係を図３に示す。記録再生条件は以下の通り。 （記録条件）：ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、半径３０ｍｍ位
置、記録周波数３．７ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比２２％（再生
条件）：ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、再生パワ―１ｍｗ 図３より反射層を本発明のごとく特定の材料で二層構造
にした実施例Ｉ−１、２は比較例Ｉ−１、２に比べて比
較的低パワ―でＣ／Ｎが立上がり、かつ高パワ―でもＣ
／Ｎが低下しない。これは、第１反射層の熱伝導率が小
さく第２反射層の比熱が小さいため低パワ―でもビット
が書け、又、第２反射層の熱伝導率が大きいため高パワ
―において、第２反射層で熱が逃げ磁性層に悪影響を与
えずビットが均一に保たれるためである。
【００１４】実施例ＩＩ
直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグル―プ付ポリ
カ―ボネ―ト基板をスパッタリング装置の真空槽内にセ
ットし、５×１０−７Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気
する。まずＡｒとＮ２との混合ガスを真空槽内に導入し
、圧力を５×１０−３Ｔｏｒｒに調整し、Ｓｉをタ―ゲ
ットとして放電電力２ｋｗ（４Ｗ／ｃｍ２）で高周波ス
パッタリングを行ない干渉層として、ＳｉＮ膜を１００
０Å堆積した。続いて記録層として、Ｔｂ１２Ｄｙ１２
Ｆｅ６８Ｃｏ８合金（添数字は組成（原子％）を示す）
をタ―ゲットとしてスパッタリングによってＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜を２００Å設けた。更に同様な方法によって第
１反射層および第２反射層を各種材料及び各種膜厚で形
成した。（表２参照）
カ―ボネ―ト基板をスパッタリング装置の真空槽内にセ
ットし、５×１０−７Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気
する。まずＡｒとＮ２との混合ガスを真空槽内に導入し
、圧力を５×１０−３Ｔｏｒｒに調整し、Ｓｉをタ―ゲ
ットとして放電電力２ｋｗ（４Ｗ／ｃｍ２）で高周波ス
パッタリングを行ない干渉層として、ＳｉＮ膜を１００
０Å堆積した。続いて記録層として、Ｔｂ１２Ｄｙ１２
Ｆｅ６８Ｃｏ８合金（添数字は組成（原子％）を示す）
をタ―ゲットとしてスパッタリングによってＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜を２００Å設けた。更に同様な方法によって第
１反射層および第２反射層を各種材料及び各種膜厚で形
成した。（表２参照）
【００１５】
【表２】
┏━━━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━━
━━━━┓ ┃ ┃
反 射 層
┃ ┃ ┣━━
━━━━━━━┳━━━━━━━━━┫ ┃
┃ 第１反射層 ┃
第２反射層 ┃ ┣━━━━━━╋━━━
━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃実施例ＩＩ
−１┃Ｔｉ０．２ Ａｌ０．８ （４００）┃ Ａｌ
（２００） ┃ ┣━━━━━━╋━━━━━━━
━━╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃 ＩＩ−２
┃Ｔｉ０．５ Ａｌ０．５ （３００）┃ Ａｌ（１
００） ┃ ┣━━━━━━╋━━━━━━━━━
╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃 ＩＩ−３┃Ｔ
ｉ０．２ Ａｌ０．８ （４００）┃Ｔｉ０．０５Ａｌ
０．９５（２００）┃ ┣━━━━━━╋━━━━━
━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃 ＩＩ
−４┃Ｔｉ０．５ Ａｌ０．５ （３００）┃Ｔｉ０．
０５Ａｌ０．９５（１００）┃ ┣━━━━━━╋━
━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃
ＩＩ−５┃Ｔａ０．２ Ａｌ０．８ （４００）┃
Ａｌ（２００） ┃ ┣━━━━━━╋━━━
━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃
ＩＩ−６┃Ｔａ０．５ Ａｌ０．５ （３００）┃Ｔｉ
０．０５Ａｌ０．９５（１００）┃ ┣━━━━━━
╋━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃
〃 ＩＩ−７┃Ｓｉ０．２ Ａｌ０．８ （４００
）┃ Ａｌ（２００） ┃ ┣━━━━━━╋━
━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃
ＩＩ−８┃Ｓｉ０．５ Ａｌ０．５ （３００）┃
Ｓｉ０．０５Ａｌ０．９５（１００）┃ ┣━━━━
━━╋━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫
┃ 〃 ＩＩ−９┃Ｇｅ０．２ Ａｌ０．８ （４
００）┃ Ａｌ（２００） ┃ ┣━━━━━━
╋━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃
〃 ＩＩ−１０┃Ｇｅ０．５ Ａｌ０．５ （３０
０）┃Ｇｅ０．０５Ａｌ０．９５（１００）┃ ┣━
