JP2002008271A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
- Publication number
- JP2002008271A JP2002008271A JP2000183062A JP2000183062A JP2002008271A JP 2002008271 A JP2002008271 A JP 2002008271A JP 2000183062 A JP2000183062 A JP 2000183062A JP 2000183062 A JP2000183062 A JP 2000183062A JP 2002008271 A JP2002008271 A JP 2002008271A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dielectric film
- layer
- dielectric
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の表面形状を正確に反映しつつ、表面性
が良好な反射膜を有する光ディスクを提供する。 【解決手段】 金属反射膜１２，１３を異なる元素をそ
れぞれ主成分とする２種類以上膜で構成する、あるい
は、異なる成膜条件で同じ組成の金属膜を積層構造とし
た金属反射膜を用いる。
が良好な反射膜を有する光ディスクを提供する。 【解決手段】 金属反射膜１２，１３を異なる元素をそ
れぞれ主成分とする２種類以上膜で構成する、あるい
は、異なる成膜条件で同じ組成の金属膜を積層構造とし
た金属反射膜を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明基板上に情報記
録層を有し、更にその上に光透過層が形成されており、
光透過層側からレーザ光を照射して情報の記録及び／又
は再生を高密度に行う、いわゆるランド／グルーブ記録
光ディスク媒体に関する。詳しくは、金属反射膜形成材
料および形成方法を規定することにより、優れた記録・
再生特性が確保されるものである。
録層を有し、更にその上に光透過層が形成されており、
光透過層側からレーザ光を照射して情報の記録及び／又
は再生を高密度に行う、いわゆるランド／グルーブ記録
光ディスク媒体に関する。詳しくは、金属反射膜形成材
料および形成方法を規定することにより、優れた記録・
再生特性が確保されるものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、データ記録の分野においては光学
データ記録方式に関する研究が各所で進められている。
この光学データ記録方式は、非接触で記録・再生が行
え、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記録密度が達
成できること、再生専用型、追記型、書換可能型のそれ
ぞれのメモリー形態に対応できる等の利点を有し、安価
な大容量ファイルの実現を可能とする方式として産業用
から民生用まで幅広い用途が考えられているものであ
る。
データ記録方式に関する研究が各所で進められている。
この光学データ記録方式は、非接触で記録・再生が行
え、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記録密度が達
成できること、再生専用型、追記型、書換可能型のそれ
ぞれのメモリー形態に対応できる等の利点を有し、安価
な大容量ファイルの実現を可能とする方式として産業用
から民生用まで幅広い用途が考えられているものであ
る。
【０００３】書換可能型のメモリーとしては、光磁気デ
ィスクや相変化型光ディスクが挙げられる。相変化型光
ディスクは、以下に示すような構成を有する。すなわ
ち、透明基板の一方の面上に窒化珪素等よりなる透明誘
電体膜が形成され、その上にカルコゲン化合物等よりな
る相変化記録膜が形成され、さらに窒化珪素等の透明誘
電体膜が形成され、さらにはアルミニウム膜等の反射膜
が形成されて記録層をなしている。そして、透明基板側
から光を照射して光学的に情報の記録・再生を行う。
ィスクや相変化型光ディスクが挙げられる。相変化型光
ディスクは、以下に示すような構成を有する。すなわ
ち、透明基板の一方の面上に窒化珪素等よりなる透明誘
電体膜が形成され、その上にカルコゲン化合物等よりな
る相変化記録膜が形成され、さらに窒化珪素等の透明誘
電体膜が形成され、さらにはアルミニウム膜等の反射膜
が形成されて記録層をなしている。そして、透明基板側
から光を照射して光学的に情報の記録・再生を行う。
【０００４】さらに、最近では画像、音楽、コンピュー
タデータ等の多様なデータを記録するためのＤＶＤ（Ｄ
ｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ、以下、
ＤＶＤと称する）も販売されている。このＤＶＤにおい
ては、基板の厚さを０．６（ｍｍ）程度として短波長の
光学系に対応可能とするとともに高開口数化された光学
系に対応可能として高記録密度化するようにしている。
タデータ等の多様なデータを記録するためのＤＶＤ（Ｄ
ｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ、以下、
ＤＶＤと称する）も販売されている。このＤＶＤにおい
ては、基板の厚さを０．６（ｍｍ）程度として短波長の
光学系に対応可能とするとともに高開口数化された光学
系に対応可能として高記録密度化するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一方、更に記録密度を
高くして、家庭用のビデオテープレコーダーと同様の使
い勝手を光ディスク装置で確保する為に、特開平１０−
３２０８３３号公報では、光透過層から情報を記録・再
生し、光ディスクの面積に対する情報記録面の利用率を
高くした構成が提案されている。
高くして、家庭用のビデオテープレコーダーと同様の使
い勝手を光ディスク装置で確保する為に、特開平１０−
３２０８３３号公報では、光透過層から情報を記録・再
生し、光ディスクの面積に対する情報記録面の利用率を
高くした構成が提案されている。
【０００６】そこでは、記録媒体として、従来基板入射
で用いた膜構成の成膜順序を逆としただけの記録媒体が
提案されている。つまり、透明基板上に金属反射膜、透
明誘電体層、相変化型記録膜、透明誘電体層、光透過層
を順次積層したものである。このような媒体では、基板
上に最初に成膜される金属反射膜の表面性が、その後に
成膜される誘電体層、ＧｅＳｂＴｅ記録膜等に影響し、
ノイズレベルの上昇を招いてしまう。
で用いた膜構成の成膜順序を逆としただけの記録媒体が
提案されている。つまり、透明基板上に金属反射膜、透
明誘電体層、相変化型記録膜、透明誘電体層、光透過層
を順次積層したものである。このような媒体では、基板
上に最初に成膜される金属反射膜の表面性が、その後に
成膜される誘電体層、ＧｅＳｂＴｅ記録膜等に影響し、
ノイズレベルの上昇を招いてしまう。
【０００７】また、特開平１１−１２０６１３号公報で
は、金属反射膜としてＡｌを主成分とし、Ｓｉを０．４
〜０．８（重量％）、Ｆｅを０．７（重量％）以下、Ｃ
ｕを０．１５〜０．４０（重量％）、Ｍｎを０．１５
（重量％）以下、Ｍｇを０．８〜１．２（重量％）、Ｃ
ｒを０．０４〜０．３５（重量％）、Ｚｎを０．２５
（重量％）以下、Ｔｉを０．１５（重量％）以下の割合
で含有する材料よりなる単層金属反射膜を用いることに
より、表面性が良好な反射膜が形成されるとしている。
記憶容量を８ＧＢ程度とするのであれば、十分である
が、さらなる高記録密度を実現すためには、表面性は不
十分である。
は、金属反射膜としてＡｌを主成分とし、Ｓｉを０．４
〜０．８（重量％）、Ｆｅを０．７（重量％）以下、Ｃ
ｕを０．１５〜０．４０（重量％）、Ｍｎを０．１５
（重量％）以下、Ｍｇを０．８〜１．２（重量％）、Ｃ
ｒを０．０４〜０．３５（重量％）、Ｚｎを０．２５
（重量％）以下、Ｔｉを０．１５（重量％）以下の割合
で含有する材料よりなる単層金属反射膜を用いることに
より、表面性が良好な反射膜が形成されるとしている。
記憶容量を８ＧＢ程度とするのであれば、十分である
が、さらなる高記録密度を実現すためには、表面性は不
十分である。
【０００８】一方、透明基板側からレーザ光を入射する
従来の媒体においては、例えば、特開平７−５７３０１
号公報や特開平１０−２８３６７３号公報等において、
２層反射膜が使用されている。
従来の媒体においては、例えば、特開平７−５７３０１
号公報や特開平１０−２８３６７３号公報等において、
２層反射膜が使用されている。
【０００９】しかしながらこれらの透明基板側からレー
ザ光を入射する従来の媒体は、対物レンズの開口数を高
くすると、基板を薄くしなくてはならず、基板の薄膜化
には限度を生じる。そして本発明が対象としているタイ
プとは異なるタイプの透明基板側からレーザ光を入射す
る従来の媒体における２層反射膜は、媒体の繰り返しオ
ーバーライト耐性の向上が主目的であり、反射膜の表面
性や、その表面性に起因すると考えられるノイズレベル
については、全く考慮されていない。
ザ光を入射する従来の媒体は、対物レンズの開口数を高
くすると、基板を薄くしなくてはならず、基板の薄膜化
には限度を生じる。そして本発明が対象としているタイ
プとは異なるタイプの透明基板側からレーザ光を入射す
る従来の媒体における２層反射膜は、媒体の繰り返しオ
ーバーライト耐性の向上が主目的であり、反射膜の表面
性や、その表面性に起因すると考えられるノイズレベル
については、全く考慮されていない。
【００１０】そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案
されるものであり、基板よりも十分に薄い、光透過層側
からレーザ光を照射し、データの記録・再生を行うタイ
プの媒体構成において、基板の表面形状を正確に反映し
つつ、表面性が良好な反射膜を有し、低ノイズレベルな
光ディスク媒体を提供することを目的とする。
されるものであり、基板よりも十分に薄い、光透過層側
からレーザ光を照射し、データの記録・再生を行うタイ
プの媒体構成において、基板の表面形状を正確に反映し
つつ、表面性が良好な反射膜を有し、低ノイズレベルな
光ディスク媒体を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、回転中
心に対してスパイラル状または、同心円状に高さの異な
るランド部とグルーブ部を交互に配して案内溝とした透
明基板上に、少なくとも反射膜、誘電体膜、記録膜から
なる情報記録層を積層した後に、光透過層を積層し、そ
の光透過層を介して照射されるレーザービームにより、
データを記録し、又は記録されたデータを再生すること
が可能な光ディスクであって、反射膜が異なる元素をそ
れぞれ主成分とする２種類以上の反射膜で構成されてい
る光ディスクにある。
