WO2004038715A1

WO2004038715A1 - 光磁気記録媒体、情報記録／再生方法、および磁気記録装置

Info

Publication number: WO2004038715A1
Application number: PCT/JP2003/013626
Authority: WO
Inventors: Takuya Kamimura; Tsutomu Tanaka; Ken Tamanoi; Koji Matsumoto
Original assignee: Fujitsu Limited
Priority date: 2002-10-25
Filing date: 2003-10-24
Publication date: 2004-05-06
Also published as: AU2003275651A1; KR20050065456A; JP4077451B2; EP1555669A4; EP1555669A1; CN1692419A; JPWO2004038715A1; AU2002344583A1; KR100712575B1; WO2004038716A1

Abstract

　本発明は、基板上に、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデータを記録する記録層を有し、その記録層側から記録用の光の照射および磁場の供給を受ける光磁気記録媒体に関し、媒体ノイズを悪化させることなく再生時には大パワーのレーザ光を照射することができ、しかも記録時にはさほど大きなパワーのレーザ光を照射しなくても記録層に、保磁力を低下させるのに充分な熱を与えることができる光磁気記録媒体を提供することを目的とし、基板１０と、基板１０上に形成された、所定の高熱伝導率を有する第１放熱層２２と、第１放熱層１１上に形成された、その高熱伝導率より低い低熱伝導率を有する分断層１２と、分断層１２上に形成された、その低熱伝導率よりは高くかつその高熱伝導率よりは低い所定の熱伝導率を有する第２放熱層１３と、放熱層１３上に形成された、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデータを記録する記録層１４，１５とを有する。

Description

明細書光磁気記録媒体、情報記録 Z再生方法、および磁気記録装置技術分野

本発明は、基板上に、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデータを記録する記録層を有し、その記録層側から記録用の光の照射および磁場の供給を受ける光磁気記録媒体、その光磁気記録媒体に情報を記録し再生する情報記録/再生方法、およびその光磁気記録媒体に情報を記録し再生する磁気記録装置に関する。背景技術

従来実用化されている光磁気記録媒体の多くは、透明な基板上に、記録層、その記録層よりも熱伝導率が高い放熱層、およびこれらの層を保護する保護層などが積層されたものであり、基板越しに記録用の光ビームの照射および磁場の供給を行うことで、情報の記録を行う。また、記録層に記録された情報を再生するにも、基板越しに再生用の光ビームの照射を行う。

このような光と磁気の双方を用いて情報の記録を行う光磁気記録媒体では、より高密度な記録を行うため、記録層に照射する光ビームを対物レンズで絞ることによって、その光ビームのスポットサイズ Φを小さくすることが検討されている

。スポットサイズ Ψと、対物レンズの開口数 NAと、光ビームの波長 λの関係は、一般に、 φ = λ 2 Ν Αとして表される。したがって、スポットサイズ φを小さくして高密度化を図るには、光ビームの波長 λを短くするか、対物レンズの開口数 ΝΑを大きくすればよい。しかし、対物レンズの開口数 ΝΑを大きくすればするほど焦点距離が短くなり、従来のように光ビームを基板越しに照射すると、基板の厚さむらや基板の反り等により収差が大きくなる問題がある。このため、光ビームを、基板側からではなく記録層側から入射することで、対物レンズの開口数 ΝΑを大きくする技術が知られている（例えば、特許文献 1参照。）。以下、光ビームを記録層側から入射する方式を、フロントイルミネーション方式と称することにする。このフロントイルミネーション方式に対応した光磁気記録媒体では、記録層側から光ビームが入射されるため、放熱層は、記録層よりも基板側に形成されている。

また、波長 λを短くするには、光ビームとして従来用いられている赤色レーザに代えて青色レーザを用いればよい。ところが、光磁気記録媒体を駆動する、青色レーザ光の光源とフォトディテクタを備えたドライブでは、赤色レーザ光のそれらを備えたドライブよりも回路ノイズが大きく、また、青色レーザ光のフォトディテクタの変換効率は赤色レーザ光のそれよりも悪く、再生時に信号強度（キャリア）が低下してしまう。その結果、従来の赤色レーザを用いた場合に比べて青色レーザを用いた場合には、 C N R ( C a r r i e r t o N o i s e R a t i o ) が低下してしまうという問題がある。回路ノイズを相対的に低減させるとともにキャリアを高めるには、できる限り高い再生パワーの青色レーザ光を照射すればよい。ところが、再生時に記録層がレーザ照射により加熱され、記録層の温度がキュリー点を超えてしまうと保磁性が失われ、記録してあった情報が消去されてしまう。そのため、記録媒体側では、レーザ光が照射されることによって記録層に生じた熱を逃がす放熱層の能力を高める必要が生じる。従来では、この放熱層の厚さを厚くすることで、放熱層の能力を高めている。

ところで、光磁気記録媒体の基板表面は、凹凸形状に形成されているのが一般的であり、基板上に積層された記録層には、この凹凸形状に従ったランド（凸部 ) 'グループ（凹部）が形成される。フロントイルミネーション方式に対応した光磁気記録媒体では、凹凸形状の基板表面に放熱層を積層させ、その放熱層の表面に記録層の裏面が接するように記録層を形成する。放熱層は、一般的に金属層であり、放熱層の厚さを厚くすればするほど、放熱層の表面は、ポコポコと粒形状に荒れ不均一になりやすい。放熱層の表面が荒れると、フロントイルミネーシヨン方式に対応した光磁気記録媒体では、その表面の荒れが記録層に現れ、ランド ·グループの形状が崩れてしまう。高密度に情報を記録する光磁気記録媒体では、ランドとグループの双方をトラックにして、供給された磁場に応じた向きに磁化されたマークがランドやグルーブに形成される。ランド ·グルーブの形状が崩れていると、マークの形状も崩れ、媒体ノイズが悪化してしまう。また、光磁気記録媒体の記録時には、記録用のレーザ光の照射によって記録層を加熱し、記録層の保磁力を低下させた状態にして磁場を供給する。放熱層の厚さを厚くすると、放熱性が向上し、再生時には大パワーのレーザ光を照射できるものの、記録時には大パワーのレーザ光を照射しても記録層に、保磁力を低下させるのに充分な熱を与えることができなくなる。

(特許文献 1 )

特開 2 0 0 0— 3 0 6 2 7 1号公報（第 1図）発明の開示

本発明は、上記事情に鑑み、再生時にレーザ光を照射する場合にあっては、媒体ノイズを悪化させることなく大パワーのレーザ光を照射することができ、しかも記録時にはさほど大きなパワーのレーザ光を照射しなくても記録層に、保磁力を低下させるのに充分な熱を与えることができる光磁気記録媒体、その光磁気記録媒体に情報を記録し再生する情報記録/再生方法、およびその光磁気記録媒体に情報を記録し再生する磁気記録装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成する本発明の光磁気記録媒体は、基板と、

上記基板上に形成された、所定の高熱伝導率を有する第 1放熱層と、上記第 1放熱層上に形成された、上記高熱伝導率より低い低熱伝導率を有する分断層と、

上記分断層上に形成された、上記低熱伝導率よりは高くかつ上記高熱伝導率よりは低い所定の熱伝導率を有する第 2放熱層と、

上記放熱層上に形成された、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデータを記録する記録層とを有することを特徴とする。

本発明の光磁気記録媒体は、フロントイルミネーション方式に対応した層構造を有するものであって、この光磁気記録媒体によれば、放熱層が第 1放熱層と第 2放熱層との 2つに分断されているため、 1つの放熱層の厚さを表面が荒れるほど厚くしなくても、光磁気記録媒体全体としては充分な放熱性を持たせることができ、媒体ノイズを悪化させることなく再生時には大パヮ一のレーザ光を照射することができる。ここで、再生時に光ビームを照射する場合にあっては、一般的には、レーザ光を DC的に連続照射し、記録層は加熱され続ける。一方、記録用の光ビームの照射においては、レーザ光をパルス的に断続照射した方が良好な形状のマークが記録される事が知られており、この場合、記録層は瞬間的に加熱される。本発明の光磁気記録媒体では、 2つの放熱層の間に、これらいずれの放熱層の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する分断層を設け、さらに、記録層側の第 2放熱層が、基板側の第 1放熱層よりも熱伝導率が小さいものである。このため、本発明の光磁気記録媒体では、再生時に光ビームを連続的に照射する場合にあっては、記録層に生じ続ける熱が、記録層—第 2放熱層→分断層→第 1放熱層の経路で逃がされるが、記録時の、レーザ光の断続照射においては、記録層に瞬間的に生じた熱の伝導が第 2放熱層でとまり、さほど大きなパワーの記録用光ビームを照射しなくても記録層の保磁力を低下させるのに充分な熱を与えることができる。

また、再生時には光ビームを照射せず、記録層の磁束を検出することで情報の再生が行われる、いわゆるハードディスクタイプの光磁気記録媒体にも本発明の光磁気記録媒体を適用することができる。このようなハードディスクタイプの光磁気記録媒体に本発明を適用すれば、記録時にはさほど大きなパワーのレ一ザ光を照射しなくても記録層に、保磁力を低下させるのに充分な熱を与えることができる。

また、本発明の光磁気記録媒体において、上記第 1放熱層および第 2放熱層のいずれもが、 A l , Ag, Auおよび P tの中から選択された一つの元素を主成分とし、 Cu， Pd, S i， C r， T i , および C oの中から選択された少なくとも一つが添加されてなるものであることが好ましい。

A 1 , Ag, A uおよび P tはいずれも放熱性が良好であり、 Cu， Pd, S i , C r， T i, および Coはいずれも、 A l , Ag, 八11ぉょび？セの粒径拡大を抑制する。また、 Cu， Pd, S i, C r , T i，および Coはいずれも、 A 1 , Ag, Auおよび P tの中から選択された一つの元素を主成分とするものに添加されることで、熱伝導率を低下させる。

ここで、本発明の光磁気記録媒体において、上記第 1放熱層および第 2放熱層のいずれもが、非磁性の材料からなるものであることが好ましく、上記分断層が、 S iの単体， A 1の単体，および Cの単体のうちの少なくともいずれか一つの単体を含む材料、または， S iの窒化物、 S iの酸化物， S iの炭化物， A 1の窒化物， A 1の酸化物， F eの炭化物， Z nの硫化物，および Z nの酸化物の中から選択された一つの化合物からなるものであることも好ましいまた、本発明の光磁気記録媒体において、上記第 2放熱層は、その第 2放熱層表面が上記第 1放熱層表面よりも平滑なものであることが好ましい。

