JP2002230840A - アモルファス反射膜を用いた高密度光ディスク - Google Patents

アモルファス反射膜を用いた高密度光ディスク

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JP2002230840A
JP2002230840A JP2001231203A JP2001231203A JP2002230840A JP 2002230840 A JP2002230840 A JP 2002230840A JP 2001231203 A JP2001231203 A JP 2001231203A JP 2001231203 A JP2001231203 A JP 2001231203A JP 2002230840 A JP2002230840 A JP 2002230840A
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optical disk
film
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reflection film
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JP2001231203A
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Moku Kim Won
ウォン・モク・キム
Kuwan Kim Suun
スーン・クヮン・キム
Ki Jun Byun
ビュン・キ・ジュン
Sun Rii Teku
テク・スン・リー
Suku Rii Kyun
キュン・スク・リー
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Korea Institute of Science and Technology KIST
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    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ディスクの雑音を減らすことができるアモ
ルファス反射膜を用いた高密度光ディスク。 【解決手段】 情報を含んだプリピットが形成された基
板と、表面粗さを最小化して入射されたレーザービーム
に対する反射光の雑音を最小化させるためにアモルファ
ス物質からなり前記基板上に形成される反射膜と、前記
反射膜上に形成される保護用レジン層を含む再生専用光
ディスクと、データが記録される記録膜と、前記記録膜
に入射される光を反射させる反射膜とを含み、少なくと
も一度以上の記録と再生が可能な光ディスクにおいて、
前記反射膜はアモルファス状態であり、レーザービーム
が積層後の反射膜表面に対向して入射されることを特徴
とするアモルファス反射膜を用いた高密度光ディスクを
提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アモルファス反射
膜を用いた高密度光ディスクに係り、より詳しくは、再
生専用、一回記録繰り返し再生用、またはリライト型相
変化、光磁気光ディスクの高密度化による媒体の雑音を
減少するために、光ディスクにアモルファス状態の反射
膜材料を用いて薄膜成長の際に発生する結晶粒の成長に
よる表面粗さを抑制することにより、光ディスクの雑音
を減少させることができるアモルファス反射膜を用いた
高密度光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、光ディスクには、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ(Read Only Memory)、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのようにデ
ィスク基板に予め刻まれたプリピットの有無によって信
号を読み取ることができる再生専用光ディスク、一回記
録後に再生だけが可能なＷＯＲＭ(Write Once Read Man
y)ディスク、また記録膜の磁化方向による反射ビームの
カー(Kerr)回転効果を用いた光磁気(Magneto−Optic)デ
ィスクや、記録膜の結晶−アモルファス間の反射率差を
用いた相変化光ディスクのようなリライト型光ディスク
がある。
【０００３】再生専用光ディスクには、プリピットが刻
まれた基板に用いられる波長での反射率の大きいＡｌ、