心に対してスパイラル状または、同心円状に高さの異な
るランド部とグルーブ部を交互に配して案内溝とした透
明基板上に、少なくとも反射膜、誘電体膜、記録膜から
なる情報記録層を積層した後に、光透過層を積層し、そ
の光透過層を介して照射されるレーザービームにより、
データを記録し、又は記録されたデータを再生すること
が可能な光ディスクであって、反射膜が異なる元素をそ
れぞれ主成分とする２種類以上の反射膜で構成されてい
る光ディスクにある。
【００１２】あるいは本発明の特徴は、回転中心に対し
てスパイラル状または、同心円状に高さの異なるランド
部とグルーブ部を交互に配して案内溝とした透明基板上
に、少なくとも反射膜、誘電体膜、記録膜からなる情報
記録層を積層した後に、光透過層を積層し、その光透過
層を介して照射されるレーザービームにより、データを
記録し、又は記録されたデータを再生することが可能な
光ディスクであって、反射膜を異なる成膜条件で積層構
造とした光ディスクにある。
てスパイラル状または、同心円状に高さの異なるランド
部とグルーブ部を交互に配して案内溝とした透明基板上
に、少なくとも反射膜、誘電体膜、記録膜からなる情報
記録層を積層した後に、光透過層を積層し、その光透過
層を介して照射されるレーザービームにより、データを
記録し、又は記録されたデータを再生することが可能な
光ディスクであって、反射膜を異なる成膜条件で積層構
造とした光ディスクにある。
【００１３】更に、ランド部およびグルーブ部の情報記
録層を、データの記録領域とすることを特徴とする光デ
ィスクである。また、情報記録層の記録膜に、相変化型
の材料を用いることを特徴とする光ディスクである。
録層を、データの記録領域とすることを特徴とする光デ
ィスクである。また、情報記録層の記録膜に、相変化型
の材料を用いることを特徴とする光ディスクである。
【００１４】また、情報記録層の構成として、基板上
に、金属反射膜／第２誘電体膜／相変化型記録膜／第１
誘電体膜を順に積層した構造となっており、更に第１誘
電体膜と、第２誘電体膜が同じ材料であることを特徴と
する光ディスクである。
に、金属反射膜／第２誘電体膜／相変化型記録膜／第１
誘電体膜を順に積層した構造となっており、更に第１誘
電体膜と、第２誘電体膜が同じ材料であることを特徴と
する光ディスクである。
【００１５】また、情報記録層の構成として、基板上
に、金属反射膜／第２誘電体膜／第４誘電体膜／相変化
型記録膜／第３誘電体膜／第１誘電体膜を順に積層した
構造となっており、更に前記第１誘電体膜と、第２誘電
体膜が同じ材料であり、第３誘電体膜と第４誘電体膜が
同じ材料であることを特徴とする光ディスクである。
に、金属反射膜／第２誘電体膜／第４誘電体膜／相変化
型記録膜／第３誘電体膜／第１誘電体膜を順に積層した
構造となっており、更に前記第１誘電体膜と、第２誘電
体膜が同じ材料であり、第３誘電体膜と第４誘電体膜が
同じ材料であることを特徴とする光ディスクである。
【００１６】また、情報記録層の構成として、基板上
に、金属反射膜／第２誘電体膜／第４誘電体膜／相変化
型記録膜／第３誘電体膜／第６誘電体膜／第５誘電体膜
／第１誘電体膜を順に積層した構造となっており、更に
第１誘電体膜と第２誘電体膜と第６誘電体膜が同じ材料
であり、第３誘電体膜と第４誘電体膜が同じ材料である
ことを特徴とする光ディスクである。
に、金属反射膜／第２誘電体膜／第４誘電体膜／相変化
型記録膜／第３誘電体膜／第６誘電体膜／第５誘電体膜
／第１誘電体膜を順に積層した構造となっており、更に
第１誘電体膜と第２誘電体膜と第６誘電体膜が同じ材料
であり、第３誘電体膜と第４誘電体膜が同じ材料である
ことを特徴とする光ディスクである。
【００１７】また、情報記録層に磁性材料を用いること
を特徴とする光ディスクである。
を特徴とする光ディスクである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光ディスクおよび
光ディスク製造方法の好ましい実施の形態を、図面を参
照しながら説明する。なお、ここでは本発明をディスク
状の記録媒体に適用した例を示すが、本発明はこのよう
な構造に限定されるものではなく、カード状、シート状
といったディスク形状以外の記録媒体にも適用可能であ
る。
光ディスク製造方法の好ましい実施の形態を、図面を参
照しながら説明する。なお、ここでは本発明をディスク
状の記録媒体に適用した例を示すが、本発明はこのよう
な構造に限定されるものではなく、カード状、シート状
といったディスク形状以外の記録媒体にも適用可能であ
る。
【００１９】本例の光ディスクは、図１に示すように、
透明基板１１の一方の面１１ａ上に、情報記録層、光透
過層１７が順次積層形成されてなるものである。
透明基板１１の一方の面１１ａ上に、情報記録層、光透
過層１７が順次積層形成されてなるものである。
【００２０】この基板１１は、ガラスやプラスチック等
の透明なものが好ましく、厚さが０．３〜１．２（ｍ
ｍ）であり、基板の一方の面１１ａには情報の記録・再
生を行うための光スポットを導く目的で設けられる案内
溝となる凹凸部（ランド部１８とグルーブ部１９）を有
するものである。
の透明なものが好ましく、厚さが０．３〜１．２（ｍ
ｍ）であり、基板の一方の面１１ａには情報の記録・再
生を行うための光スポットを導く目的で設けられる案内
溝となる凹凸部（ランド部１８とグルーブ部１９）を有
するものである。
【００２１】そして、本例の光ディスクにおいては、基
板１１の案内溝が形成されている面１１ａ上に情報記録
層を形成するようにしている。情報記録層の１例として
は、金属反射膜１２，１３、第２誘電体膜１４、相変化
型記録膜１５、第１誘電体膜１６という積層構造となっ
ている。
板１１の案内溝が形成されている面１１ａ上に情報記録
層を形成するようにしている。情報記録層の１例として
は、金属反射膜１２，１３、第２誘電体膜１４、相変化
型記録膜１５、第１誘電体膜１６という積層構造となっ
ている。
【００２２】これらの各膜は、イオンビームスパッタ
法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法という手法により
順次形成される。
法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法という手法により
順次形成される。
【００２３】金属反射膜の１例としては、反射膜の表面
性および熱特性に着目し、Ａｇを主成分とする金属反射
膜を成膜した後に、Ａｌを主成分とした金属反射膜を設
ける２層反射膜構成があげられる。
性および熱特性に着目し、Ａｇを主成分とする金属反射
膜を成膜した後に、Ａｌを主成分とした金属反射膜を設
ける２層反射膜構成があげられる。
【００２４】また、金属反射膜の他の例として、反射膜
の表面性および熱特性に着目した成膜条件を選択し、例
えば、Ａｇを主成分とする金属反射膜をＲＦスパッタに
より作製し、同じ組成の膜をＤＣスパッタにより形成す
るなどにより、膜質を変化させた膜が順次積層された２
層反射膜構成があげられる。
の表面性および熱特性に着目した成膜条件を選択し、例
えば、Ａｇを主成分とする金属反射膜をＲＦスパッタに
より作製し、同じ組成の膜をＤＣスパッタにより形成す
るなどにより、膜質を変化させた膜が順次積層された２
層反射膜構成があげられる。
【００２５】第２誘電体膜１４としては、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ１０〜５０（ｎｍ）の薄膜
として用いられる。
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ１０〜５０（ｎｍ）の薄膜
として用いられる。
【００２６】相変化型記録膜１５はカルコゲン化合物或
いは単体のカルコゲンよりなる薄膜が用いられる。
いは単体のカルコゲンよりなる薄膜が用いられる。
【００２７】第１誘電体膜１６としては、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ５０〜３００（ｎｍ）の薄
膜として用いられる。
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ５０〜３００（ｎｍ）の薄
膜として用いられる。
【００２８】また、光透過層１７はこの種の光ディスク
の光透過層と同様に、ＵＶ樹脂を塗布する、あるいは、
粘着シートを用いる等により形成すれば良い。
の光透過層と同様に、ＵＶ樹脂を塗布する、あるいは、
粘着シートを用いる等により形成すれば良い。
【００２９】すなわち、本例の光ディスクにおいては、
基板１の上に、最初に成膜される反射膜層の表面性に着
目し、表面性が良好となるような２層の金属反射膜を用
いる、あるいは、成膜条件を調整し、表面性が良好とな
るような反射膜を用いる。これにより、従来のＡｌを主
成分とした単層金属反射膜と比較して、表面性の良好な
反射膜が形成される。従って、この反射膜上に順次積層
形成される誘電体膜、相変化型記録膜１５は、反射膜の
結晶性や反射膜の組成に依存する粒径により形成される
表面形状の影響を受けにくく、特にノイズレベルが低く
抑えられる、という明確な効果が得られる。
基板１の上に、最初に成膜される反射膜層の表面性に着
目し、表面性が良好となるような２層の金属反射膜を用
いる、あるいは、成膜条件を調整し、表面性が良好とな
るような反射膜を用いる。これにより、従来のＡｌを主
成分とした単層金属反射膜と比較して、表面性の良好な
反射膜が形成される。従って、この反射膜上に順次積層
形成される誘電体膜、相変化型記録膜１５は、反射膜の
結晶性や反射膜の組成に依存する粒径により形成される
表面形状の影響を受けにくく、特にノイズレベルが低く
抑えられる、という明確な効果が得られる。
【００３０】本発明に係わる光記録媒体としては、図２
に示すようなものも挙げられる。
に示すようなものも挙げられる。
【００３１】すなわち、先に図１に示した光ディスクと
略同様の構成を有し、基板１１の案内溝が形成されてい
る面１１ａ上に情報記録層を形成するようにしている。
情報記録層の例としては、金属反射膜が形成され、その
上に第２誘電体膜１４、第４誘電体膜２１を介して相変
化型記録膜１５が形成され、さらにその上に第３誘電体
膜２２、第１誘電体膜１６を介して光透過層１７が積層
形成されているものである。これらの各膜は、イオンビ
ームスパッタ法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法とい
った手法により順次形成される。
略同様の構成を有し、基板１１の案内溝が形成されてい
る面１１ａ上に情報記録層を形成するようにしている。
情報記録層の例としては、金属反射膜が形成され、その
上に第２誘電体膜１４、第４誘電体膜２１を介して相変
化型記録膜１５が形成され、さらにその上に第３誘電体
膜２２、第１誘電体膜１６を介して光透過層１７が積層
形成されているものである。これらの各膜は、イオンビ