━━━━━╋━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━
┫ ┃ 〃 ＩＩ−１１┃Ｚｒ０．２ Ａｌ０．
８ （４００）┃ Ａｌ（２００） ┃ ┣━━
━━━━╋━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫
┃ 〃 ＩＩ−１２┃Ｚｒ０．５ Ａｌ０．５
（３００）┃Ｚｒ０．０５Ａｌ０．９５（１００）┃
┗━━━━━━┻━━━━━━━━━┻━━━━━
━━━━┛ （ ）内は膜厚を示す 単位：Å
━━━━┓ ┃ ┃
反 射 層
┃ ┃ ┣━━
━━━━━━━┳━━━━━━━━━┫ ┃
┃ 第１反射層 ┃
第２反射層 ┃ ┣━━━━━━╋━━━
━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃実施例ＩＩ
−１┃Ｔｉ０．２ Ａｌ０．８ （４００）┃ Ａｌ
（２００） ┃ ┣━━━━━━╋━━━━━━━
━━╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃 ＩＩ−２
┃Ｔｉ０．５ Ａｌ０．５ （３００）┃ Ａｌ（１
００） ┃ ┣━━━━━━╋━━━━━━━━━
╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃 ＩＩ−３┃Ｔ
ｉ０．２ Ａｌ０．８ （４００）┃Ｔｉ０．０５Ａｌ
０．９５（２００）┃ ┣━━━━━━╋━━━━━
━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃 ＩＩ
−４┃Ｔｉ０．５ Ａｌ０．５ （３００）┃Ｔｉ０．
０５Ａｌ０．９５（１００）┃ ┣━━━━━━╋━
━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃
ＩＩ−５┃Ｔａ０．２ Ａｌ０．８ （４００）┃
Ａｌ（２００） ┃ ┣━━━━━━╋━━━
━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃
ＩＩ−６┃Ｔａ０．５ Ａｌ０．５ （３００）┃Ｔｉ
０．０５Ａｌ０．９５（１００）┃ ┣━━━━━━
╋━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃
〃 ＩＩ−７┃Ｓｉ０．２ Ａｌ０．８ （４００
）┃ Ａｌ（２００） ┃ ┣━━━━━━╋━
━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃ 〃
ＩＩ−８┃Ｓｉ０．５ Ａｌ０．５ （３００）┃
Ｓｉ０．０５Ａｌ０．９５（１００）┃ ┣━━━━
━━╋━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫
┃ 〃 ＩＩ−９┃Ｇｅ０．２ Ａｌ０．８ （４
００）┃ Ａｌ（２００） ┃ ┣━━━━━━
╋━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫ ┃
〃 ＩＩ−１０┃Ｇｅ０．５ Ａｌ０．５ （３０
０）┃Ｇｅ０．０５Ａｌ０．９５（１００）┃ ┣━
━━━━━╋━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━
┫ ┃ 〃 ＩＩ−１１┃Ｚｒ０．２ Ａｌ０．
８ （４００）┃ Ａｌ（２００） ┃ ┣━━
━━━━╋━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━┫
┃ 〃 ＩＩ−１２┃Ｚｒ０．５ Ａｌ０．５
（３００）┃Ｚｒ０．０５Ａｌ０．９５（１００）┃
┗━━━━━━┻━━━━━━━━━┻━━━━━
━━━━┛ （ ）内は膜厚を示す 単位：Å
【
００１６】これらの記録媒体の記録パワ―とＣ／Ｎとの
関係を図４に示す。記録再生条件は以下の通り。 （記録条件）：ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、半径３０ｍｍ位
置、記録周波数３．７ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比２２％（再生
条件）：ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、再生パワ―１ｍｗ 図４より、反射層を本発明のごとく特定の材料で二層構
造にした実施例ＩＩ−１は比較的低パワ―でＣ／Ｎが立
上がり、かつ高パワ―でもＣ／Ｎが低下しない。他の実
施例ＩＩ−２〜ＩＩ−１２についても同様な結果が得ら
れた。これは、第１反射層の熱伝導率が小さく、かつ、
第２反射層の比熱が小さいため、低い記録パワ―でもビ
ットが書け、又、高パワ―において、熱伝導率の大きい
第２反射層で熱が拡散し磁性層に悪影響を与えずビット
が均一に保たれるためである。又、記録再生光が直接入
射する側の第１反射層の反射率が７０％以上と十分高い
ため、適正な記録パワ―でのＣ／Ｎも十分確保出来る。 よって本発明のように反射層を特定の材料で２層構成に
することによって高感度でかつＣ／Ｎに対する記録パワ
―マ―ジンの大きな光磁気記録媒体が実現できる。
００１６】これらの記録媒体の記録パワ―とＣ／Ｎとの
関係を図４に示す。記録再生条件は以下の通り。 （記録条件）：ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、半径３０ｍｍ位
置、記録周波数３．７ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比２２％（再生