上記第 2放熱層の表面粗さが記録層に最終的に影響するため、上記第 2放熱層表面を平滑なものにしておくことで、記録層をきれいな形状に製膜することができる。

さらに、本発明の光磁気記録媒体において、上記分断層は、その分断層表面が上記第 2放熱層表面よりも平滑なものであることがより好ましい。

上記分断層上に上記第 2放熱層を製膜するにあたり、上記第 2放熱層を、上記分断層の表面粗さ以下の表面粗さに製膜することは極めて困難であるため、上記分断層を平滑なものにしておくことで、記録層をきれいな形状に確実に製膜することができる。

上記目的を達成する本発明の情報記録/再生方法は、基板と、上記基板上に形成された、所定の高熱伝導率を有する第 1放熱層と、上記第 1放熱層上に形成された、上記高熱伝導率より低い低熱伝導率を有する分断層と、上記分断層上に形成された、上記低熱伝導率よりは高くかつ上記高熱伝導率よりは低い所定の熱伝導率を有する第 2放熱層と、上記放熱層上に形成された、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデータを記録する記録層とを有する光磁気記録媒体へ、記録用の光の照射および磁場の供給を行い情報の記録を行う記録ステップ、および上記基板とは反対側の上記記録層側から、上記記録層の磁束を検出して情報の磁気再生を行う再生ステップを有することを特徴とする。

上記目的を達成する本発明の第 1の磁気記録装置は、基板と、上記基板上に形成された、所定の高熱伝導率を有する第 1放熱層と、上記第 1放熱層上に形成された、上記高熱伝導率より低い低熱伝導率を有する分断層と、上記分断層上に形成された、上記低熱伝導率よりは高くかつ上記高熱伝導率よりは低い所定の熱伝導率を有する第 2放熱層と、上記放熱層上に形成された、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデータを記録する記録層とを有する光磁気記録媒体へ、記録用の光の照射および磁場の供給を行い情報の記録を行う光磁気記録部、および上記基板とは反対側の上記記録層側から、上記記録層の磁束を検出して情報の磁気再生を行う磁気再生部を備えたことを特徴とする。

上記目的を達成する本発明の第 2の磁気記録装置は、基板と、上記基板上に形成された、所定の高熱伝導率を有する第 1放熱層と、上記第 1放熱層上に形成された、上記高熱伝導率より低い低熱伝導率を有する分断層と、上記分断層上に形成された、上記低熱伝導率よりは高くかつ上記高熱伝導率よりは低い所定の熱伝導率を有する第 2放熱層と、上記放熱層上に形成された、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデータを記録する記録層とを有する光磁気記録媒体へ、光を照射してその記録層を加熱する光照射素子、その記録層に磁場を供給する磁場供給素子、およびその記録層の磁束を検出する磁束検出素子とが搭載された一つのスライダを有することを特徴とする。

以上、説明したように、本発明によれば、再生時にレーザ光を照射する場合にあっては、媒体ノイズを悪化させることなく大パワーのレーザ光を照射することができ、しかも記録時にはさほど大きなパワーのレーザ光を照射しなくても記録層に、保磁力を低下させるのに充分な熱を与えることができる光磁気記録媒体、その光磁気記録媒体に情報を記録し再生する情報記録 Z再生方法、およびその光磁気記録媒体に情報を記録し再生する磁気記録装置を提供することができる。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の第 1実施形態の光磁気記録媒体の層構造を模式的に示す図である。

図 2は、従来の光磁気記録媒体における層構造の一例を模式的に示す図である図 3は、図 1に示す第 1実施形態の光磁気記録媒体における、 C N Rの、再生用光ビームのパヮ一依存性を示すグラフである。

図 4は、放熱層の厚さを異ならせた数点のサンプルそれぞれにおける、 C N R の、再生用光ビームのパヮ一依存性を示すグラフである。

図 5は、ィレーズノイズの計測結果を示すグラフである。

図 6は、図 1に示す光磁気記録媒体における C N Rの、記録用光ビームのパヮ一依存性を示すグラフである。

図 7は、放熱層の厚さを異ならせた数点のサンプルそれぞれにおける、 C N R の、記録用光ビームのパヮ一依存性を示すグラフである。

図 8は、再生用光ビームを照射した記録層の、その光ビームのビームスポット内の温度分布を示すグラフである。

図 9は、第 2実施形態の光磁気記録媒体の層構造を模式的に示す図である。図 1 0は、従来の R AD媒体である光磁気記録媒体における層構造の一例を模式的に示す図である。

図 1 1は、図 9に示す光磁気記録媒体と、図 1 0に示す光磁気記録媒体それぞれにおける C N Rの、再生用光ビームのパワー依存性を示すグラフであり、図 1 2は、図 9に示す光磁気記録媒体と、図 1 0に示す光磁気記録媒体それぞれにおける C N Rの、記録用光ビームのパヮ一依存性を示すグラフである。図 1 3は、図 9に示す光磁気記録媒体と、図 1 0に示す光磁気記録媒体それぞれのィレ一ズノイズの計測結果を示すグラフである。

図 1 4は、第 3実施形態の光磁気記録媒体の層構造を模式的に示す図である。図 1 5は、従来の DWD D媒体である光磁気記録媒体における層構造の一例を模式的に示す図である。

図 1 6は、図 1 4に示す光磁気記録媒体と、図 1 5に示す光磁気記録媒体それぞれにおける C N Rの、再生用光ビームのパヮ一依存性を示すグラフである。図 1 7は、図 1 4に示す光磁気記録媒体と、図 1 5に示す光磁気記録媒体それぞれにおける C N Rの、記録用光ビームのパヮー依存性を示すグラフである。図 1 8は、図 1 4に示す光磁気記録媒体と、図 1 5に示す光磁気記録媒体それぞれのィレーズノイズの計測結果を示すグラフである。

図 1 9は、ハードディスクタイプの光磁気記録媒体へ情報を記録し、記録した情報を再生する磁気記録装置の一実施形態の概略構成を示す図である。

図 2 0は、図 1 9に示す光磁気記録媒体の、温度に対する保磁力の変化と飽和磁化の変化の一例を示すグラフである。

図 21は、本発明の情報記録 Z再生方法の一実施形態を示すフローチヤ一卜である。

図 22は、図 19に示す光磁気記録媒体の、レーザ記録パワーに対する CNR の変化の一例を示すグラフである。

図 23は、一体型スライダを備えた磁気記録装置の一体型スライダの概略構成を示す図である。

図 24は、図 23に示す光磁気記録媒体の、記録電流に対する C N Rの変化の一例を示すグラフである。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施形態について説明する。

まず、本発明のうちの光磁気記録媒体の実施形態について説明する。

図 1に示す光磁気記録媒体 1は、記録用の光ビーム Rの照射および磁場の供給を受けて情報を記録し、再生用の光ビーム Pの照射を受けて情報を再生する記録媒体である。この光磁気記録媒体 1は、基板 10を備え、その基板上にフロントイルミネーション方式に対応した層構造を有するものである。すなわち、図 1に示す光磁気記録媒体 1は、第 1放熱層 1 1、分断層 12、第 2放熱層 13、記録補助層 14、記録層 15、保護層 16、およびカバ一層 17が、基板 10側からこの記載順に積層されたものである。基板 10は、直径 120mm、厚さ 1. 2 mmのガラス 2 P製の円板状のものであって、図示省略したが、基板 10の表面 10 aは凹凸形状に形成されている。凹部と凸部の広さはそれぞれ 0. 25 m であり、深さは 30 nmである。このような基板 10には、 DUV (De e p U 1 t r aV i o l e t) 照射処理がなされており、その表面 10 aは、表面粗さ Raが 0. 25 nm程度の極めて平滑な表面に仕上げられている。なお、ここにいう表面粗さ R aは、日本工業規格（通称 J I S規格）の 1994年に改正された B 0601中に規定されている中心線平均粗さである。すなわち、粗さ曲線 ( 75 %) からその中心線の方向に測定長さ Lの部分を抜き取り、この抜き取り部分の中心線を X軸、縦軸の方向を Y軸とし、粗さ曲線（75%) を y== f ( X ) で表したときに、以下の式（1) で表される、単位を nmとする表面粗さである。

以下の説明では、この（1) 式によって表される表面粗さのことを、単に、表面粗さ R aと称することにする。

図 1に示す第 1放熱層 1 1、分断層 1 2、および第 2放熱層 1 3はいずれも非磁性の層であって、これらのうちの第 1放熱層 1 1は、 A gを主成分とし、 P d ， Cu, および S iを含む、厚さ 10 nmの合金膜である。この第 1放熱層 1 1 は、 A gを主成分とし P dと C uが添加された合金ターゲットと、 S iターゲットを用いたコスパッタリングにより基板 10の表面 10 aに形成されたものである。コスパッタリングの条件は、ガス圧が 0. 5 P aであり、合金ターゲットへの放電電力が 50 OW, S iターゲットへの放電電力が 32 OWである。このような第 1放熱層 1 1の具体的組成は、 A g 96 a t °ん P d 1 a t %, C u 1 a t %, S i 2 a t %である。

分断層 1 2は、厚さ 5 nmの S i N膜である。この分断層 1 2は、第 1放熱層 1 1の表面に、 Bをドープした S iをターゲットにして、ガス圧 0. 3 P aの N ₂ガス中でスパッタリング製膜することによって形成したものである。

第 2放熱層 1 3は、 A gを主成分とし、 P d， Cu，および S iを添加した、厚さ 30 nmの合金膜である。この第 2放熱層 1 1は、分断層 1 2の表面に、 A gを主成分とし P dと C uが添加された合金ターゲットと、 S iターゲットを用いたコスパッタリングにより形成された合金膜である。第 2放熱層 1 3を形成するコスパッタリングでも、ガス圧は 0. 5 P a、合金ターゲットへの放電電力は 500Wであるが、 S iターゲットへの放電電力は 320Wである。このような第 2放熱層 1 1の具体的組成は、 A g 94 a t %, P d 1 a t %, C u 1 a t % ， S i 4 a t %である。第 2放熱層 13の S i含有量は、第 1放熱層 11の S i 含有量よりも多く、 S iの含有量が多くなればなるほど放熱層の熱伝導率は低下する。したがって、第 2放熱層 13は、第 1放熱層 1 1よりも熱伝導率が低い。記録補助層 14は、記録時に必要な印加磁界が小さくてすむように作用する、厚さ 5 nmの GdF e Co磁性膜である。この記録補助層 14は、第 2放熱層 1 3の表面に、 Gd F e C o合金をターゲットにして、放電電力 500W、ガス圧 0. 5 P aでスパッタリング製膜することによって形成したものである。また、記録層 15は、厚さ 25 nmの TbF eCo磁性膜である。この記録層 15は、記録補助層 14の表面に、 TbF eCo合金をターゲットにして、放電電力 50 0W、ガス圧 1, 0 P aでスパッタリング製膜することによって形成したものである。記録層 15には、基板表面 10 aの凹凸形状を受けて、ランド（凸部） · グループ（凹部）が形成されている。この光磁気記録媒体 1では、高密度に情報を記録するため、ランドとグループの双方をトラックにし、供給された磁場に応じた向きに磁化されたマークがランドやグループに形成される。なお、記録補助層 14と記録層 1 5を併せたものが、本発明にいう記録層に相当する。