ームスパッタ法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法とい
った手法により順次形成される。
【００３２】基板は、先に図１に示した光ディスクの基
板１１と同様に、ガラスや樹脂等で厚さが０．３〜１．
２（ｍｍ）の基板であり、基板の一方の面１１ａには情
報の記録・再生を行うための光スポットを導く目的で設
けられる案内溝となる凹凸部（ランド部１８とグルーブ
部１９）を有するものである。
板１１と同様に、ガラスや樹脂等で厚さが０．３〜１．
２（ｍｍ）の基板であり、基板の一方の面１１ａには情
報の記録・再生を行うための光スポットを導く目的で設
けられる案内溝となる凹凸部（ランド部１８とグルーブ
部１９）を有するものである。
【００３３】また、金属反射膜も先に図１に示した光デ
ィスクの金属反射膜と同様で、基板の案内溝が形成され
ている面１１ａ上に、Ａｇを主成分とする金属反射膜を
成膜した後に、Ａｌを主成分とした金属反射膜を設ける
２層反射膜構成となっている。
ィスクの金属反射膜と同様で、基板の案内溝が形成され
ている面１１ａ上に、Ａｇを主成分とする金属反射膜を
成膜した後に、Ａｌを主成分とした金属反射膜を設ける
２層反射膜構成となっている。
【００３４】また、前記金属反射膜の他の例として、Ａ
ｇを主成分とする金属反射膜をＲＦスパッタにより作製
し、同じ組成の膜をＤＣスパッタにより形成するなど、
反射膜の表面性および熱特性に着目した成膜条件をそれ
ぞれ選択することにより、膜質を変化させた膜が順次積
層された２層反射膜構成があげられる。
ｇを主成分とする金属反射膜をＲＦスパッタにより作製
し、同じ組成の膜をＤＣスパッタにより形成するなど、
反射膜の表面性および熱特性に着目した成膜条件をそれ
ぞれ選択することにより、膜質を変化させた膜が順次積
層された２層反射膜構成があげられる。
【００３５】第２誘電体膜１４としては、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ１０〜５０（ｎｍ）の薄膜
として用いられる。
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ１０〜５０（ｎｍ）の薄膜
として用いられる。
【００３６】第４誘電体膜２１としては、Ｇｅ、Ａｌ，
Ｓｉ，Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、
硫化物及びこれらの混合物等が厚さ３〜５０（ｎｍ）の
薄膜として用いられる。
Ｓｉ，Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、
硫化物及びこれらの混合物等が厚さ３〜５０（ｎｍ）の
薄膜として用いられる。
【００３７】相変化型記録膜１５はカルコゲン化合物或
いは単体のカルコゲンよりなる薄膜が用いられる。
いは単体のカルコゲンよりなる薄膜が用いられる。
【００３８】第３誘電体膜２２としては、Ｇｅ、Ａｌ，
Ｓｉ，Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、
硫化物及びこれらの混合物等が厚さ３〜５０（ｎｍ）の
薄膜として用いられる。
Ｓｉ，Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、
硫化物及びこれらの混合物等が厚さ３〜５０（ｎｍ）の
薄膜として用いられる。
【００３９】第１誘電体膜１６としては、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ５０〜３００（ｎｍ）の薄
膜として用いられる。
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ５０〜３００（ｎｍ）の薄
膜として用いられる。
【００４０】また、光透過層１７はこの種の光ディスク
の光透過層と同様に、ＵＶ樹脂を塗布する、あるいは、
粘着シートを用いる等により形成すれば良い。
の光透過層と同様に、ＵＶ樹脂を塗布する、あるいは、
粘着シートを用いる等により形成すれば良い。
【００４１】すなわち、本例の光ディスクにおいては、
基板上１に、最初に成膜される反射膜層の表面性に着目
し、表面性が良好となるような２層の金属反射膜を用い
る、あるいは、成膜条件を調整し、表面性が良好となる
ような反射膜を用いる。これにより、従来のＡｌを主成
分とした単層金属反射膜と比較して、表面性の良好な反
射膜が形成される。従って、この反射膜上に順次積層形
成される誘電体膜、相変化型記録膜１５は、反射膜の結
晶性や反射膜の組成に依存する粒径により形成される表
面形状の影響を受けにくく、特にノイズレベルが低く抑
えられる、という明確な効果が得られる。また、本発明
のようにＧｅＳｂＴｅ記録膜の両側に、硫黄（Ｓ）を含
まない誘電体層を用いることにより、繰り返しオーバー
ライト耐性が向上する、という効果も得ることができ
る。
基板上１に、最初に成膜される反射膜層の表面性に着目
し、表面性が良好となるような２層の金属反射膜を用い
る、あるいは、成膜条件を調整し、表面性が良好となる
ような反射膜を用いる。これにより、従来のＡｌを主成
分とした単層金属反射膜と比較して、表面性の良好な反
射膜が形成される。従って、この反射膜上に順次積層形
成される誘電体膜、相変化型記録膜１５は、反射膜の結
晶性や反射膜の組成に依存する粒径により形成される表
面形状の影響を受けにくく、特にノイズレベルが低く抑
えられる、という明確な効果が得られる。また、本発明
のようにＧｅＳｂＴｅ記録膜の両側に、硫黄（Ｓ）を含
まない誘電体層を用いることにより、繰り返しオーバー
ライト耐性が向上する、という効果も得ることができ
る。
【００４２】本発明に係わる光記録媒体としては、図３
に示すようなものも挙げられる。
に示すようなものも挙げられる。
【００４３】すなわち、先に図１に示した光ディスクと
略同様の構成を有し、前記基板１１の案内溝が形成され
ている面１１ａ上に情報記録層を形成するようにしてい
る。情報記録層の例としては、金属反射膜が形成され、
その上に第２誘電体膜１４、第４誘電体膜２１を介して
相変化型記録膜１５が形成され、さらにその上に第３誘
電体膜２２、第６誘電体膜３１、第５誘電体膜３２、第
１誘電体膜１６を介して光透過層１７が積層形成されて
いるものである。これらの各膜は、イオンビームスパッ
タ法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法といった手法に
より順次形成される。
略同様の構成を有し、前記基板１１の案内溝が形成され
ている面１１ａ上に情報記録層を形成するようにしてい
る。情報記録層の例としては、金属反射膜が形成され、
その上に第２誘電体膜１４、第４誘電体膜２１を介して
相変化型記録膜１５が形成され、さらにその上に第３誘
電体膜２２、第６誘電体膜３１、第５誘電体膜３２、第
１誘電体膜１６を介して光透過層１７が積層形成されて
いるものである。これらの各膜は、イオンビームスパッ
タ法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法といった手法に
より順次形成される。
【００４４】基板は、先に図１に示した光ディスクの基
板１１と同様に、ガラスや樹脂等で厚さが０．３〜１．
２（ｍｍ）の基板であり、基板の一方の面１１ａには情
報の記録・再生を行うための光スポットを導く目的で設
けられる案内溝となる凹凸部（ランド部１８とグルーブ
部１９）を有するものである。
板１１と同様に、ガラスや樹脂等で厚さが０．３〜１．
２（ｍｍ）の基板であり、基板の一方の面１１ａには情
報の記録・再生を行うための光スポットを導く目的で設
けられる案内溝となる凹凸部（ランド部１８とグルーブ
部１９）を有するものである。
【００４５】また、金属反射膜も先に図１に示した光デ
ィスクの金属反射膜と同様で、基板の案内溝が形成され
ている面１１ａ上に、Ａｇを主成分とする金属反射膜を
成膜した後に、Ａｌを主成分とした金属反射膜を設ける
２層反射膜構成となっている。
ィスクの金属反射膜と同様で、基板の案内溝が形成され
ている面１１ａ上に、Ａｇを主成分とする金属反射膜を
成膜した後に、Ａｌを主成分とした金属反射膜を設ける
２層反射膜構成となっている。
【００４６】また、金属反射膜の他の例として、Ａｇを
主成分とする金属反射膜をＲＦスパッタにより作製し、
同じ組成の膜をＤＣスパッタにより形成するなど、反射
膜の表面性および熱特性に着目した成膜条件をそれぞれ
選択することにより、膜質を変化させた膜が順次積層さ
れた２層反射膜構成があげられる。
主成分とする金属反射膜をＲＦスパッタにより作製し、
同じ組成の膜をＤＣスパッタにより形成するなど、反射
膜の表面性および熱特性に着目した成膜条件をそれぞれ
選択することにより、膜質を変化させた膜が順次積層さ
れた２層反射膜構成があげられる。
【００４７】第２誘電体膜１４としては、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ１０〜５０（ｎｍ）の薄膜
として用いられる。
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ１０〜５０（ｎｍ）の薄膜
として用いられる。
【００４８】第４誘電体膜２１としては、Ｇｅ、Ａｌ，
Ｓｉ，Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、
硫化物及びこれらの混合物等が厚さ３〜５０（ｎｍ）の
薄膜として用いられる。
Ｓｉ，Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、
硫化物及びこれらの混合物等が厚さ３〜５０（ｎｍ）の
薄膜として用いられる。
【００４９】相変化型記録膜１５はカルコゲン化合物或
いは単体のカルコゲンよりなる薄膜が用いられる。
いは単体のカルコゲンよりなる薄膜が用いられる。
【００５０】第３誘電体膜２２としては、Ｇｅ、Ａｌ，
Ｓｉ，Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、
硫化物及びこれらの混合物等が厚さ３〜５０（ｎｍ）の
薄膜として用いられる。
Ｓｉ，Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、
硫化物及びこれらの混合物等が厚さ３〜５０（ｎｍ）の
薄膜として用いられる。
【００５１】第６誘電体膜３１としては、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ１０〜１００（ｎｍ）の薄
膜として用いられる。
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ１０〜１００（ｎｍ）の薄
膜として用いられる。
【００５２】第５誘電体膜３２としては、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ１０〜１００（ｎｍ）の薄