ＡｇまたはＡｕや、これらに少量の合金元素が添加され
た合金膜を着けて、再生レーザービームの反射率を大き
くすることにより、大きな信号比を得ようとする場合に
用いられる。
【０００４】一方、光磁気ディスクや相変化光ディスク
のようなリライト型光ディスクにおいて、反射膜は、媒
体内での多重反射により記録の際に用いられるレーザー
ビームの効率を増大化させる役割を果たす一方、これら
反射膜の熱伝導度が大きい性質を利用して光磁気記録膜
や相変化記録膜に吸収されて熱へと変換された熱エネル
ギーを抜き取るヒートシンク(heat sink)の役割を兼ね
ている。
【０００５】光ディスクにおいて、記録または再生のた
めに集光されるレーザービームの照射面積は、使用され
るレーザービームの波長(λ)とビームを接続するための
対物レンズの開口数(ＮＡ)とによる光の回折限界である
λ／ＮＡと与えられ、このような大きさの回折限界の集
光ビームを用いる場合、理論的に再生可能な最小記録パ
ターンの周期はλ／２ＮＡと与えられる。
【０００６】従って、光ディスクの高密度化を達成する
ためには、使用するレーザービームの波長を縮めるかレ
ンズの開口数を高めることにより集光されるビームの照
射面積を減らす方法がある。しかし、現在使用可能な半
導体レーザーの波長は可視光領域に制限されており、ま
た、レンズの開口数を現在使用しているものより大幅に
増加させる場合、光ディスクのチルトマージン(tilt ma
rgin)及び球面収差マージンが非常に小さくなり、従来
使用されていた１．２または０．６ｍｍの基板を通した
レーザービームの入射方法を使用することができなくな
るため、０．１ｍｍ程度の保護用レジン層を通して光を
入射させる方法が開発されている。
【０００７】前記レーザービームの回折限界を克服し光
ディスクの高密度化を達成するための方法としては近接
場を用いる方法があり、これにはソリッドイマージョン
レンズ(Solid Immersion Lens；ＳＩＬ)、ソリッドイマ
ージョンミラー(Solid Immersion Mirror；ＳＩＭ)、Ｖ
ＳＡＬ(Very Small Apertured Laser)または近接場走査
探針(Near-field Scanning Probe)を用いるものがあ
る。
【０００８】これらの方法は、近接場を用いるものであ
るため、媒体とレンズまたは開口部(aperture)間の距離
が数〜数十ｎｍより小さくなければならない。従って、
このような近接場を用いる方法において、レーザービー
ムは従来の光ディスクのように基板を通して入射するこ
とができない。
【０００９】光ディスクの高密度化を達成するさらに他
の方法の一つは、二重記録膜を有する媒体の使用であ
る。この場合、情報を含むプリピットや記録膜を含む媒
体２枚を特殊な接着レジンを用いて付着した二重構造を
用い、集束されたレーザービームを基板の一方の面に入
射し、接着層の厚さを集束されたレーザービームの焦点
深度より厚くして(通常０．０３〜０．０４ｍｍの厚
さ)、光学系を用いて集束レーザービームの焦点位置を
変化させることにより、上部や下部記録膜の情報を再生
したり記録する時に他の層による影響が無いようにする
方法である。
【００１０】前記光ディスクの高密度化のための三つの
方法全てにおいて、レーザービームは成膜された反射膜
の表面に入射されるが、これは従来のディスクにおいて
のようにレーザービームが反射膜／基板または反射膜／
誘電体膜の界面に入射されていた方向とは反対になるた
め、成膜された反射膜の表面粗さが信号の大きさ、更に
具体的には雑音に大きな影響を与えることとなる。
【００１１】図１に従来の再生専用光ディスクの概略図
を示したが、従来の再生専用光ディスクは情報を提供す
るプリピット３の刻まれた基板２に反射膜４を成膜し、
その上に保護用レジン層５を塗布した構造となってお
り、この場合レーザービーム１は基板２を通して入射さ
れる。
【００１２】図２は従来の典型的なリライト型光ディス
クの断面構造を示し、これは基板１２上に第１保護用誘
電体膜１３、情報が記録される記録膜１４、第２保護用
誘電体膜１６そして反射膜１７が順に積層され、その上
に保護用レジン層１８が塗布された構造であり、前記記
録膜１４に記録マーク１５が形成されデータが貯蔵され
る。前記再生専用光ディスクと同様にレーザービーム１
１は基板１２を通して入射される。従って、媒体の雑音
は、前記再生専用光ディスクの場合は基板２／反射膜４
の界面の粗さによって、そして、リライト型光ディスク