保護層 16は、湿気等から記録層等を保護する機能を有する、厚さ 50 nmの S i N誘電体膜である。この保護層 16は、記録層 15の表面に、 Bをド一プした S iをターゲットにして、放電電力 800W、ガス圧 0. 3 P aの N₂ガス中でスパッタリング製膜することによって形成したものである。

カバー層 17は、フロントイルミネーション方式に対応した層構造における基板の役目を成すものであって、透明な紫外線硬化樹脂からなる厚さ 15 / mの層である。このカバー層 17は、保護層の 16の表面に、スピンコート法によって紫外線硬化樹脂を 15 mの厚さに塗布した後、紫外線を 30秒程度照射して硬化させることにより形成したものである。

ここで参考までに、図 2を用いて、従来の光磁気記録媒体の一例を説明する。図 2は、従来の光磁気記録媒体における層構造の一例を模式的に示す図である図 2に示す光磁気記録媒体 7も、記録用の光ビーム Rの照射および磁場の供給を受けて情報を記録し、再生用の光ビーム Pの照射を受けて情報を再生する、フロントイルミネーション方式に対応した記録媒体である。この従来の光磁気記録媒体 7には図 1に示す分断層 12が存在せず、この光磁気記録媒体 7は、放熱層 71、記録補助層 72、記録層 73、保護層 74、およびカバー層 75が、基板 70側からこの記載順に積層されたものである。すなわち、この光磁気記録媒体 7に設けられた放熱層は 1層である。この 1層のみの放熱層 71の具体的組成は、 Ag 95 a t %， P d 1 a t %, C u 1 a t %, S i 3 a t %である。ここでは、比較のため、この 1層のみの放熱層 71の厚さを異ならせた光磁気記録媒体をサンプルとして数点用意し、 CNR (C a r r i e r t o No i s e Ra t i o) の、再生用光ビームのパワー依存性についての実験を行ったので、その結果について説明する。

図 3は、図 1に示す第 1実施形態の光磁気記録媒体における、 CNRの、再生用光ビームのパワー依存性を示すグラフであり、図 4は、放熱層の厚さを異ならせた数点のサンプルそれぞれにおける、 CNRの、再生用光ビームのパヮ一依存性を示すグラフである。

ここでの実験では、まず、光磁気記録媒体を回転させながら、その媒体のカバ一層側より記録用光ビームの照射および磁場の供給を行うことで記録層に情報を表すマークを記録し、次いで、光磁気記録媒体を回転させながら、そのカバー層側より再生用光ビームの照射を行うことで記録したマークに基づく情報を再生し、 CNRを得た。再生用光ビームの照射にあたっては、光ビームのパワーを数段階に変化させて行った。記録時のマーク長は 0. 25 /zmであり、再生時の光磁気記録媒体の周速は 7. 5mZsであった。

図 3及び図 4に示すグラフの、横軸は再生用光ビームのパワー P r (単位； m W) を表し、縦軸は CNR (単位； dB) を表す。また、図 4の塗りつぶしの丸のプロットを結ぶ実線は図 2に示す放熱層 71の厚さを 5 nmにしたサンプルにおける結果を表し、白抜きの三角のプロットを結ぶ実線はその厚さを 20 nmにしたサンプルにおける結果を表し、白抜きの丸のプロットを結ぶ実線はその厚さを 45 nmにしたサンプルにおける結果を表し、塗りつぶしの三角のプロットを結ぶ実線はその厚さを 50 nmにしたサンプルにおける結果を表す。

図 4に示すように、 1層のみの放熱層を有するサンプルの光磁気記録媒体では、その 1層のみの放熱層の厚さを厚くすればするほど、最も高い CNRの値を得ることができる再生用光ビームのパワー（以下、最適 P rと称する）が大きくなり、その最適 P rにおける CNRの値も大きくなる。ここで、実用に足る媒体特性の目安の一つとして、 CNRの値は 45 dB以上であることが望まれる。しかしながら、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体では、放熱層を 50 nmまで厚くしても、 CNRの値は 45 dBに届いていない。これは、 50 nmの放熱層を有する光磁気記録媒体では、放熱層を厚くしすぎたため放熱層の表面が荒れ、記録層に、基板表面の凹凸形状に従ったきれいなランド ·グループが形成されず、マークの形状が崩れてノィズが大きくなったためと考える。

一方、図 3に示すように、図 1に示す光磁気記録媒体における、最適 P rでの CNRの値は、 50 nmの放熱層を有するサンプルの媒体におけるそれよりも 2 dB以上向上し、実用に足る 45 dB以上になっている。これは、第 1放熱層 1 1の厚さが 10 nmであるとともに第 2放熱層 13の厚さが 30 nmであり、レずれの放熱層 11, 13の厚さも、記録層にきれいなランド ·グループが形成されにくくなる 50 nm未満の厚さであることから、まず、第 1放熱層 1 1の表面には、基板表面 10 aに形成された凹凸形状に従ったきれいな凹凸形状が形成され、第 2放熱層 13の表面にも、分断層 12を介してきれいな凹凸形状が形成され、最終的には、記録層 15に、基板表面 10 aの凹凸形状に従ったきれいなランド ·グループが形成されたことが要因の一つと考える。すなわち、ランド -クループがきれいに形成されたことで、ランドゃグルーブに形成されたマークの形状もきれいな形状になり、ノイズが低下したと考える。また、図 1に示す光磁気記録媒体の最適 P rは、 50 nmの放熱層を有するサンプルの媒体の最適 P rよりも大きく、キャリア（信号強度）を増加することができたことがもう一つの要因と考える。

また、図 1に示す光磁気記録媒体を一方向に D Cィレ一ズした後の、各周波数におけるノイズ（ィレーズノイズ）のレベル計測を行ったので、その結果について説明する。この計測では、比較のため、図 1に示す光磁気記録媒体の他に 2つのサンプルを用意し、それぞれのィレ一ズノイズについても計測した。 2つのサンプルのうちの一方のサンプルは、図 1に示す分断層が存在しない、図 2に示す層構造の光磁気記録媒体である。このサンプルに設けられた、 1層のみの放熱層の具体的組成は、 A g 9 5 a t %, P d 1 a t % , C u 1 a t % , S i 3 a t % であり、厚さは 4 0 n mである。また、もう一方のサンプルは、分断層を有し、放熱層はその分断層によって第 1放熱層と第 2放熱層に分断されているものの、図 1に示す光磁気記録媒体とは異なり、記録層側の第 2放熱層の熱伝導率が基板側の第 1放熱層の熱伝導率よりも高い光磁気記録媒体である。このもう一方のサンプルでは、第 2放熱層組成を A g 9 7 a t %， P d 1 a t %, C u 1 a t %, S i 1 a t %と i量を減らすことで、第 1放熱層の熱伝導率よりも高くしている。

図 5は、ィレ一ズノイズの計測結果を示すグラフである。

図 5に示すグラフの、横軸は周波数（単位； MH z ) を表し、縦軸はィレーズノイズの大きさを表す。ィレ一ズノイズの大きさは、 4 O n mの放熱層を有するサンプルにおけるィレ一ズノイズの最大値を 1として規格化し、これに対する比で表されている。図 5には、図 1に示す光磁気記録媒体のィレーズノイズを表す実線 5 1と、 4 0 n mの放熱層を有するサンプルのィレーズノイズを表す実線 5 2と、第 2放熱層の熱伝導率の方が第 1放熱層の熱伝導率よりも高いサンプルのィレーズノイズを表す実線 5 3が示されており、各実線と縦軸と横軸とで囲まれた領域の面積が、各光磁気記録媒体の、計測した全周波数におけるィレーズノィズの大きさに相当する。この図 5のグラフから、分断層を設けて放熱層を 2つに分割することで、ィレ一ズノイズを低減させることができ、さらに、基板側の第 1放熱層を記録層側の第 2放熱層よりも熱伝導率が高いものにすることで、ィレーズノイズをより低減させることができることがわかる。

ここで、表 1に示すように、第 1放熱層の組成や第 2放熱層の組成を変更しても、ィレ一ズノイズを低減させることができる。表 1

第 1放熱層なし Ag96PdlCulSi2 Α195ΤΪ5 Au95Ti5 A160Cr40 Pt95 i5 Pt95Co5 Ag95Ni5 分断層 SiN 5nm SiN 5nm SiN 5nm SiN 5nm SiN 5nm SiN 5nm SiN 5nm SiN 5nm 第 2放熱層 Ag95PdlCulSi3 Ag94PdlCulSi4 Α190ΤΪ10 Au90TilO A150Cr50 Pt90TilO Pt90ColO Ag90NilO ィレーズノイズ 1 0.45 0.5 0.49 0.51 0.47 0.47 0.46

表 1には、上段に第 1放熱層の組成や第 2放熱層の組成等が示され、その下に、上段に示された組成からなる層を有する光磁気記録媒体の、計測した全周波数におけるィレーズノイズの大きさが示されている。ここでのィレ一ズノイズの大きさは、図 4にその結果を示した実験で用いた、 50 nmの 1層のみの放熱層を有するサンプルにおける、計測した全周波数におけるィレ一ズノイズの大きさを 1として規格化し、これに対する比で示されている。表 1の左端には、その 50 nmの放熱層を有するサンプルにおけるィレーズノイズが 1として示されている。なお、表 1の上段にこのサンプルの第 2放熱層として示す「Ag 95 Pd l C u l S i 3」は、 Ag 95 a t %， Pd l a t %， Cu 1 a t %, S i 3 a t % であることを表しており、この表 1の上段における他の同様な記載においても、数字はその数字の直前の元素の a t %を表している。また、このサンプルの右隣には、図 1に示す光磁気記録媒体におけるィレ一ズノイズの大きさが示されている。