膜として用いられる。
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ１０〜１００（ｎｍ）の薄
膜として用いられる。
【００５３】第２誘電体膜１４としては、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ５０〜３００（ｎｍ）の薄
膜として用いられる。
Ｚｎ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物
及びこれらの混合物等が厚さ５０〜３００（ｎｍ）の薄
膜として用いられる。
【００５４】また、前記光透過層１７はこの種の光ディ
スクの光透過層と同様に、ＵＶ樹脂を塗布する、あるい
は、粘着シートを用いる等により形成すれば良い。
スクの光透過層と同様に、ＵＶ樹脂を塗布する、あるい
は、粘着シートを用いる等により形成すれば良い。
【００５５】すなわち、本例の光ディスクにおいては、
基板上１に、最初に成膜される反射膜層の表面性に着目
し、表面性が良好となるような２層の金属反射膜を用い
る、あるいは、成膜条件を調整し、表面性が良好となる
ような反射膜を用いる。これにより、従来のＡｌを主成
分とした単層金属反射膜と比較して、表面性の良好な反
射膜が形成される。従って、この反射膜上に順次積層形
成される誘電体膜、相変化型記録膜１５は、反射膜の結
晶性や反射膜の組成に依存する粒径により形成される表
面形状の影響を受けにくく、特にノイズレベルが低く抑
えられる、という明確な効果が得られる。
基板上１に、最初に成膜される反射膜層の表面性に着目
し、表面性が良好となるような２層の金属反射膜を用い
る、あるいは、成膜条件を調整し、表面性が良好となる
ような反射膜を用いる。これにより、従来のＡｌを主成
分とした単層金属反射膜と比較して、表面性の良好な反
射膜が形成される。従って、この反射膜上に順次積層形
成される誘電体膜、相変化型記録膜１５は、反射膜の結
晶性や反射膜の組成に依存する粒径により形成される表
面形状の影響を受けにくく、特にノイズレベルが低く抑
えられる、という明確な効果が得られる。
【００５６】また、本実施例のようにＧｅＳｂＴｅ記録
膜の両側に、硫黄（Ｓ）を含まない誘電体層を用いるこ
とにより、繰り返しオーバーライト耐性が向上する、と
いう効果も得ることができる。
膜の両側に、硫黄（Ｓ）を含まない誘電体層を用いるこ
とにより、繰り返しオーバーライト耐性が向上する、と
いう効果も得ることができる。
【００５７】さらに、ＳｉＯ2 等の透明誘電体膜とＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 誘電体膜を追加することにより、媒体の光
学特性をより調整しやすくなる。つまり、従来では、未
記録時の反射率が記録時の反射率よりも低い媒体構成し
か出来なかったが、逆の未記録時の反射率が記録時の反
射率よりも高い媒体の構成が可能となるなど、媒体の反
射率の設計自由度を高くできるという、効果も得ること
ができる。
Ｓ−ＳｉＯ2 誘電体膜を追加することにより、媒体の光
学特性をより調整しやすくなる。つまり、従来では、未
記録時の反射率が記録時の反射率よりも低い媒体構成し
か出来なかったが、逆の未記録時の反射率が記録時の反
射率よりも高い媒体の構成が可能となるなど、媒体の反
射率の設計自由度を高くできるという、効果も得ること
ができる。
【００５８】（実施例１）：次に、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００５９】ＰＣ（ポリカーボネート）基板上にＡｇ９
８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．０（９８．１重量％のＡｇ、
０．９重量％のＰｄ、１．０重量％のＣｕ、以下同様）
反射膜を１００ｎｍ、Ａｌ９８Ｔｉ２反射膜を１０ｎ
ｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を２５ｎｍ、ＧｅＳｂＴ
ｅ記録膜を１３ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を１６
０ｎｍ、順次スパッタ法により堆積させた。更に、光透
過層１７として、ＵＶ樹脂をスピンコートし形成した。
８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．０（９８．１重量％のＡｇ、
０．９重量％のＰｄ、１．０重量％のＣｕ、以下同様）
反射膜を１００ｎｍ、Ａｌ９８Ｔｉ２反射膜を１０ｎ
ｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を２５ｎｍ、ＧｅＳｂＴ
ｅ記録膜を１３ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を１６
０ｎｍ、順次スパッタ法により堆積させた。更に、光透
過層１７として、ＵＶ樹脂をスピンコートし形成した。
【００６０】また、記録・再生を行うにあたって、情報
記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を行った。光
透過層１７側からランド部１８とグルーブ部１９のノイ
ズレベルを測定した。また、金属反射膜のみを作製し、
走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した結果を図５
に示す。
記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を行った。光
透過層１７側からランド部１８とグルーブ部１９のノイ
ズレベルを測定した。また、金属反射膜のみを作製し、
走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した結果を図５
に示す。
【００６１】このように、表面性が特に良いＡｇ９８．
１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．０と、熱特性の調整のために薄い
Ａｌ９８Ｔｉ２を用いることにより、低ノイズと良好な
記録・再生特性を両立させることができる。
１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．０と、熱特性の調整のために薄い
Ａｌ９８Ｔｉ２を用いることにより、低ノイズと良好な
記録・再生特性を両立させることができる。
【００６２】従来のＡｌを主成分とする単層金属反射膜
（比較例１、２）の表面粗さに対して、本発明の反射膜
は良好な値を示し、ノイズレベルが低く抑えられている
ことを確認した。このように、ディスク基板に最初に形
成する金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする
単層金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレ
ベルを低く抑えることができ、高密度にデータを記録・
再生することが可能となっている。
（比較例１、２）の表面粗さに対して、本発明の反射膜
は良好な値を示し、ノイズレベルが低く抑えられている
ことを確認した。このように、ディスク基板に最初に形
成する金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする
単層金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレ
ベルを低く抑えることができ、高密度にデータを記録・
再生することが可能となっている。
【００６３】（比較例１）：本発明の比較例について説
明する。ここでは、従来から反射膜材料として用いられ
ているＡｌを主成分とする反射膜を比較例とする。ＰＣ
基板上にＡｌ９８Ｔｉ２反射膜を１００ｎｍ、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 誘電体膜を２５ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録膜を１
３ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を１６０ｎｍ、順次
スパッタ法により堆積させた。更に、光透過層１７とし
て、ＵＶ樹脂をスピンコートし形成した。
明する。ここでは、従来から反射膜材料として用いられ
ているＡｌを主成分とする反射膜を比較例とする。ＰＣ
基板上にＡｌ９８Ｔｉ２反射膜を１００ｎｍ、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 誘電体膜を２５ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録膜を１
３ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を１６０ｎｍ、順次
スパッタ法により堆積させた。更に、光透過層１７とし
て、ＵＶ樹脂をスピンコートし形成した。
【００６４】また、記録・再生を行うにあたって、情報
記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を行った。光
透過層１７側からランド部１８とグルーブ部１９のノイ
ズレベルを測定した。また、本発明の金属反射膜のみを
作製し、走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した結
果を表１に示す。従来のＡｌを主成分とする単層金属反
射膜であるために表面粗さが粗く、ノイズレベルが高い
ことが確認できた。
記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を行った。光
透過層１７側からランド部１８とグルーブ部１９のノイ
ズレベルを測定した。また、本発明の金属反射膜のみを
作製し、走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した結
果を表１に示す。従来のＡｌを主成分とする単層金属反
射膜であるために表面粗さが粗く、ノイズレベルが高い
ことが確認できた。
【００６５】（実施例２）：次に、本発明の他の実施例
について説明する。ＰＣ基板上にＤＣスパッタにより作
製したＡｇ９８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．０反射膜を１０
０ｎｍ、ＲＦスパッタにより作製したＡｇ９８．１Ｐｄ
０．９Ｃｕ１．０反射膜を１０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
誘電体膜を２５ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を７ｎｍ、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録膜を１３ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を７
ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 誘電体膜を１６０ｎｍ、順次ス
パッタ法により堆積させた。
について説明する。ＰＣ基板上にＤＣスパッタにより作
製したＡｇ９８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．０反射膜を１０
０ｎｍ、ＲＦスパッタにより作製したＡｇ９８．１Ｐｄ
０．９Ｃｕ１．０反射膜を１０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
誘電体膜を２５ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を７ｎｍ、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録膜を１３ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を７
ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 誘電体膜を１６０ｎｍ、順次ス
パッタ法により堆積させた。
【００６６】更に、光透過層１７として、ＵＶ樹脂をス
ピンコートし形成した。また、記録・再生を行うにあた
って、情報記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を
行った。光透過層１７側からランド部１８とグルーブ部
１９のノイズレベルを測定した。また、金属反射膜のみ
を作製し、走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した
結果を図５に示す。
ピンコートし形成した。また、記録・再生を行うにあた
って、情報記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を
行った。光透過層１７側からランド部１８とグルーブ部
１９のノイズレベルを測定した。また、金属反射膜のみ
を作製し、走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した
結果を図５に示す。
【００６７】従来のＡｌを主成分とする単層金属反射膜
（比較例１、２）の表面粗さに対して、本発明の反射膜
は良好な値を示し、ノイズレベルが低く抑えられている
ことを確認した。さらに、本実施例のようにＧｅＳｂＴ
ｅ記録膜の両側に、硫黄（Ｓ）を含まない誘電体層を用
いることにより、図４に示すように、繰り返しオーバー
ライト耐性が向上する、という効果も得ることができ
る。
（比較例１、２）の表面粗さに対して、本発明の反射膜
は良好な値を示し、ノイズレベルが低く抑えられている
ことを確認した。さらに、本実施例のようにＧｅＳｂＴ
ｅ記録膜の両側に、硫黄（Ｓ）を含まない誘電体層を用
いることにより、図４に示すように、繰り返しオーバー
ライト耐性が向上する、という効果も得ることができ
る。
【００６８】このように、ディスク基板に最初に形成す
る金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする単層
金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレベル
を低く抑えることができ、高密度にデータを記録・再生
することが可能となっている。
る金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする単層
金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレベル
を低く抑えることができ、高密度にデータを記録・再生
することが可能となっている。
【００６９】また、ＤＣスパッタあるいはＲＦスパッタ
のように成膜条件を一方の金属反射膜層は表面性に着目
し、他方は熱特性に着目した成膜条件となるように、そ
れぞれ選択することにより、表面性が良く、反射膜の熱
特性の調整も可能となり、低ノイズで良好な記録・再生
特性を両立することができる。
のように成膜条件を一方の金属反射膜層は表面性に着目
し、他方は熱特性に着目した成膜条件となるように、そ
れぞれ選択することにより、表面性が良く、反射膜の熱
特性の調整も可能となり、低ノイズで良好な記録・再生
特性を両立することができる。
【００７０】（実施例３）：次に、本発明の他の実施例
について説明する。ＰＣ基板上にＤＣスパッタでガス圧
を０．１Ｐａとして作製したＡｇ９８．１Ｐｄ０．９Ｃ
ｕ１．０反射膜を１００ｎｍ、ＤＣスパッタでガス圧を
０．５Ｐａとして作製したＡｇ９８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ
１．０反射膜を１０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を
２５ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を７ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ
記録膜を１３ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を７ｎｍ、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 誘電体膜を６５ｎｍ、ＳｉＯ2 誘電体膜を
７０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を６０ｎｍ、順次
スパッタ法により堆積させた。
について説明する。ＰＣ基板上にＤＣスパッタでガス圧
を０．１Ｐａとして作製したＡｇ９８．１Ｐｄ０．９Ｃ
ｕ１．０反射膜を１００ｎｍ、ＤＣスパッタでガス圧を
０．５Ｐａとして作製したＡｇ９８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ
１．０反射膜を１０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を
２５ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を７ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ
記録膜を１３ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を７ｎｍ、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 誘電体膜を６５ｎｍ、ＳｉＯ2 誘電体膜を
７０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を６０ｎｍ、順次
スパッタ法により堆積させた。
【００７１】更に、光透過層１７として、ＵＶ樹脂をス
ピンコートし形成した。また、記録・再生を行うにあた
って、情報記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を
行った。光透過層１７側からランド部１８とグルーブ部
１９のノイズレベルを測定した。また、金属反射膜のみ
を作製し、走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した
結果を表１に示す。従来のＡｌを主成分とする単層金属
反射膜（比較例１、２）の表面粗さに対して、本発明の
反射膜は良好な値を示し、ノイズレベルが低く抑えられ
ていることを確認した。
ピンコートし形成した。また、記録・再生を行うにあた
って、情報記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を
行った。光透過層１７側からランド部１８とグルーブ部
１９のノイズレベルを測定した。また、金属反射膜のみ
を作製し、走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した
結果を表１に示す。従来のＡｌを主成分とする単層金属
反射膜（比較例１、２）の表面粗さに対して、本発明の
反射膜は良好な値を示し、ノイズレベルが低く抑えられ
ていることを確認した。
【００７２】また、本実施例のようにＧｅＳｂＴｅ記録
膜の両側に、硫黄（Ｓ）を含まない誘電体層を用いるこ
とにより、図４に示すように、繰り返しオーバーライト
耐性が向上する、という効果も得ることができる。さら
に、ＳｉＯ2 等の透明誘電体膜とＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電
体膜を追加することにより、媒体の光学特性をより調整
しやすくなる。
膜の両側に、硫黄（Ｓ）を含まない誘電体層を用いるこ
とにより、図４に示すように、繰り返しオーバーライト
耐性が向上する、という効果も得ることができる。さら
に、ＳｉＯ2 等の透明誘電体膜とＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電
体膜を追加することにより、媒体の光学特性をより調整
しやすくなる。
【００７３】つまり、従来では、未記録時の反射率が記
録時の反射率よりも低い媒体構成しか出来なかったが、
逆の未記録時の反射率が記録時の反射率よりも高い媒体
の構成が可能となるなど、媒体の反射率の設計自由度を
高くできるという、効果も得ることができる。
録時の反射率よりも低い媒体構成しか出来なかったが、
逆の未記録時の反射率が記録時の反射率よりも高い媒体
の構成が可能となるなど、媒体の反射率の設計自由度を
高くできるという、効果も得ることができる。
【００７４】このように、ディスク基板に最初に形成す
る金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする単層
金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレベル
を低く抑えることができ、高密度にデータを記録・再生
することが可能となっている。
る金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする単層
金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレベル
を低く抑えることができ、高密度にデータを記録・再生
することが可能となっている。
【００７５】（実施例４）：次に、本発明の他の実施例
について説明する。反射膜以外の膜構成は、実施例３と
同じとし、反射膜について以下の構成とした媒体を作製
した（誘電体膜の膜厚は、光学特性の調整のために実施