の場合は第１及び第２保護用誘電体膜１３,１６／反射
膜１７の界面の粗さによってそれぞれ左右されることに
なる。
【００１３】従って、従来の光ディスクにおいては、積
層された後の反射膜の表面粗さが媒体の雑音に影響を与
える要因ではなく、再生専用光ディスクの場合には反射
膜が成膜される基板２の表面状態、そして、リライト型
光ディスクの場合には第１及び第２保護用誘電体膜１
３,１６の表面状態が更に重要な雑音の要因としてそれ
ぞれ作用するのである。
【００１４】既に、再生専用光ディスクの場合、射出成
形されたポリカーボネート(polycarbonate)基板の表面
粗さが雑音の主要要因となることが明らかとなっている
ことから、ディスクの表面粗さ向上のためのマスタリン
グ(mastering)技術、スタンパ(stamper)製作技術、そし
て射出成形技術のかつ目に値する開発がなされた。ま
た、リライト型光ディスクの場合にも基板上に積層され
る誘電体膜と記録膜とは、殆どがアモルファス状態で成
膜させる時に積層方式(layer-by-layer)の成長挙動を有
するため、初期基板の表面状態だけにより界面粗さが影
響を受けることとなり、成長する膜の結晶成長による界
面粗さの変化は考慮する必要が殆ど無い。
【００１５】特に、反射膜の積層後に生成される反射膜
の表面粗さが大きいとしても用いられるレーザー波長で
反射膜の透過度が殆ど無いため信号比には影響を与えな
い。
【００１６】しかし、前もって説明したとおり、高い開
口数を用いる光ディスク、近接場を用いる光ディスク、
そして二重構造を有する光ディスクにおいてはディスク
の積層順序が従来のディスクとは反対になる。
【００１７】図３には高い開口数を用いる光ディスク、
近接場を用いる光ディスク、そして二重構造を有するリ
ライト型光ディスクの構図を示した。即ち、図３に示す
とおり、高密度光ディスクの場合、基板２２に反射膜２
３が先に成膜され、その上に第１保護用誘電体膜２４、
情報を記録する記録膜２５及び記録マーク２６、そして
第２保護用誘電体膜２７の順に積層される。
【００１８】そして、高い開口数を有する集光レンズを
用いる光ディスクには、前記第２保護用誘電体膜２７上
に薄い保護用レジン層２８が用いられ、二重構造膜の場
合には前記保護用レジン層２８の代わりに接着用レジン
層が用いられる。
【００１９】また、近接場を用いる光ディスクの場合に
は前記保護用レジン層２８や接着用レジン層無しにその
まま用いられる。これはプリピットを用いる再生専用光
ディスクや一回記録後に再生だけが可能なウォーム(WOR
M)用光ディスクにおいても、記録膜や保護用誘電体膜が
省略される点を除いては同一の概念が適用される。
【００２０】このように、高密度化のための高い開口数
を用いる光ディスク、近接場を用いる光ディスクそして
二重構造を有する光ディスクでは、積層順序が従来の光
ディスクとは反対になるだけでなく、レーザービームの
入射方向が積層された後の反射膜表面に対向しており、
積層後の反射膜の表面粗さが媒体の雑音を決定する要因
として作用する。
【００２１】図４に、文献に報告された高い開口数(Ｎ
Ａ＝０．７)を有する再生専用光ディスクにおいて反射
膜の表面粗さによる信号比(Ｃ／Ｎ)の変化を示した。こ
のような反射膜の表面粗さによる媒体雑音の影響は開口
数が大きくなるに連れて大きくなり、特に、近接場を用
いる、即ち、有効開口数(effective NA)が大きい場合
(ＮＡeff>>１)ほど反射膜の表面粗さによる媒体雑音の
影響は更に大きくなることから、積層された反射膜の表
面粗さを減らすことが信号比向上のための必須的な要件
となることが明らかとなった。
【００２２】光ディスクの反射膜材料として、従来は反
射率の大きいＡｌに少量の合金元素を添加して耐腐食性
及び耐久性を向上させた合金膜、特にＡｌに数ａｐｃ(a
tomic percent)のＴｉやＣｒを添加したアルミニウム合
金膜が主として用いられてきたが、最近は腐食する心配
のない高価なＡｕ反射膜も用いられている。
【００２３】純粋なＡｌ反射膜やＡｇまたはＡｕ反射膜
は、薄膜成長条件によって異なるが通常は殆ど１００ｎ
ｍに達する結晶粒サイズを有しており、これにＴｉ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ，Ｐｄなどのような合金元素を少量添加するこ
とにより、結晶粒の成長を抑制して数〜数十ｎｍサイズ
の結晶粒を有する薄膜の形成が可能となる。
【００２４】しかし、図５(ａ)に模式的に示すとおり、
従来の反射膜４’は全てが結晶質状態で成長するため、