さらに、図 1に示す光磁気記録媒体よりも右側に示された 6つの光磁気記録媒体はいずれも、基板側の第 1放熱層の厚さが 10 nm、記録層側の第 2放熱層の厚さが 3 O nmであって、第 1放熱層の熱伝導率の方が第 2放熱層の熱伝導率よりも高い記録媒体である。これら 6つの光磁気記録媒体のィレ一ズノイズはいずれも、 50 nmの放熱層を有するサンプルのィレーズノイズのおよそ半分程度にまで低減されており、第 1放熱層と第 2放熱層はいずれも、図 1を用いて説明した光磁気記録媒体に設けられた、 S i、 P d、および C uが添加された A 1合金膜に限らず、 A l, Ag, A uおよび P tの中から選択された一つの元素を主成分とし、 S i， C r, T i , および C oの中から選択された元素が添加されてなる合金膜であってもよいことがわかる。 A l, Ag, Auおよび P tはいずれも放熱性が良好であり、これらに、 Cu, Pd， S i, C r , T i , および Coの中から選択された少なくとも一つの元素を添加することで、熱伝導率の大きさを調整することができる。すなわち、 A l， Ag, A uおよび P tの中から選択された一つの元素を主成分とする金属膜に、 Cu， Pd, S i , C r, T i , または C oが多く含まれているほど、その金属膜の熱伝導率は低下したものとなる。したがって、これらの添加元素は、第 1放熱層よりも第 2放熱層に多く含まれている必要がある。また、 Cu, Pd, S i , C r， T i, および Coはいずれも、 A l, Ag， Auおよび P tの粒径拡大を抑制する機能を有する。そのため、これらの元素を添加すると、放熱層の表面がポコポコと粒形状に荒れて不均一になることが抑えられ、ノイズの増大を防止することができる。

また、 CNRの、記録用光ビームのパワー依存性についても実験を行ったので、その結果について説明する。ここでも、図 1に示す光磁気記録媒体の他、比較のため、 CNRの、再生用光ビームのパヮ一依存性についての実験で用いた、放熱層の厚さを異ならせた数点のサンプルと同じものを用意して実験を行った。図 6は、図 1に示す光磁気記録媒体における CNRの、記録用光ビームのパヮ —依存性を示すグラフであり、図 7は、放熱層の厚さを異ならせた数点のサンプルそれぞれにおける、 CNRの、記録用光ビームのパワー依存性を示すグラフである。

ここでの実験では、記録用光ビームのパワーを数段階に変化させ、 CNRの、再生用光ビームのパワー依存性についての実験と同様にして CNRを求めた。すなわち、記録時のマーク長は 0. 2 であり、再生時の光磁気記録媒体の周速は 7. 5m/sである。

図 6及び図 7に示すグラフの、横軸は記録用光ビームのパワー Pw (単位； m W) を表し、縦軸は CNR (単位； dB) を表す。また、図 3と同じく、図 7の塗りつぶしの丸のプロットを結ぶ実線は厚さ 5 nmの放熱層が設けられたサンプルにおける結果を表し、白抜きの三角のプロットを結ぶ実線は厚さ 20 nmの放熱層が設けられたサンプルにおける結果を表し、白抜きの丸のプロットを結ぶ実線は厚さ 45 nmの放熱層が設けられたサンプルにおける結果を表し、塗りつぶしの三角のプロットを結ぶ実線は厚さ 50 nmの放熱層が設けられたサンプルにおける結果を表す。

図 7に示すように、 1層のみの放熱層を有するサンプルの光磁気記録媒体では、その 1層のみの放熱層の厚さを厚くすればするほど、最も高い CNRの値を得ることができる記録用光ビームのパワー（以下、最適 Pwと称する）が大きくなる。なお、その最適 Pwで記録した際の CNRの値は、最適 P rで記録した際の CNRの値に合わせ込まれており、 1層のみの放熱層を有するサンプルの光磁気記録媒体ではいずれも、 C N Rの値が 4 5 d B未満である。

一方、図 6に示すように、図 1に示す光磁気記録媒体における、最適 P wでの C N Rの値も、最適 P rで記録した際の C N Rの値に合わせ込まれており、実用に足る 4 5 d B以上になっている。さらに、最適 P wの値は、 5 0 n mの放熱層が設けられたサンプルの最適 P wの値よりも 2 mW以上も低く抑えられている。ここで、一般的には、再生用光ビームの照射においては、レーザ光を D C的に連続照射し、記録層は加熱され続ける。一方、記録用光ビームの照射においては、レーザ光をパルス的に断続照射し、記録層は瞬間的に加熱される。図 1に示す光磁気記録媒体 1は、第 1放熱層 1 1と第 2放熱層 1 3の間に、これらいずれの放熱層 1 1 , 1 3の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する分断層 1 2が設けられており、さらに、記録層側の第 2放熱層 1 3が、基板側の第 1放熱層 1 1よりも熱伝導率が小さいものである。このため、この光磁気記録媒体 1では、再生時の、レーザ光の連続的な照射においては、記録層 1 5に生じ続ける熱が、記録層 1 5 →記録補助層 1 4→第 2放熱層 1 3—分断層 1 2→第 1放熱層 1 1の経路で逃がされるが、記録時の、レーザ光の断続照射においては、記録層 1 5に瞬間的に生じた熱の伝導が第 2放熱層 1 3でとまると考える。すなわち、図 1に示す光磁気記録媒体 1では、再生用光ビームの照射により記録層 1 5に生じた熱の放熱には、記録層側の第 2放熱層 1 3と基板側の第 1放熱層 1 1との双方の放熱層が寄与するが、記録用光ビームの照射により記録層 1 5に生じた熱の放熱には、第 2放熱層 1 3のみが寄与すると考える。そのため、図 1に示す光磁気記録媒体 1においては、さほど大きなパワーの記録用光ビームを照射しなくても記録層 1 5の保磁力を低下させるのに充分な熱を与えることができ、最適 P rの値を高めつつ、図 6に示すように最適 P wの値を低く抑えることができると考える。なお、記録時に、必要以上に大パワーのレーザ光を照射すると、マーク形状が崩れノイズが増大する。

次に、図 1に示す光磁気記録媒体において、記録層側の第 2放熱層 1 3が、基板側の第 1放熱層 1 1よりも熱伝導率が小さいものであることの意義についてさらに詳しく説明する。ここでは、第 1放熱層 1 1の熱伝導率 σ 1 >第 2放熱層 1 3の熱伝導率 σ 2の関係を有する、図 1に示す光磁気記録媒体の他、比較のため、この関係とは反対の、第 1放熱層 1 1の熱伝導率 σ 1<第 2放熱層 13の熱伝導率 σ 2の関係を有する光磁気記録媒体をサンプルとして用意し、各光磁気記録媒体の記録層に、カーバ層側から再生用光ビームを照射し、記録層の、その光ビームのビームスポット内の温度分布について調べた。

図 8のグラフの横軸は、再生用光ビームのビームスポット中心からの距離を表す。ここでの距離は、ビームスポットの中心を 0にして、ビームスポットの、光磁気記録媒体の回転方向進行側の一端を + 1. 0、他端を一 1. 0として示す。したがって、ビームスポットは一側に向かって移動することになる。ここでは、ビームスポットの移動方向を基準にして、一側を前方と称し、 +側を後方と称することにする。また、図 8のグラフの縦軸は、記録層の、再生用光ビームのビ一ムスポット内の温度を表す。ここでの温度は、ビームスポット内の最高温度を 1 として規格化し、この最高温度に対する比で示されている。図 8には、第 1放熱層 11の熱伝導率 σ 1>第2放熱層13の熱伝導率 σ 2の関係を有する、図 1に示す光磁気記録媒体の温度分布が実線で表されており、その関係とは反対の、第 1放熱層 1 1の熱伝導率 σ 1<第2放熱層13の熱伝導率 σ 2の関係を有する、サンプルの光磁気記録媒体の温度分布が点線で表されている。

光磁気記録媒体においては、再生時に、再生用光ビームのビームスポット中心からほんの少し後方に寄ったところに、ビームスポット内の温度ピークの位置がくると、理想的な信号を得ることができることが知られている。このことは、低温マスク、中温温度再生領域、および高温マスクといった温度分布の領域を作る必要がある、後述する超解像媒体（例えば、 RAD； Re a r Ap e r t u r e De t e c t i on) や拡大系媒体（例えば、 DWDD； D oma i n W a l l D i s p l a c eme n t D e t e c t i o n) では特に重要である。図 8のグラフに示すように、サンプルの光磁気記録媒体では、再生用光ビームのビームスポット内の温度ピークの位置が、再生用光ビームのビームスポット中心から前方に寄ったところにきているが、図 1に示す光磁気記録媒体では、その温度ピークの位置が、ビ一ムスポット中心からほんの少し後方に寄ったところにきている。高いキャリアを得るためには、記録層側の第 2放熱層 13が、再生用光ビームの照射によって加熱された記録層 15がキュリー点を超えて保磁性を失うことがない程度の放熱性を有することが必要であるものの、放熱性が良すぎると今度は、再生用光ビームのビームスポット内の温度ピークの位置が、再生用光ビームのビ一ムスポット中心から前方に寄ったところにきてしまうと考える。また、第 1放熱層 1 1と分断層 12と第 2放熱層 13との 3層の表面粗さ Ra の関係について検討を行つたので説明する。

ここでの検討では、これら 3層の表面粗さ R aの組合せを変えた、図 1に示す層構造の光磁気記録媒体のサンプルを 5つ用意した。いずれのサンプルにおいても、第 1放熱層 11および第 2放熱層 13はともに合金膜にした。また、第 1放熱層 1 1の厚さは 1 Onmにし、第 2放熱層 13の厚さは 3 Onmにした。さらに、分断層 12は S i N膜に統一し、その厚さも 5 nmに統一した。これらのサンプルの作製にあたっては、スパッタリングによって各層を製膜したが、製膜ガス圧と放電電力を変えることで、これら 3層の表面粗さ R aを調整した。また、評価のために、最適 Pwかつ最適 P rにおける CNRを求めた。 CNRを求めるにあたっての、記録時のマーク長は 0. 3 ^mであり、再生時の光磁気記録媒体の周速は 7. 5mZsであった。

表 2に、各サンプル（媒体 A〜媒体 E) ごとの CNRを示す。表 2

この表 2は、横一行ごとに、各サンプルの、第 1放熱層の表面粗さ Ra (Ra 1) ，分断層の表面粗さ R a (Ra 0) , 第 2放熱層の表面粗さ R a (R a 2) ，再生時の CNR (単位； dB) が示されている。また、 CNRの右隣には、その CNRを算出するために測定した、ノイズ（単位； dB) とキャリア（単位； dB) の数値が示されている。