例３とは若干異なっている）。つまり、ＰＣ基板上にＤ
Ｃスパッタでガス圧を０．３Ｐａとして作製したＣｕ反
射膜を７０ｎｍ、ＤＣスパッタでガス圧を０．３Ｐａと
して作製したＡｕ反射膜を３０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
誘電体膜を２８ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を６ｎｍ、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録膜を１３ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を６
ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を７０ｎｍ、ＳｉＯ2
誘電体膜を７５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体膜を５０
ｎｍ、順次スパッタ法により堆積させた。
について説明する。反射膜以外の膜構成は、実施例３と
同じとし、反射膜について以下の構成とした媒体を作製
した（誘電体膜の膜厚は、光学特性の調整のために実施
例３とは若干異なっている）。つまり、ＰＣ基板上にＤ
Ｃスパッタでガス圧を０．３Ｐａとして作製したＣｕ反
射膜を７０ｎｍ、ＤＣスパッタでガス圧を０．３Ｐａと
して作製したＡｕ反射膜を３０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
誘電体膜を２８ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を６ｎｍ、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録膜を１３ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を６
ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を７０ｎｍ、ＳｉＯ2
誘電体膜を７５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体膜を５０
ｎｍ、順次スパッタ法により堆積させた。
【００７６】更に、光透過層１７として、ＵＶ樹脂をス
ピンコートし形成した。また、記録・再生を行うにあた
って、情報記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を
行った。光透過層１７側からランド部１８とグルーブ部
１９のノイズレベルを測定した。また、金属反射膜のみ
を作製し、走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した
結果を表１に示す。従来のＡｌを主成分とする単層金属
反射膜（比較例１、２）の表面粗さに対して、本発明の
反射膜は良好な値を示し、ノイズレベルが低く抑えられ
ていることを確認した。本実施例においても、実施例３
と同様に、繰り返しオーバーライト耐性の向上、媒体の
反射率の設計自由度を高くできるという、効果を得られ
ることは言うまでもない。
ピンコートし形成した。また、記録・再生を行うにあた
って、情報記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を
行った。光透過層１７側からランド部１８とグルーブ部
１９のノイズレベルを測定した。また、金属反射膜のみ
を作製し、走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した
結果を表１に示す。従来のＡｌを主成分とする単層金属
反射膜（比較例１、２）の表面粗さに対して、本発明の
反射膜は良好な値を示し、ノイズレベルが低く抑えられ
ていることを確認した。本実施例においても、実施例３
と同様に、繰り返しオーバーライト耐性の向上、媒体の
反射率の設計自由度を高くできるという、効果を得られ
ることは言うまでもない。
【００７７】このように、ディスク基板に最初に形成す
る金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする単層
金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレベル
を低く抑えることができ、高密度にデータを記録・再生
することが可能となっている。
る金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする単層
金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレベル
を低く抑えることができ、高密度にデータを記録・再生
することが可能となっている。
【００７８】（比較例２）：次に、本発明の比較例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００７９】ＰＣ基板上に、Ａｌを主成分とし、Ｓｉを
０．４（重量％）、Ｆｅを０．６（重量％）、Ｃｕを
０．２（重量％）、Ｍｎを０．１（重量％）、Ｍｇを
１．０（重量％）、Ｃｒを０．３（重量％）、Ｚｎを
０．２（重量％）、Ｔｉを０．１（重量％）の割合で含
有する材料よりなる単層金属反射膜を１５０ｎｍ、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 誘電体膜を２６ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録膜
を１４ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 誘電体膜を１５５ｎｍ、
順次スパッタ法により堆積させた。更に、光透過層１７
として、ＵＶ樹脂をスピンコートし形成した。また、記
録・再生を行うにあたって、情報記録層の記録膜を一旦
結晶化させる初期化を行った。光透過層１７側からラン
ド部１８とグルーブ部１９のノイズレベルを測定した。
また、本発明の金属反射膜のみを作製し、走査型トンネ
ル顕微鏡で表面粗さを測定した結果を表１に示す。比較
例１と膜組成は異なるが、従来のＡｌを主成分とする単
層金属反射膜であるために表面粗さが粗く、ノイズレベ
ルが高いことを確認した。
０．４（重量％）、Ｆｅを０．６（重量％）、Ｃｕを
０．２（重量％）、Ｍｎを０．１（重量％）、Ｍｇを
１．０（重量％）、Ｃｒを０．３（重量％）、Ｚｎを
０．２（重量％）、Ｔｉを０．１（重量％）の割合で含
有する材料よりなる単層金属反射膜を１５０ｎｍ、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 誘電体膜を２６ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録膜
を１４ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 誘電体膜を１５５ｎｍ、
順次スパッタ法により堆積させた。更に、光透過層１７
として、ＵＶ樹脂をスピンコートし形成した。また、記
録・再生を行うにあたって、情報記録層の記録膜を一旦
結晶化させる初期化を行った。光透過層１７側からラン
ド部１８とグルーブ部１９のノイズレベルを測定した。
また、本発明の金属反射膜のみを作製し、走査型トンネ
ル顕微鏡で表面粗さを測定した結果を表１に示す。比較
例１と膜組成は異なるが、従来のＡｌを主成分とする単
層金属反射膜であるために表面粗さが粗く、ノイズレベ
ルが高いことを確認した。
【００８０】（実施例５）：次に、本発明の他の実施例
について説明する。反射膜以外の膜構成は、実施例３と
同じとし、反射膜について以下の構成とした媒体を作製
した（誘電体膜の膜厚は、光学特性の調整のために実施
例３とは若干異なっている）。つまり、ＰＣ基板上にＤ
ＣスパッタでＡｇ反射膜を８５ｎｍ、次にＤＣスパッタ
でＡｌ９５Ｔｉ５反射膜を２５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
誘電体膜を２５ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を７ｎｍ、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録膜を１２ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を６
ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を７５ｎｍ、ＳｉＯ2
誘電体膜を６０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を６５
ｎｍ、順次スパッタ法により堆積させた。更に、光透過
層１７として、ＵＶ樹脂をスピンコートし形成した。ま
た、記録・再生を行うにあたって、情報記録層の記録膜
を一旦結晶化させる初期化を行った。光透過層１７側か
らランド部１８とグルーブ部１９のノイズレベルを測定
した。また、金属反射膜のみを作製し、走査型トンネル
顕微鏡で表面粗さを測定した結果を表１に示す。従来の
Ａｌを主成分とする単層金属反射膜（比較例１、２）の
表面粗さに対して、本発明の反射膜は良好な値を示し、
ノイズレベルが低く抑えられていることを確認した。
について説明する。反射膜以外の膜構成は、実施例３と
同じとし、反射膜について以下の構成とした媒体を作製
した（誘電体膜の膜厚は、光学特性の調整のために実施
例３とは若干異なっている）。つまり、ＰＣ基板上にＤ
ＣスパッタでＡｇ反射膜を８５ｎｍ、次にＤＣスパッタ
でＡｌ９５Ｔｉ５反射膜を２５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
誘電体膜を２５ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を７ｎｍ、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録膜を１２ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を６
ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を７５ｎｍ、ＳｉＯ2
誘電体膜を６０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を６５
ｎｍ、順次スパッタ法により堆積させた。更に、光透過
層１７として、ＵＶ樹脂をスピンコートし形成した。ま
た、記録・再生を行うにあたって、情報記録層の記録膜
を一旦結晶化させる初期化を行った。光透過層１７側か
らランド部１８とグルーブ部１９のノイズレベルを測定
した。また、金属反射膜のみを作製し、走査型トンネル
顕微鏡で表面粗さを測定した結果を表１に示す。従来の