条件）：ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、再生パワ―１ｍｗ 図４より、反射層を本発明のごとく特定の材料で二層構
造にした実施例ＩＩ−１は比較的低パワ―でＣ／Ｎが立
上がり、かつ高パワ―でもＣ／Ｎが低下しない。他の実
施例ＩＩ−２〜ＩＩ−１２についても同様な結果が得ら
れた。これは、第１反射層の熱伝導率が小さく、かつ、
第２反射層の比熱が小さいため、低い記録パワ―でもビ
ットが書け、又、高パワ―において、熱伝導率の大きい
第２反射層で熱が拡散し磁性層に悪影響を与えずビット
が均一に保たれるためである。又、記録再生光が直接入
射する側の第１反射層の反射率が７０％以上と十分高い
ため、適正な記録パワ―でのＣ／Ｎも十分確保出来る。 よって本発明のように反射層を特定の材料で２層構成に
することによって高感度でかつＣ／Ｎに対する記録パワ
―マ―ジンの大きな光磁気記録媒体が実現できる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により反射
層を特定の材料で２層構造とすることによって、高感度
でかつＣ／Ｎに対する記録パワ―マ―ジンの大きな記録
媒体が実現できる。
層を特定の材料で２層構造とすることによって、高感度
でかつＣ／Ｎに対する記録パワ―マ―ジンの大きな記録
媒体が実現できる。
【図１】
【図２】本発明の光磁気記録媒体の層構成を説明する図
、
、
【図３】実施例Ｉ−１、２および比較例Ｉ−１、２の各
記録媒体の記録パワ―とＣ／Ｎとの関係を示す図、
記録媒体の記録パワ―とＣ／Ｎとの関係を示す図、
【図
４】実施例ＩＩ−１の記録媒体の記録パワ―とＣ／Ｎと
の関係を示す図である。
４】実施例ＩＩ−１の記録媒体の記録パワ―とＣ／Ｎと
の関係を示す図である。
１ 基板
２ 干渉層
３ 光磁気記録層
４ 第１反射層
５ 第２反射層
６ 第２の干渉層
Claims (3)
- 【請求項１】 透明な基板上に干渉層、光磁気記録層
および反射層が順次積層されてなる光磁気記録媒体にお
いて、反射層が２層構成をなしており記録再生光が入射
する側の第１反射層は反射率が高くかつ熱伝導率が小さ
く、又第２反射層は熱伝導率が大きく比熱が小さいこと
を特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 第１反射層の反射率が記録再生光に対
して７０％以上、熱電導率が０．４（ｃａｌ／ｃｍ・ｓ
・℃）以下であり、第２反射層の熱電導率が０．４（ｃ
ａｌ／ｃｍ・ｓ・℃）以上、比熱が０．３（ｃａｌ／ｇ
・℃）以下であることを特徴とする請求項１記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項３】 第１反射層及び第２反射層が、共に以
下に示すような組成のＡｌ合金から成ることを特徴とす
る請求項１記載の光磁気記録媒体。 ○第１の反射層 ＲＸＡｌ１−Ｘ ０．１≦Ｘ
≦０．５ ○第２の反射層 ＲＸＡｌ１−Ｘ Ｏ
＜Ｘ＜０．１ Ｒ
：Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒから選ばれる１つ以上
の 元素
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7043591A JPH04219644A (ja) | 1990-07-12 | 1991-03-12 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18271090 | 1990-07-12 | ||
| JP2-182710 | 1990-07-12 | ||
| JP21016990 | 1990-08-10 | ||
| JP2-210169 | 1990-08-10 | ||
| JP7043591A JPH04219644A (ja) | 1990-07-12 | 1991-03-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219644A true JPH04219644A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=27300328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7043591A Pending JPH04219644A (ja) | 1990-07-12 | 1991-03-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219644A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038716A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体 |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP7043591A patent/JPH04219644A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038716A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体 |
| WO2004038715A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体、情報記録／再生方法、および磁気記録装置 |
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