媒体 Aと媒体 Bはいずれも、第 1放熱層の表面粗さ R a 1>第 2放熱層の表面粗さ R a 2の関係を有するが、媒体 (：、媒体 D、および媒体 Eはいずれも、第 1 放熱層の表面粗さ R a 1<第 2放熱層の表面粗さ R a 2の関係を有する。 Ra 1 >R a 2の関係を有する媒体 Aと媒体 Bはともに、 CNRが実用に足る 45 dB 以上であるが、その関係とは反対の R a 1<R a 2の関係を有する媒体。〜媒体 Eはいずれも CNRが 45 dB未満である。これは、記録層が積層される記録補助層が第 2放熱層表面に形成されるため、第 2放熱層表面の荒れを抑えることで、最終的に、記録層に、基板表面の凹凸形状に従ったきれいなランド ·グループが形成され、ノイズが低下したことが要因と考える。このことから、第 2放熱層表面を第 1放熱層表面よりも平滑にすることが好ましいといえる。

また、スパッタリングによる製膜では、合金膜である第 2放熱層の表面粗さ R a lを、第 2放熱層の裏面が接する、 S i N膜である分断層の表面粗さ Ra 0以下にすることは極めて困難であるため、これら 5つの媒体いずれにおいても、分断層の表面粗さ R aは第 2放熱層の表面粗さ Raよりも小さくしている。

さらに、分断層の材質の検討も行ったので説明する。

図 1に示す光磁気記録媒体の分断層 12は S i N膜であつたが、ここでは、分断層 12に、その S i N膜に代えて C膜、 S i膜、 S i〇₂膜、 S i C膜、 A 1 膜、 A 1 N膜、 A 1₂0₃膜、 Fe C膜、 ZnS膜、および Zn〇膜を用いた、図 1に示す層構造の光磁気記録媒体のサンプルをそれぞれ用意し、最適 Pwかつ最適 P rにおける CNRを求めた。 CNRを求めるにあたっての、記録時のマ一ク長は 0. 30 imであり、再生時の光磁気記録媒体の周速は 7. 5m/sであつ 7こ。

表 3に、各サンプルごとに求めた CNRと、その CNRを求めたときの最適 P rおよび最適 Pwを示す。表 3

この表 3には、一番上に分断層 12の膜が記載され、縦一列ごとに、各サンプルの、分断層の厚さ（単位； nm) 、最適 P r (単位； mW) 、最適 Pw (単位； mW) 、および CNR (単位； dB) が示されている。なお、表 3の左側に示された、分断層 12が S i N膜である縦一列は、図 1に示す光磁気記録媒体の、最適 P r、最適 Pw、および CNRを示すものである。

表 3に示すように、いずれのサンプルの光磁気記録媒体においても、最適 P r の値は、図 1に示す光磁気記録媒体における最適 P rの値と同じ 2. 8mWであり、最適 P rの値が高められていることがわかる。また、いずれのサンプルにおいても、 CNRの値は実用に足る 45 dB以上である。さらに、各サンプルの光磁気記録媒体における最適 Pwの値は、図 1に示す光磁気記録媒体における最適 Pwの値と同じ 7. 6mWか、あるいはそれより低い 7. 4mWであるため、最適 Pwの値が低く抑えられていることもわかる。したがって、分断層は、 S i N 膜に限らず、 S iの単体， A 1の単体，および Cの単体のうちの少なくともいずれか一つの単体を含む材料、または， S iの酸化物， S iの炭化物， A 1の窒化物， A 1の酸化物， F eの炭化物， Znの硫化物，および Z nの酸化物の中から選択された一つの化合物からなるものであってもよいことがわかる。

なお、 A l， Ag， Auおよび P tの中から選択された一つの元素を主成分とする合金膜である第 1放熱層に対し、その第 1放熱層表面に裏面が接する分断層を、第 1放熱層を構成する粒子よりも小さい径の粒子で構成された膜（例えば、 S i膜や S i N膜等）にすることで、第 1放熱層表面の粒子間を、その小さな径の粒子で埋めることができ、第 1放熱層表面の荒れを改善することができる。続いて、本発明の第 2実施形態の光磁気記録媒体について説明する。

図 9は、第 2実施形態の光磁気記録媒体の層構造を模式的に示す図である。図 9に示す光磁気記録媒体 2は、記録用の光ビーム Rの照射および磁場の供給を受けて情報を記録し、再生用の光ビーム Pの照射および磁場の供給を受けて情報を再生する、超解像媒体の一つである R AD媒体である。この光磁気記録媒体 2は、第 1実施形態の光磁気記録媒体 1と同じく、基板 2 0を備え、その基板上にフロントイルミネーション方式に対応した層構造を有するものであるが、 R A D媒体であることから特有の層構造を有する。すなわち、図 9に示す光磁気記録媒体 2は、第 1実施形態の光磁気記録媒体 1と同じく、第 1放熱層 2 1、分断層 2 2、第 2放熱層 2 3が、基板 2 0側からこの記載順に積層されたものであるが、第 2放熱層 2 3の上には、記録層 2 4、中間層 2 5、再生層 2 6、保護層 2 7 、カバー層 2 8が、この記載順に積層されている。この光磁気記録媒体 2に備えられた基板 2 0の材質および形状は、第 1実施形態の光磁気記録媒体 1に備えられた基板 1 0の材質および形状と同じであり、図示省略したが、基板表面は凹凸形状に形成されている。また、この光磁気記録媒体 2に設けられた層 2 1〜2 8 のうち、中間層 2 5、再生層 2 6、および保護層 2 7を除いた層 2 1〜2 4， 2 8の、厚さ、組成、および製膜条件は、第 1実施形態の光磁気記録媒体 1に備えられた、同じ名称の各層 1 1〜1 3 , 1 5， 1 7のそれらと同じである。したがつて、この光磁気記録媒体 2でも、基板 2 0側の第 1放熱層 2 1の熱伝導率 >記録層 2 4側の第 2放熱層 2 3の熱伝導率 >分断層 2 2の熱伝導率といった関係が成立している。

なお、図 9に示す、第 1放熱層 2 1および第 2放熱層 2 3はいずれも、 S i、 P d、および C uが添加された A 1合金膜に限らず、表 1に示す組成のものであつてもよく、分断層 2 2も、 S i N膜に限らず、表 3に示す各種の膜であってもよい。また、第 1放熱層 2 1、分断層 2 2、第 2放熱層 2 3ぞれぞれの表面粗さ R aの関係は、第 1放熱層 2 1の表面粗さ R a >第 2放熱層 2 3の表面粗さ R a 〉分断層 2 2の表面粗さ R aであることが好ましい。

以下、図 2に示す、中間層 2 5、再生層 2 6、および保護層 2 7のみについて説明し、他の層の説明は省略する。中間層 25は、記録層 24の表面に、 GdF e C o合金をターゲットにして、そのターゲットの上に S iチップをのせ、放電電力 500W、ガス圧 0. 54P aでスパッタリング製膜することによって形成した、 GdF e C 0 S i磁性膜である。この中間層 25は、再生用の光ビーム P の照射を受けて加熱されることで、記録層 24に形成されたマークの磁場によつて磁化される。

再生層 26は、中間層 25の表面に、 GdF e C 0合金をターゲットにして、放電電力 800W、ガス圧 0. 86 P aでスパッタリング製膜することによって形成した、 GdF e C o磁性膜である。この再生層 26には、再生時に、記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が形成される。

図 2に示す保護層 27は、図 1に示す保護層 16とは、製膜条件の内のガス圧が異なる。図 1に示す保護層 16の製膜では、ガス圧 0. 3 P aの条件下でスパッタリングを実施するが、図 2に示す保護層 27の製膜では、ガス圧 0. 5 P a の条件下でスパッタリングを実施する。

ここで参考までに、図 10を用いて、従来の RAD媒体の一例を説明する。図 10は、従来の RAD媒体である光磁気記録媒体における層構造の一例を模式的に示す図である。

図 10に示す光磁気記録媒体 8も、記録用の光ビーム Rの照射および磁場の供給を受けて情報を記録し、再生用の光ビーム Pの照射および磁場の供給を受けて情報を再生する、フロントイルミネーション方式に対応した RAD媒体である。この従来の RAD媒体である光磁気記録媒体 8には図 9に示す分新層 22が存在せず、この光磁気記録媒体 8は、放熱層 81、記録層 82、中間層 83、再生層 84、保護層 85、およびカバー層 86が、基板 80側からこの記載順に積層されたものである。すなわち、この光磁気記録媒体 8に設けられた放熱層は 1層である。この 1層のみの放熱層 81の具体的組成は、 Ag 95 a t %, Pd l a t %, Cu 1 a t %, S i 3 a t %であり、その厚さは 40 nmである。

以下、図 9に示す光磁気記録媒体と、図 10に示す光磁気記録媒体それぞれにおける C N Rの、再生用光ビームのパヮ一依存性および記録用光ビームのパワー依存性の双方についての実験を行ったので、その結果について説明する。

図 1 1は、図 9に示す光磁気記録媒体と、図 10に示す光磁気記録媒体それぞれにおける CNRの、再生用光ビームのパワー依存性を示すグラフであり、図 1 2は、それら 2つの光磁気記録媒体それぞれにおける CNRの、記録用光ビームのパヮ一依存性を示すグラフである。

ここでの実験では、まず、光磁気記録媒体を回転させながら、その媒体のカバ一層側より記録用光ビームの照射および磁場の供給を行うことで記録層に情報を表すマークを記録した。記録用光ビームの照射では、最適 Pwを得るために、そのパワーを数段階に変化させて行った。次いで、光磁気記録媒体を回転させながら、そのカバー層側より再生用光ビームの照射および磁場の供給を行うことで記録したマークに基づく情報を再生し、 CNRを得た。再生用光ビームの照射では、最適 P rを得るために、そのパワーを数段階に変化させて行った。記録時のマ一ク長は 0. 20 zmであり、再生時の光磁気記録媒体の周速は 7. 5m/sであった。

図 1 1に示すグラフの横軸は再生用光ビームのパワー P r (単位； mW) を表し、図 12に示すグラフの横軸は記録用光ビームのパワー Pw (単位； mW) を表す。また、図 1 1のグラフの縦軸および図 12のグラフの縦軸は、いずれも C NR (単位； dB) を表す。さらに、図 11および図 12において、丸のプロットを結ぶ実線は、図 9に示す、第 2実施形態の光磁気記録媒体 2における結果を表し、三角のプロットを結ぶ実線は、図 10に示す、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体における結果を表す。