結晶粒成長により表面粗さが発生する要因を除去するこ
とができない。これは通常的に金属膜の成長がアイラン
ド(island)形成を経て薄膜の厚さが増加するに連れてこ
れらアイランド(island)が連結され最終的に連続した膜
を形成するが、これは膜厚が増加するに連れて結晶粒が
育つのに起因する。
【００２５】そして、一般的に純粋なＡｌ反射膜の場
合、光ディスクに多く用いられる厚さ範囲である５０〜
１５０ｎｍに成長させた時、表面粗さは３〜４ｎｍに至
る。
【００２６】結晶粒のサイズを抑制する合金反射膜の場
合にも表面粗さを１ｎｍ以下に減らすことは大変難し
い。特に、光ディスクの場合、基板としてポリカーボネ
ート(polycarbonate)のような材料を用いるため成膜温
度を高めることは不可能であり、また大量生産のために
マグネトロンスパッタリングを用いた成膜方法が主とし
て用いられるので基板に到達する粒子エネルギーの調節
が限定される。その結果、基板温度や基板到達粒子エネ
ルギーを高め基板に吸着された粒子の流動性を増加させ
て表面粗さを向上させるには限界があった。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はこの
ような従来の技術の問題点を勘案し案出されたものであ
り、その目的は光ディスクにアモルファス状態の反射膜
材料を用いて薄膜成長の際に発生する結晶粒の成長によ
る表面粗さを抑制することにより、レーザービームが積
層後の反射膜表面に入射される光ディスクの雑音を低減
させてデータの信頼度を向上させる、アモルファス反射
膜を用いた高密度光ディスクを提供することにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明は、データが記録される記録膜と、前記記
録膜に入射される光を反射する反射膜とを含み、少なく
とも一度以上の記録と再生が可能な光ディスクにおい
て、前記反射膜はアモルファス状態の物質からなり、レ
ーザービームが積層後の反射膜表面に対向して入射され
ることを特徴とするアモルファス反射膜を用いた高密度
光ディスクを提供する。
【００２９】前記反射膜はスパッタリング又は真空蒸着
のような一般的な乾式蒸着方式を用いて製造する時に容
易にアモルファス状態に作ることができる、Ａｌ−Ｙ−
Ｎｉ，Ａｌ−Ｙ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｙ−Ｐｔ，Ａｌ−Ｙ−Ｃ
ｏ，Ａｌ−Ｙ−Ｆｅ，Ａｌ−Ｙ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｌａ−Ｎ
ｉ，Ａｌ−Ｌａ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｌａ−Ｐｔ，Ａｌ−Ｌａ
−Ｃｏ，Ａｌ−Ｌａ−Ｆｅ，Ａｌ−Ｌａ−Ｃｕ，Ａｌ−
Ｃｕ−Ｖ，Ａｌ−Ｎｉ−Ｚｒ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｖ，Ａｌ−
Ｓｉ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｆｅ，Ａ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｖ，
Ａｌ−Ｇｅ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｆ
ｅ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｎｉなどで組成さ
れた合金からなり、アモルファス反射膜は成膜初期から
アイランド(island)を形成せず積層(layer−by−layer)
の形態に成長することにより、結晶質反射膜でのような
結晶粒の成長による表面粗さの増加が殆ど無い優れた品
質の薄膜の合成が可能である。
【００３０】また、アモルファス反射膜材料の場合、結
晶粒界面が無いため通常の結晶質材料において問題にな
る結晶粒界での優先的な腐食による膜の質低下を防止す
ることができる耐久性の優れた反射膜を提供することが
できる利点もある。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下に前記本発明を、好ましい実
施例の図示された添付図面を参考して更に詳しく説明す
る。
【００３２】添付の図面、図３は高密度化リライト型光
ディスクの断面図、図４は高開口数(ＮＡ：０．７)を用
いた再生専用光ディスクでの反射膜の表面粗さによる信