Ａｌを主成分とする単層金属反射膜（比較例１、２）の
表面粗さに対して、本発明の反射膜は良好な値を示し、
ノイズレベルが低く抑えられていることを確認した。
【００８１】本実施例においても、実施例３と同様に、
繰り返しオーバーライト耐性の向上、媒体の反射率の設
計自由度を高くできるという、効果を得られることは言
うまでもない。
繰り返しオーバーライト耐性の向上、媒体の反射率の設
計自由度を高くできるという、効果を得られることは言
うまでもない。
【００８２】このように、ディスク基板に最初に形成す
る金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする単層
金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレベル
を低く抑えることができ、高密度にデータを記録・再生
することが可能となっている。
る金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする単層
金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレベル
を低く抑えることができ、高密度にデータを記録・再生
することが可能となっている。
【００８３】（実施例６）：次に、本発明の他の実施例
について説明する。反射膜の膜厚以外の膜構成は、実施
例３と同じとした媒体を作製した。つまり、ＰＣ基板上
にＤＣスパッタでガス圧を０．１Ｐａとして作製したＡ
ｇ９８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．０反射膜を８５ｎｍ、Ｄ
Ｃスパッタでガス圧を０．５Ｐａとして作製したＡｇ９
８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．０反射膜を３５ｎｍ、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2 誘電体膜を２５ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を
７ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録膜を１３ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘
電体膜を７ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を６５ｎ
ｍ、ＳｉＯ2 誘電体膜を７０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘
電体膜を６０ｎｍ、順次スパッタ法により堆積させた。
について説明する。反射膜の膜厚以外の膜構成は、実施
例３と同じとした媒体を作製した。つまり、ＰＣ基板上
にＤＣスパッタでガス圧を０．１Ｐａとして作製したＡ
ｇ９８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．０反射膜を８５ｎｍ、Ｄ
Ｃスパッタでガス圧を０．５Ｐａとして作製したＡｇ９
８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．０反射膜を３５ｎｍ、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2 誘電体膜を２５ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘電体膜を
７ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録膜を１３ｎｍ、ＧｅＡｌＮ誘
電体膜を７ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体膜を６５ｎ
ｍ、ＳｉＯ2 誘電体膜を７０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘
電体膜を６０ｎｍ、順次スパッタ法により堆積させた。
【００８４】更に、光透過層１７として、ＵＶ樹脂をス
ピンコートし形成した。また、記録・再生を行うにあた
って、情報記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を
行った。光透過層１７側からランド部１８とグルーブ部
１９のノイズレベルを測定した。また、金属反射膜のみ
を作製し、走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した
結果を図５に示す。従来のＡｌを主成分とする単層金属
反射膜（比較例１、２）の表面粗さに対して、本発明の
反射膜は良好な値を示し、ノイズレベルが低く抑えられ
ていることを確認した。
ピンコートし形成した。また、記録・再生を行うにあた
って、情報記録層の記録膜を一旦結晶化させる初期化を
行った。光透過層１７側からランド部１８とグルーブ部
１９のノイズレベルを測定した。また、金属反射膜のみ
を作製し、走査型トンネル顕微鏡で表面粗さを測定した
結果を図５に示す。従来のＡｌを主成分とする単層金属
反射膜（比較例１、２）の表面粗さに対して、本発明の
反射膜は良好な値を示し、ノイズレベルが低く抑えられ
ていることを確認した。
【００８５】本実施例においても、実施例３と同様に、
繰り返しオーバーライト耐性の向上、媒体の反射率の設
計自由度を高くできるという、効果を得られることは言
うまでもない。
繰り返しオーバーライト耐性の向上、媒体の反射率の設
計自由度を高くできるという、効果を得られることは言
うまでもない。
【００８６】このように、ディスク基板に最初に形成す
る金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする単層
金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレベル
を低く抑えることができ、高密度にデータを記録・再生
することが可能となっている。
る金属反射膜の表面性を従来のＡｌを主成分とする単層
金属反射膜よりも向上させることにより、ノイズレベル
を低く抑えることができ、高密度にデータを記録・再生
することが可能となっている。
【００８７】
【発明の効果】以上のように、光透過層側から情報の記
録・再生を行う本発明の光ディスクにおいて、金属反射
膜の表面性および熱特性に着目し、金属反射膜を異なる
元素をそれぞれ主成分とする２種類以上膜で構成する、
あるいは、異なる成膜条件で同じ組成の金属膜を積層構
造とした２層金属反射膜を用いる。これにより、反射膜
上に順次成膜される誘電体膜、相変化型記録膜は、金属
反射膜の結晶性や粒径による表面形状の影響を受けにく
く、低ノイズレベルの光ディスクとなり、高密度ランド
／グルーブ記録・再生が可能となる。
録・再生を行う本発明の光ディスクにおいて、金属反射
膜の表面性および熱特性に着目し、金属反射膜を異なる
元素をそれぞれ主成分とする２種類以上膜で構成する、
あるいは、異なる成膜条件で同じ組成の金属膜を積層構
造とした２層金属反射膜を用いる。これにより、反射膜
上に順次成膜される誘電体膜、相変化型記録膜は、金属
反射膜の結晶性や粒径による表面形状の影響を受けにく
く、低ノイズレベルの光ディスクとなり、高密度ランド
／グルーブ記録・再生が可能となる。
【図１】本発明の光ディスクの情報記録層を形成した場
合の断面模式図である。
合の断面模式図である。
【図２】本発明の光ディスクの他の情報記録層を形成し
た場合の断面模式図である。
た場合の断面模式図である。
【図３】本発明の光ディスクの別の情報記録層を形成し
た場合の断面模式図である。
た場合の断面模式図である。
【図４】本発明の光ディスクおよび比較例の光ディスク
における、繰り返しオーバーライト回数とＢＥＲ（ビッ
トエラーレート）の関係を示す図である。
における、繰り返しオーバーライト回数とＢＥＲ（ビッ
トエラーレート）の関係を示す図である。
【図５】実施例１〜実施例６及び比較例１，２における
ノイズレベルと表面粗さを示した図である。
ノイズレベルと表面粗さを示した図である。
１１ 透明基板（ＰＣ基板） １１ａ 案内溝が形成されている面 １２ 金属反射膜（Ａｇ９８．１Ｐｄ０．９Ｃｕ１．
０） １３ 金属反射膜（Ａｌ９８Ｔｉ２） １４ 第２誘電体膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜） １５ 相変化型記録膜（ＧｅＳｂＴｅ膜） １６ 第１誘電体膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜） １７ 光透過層 １８ ランド部 １９ グルーブ部 ２１ 第４誘電体膜（ＧｅＡｌＮ膜） ２２ 第３誘電体層（ＧｅＡｌＮ膜） ３１ 第６誘電体膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜） ３２ 第５誘電体膜（ＳｉＯ2 膜）
０） １３ 金属反射膜（Ａｌ９８Ｔｉ２） １４ 第２誘電体膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜） １５ 相変化型記録膜（ＧｅＳｂＴｅ膜） １６ 第１誘電体膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜） １７ 光透過層 １８ ランド部 １９ グルーブ部 ２１ 第４誘電体膜（ＧｅＡｌＮ膜） ２２ 第３誘電体層（ＧｅＡｌＮ膜） ３１ 第６誘電体膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜） ３２ 第５誘電体膜（ＳｉＯ2 膜）
Claims (8)
- 【請求項１】 回転中心に対してスパイラル状または、
同心円状に高さの異なるランド部とグルーブ部を交互に
配して案内溝とした透明基板上に、少なくとも反射膜、
誘電体膜、記録膜からなる情報記録層を積層した後に、
光透過層を積層し、その光透過層を介して照射されるレ
ーザービームにより、データを記録し、又は記録された
データを再生することが可能な光ディスクであって、前
記反射膜が異なる元素をそれぞれ主成分とする２種類以
上の反射膜で構成されていることを特徴とする光ディス
ク。 - 【請求項２】 回転中心に対してスパイラル状または、
同心円状に高さの異なるランド部とグルーブ部を交互に
配して案内溝とした透明基板上に、少なくとも反射膜、
誘電体膜、記録膜からなる情報記録層を積層した後に、
光透過層を積層し、その光透過層を介して照射されるレ
ーザービームにより、データを記録し、又は記録された
データを再生することが可能な光ディスクであって、前
記反射膜を異なる成膜条件で積層構造としたことを特徴
とする光ディスク。 - 【請求項３】 前記ランド部および前記グルーブ部の両
者の上の情報記録層をデータの記録領域とすることを特