図 1 1に示すように、第 2実施形態の光磁気記録媒体 2の最適 P rは、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体の最適 P rに比べて、 0. 5mWほど高い。また、第 2実施形態の光磁気記録媒体 2の、最適 P rにおける CNRの値は、 1 層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体のそれに比べて 2 dBほど高く、実用に足る 45 dB以上である。また、図 12に示すように、第 2実施形態の光磁気記録媒体 2の最適 Pwは、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体の最適 Pwに比べて、 lmWほど低く抑えられている。

また、第 2実施形態の光磁気記録媒体 2と、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体 8それぞれのィレ一ズノィズのレベル計測を行つたので、その結果についても説明する。

図 13は、図 9に示す光磁気記録媒体と、図 10に示す光磁気記録媒体それぞれのィレ一ズノイズの計測結果を示すグラフである。

図 13に示すグラフの、横軸は周波数（単位； MHz) を表し、縦軸はィレ一ズノイズの大きさを表す。ィレ一ズノイズの大きさは、図 10に示す、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体におけるィレーズノイズの最大値を 1として規格化し、これに対する比で表されている。図 13には、図 9に示す、第 2実施形態の光磁気記録媒体のィレーズノイズを表す実線 121と、図 10に示す、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体のィレーズノイズを表す実線 122が示されており、各実線と縦軸と横軸とで囲まれた領域の面積が、各光磁気記録媒体の、計測した全周波数におけるィレーズノイズの大きさに相当する。この図 13のグラフから、 RAD媒体においても、分断層を設けて放熱層を 2つに分割することで、ィレ一ズノイズを低減させることができることがわかる。

以上のことから、本発明を RAD媒体に適用しても、媒体ノイズを悪化させることなく再生時には大パワーのレーザ光を照射することができ、しかも記録時にはさほど大きなパワーのレーザ光を照射しなくても記録層の保磁力を低下させるのに充分な熱を与えることができることがわかる。なお、本発明は、 RAD媒体に限らず、他の超解像媒体である、 FAD (F r on t Ap e r t u r e D e t e c t i on) 媒体や CAD (Ce n t e r Ap e r t u r e De t e c t i on) 媒体にも適用することができる。

続いて、本発明の第 3実施形態の光磁気記録媒体について説明する。

図 14は、第 3実施形態の光磁気記録媒体の層構造を模式的に示す図である。図 14に示す光磁気記録媒体 3は、記録用の光ビーム Rの照射および磁場の供給を受けて情報を記録し、再生用の光ビーム Pの照射および磁場の供給を受けて情報を再生する、拡大系媒体の一つである DWDD媒体である。この光磁気記録媒体 3は、これまでの実施形態の光磁気記録媒体 1， 2と同じく、基板 30を備え、その基板上にフロントイルミネーション方式に対応した層構造を有するものであるが、 DWDD媒体であることから特有の層構造を有する。すなわち、図 1 4に示す光磁気記録媒体 3は、第 1実施形態の光磁気記録媒体 1と同じく、第 1 放熱層 31、分断層 32、第 2放熱層 33が、基板 30側からこの記載順に積層されたものであるが、第 2放熱層 33の上には、記録層 34、スイッチング層 3 5、コントロール層 36、再生層 37、保護層 38、カバ一層 39が、この記載順に積層されている。この光磁気記録媒体 3に備えられた基板 30の材質および形状は、第 1実施形態の光磁気記録媒体 1に備えられた基板 10の材質および形状と同じであり、図示省略したが、基板表面に凹凸形状が形成されている。また、この光磁気記録媒体 3に設けられた層 31〜38のうち、スイッチング層 35 およびコントロール層 36を除いた層 31〜34， 37〜39の、厚さ、組成、および製膜条件は、第 2実施形態の光磁気記録媒体 2に備えられた、同じ名称の各層 21〜24, 26〜28のそれらと同じである。したがって、この光磁気記録媒体 3でも、基板 30側の第 1放熱層 31の熱伝導率 >記録層 34側の第 2放熱層 33の熱伝導率 >分断層 32の熱伝導率といった関係が成立している。なお、 DWDD媒体においても、第 1放熱層 31および第 2放熱層 33はいずれも、 S i、 Pd、および Cuが添加された A 1合金膜に限らず、表 1に示す組成のものであってもよく、分断層 32も、 S i N膜に限らず、表 3に示す各種の膜であってもよい。また、第 1放熱層 31、分断層 32、第 2放熱層 33ぞれぞれの表面粗さ R aの関係は、第 1放熱層 31の表面粗さ R a >第 2放熱層 33の表面粗さ R a >分断層 32の表面粗さ R aであることが好ましい。

以下、図 14に示す、スイッチング層 35、およびコント口一ル層 36のみについて説明し、他の層の説明は省略する。スイッチング層 35は、記録層 24の表面に、 TbF e合金をターゲットにして、そのターゲットの上に A 1チップをのせ、放電電力 500W、ガス圧 0. 5 P aでスパッタリング製膜することによつて形成した、 TbF e A 1磁性膜である。このスイッチング層 35は、図 9に示す中間層 25と同じように、再生用の光ビーム Pの照射を受けて加熱されることで、記録層 34に形成されたマークの磁場によって磁化される。

コントロール層 36は、スイッチング層 35の表面に、 TbF e Co合金を夕一ゲットにして、放電電力 800W、ガス圧 0. 8 P aでスパッタリング製膜することによって形成した、 TbFe Co磁性膜である。このコントロール層 36 は、スイッチング層 35が記録層 34に形成されたマークの磁場によって磁化されやすいように作用するものである。

ここで参考までに、図 15を用いて、従来の DWDD媒体の一例を説明する。図 15は、従来の DWDD媒体である光磁気記録媒体における層構造の一例を模式的に示す図である。

図 15に示す光磁気記録媒体 9も、記録用の光ビーム Rの照射および磁場の供給を受けて情報を記録し、再生用の光ビーム Pの照射および磁場の供給を受けて情報を再生する、フロントイルミネーション方式に対応した D WD D媒体である。この従来の DWDD媒体である光磁気記録媒体 9には図 14に示す分断層 32 が存在せず、この光磁気記録媒体 9は、放熱層 91、記録層 92、スイッチング層 93、コントロール層 94、再生層 95、保護層 96、およびカバ一層 97が、基板 90側からこの記載順に積層されたものである。すなわち、この光磁気記録媒体 9に設けられた放熱層 91は 1層である。この 1層のみの放熱層 91の具体的組成は、 Ag 95 a t %， P d 1 a t %, C u 1 a t ¾, S i 3 a t %であり、その厚さは 40 nmである。

以下、図 14に示す光磁気記録媒体と、図 15に示す光磁気記録媒体それぞれにおける C N Rの、再生用光ビームのパヮ一依存性および記録用光ビームのパヮ一依存性の双方についての実験を行ったので、その結果について説明する。図 16は、図 14に示す光磁気記録媒体と、図 15に示す光磁気記録媒体それぞれにおける CNRの、再生用光ビームのパワー依存性を示すグラフであり、図 17は、それら 2つの光磁気記録媒体それぞれにおける CNRの、記録用光ビームのパヮー依存性を示すグラフである。

ここでは、上述の、 RAD媒体における CNRの各パワー依存性の実験と同様な実験を行い CNRを得た。記録時のマーク長は 0. 20 mであり、再生時の光磁気記録媒体の周速は 7. 5mZsであった。

図 16に示すグラフの横軸は再生用光ビームのパワー P r (単位； mW) を表し、図 17に示すグラフの横軸は記録用光ビームのパヮ一 Pw (単位； mW) を表す。また、図 16のグラフの縦軸および図 17のグラフの縦軸は、いずれも C NR (単位； dB) を表す。さらに、図 16および図 17において、丸のプロットを結ぶ実線は、図 1 6に示す、第 3実施形態の光磁気記録媒体 3における結果を表し、三角のプロットを結ぶ実線は、図 1 5に示す、 1層のみの放熱層 9 1を有する光磁気記録媒体 9における結果を表す。

図 1 6に示すように、第 3実施形態の光磁気記録媒体 3の最適 P rは、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体 9の最適 P rに比べて、 1 . O mWほど高い。また、第 3実施形態の光磁気記録媒体 3の、最適 P rにおける C N Rの値は、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体 9のそれに比べて 2 d B以上高く、実用に足る 4 5 d B以上である。また、図 1 7に示すように、第 3実施形態の光磁気記録媒体 3の最適 P wは、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体 9の最適 P wに比べて、 l mWほど低く抑えられている。

また、第 3実施形態の光磁気記録媒体 3と、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体 9それぞれのィレ一ズノイズのレベル計測を行ったので、その結果についても説明する。

図 1 8は、図 1 4に示す光磁気記録媒体と、図 1 5に示す光磁気記録媒体それぞれのィレーズノィズの計測結果を示すグラフである。

図 1 8に示すグラフの、横軸は周波数（単位； MH z ) を表し、縦軸はィレーズノイズの大きさを表す。ィレーズノイズの大きさは、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体 9におけるィレーズノイズの最大値を 1として規格化し、これに対する比で表されている。図 1 8には、図 1 4に示す、第 3実施形態の光磁気記録媒体 3のィレーズノイズを表す実線 1 8 1と、図 1 5に示す、 1層のみの放熱層を有する光磁気記録媒体 9のィレーズノイズを表す実線 1 8 2が示されており、各実線と縦軸と横軸とで囲まれた領域の面積が、各光磁気記録媒体の、計測した全周波数におけるィレーズノイズの大きさに相当する。この図 1 8のグラフから、 DWD D媒体においても、分断層を設けて放熱層を 2つに分割することで、ィレーズノィズを低減させることができることがわかる。

以上のことから、本発明を DWD D媒体に適用しても、媒体ノイズを悪化させることなく再生時には大パヮ一のレーザ光を照射することができ、しかも記録時にはさほど大きなパワーのレーザ光を照射しなくても記録層の保磁力を低下させるのに充分な熱を与えることができることがわかる。なお、本発明は、 DWD D 媒体に限らず、他の拡大系媒体である、 MAMMOS (Magn e t i c a 1 1 y Amp l i f i e d MO s y s y t e m) 媒体にも適用することができる。