号比の変化を示すグラフ、図５(ａ)は反射膜４’の結晶
粒成長による表面粗さ発生の例を示す模式図、図５(ｂ)
は反射膜４’のアモルファス薄膜の状態を示す模式図、
図６は一般的な結晶質反射膜(ａ)と本発明にて提供され
るアモルファス反射膜(ｂ)との構造を比較したＸＲＤ分
析のグラフ、そして、図７は一般的な結晶質反射膜(ａ)
と本発明にて提供されるアモルファス反射膜(ｂ)との表
面粗さを比較測定したＡＦＭ写真である。
【００３３】図６においては、一般的に多く用いられる
Ａｌ−Ｃｒ合金反射膜(ａ)と本発明にて提供する反射膜
(ｂ)とのＸ線回折(X−ray diffraction；XRD)パターン
を比較した。本発明に係る薄膜は、Ａｌ−Ｙ−Ｎｉ合金
からなり、その組成はＡｌ−Ｙ(７％)−Ｎｉ(７％)であ
り、同図にて示されるとおり、アモルファス状態である
ことが明らかである。
【００３４】図７(ｂ)は本発明にて提供する薄膜材料を
Ｓｉ基板に１００ｎｍ成長させた後、表面をＡＦＭ(Ato
mic Force Microscopy)で測定した写真であり、Ａｌ−
Ｃｒ合金膜の場合(図７(ａ))と比べた写真である。
【００３５】本発明にて提供するアモルファス反射膜の
場合、表面粗さが０．１５〜０．３ｎｍ程度であり、常
用反射膜材料であるＡｌ−Ｃｒ反射膜の表面粗さである
２．１ｎｍと比べると、約１／１０程度にしかならない
ことから大変優れた表面状態を提供することが明らかと
なった。
【００３６】前記の材料を用いて現在ＤＶＤにて用いら
れる６５０ｎｍ波長での反射率測定結果、本発明にて提
供する反射率は７４％であり、Ａｌ−Ｃｒ反射膜の場合
８５％の反射率を示した。
【００３７】このような反射率の低下は合金元素の成分
と含量調節とを通して改善させることができ、実例とし
て組成Ａｌ−Ｙ(１３％)−Ｎｉ(１９％)のアモルファス
反射膜の場合６５０ｎｍでの反射率は６３％程度であっ
たが、アモルファス状態を維持しながら合金元素の含量
を調節したＡｌ−Ｙ(７％)−Ｎｉ(７％)反射膜の同波長
での反射率は７４％と向上することが明らかとなった。
また、合金元素の内、Ｎｉをより反射率の大きいＰｄや
Ｐｔに置換する場合、反射率を更に向上させることがで
きる。
【００３８】前記実施例では反射膜の材料としてＡｌ−
Ｙ−Ｎｉの場合だけを例として説明したが、スパッタリ
ング又は真空蒸着のような一般的な乾式蒸着方式を用い
てアモルファス状態に作ることができる、Ａｌ−Ｙ−Ｎ
ｉ，Ａｌ−Ｙ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｙ−Ｐｔ，Ａｌ−Ｙ−Ｃ
ｏ，Ａｌ−Ｙ−Ｆｅ，Ａｌ−Ｙ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｌａ−Ｎ
ｉ，Ａｌ−Ｌａ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｌａ−Ｐｔ，Ａｌ−Ｌａ
−Ｃｏ，Ａｌ−Ｌａ−Ｆｅ，Ａｌ−Ｌａ−Ｃｕ，Ａｌ−
Ｃｕ−Ｖ，Ａｌ−Ｎｉ−Ｚｒ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｖ，Ａｌ−
Ｓｉ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｆｅ，Ａ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｖ，
Ａｌ−Ｇｅ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｆ
ｅ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｎｉなどのような
組成物質を用いることができる。
【００３９】一方、光ディスクは再生専用高密度光ディ
スクと、高密度ＷＯＲＭ光ディスク、リライト型高密度
光ディスクのような種類があるが、光ディスクの種類に
よってその構造が少しずつ異なる。
【００４０】従って、本発明は各光ディスクの種類によ
って下記のように構成される。
【００４１】再生専用高密度光ディスクの場合は、情報
を含んだプリピットが形成された基板と；表面粗さを最
小化して入射されたレーザービームに対する反射光の雑
音を最小化させるためにアモルファス物質からなり前記
基板上に形成された反射膜と；前記反射膜上に形成され
る保護用レジン層とを含んで構成される。
【００４２】そして、高密度ＷＯＲＭ光ディスクの場合
は、基板と；表面粗さを最小化して入射されたレーザー