徴とする請求項１又は請求項２記載の光ディスク。 - 【請求項４】 前記情報記録層の記録膜に相変化型の材
料を用いることを特徴とする請求項１、請求項２又は請
求項３記載の光ディスク。 - 【請求項５】 前記情報記録層の構成として、基板上に
前記反射膜となる金属反射膜／第２誘電体膜／相変化型
記録膜／第１誘電体膜を順に積層した構造となってお
り、更に前記第１誘電体膜と、前記第２誘電体膜が同じ
材料であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求
項３又は請求項４記載の光ディスク。 - 【請求項６】 前記情報記録層の構成として、基板上に
前記反射膜となる金属反射膜／第２誘電体膜／第４誘電
体膜／相変化型記録膜／第３誘電体膜／第１誘電体膜を
順に積層した構造となっており、更に前記第１誘電体膜
と、前記第２誘電体膜が同じ材料であり、前記第３誘電
体膜と第４誘電体膜が同じ材料であることを特徴とする
請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４記載の光デ
ィスク。 - 【請求項７】 前記情報記録層の構成として、基板上に
金属反射膜／第２誘電体膜／第４誘電体膜／相変化型記
録膜／第３誘電体膜／第６誘電体膜／第５誘電体膜／第
１誘電体膜を順に積層した構造となっており、更に前記
第１誘電体膜と前記第２誘電体膜と第６誘電体膜が同じ
材料であり、前記第３誘電体膜と第４誘電体膜が同じ材
料であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項
３又は請求項４記載の光ディスク。 - 【請求項８】 前記情報記録層の記録膜に磁性材料を用
いることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３
記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000183062A JP2002008271A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000183062A JP2002008271A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002008271A true JP2002008271A (ja) | 2002-01-11 |
Family
ID=18683703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000183062A Pending JP2002008271A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002008271A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003090222A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-10-30 | Fujitsu Limited | Moyen d'enregistrement optique, moyen d'enregistrement magneto-optique, dispositif d'enregistrement/de reproduction d'informations, procede d'enregistrement/de reproduction et dispositif d'enregistrement magnetique |
| WO2004038716A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体 |
| JP2008234689A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Ricoh Co Ltd | 多層光記録媒体 |
-
2000
- 2000-06-19 JP JP2000183062A patent/JP2002008271A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003090222A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-10-30 | Fujitsu Limited | Moyen d'enregistrement optique, moyen d'enregistrement magneto-optique, dispositif d'enregistrement/de reproduction d'informations, procede d'enregistrement/de reproduction et dispositif d'enregistrement magnetique |
| EP1498891A1 (en) * | 2002-04-22 | 2005-01-19 | Fujitsu Limited | Optical recording medium, magnetooptic recording medium, information recording/reproducing device, information recording/reproducing method and magnetic recording device |
| EP1498891A4 (en) * | 2002-04-22 | 2008-08-06 | Fujitsu Ltd | OPTICAL RECORDING MEDIUM, MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM, INFORMATION RECORDER / REPRODUCER, INFORMATION RECORDING / RE-PROCESSING METHOD AND MAGNETIC RECORDING DEVICE |
| WO2004038716A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体 |
| JP2008234689A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Ricoh Co Ltd | 多層光記録媒体 |
| JP4719172B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2011-07-06 | 株式会社リコー | 多層光記録媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7414954B2 (en) | Optical information recording medium | |
| JPH0991755A (ja) | 相変化光ディスク | |
| JP2004296055A (ja) | 光記録再生方法及び光記録媒体 | |
| WO1998044493A1 (fr) | Procede d'enregistrement et de reproduction pour support d'enregistrement optique d'information et support d'enregistrement optique d'information | |
| JP3940709B2 (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JP3698905B2 (ja) | 光学的情報記録媒体、その情報記録方法、その情報消去方法 | |
| JP2002092962A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JP2002008271A (ja) | 光ディスク | |
| JP2004296056A (ja) | 光記録再生方法及び光記録媒体 | |
| JPH10172182A (ja) | 多層構造光情報媒体 | |
| US20070196617A1 (en) | High density optical recording media and a method for preparing the same | |
| JP2002092956A (ja) | 光学情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JP4161537B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JP4086689B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法 | |
| JPH04228126A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP2002092959A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2004013942A (ja) | 光記録再生方法及び光記録媒体 | |
| KR20050012252A (ko) | 광 데이터 저장매체 및 그 저장매체의 용도 | |
| JP2002230840A (ja) | アモルファス反射膜を用いた高密度光ディスク | |
| JPH04254925A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| EP1764793A1 (en) | Optical recording medium and process for producing the same | |
| JP3582452B2 (ja) | 相変化型光デイスク媒体およびその製造方法 | |
| KR100747577B1 (ko) | 초해상 광기록매체 | |
| JP2003045072A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2001134979A (ja) | 光学情報記録媒体およびその情報記録方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040826 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040914 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041115 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050314 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061107 |