以上、本発明の光磁気記録媒体の実施形態として 3つの実施形態を説明したが、ここで説明した光磁気記録媒体はいずれも、再生時に光ビームの照射を行う必要がある記録媒体であった。しかし、本発明の光磁気記録媒体は、再生時に光ビームの照射を行うことが不要な記録媒体にも適用することができる。例えば、再生時には光ビームを照射せず、記録層の磁束を検出することで情報の再生が行われる、いわゆるハードディスクタイプの光磁気記録媒体に適用することができる。以下、本発明の光磁気記録媒体を、このハードディスクタイプの光磁気記録媒体に適用した例を、磁気記録装置の一実施形態と併せて説明する。

図 19は、ハードディスクタイプの光磁気記録媒体へ情報を記録し、記録した情報を再生する磁気記録装置の一実施形態の概略構成を示す図である。

図 19に示す光磁気記録媒体 100は、ディスク径 2. 5インチのものであつて、フラットなガラス基板 110を備え、そのガラス基板 1 10上にフロントイルミネーシヨン方式に対応した層構造 120を有するものである。この層構造 1

20は、ガラス基板 110側から、第 1放熱層、分断層、第 2放熱層、記録層、保護層、および潤滑層が積層されたものである。第 1放熱層は、厚さ l O nmの合金膜であって、その具体的組成は、 Ag 96 a t %， P d 1 a t %, Cu 1 a t %, S i 2 a t %である。分断層は、厚さ 5 nmの S i N膜である。第 2放熱層は、第 1放熱層よりも熱伝導率が低い、厚さ 30 nmの合金膜であって、その具体的組成は、 Ag 94 a t%, P d 1 a t %, C u 1 a t %, 3 14 & 1: %である。記録層は、厚さ 25 nmの Tb F e C o磁性膜であって、その具体的組成は、 Tb 21 a t %, F e 40 a t , C o 39 a t %である。保護層は、厚さ

3 nmの S i N膜と、その S i N膜の上に形成された厚さ 1 nmの C r膜と、その C r膜の上に形成された厚さ 1 nmの C膜からなるものである。潤滑層は、保護層の上にフッ素計樹脂をスピンコート法によって塗布することで形成された、厚さ約 l nmの層である。

図 19に示す磁気記録装置 200は、本発明の第 1の磁気記録装置の一例に相当するものであって、スピンドル 2 5 1により光磁気記録媒体 1 0 0を所定の回転速度で回転させる。光磁気記録媒体 1 0 0が有する記録層に対し、レーザダイオード 2 5 3からレーザ光を照射する。レーザ光はコリメ一トレンズ 2 5 4により平行光とされ、ビームスプリッタ 2 5 5を通過し、光学ヘッドスライダ 2 5 8 に搭載された対物レンズ 2 5 6により集光され、記録層に焦点を結ぶように制御される。レーザダイォード 2 5 3は、レーザ駆動回路 2 6 3によりパルス変調され高レベルの光出力と低レベルの光出力が可能となっている。

情報の記録時においては、レ一ザ駆動回路 2 6 3によりレーザを発振させて、記録層に照射される。そして、記録用に制御されたレーザ光の照射により記録層の表面に形成したレーザスポットの近辺には記録用コイル 2 5 9により、図面上、上向き方向で、所定の大きさの直流磁界を印加することにより上向きの磁界の情報を、また、下向き方向の磁界を印加することにより下向きの磁界の情報を磁区として記録できる。記録用コイル 2 5 9を記録層に近接させることで記録用コィル 2 5 9を極めて小さく構成することが可能となる。記録用コイル 2 5 9を十分に小さくすることで磁界変調記録が可能となる。なお、記録用コイル 2 5 9は、記録用コイル駆動回路 2 6 7により制御される。光学へッドスライダ 2 5 8、記録用コイル 2 5 9などが光磁気記録部を構成する。

また、記録層で反射した光はビ一ムスプリッタ 2 5 5により、図中右側へ光路を変更され光検出器 2 6 4により電気信号に変換されフォーカス信号検出回路 2 6 5にて、フォーカス方向が検出される。フォーカス信号検出回路 2 6 5にて検出されたフォーカス方向によってフォーカス用コイル駆動回路 2 6 6が制御され、フォーカス用コイル 2 5 7にフォーカス電流が流れ、対物レンズ 2 5 6を図中上下に動作させて、レーザスポットが記録層に集光するよう制御される。

一方、再生時においては、磁気ヘッドスライダ 2 6 1に搭載された磁束を検出する素子である磁気再生素子 2 6 0により磁区の変化を検出（磁区の磁化方向に対応した磁束を検出）し、再生素子駆動検出回路 2 6 2により、高密度に記録された情報を良好な C N Rをもって再生できる。磁気再生素子 2 6 0、磁気ヘッドスライダ 2 6 1などが磁気再生部を構成する。

次に、図 1 9に示す光磁気記録媒体 1 0 0における保磁力と飽和磁化それぞれの温度依存性について説明する。

図 2 0に示すグラフの横軸は温度（°C) を表す。また、このグラフの縦軸は、保磁力（k〇e ) と飽和磁化（e m u / c c ) を表し、実線は図 1 9に示す光磁気記録媒体 1 0 0の保磁力を示し、点線はその光磁気記録媒体 1 0 0の飽和磁化を示す。

室温における図 1 9に示す光磁気記録媒体 1 0 0の保磁力は 1 0 k〇e以上あるが、昇温すると図中実線で示すとおり保磁力は小さくなり、およそ 3 5 0 °Cで 0となる。図 1 9に示す光学用スライダ 2 5 8に搭載された記録用コイル 2 5 9 で発生した記録磁界により記録可能な保磁力となる温度まで記録層を加熱すれば、記録することが可能となる。

また、室温における図 1 9に示す光磁気記録媒体 1 0 0の飽和磁化の値は 1 0 0 e m u / c c以上あるので、記録されたマークからの磁束を通常の磁気抵抗素子によって再生することが可能である。

続いて、図 2 1を用いて、図 1 9に示す光磁気記録媒体 1 0 0の情報記録/再生方法について説明する。

図 2 1は、本発明の情報記録/再生方法の一実施形態を示すフローチャートである。

図 1 9に示す光磁気記録媒体 1 0 0に情報を記録するには、光の照射により光磁気記録媒体 1 0 0を昇温して記録層の保磁力を下げた状態で磁界を印加する（記録ステップ S 1 ) 。こうすることにより、記録層に磁区が記録される。

また、図 1 9に示す光磁気記録媒体 1 0 0に記録された情報を再生するには、記録層に記録された磁区からの漏洩磁束を検出する（再生ステップ S 2 ) 。こうすることで、再生信号が得られる。

次に、図 1 9に示す光磁気記録媒体 1 0 0における C N Rのレーザ記録パワー依存性について説明する。

図 2 2は、図 1 9に示す光磁気記録媒体の、レーザ記録パワーに対する C N R の変化の一例を示すグラフである。図 2 2に示すグラフの横軸はレーザ記録パワー（mW) を表し、縦軸は C N R ( d B ) を表す。また、図中の実線が図 1 9に示す光磁気記録媒体の C N R特性を表すものであって、図中の点線については後述する。

ここで、記録磁界は 4 0 0エルステッドとじた。また、記録したマークのサイズは、上述の光ビームの照射によって再生を行う光再生の記録媒体では 0 . 2 m〜0 . 3 m程度としたが、この磁束検出によって再生を行う磁気再生の記録媒体では 5 0 nmとした。使用した磁気ヘッドスライダの再生コア幅は 0 . 2 n m、シ一ルドギャップ長は 0 . 0 9 mである。記録用レーザの波長は 4 0 5 η m、対物レンズの開口数 ΝΑは 0 . 8 5である。

図 2 2に示すように、レーザ記録パワーを 1 5 mWにすることで、再生特性はほぼ飽和している。磁気再生することで、 5 0 n mという微小なマークでも再生可能となり、光再生するより再生特性が非常に改善されている。

続いて、磁気再生記録媒体へ情報を記録し、記録した情報を再生する磁気記録装置の他の実施形態を説明する。図 1 9に示す磁気記録装置 2 0 0は光学へッドスライダ 2 5 8と磁気へッドスライダ 2 6 1という 2つのスライダを備えているが、ここで説明する磁気記録装置はこれらのスライダを一体にした 1つのスライダを備えている。

図 2 3は、一体型スライダを備えた磁気記録装置の一体型スライダの概略構成を示す図である。

まず、この磁気記録装置によって記録ノ再生される光磁気記録媒体について説明する。この光磁気記録媒体も、ガラス基板上に、第 1放熱層、分断層、第 2放熱層、記録層、保護層、および潤滑層を有するが、第 1放熱層と第 2放熱層の材質が異なっている。すなわち、図 1 9に示す光磁気記録媒体 1 0 0では、第 1放熱層と第 2放熱層に非磁性材料を用いているが、この光磁気記録媒体では、第 1 放熱層と第 2放熱層に、放熱効果を持つ軟磁性材料を用いている。金属の場合、 A L、 A g系の熱伝導率が高いが、通常の磁性材料である C o , F e系合金であつても、分断層に用いる誘電体材料に比べて熱伝導率ははるかに高い。また、軟磁性材料を用いることで記録用コイルの磁界が記録層に集中するので、大きな磁界を得ることができる。この光磁気記録媒体の第 1放熱層としては、 Fe A 1 C軟磁性膜を用い、膜厚を 20 nmとした。また、第 2放熱層としては、 F e S i C軟磁性膜を用い、膜厚を 30 nmとした。以下、この光磁気記録媒体を、軟磁性膜を有する光磁気記録媒体と称することにする。

また、この軟磁性膜を有する光磁気記録媒体の分断層には、図 19に示す光磁気記録媒体の分断層と同じく、厚さ 5 nmの S i N膜を用いている。さらに、記録層も図 19に示す光磁気記録媒体の記録層と同様に Tb F e C o磁性膜を用いているが、第 2放熱層の Fe S i C軟磁性膜とこの TbF e Co磁性膜との間に交換結合力が直接働かないよう、第 2放熱層の上に厚さ 1 nmの S i N層と厚さ l nmの P t層をこの記載順に形成し、その上に第 2放熱層が形成されている。この S i N/P t層の表面には、高低差が 10 nm未満の微細な凹凸構造が形成されている。第 2放熱層は、この微細な凹凸構が反映されコラム構造となり、記録分解能が向上する。図 22中の点線は、軟磁性膜を有する光磁気記録媒体の、レーザ記録パヮ一に対する CNR特性を示すものである。この CNR特性は、図 19に示す非磁性膜を有する光磁気記録媒体の、レーザ記録パワーに対する CN R特性を得るにあたっての条件と同条件で測定された結果に基づくものである。図 22中の実線と点線を比較すると、軟磁性膜を有する点線で示す光磁気記録媒体の方が、非磁性膜を有する実線で示す光磁気記録媒体 100に比べて低パワーで記録することができることが分かる。これは、軟磁性膜を有する光磁気記録媒体の方が、非磁性膜を有する光磁気記録媒体 100に比べて、第 1放熱層と第 2 放熱層それぞれの熱伝導率が低いことによるものである。更に、軟磁性膜を有する光磁気記録媒体の方が、非磁性膜を有する光磁気記録媒体 100に比べて CN Rに若干の増大が見られる。このような CNRの増大は、軟磁性膜を有する光磁気記録媒体の方が、非磁性膜を有する光磁気記録媒体 100に比べて媒体上の磁界を大きくすることができたことによる効果が大きい。