ビームに対する反射光の雑音を最小化させるためにアモ
ルファス物質からなり前記基板上に形成された反射膜
と；前記誘電体膜上に形成されデータが記録される記録
膜と；前記記録膜上に形成される保護用誘電体膜と；前
記保護用誘電体上に形成される保護用レジン層とを含ん
で構成される。
【００４３】また、リライト型高密度光ディスクの場合
は、基板と；表面粗さを最小化して入射されたレーザー
ビームに対する反射光の雑音を最小化させるためにアモ
ルファス物質からなり前記基板上に形成された反射膜
と；前記反射膜上に形成される保護用誘電体膜と；前記
誘電体上に形成されデータが記録される記録膜と；前記
記録膜上に形成される保護用誘電体膜と；前記誘電体膜
上に形成される保護用レジン層とを含んで構成される。
【００４４】前記の説明のように光ディスクの必須構成
要素である反射膜は、アモルファス物質からなり、その
反射面の表面粗さを最小化して入射されたレーザービー
ムに対する反射光の雑音を最小化させることにより、デ
ータの信頼度を向上させる作用をするものである。
【００４５】
【発明の効果】前記のように本発明によるアモルファス
反射膜材料は、高密度化のために高い開口数を用いる光
ディスク、近接場を用いる光ディスクそして二重構造を
有する光ディスクでのように、積層順序が従来の光ディ
スクとは反対になるだけでなく、レーザービームの入射
方向が積層された後の反射膜表面に対向しており、積層
後の反射膜の表面粗さが媒体の雑音を決定する要因とし
て作用する再生専用光ディスク、ＷＯＲＭディスクだけ
でなくリライト型光ディスクに用いる場合、従来の結晶
質反射膜材料より優れた表面粗さを提供し、媒体雑音を
低める効果を提供する。
【００４６】以上においては、本発明を特定の好ましい
実施例に基づき図示し説明したが、本発明は前記の実施
例に限定されず、本発明の精神を外れぬ範囲内にて当該
発明の属する技術分野で通常の知識を有する者により様
々な変形と修正が可能であろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の再生専用光ディスクの断面図である。
【図２】従来のリライト型光ディスクの断面図である。
【図３】高密度化リライト型光ディスクの断面図であ
る。
【図４】高開口数(ＮＡ：０．７)を用いた再生専用光デ
ィスクでの反射膜の表面粗さによる信号比変化を示すグ
ラフである。
【図５】反射膜の結晶粒成長による表面粗さ発生の例を
示す模式図(ａ)、反射膜のアモルファス薄膜の状態を比
べた模式図(ｂ)である。
【図６】一般的な結晶質反射膜(ａ)と本発明にて提供さ
れるアモルファス反射膜(ｂ)の構造を比較したＸＲＤ分
析のグラフである。
【図７】一般的な結晶質反射膜(ａ)と本発明にて提供さ
れるアモルファス反射膜(ｂ)の表面粗さを比較測定した
ＡＦＭ写真である。
【符号の説明】
１，１１，２１…レーザービーム ２，１２，２２…基板 ３…プリピット ４，４’，１７，２３…反射膜 ５，１８，２８…保護用レジン層 １３，２４…第１保護用誘電体膜 １４，２５…記録膜 １５，２６…記録マーク １６，２７…第２保護用誘電体膜
フロントページの続き (72)発明者 スーン・クヮン・キム 大韓民国、キュンキ−ドー、コヤン−シ、 イルサン−ク、ジュヨブ−ドン、ウーソ ン・アパートメント 1903−101 (72)発明者 ビュン・キ・ジュン 大韓民国、ソウル、ドンデムン−ク、ジョ ンノン ３−ドン 10、エスケー・アパー トメント 110−906 (72)発明者 テク・スン・リー 大韓民国、ソウル、マポ−ク、ヨムリ−ド ン、サンロク・アパートメント 103− 1804 (72)発明者 キュン・スク・リー 大韓民国、ソウル、ヨンサン−ク、ボクワ ン−ドン ３−275 Ｆターム(参考） 5D029 MA11 MA13 5D121 AA05 EE01

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 データが記録される記録膜と、前記記録
    膜に入射される光を反射する反射膜とを含み、少なくと
    も一度以上の記録と再生が可能な光ディスクにおいて、
    前記反射膜はアモルファス状態の物質からなり、レーザ
    ービームが積層後の反射膜表面に対向して入射されるこ
    とを特徴とするアモルファス反射膜を用いた高密度光デ
    ィスク。
  2. 【請求項２】 前記反射膜は、Ａｌ−Ｙ−Ｎｉ，Ａｌ−