図 23にその一部を示す磁気記録装置 400は、一体型へッド 471が搭載されたスライダ 470を備えている。

同図（A) は、スライダ 470を構成するスライダ基板 475の端部に一体型ヘッド 471を搭載した状態を示す。この図では、光磁気記録媒体は図の左側から右側に向かって移動している。

同図（B ) は、同図（A) の矢符 B方向から見た図である。つまり、スライダ面（記録媒体に対向する面）から見た図であり、同図（B ) の下側が同図（A) の左側に対応し、同図（B ) の上側が同図（A) の右側に対応する。

同図（C ) は同図（A) の矢符 C方向から見た図である。つまり、一体型へッド 4 7 1の側面を示す図であり、同図（C ) の下側が同図（A) の下側に対応し、同図（C ) の上側が同図（A) の上側に対応する。

図 2 3 (A) に示す一体型ヘッド 4 7 1は、同図（B ) 及び（C ) に示す、レ一ザ光照射部 4 7 2と記録用コイル 4 7 3と磁気再生素子（磁気抵抗素子 4 7 4 ) を 1体にしたものである。レーザ光照射部 4 7 2には、導波路タイプの光学系が用いられており、このレーザ光照射部 4 7 2は、レ一ザダイオード 4 7 2 1、光導入口 4 7 2 2、導波路 4 7 2 3、および光開口部 4 7 2 4等から構成されている。記録用コイル 4 7 3は、光磁気記録媒体に照射する光が出射される光開口部 4 7 2 4より後ろ側に配備されている。同図（A) においては、図示省略されているが、記録用コイル 4 7 3は光開口部 4 7 2 4より右側に配備されている。このような位置に記録用コイル 4 7 3を配備した理由は、光磁気記録媒体が高速に回転していると、実際に温度が上昇する箇所はスポット位置より後ろ側（同図 (A) では右側）にずれるからである。磁束を検出する磁気抵抗素子 4 7 4は、光開口部 4 7 2 と記録用コイル 4 7 3の間に配備されている。

スライダ基板 4 7 5には A 1 T i Cを用いた。 A 1 T i C基板上には、ゥエーハプロセスによって、一度に複数の一体型ヘッドを形成することができる。これは、磁気ディスクのヘッドを作る手法と同様である。ここでは、図 2 3 ( B ) を参照しながら、その形成プロセスについて簡単に説明する。

まず、スライダ基板 4 7 5の表面 4 7 5 aを平坦化するため、下地層（平坦化層 4 7 5 1の一部）を図中（1 ) のレベルまで形成する。その後、光シールド部 4 7 5 2に使用する A uを、図中（3 ) のレベルまで蒸着する。この A uの膜厚は 1 0 0 n mである。次いで、蒸着した A uの表面を、ホトリソグラフィ技術（レジス卜とエッチングとを用いるプロセス) によって、図中 ( 2 ) のレベルまでパターエング形成する。その上に、光開口部 4 7 2 4に対応する部分とその他の不要な部分とをレジストでマスクして、 Auをもう一度、図中（3) のレベルまで蒸着する。その後、リフトオフ法などによりレジストを除去して光開口部 47 24と光シールド部 4752を形成する。このようにして形成した光開口部 47 24の大きさは図中の幅方向が 100 nm、高さ方向が 60 nmで、光シールド部 4752の厚みは 50 nmである。

続いて、光シールド部 4752の上にアルミナをスパッ夕法で形成し、平坦になるように研磨して平坦化層 4751を形成する。さらに、平坦化層 475 1の上に厚み 200 nmのパーマロイ（第 1のシールド層 4754) を形成した後、ホトリソグラフィ技術でパ夕一ニングしながら磁束を検出する素子としての磁気抵抗素子 474を形成する。その上に 200 nmの F e C o (第 2のシールド層 4755) を形成する。次に、 1 mのレジストを形成し、更にその上に記録用コイル 473および記録用磁極 480を形成する。記録用磁極 480のサイズは、幅 =100 nm、高さ =50 nmとした。記録用コイル 473および記録用磁極 480は記録媒体に磁界を印加する素子となる。

このようにして一体型へッド 471は、 1枚のゥエーハ上に複数個形成され、ゥェ一ハから切り出され、スライダ 470を構成する部材となる。

同図（C) には、同図（B) では表し難かった記録用コイル 473が示されている。ここで、第 2のシールド層 4755と記録用磁極 480は上下方向（（B ) での上下方向。（C) では紙面手前から紙面背面側方向）に F e Coでつながつており、磁路に空隙はない。レ一ザダイオード 4721からのレ一ザ光は、光導入口 4722から導波路 4723に導かれ、光開口部 4724から記録媒体へ光を照射（印加）することができる。

このような一体型へッド 471で記録 Z再生特性を調べた結果を図 25に示す図 24は、図 23に示す光磁気記録媒体の、記録電流に対する C N Rの変化の一例を示すグラフである。

この図 24のグラフの横軸は記録電流（mA) を表し、縦軸は CNR (d B) を表す。測定したマーク長は 50 nmである。図中の実線は非磁性膜を有する図 19に示す光磁気記録媒体の CNR特性を表し、点線は軟磁性膜を有する光磁気記録媒体の C N R特性を表す。図 2 4に示すグラフから明らかなように、軟磁性膜を用いた方が少ない記録電流により高い C N R特性を有する。軟磁性膜を有する光磁気記録媒体では、記録用磁極 4 8 0から出た磁束が軟磁性膜を通って第 2 のシールド層 4 7 5 5に帰っていくことから、記録しょうとする磁区に対する磁界が大きくなる。

軟磁性膜を有する光磁気記録媒体によれば、低いレーザ記録パワーでも記録可能となり、記録の際の記録電流 I w (記録用コイルに流す電流）は 2 O mAで十分である。また、磁気抵抗素子 1 7 7に流すセンス電流 I sは 3 mAとした。これらは、通常の磁気記録に用いられる値程度である。

Claims

請求の範囲

1 . 基板と、

前記基板上に形成された、所定の高熱伝導率を有する第 1放熱層と、前記第 1放熱層上に形成された、前記高熱伝導率より低い低熱伝導率を有する分断層と、

前記分断層上に形成された、前記低熱伝導率よりは高くかつ前記高熱伝導率よりは低い所定の熱伝導率を有する第 2放熱層と、

前記放熱層上に形成された、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデ一夕を記録する記録層とを有することを特徴とする光磁気記録媒体。

2 . 前記第 1放熱層および第 2放熱層のいずれもが、 A l , A g , A uおよび P tの中から選択された一つの元素を主成分とし、 C u， P d， S i， C r， T i，および C oの中から選択された少なくとも一つが添加されてなるものであることを特徴とする請求項 1記載の光磁気記録媒体。

3 . 前記第 1放熱層および第 2放熱層のいずれもが、非磁性の材料からなるものであることを特徴とする請求項 1記載の光磁気記録媒体。

4 . 前記分断層が、 S iの単体， A 1の単体，および Cの単体のうちの少なくともいずれか一つの単体を含む材料、または， S iの窒化物、 S iの酸化物， S iの炭化物， A 1の窒化物， A 1の酸化物， F eの炭化物， Z nの硫化物，および Z nの酸化物の中から選択された一つの化合物からなるものであることを特徴とする請求項 1記載の光磁気記録媒体。

5 . 前記第 2放熱層は、該第 2放熱層表面が前記第 1放熱層表面よりも平滑なものであることを特徴とする請求項 1記載の光磁気記録媒体。

6 . 前記分断層は、該分断層表面が前記第 2放熱層表面よりも平滑なものであることを特徴とする請求項 5記載の光磁気記録媒体。

7 . 基板と、前記基板上に形成された、所定の高熱伝導率を有する第 1放熱層と、前記第 1放熱層上に形成された、前記高熱伝導率より低い低熱伝導率を有する分断層と、前記分断層上に形成された、前記低熱伝導率よりは高くかつ前記高熱伝導率よりは低い所定の熱伝導率を有する第 2放熱層と、前記放熱層上に形成された、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデータを記録する記録層とを有する光磁気記録媒体へ、記録用の光の照射および磁場の供給を行い情報の記録を行う記録ステップ、および

前記基板とは反対側の前記記録層側から、前記記録層の磁束を検出して情報の磁気再生を行う再生ステップを有することを特徴とする情報記録 Z再生方法。

8 . 基板と、前記基板上に形成された、所定の高熱伝導率を有する第 1放熱層と、前記第 1放熱層上に形成された、前記高熱伝導率より低い低熱伝導率を有する分断層と、前記分断層上に形成された、前記低熱伝導率よりは高くかつ前記高熱伝導率よりは低い所定の熱伝導率を有する第 2放熱層と、前記放熱層上に形成された、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデータを記録する記録層とを有する光磁気記録媒体へ、記録用の光の照射および磁場の供給を行い情報の記録を行う光磁気記録部、および

前記基板とは反対側の前記記録層側から、前記記録層の磁束を検出して情報の磁気再生を行う磁気再生部を備えたことを特徴とする磁気記録装置。

9 . 基板と、前記基板上に形成された、所定の高熱伝導率を有する第 1放熱層と、前記第 1放熱層上に形成された、前記高熱伝導率より低い低熱伝導率を有する分断層と、前記分断層上に形成された、前記低熱伝導率よりは高くかつ前記高熱伝導率よりは低い所定の熱伝導率を有する第 2放熱層と、前記放熱層上に形成された、記録用の光の照射および磁場の供給を受けてデータを記録する記録層とを有する光磁気記録媒体へ、光を照射して該記録層を加熱する光照射素子、該記録層に磁場を供給する磁場供給素子、および該記録層の磁束を検出する磁束検出素子とが搭載された一つのスライダを有することを特徴とする磁気記録装置。