    Ｙ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｙ−Ｐｔ，Ａｌ−Ｙ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｙ
    −Ｆｅ，Ａｌ−Ｙ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｌａ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｌ
    ａ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｌａ−Ｐｔ，Ａｌ−Ｌａ−Ｃｏ，Ａｌ
    −Ｌａ−Ｆｅ，Ａｌ−Ｌａ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｖ，Ａ
    ｌ−Ｎｉ−Ｚｒ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｖ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｒ，
    Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｆｅ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
    ｏ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｖ，Ａｌ−Ｇｅ−
    Ｃｒ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｆｅ，Ａｌ−Ｇ
    ｅ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｎｉの内いずれか一つの組成物
    質からなることを特徴とする請求項１に記載のアモルフ
    ァス反射膜を用いた高密度光ディスク。
  3. 【請求項３】 前記反射膜は、Ａｌ−Ｙ−Ｎｉ，Ａｌ−
    Ｙ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｙ−Ｐｔ，Ａｌ−Ｙ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｙ
    −Ｆｅ，Ａｌ−Ｙ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｌａ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｌ
    ａ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｌａ−Ｐｔ，Ａｌ−Ｌａ−Ｃｏ，Ａｌ
    −Ｌａ−Ｆｅ，Ａｌ−Ｌａ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｖ，Ａ
    ｌ−Ｎｉ−Ｚｒ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｖ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｒ，
    Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｆｅ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
    ｏ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｖ，Ａｌ−Ｇｅ−
    Ｃｒ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｆｅ，Ａｌ−Ｇ
    ｅ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｇｅ−Ｎｉの内いずれか一つの組成物
    質を積層方式(layer−by−layer)により成長させてアモ
    ルファス状態を維持することを特徴とする請求項１また
    は請求項２に記載のアモルファス反射膜を用いた高密度
    光ディスク。
  4. 【請求項４】 情報を含んだプリピットの形成された基
    板と；表面粗さを最小化して入射されるレーザービーム
    に対する反射光の雑音を最小化させるためにアモルファ
    ス物質からなり前記基板上に形成される反射膜と；前記
    反射膜上に形成される保護用レジン層とを含み、レーザ
    ービームが積層後の反射膜表面に対向して入射されるこ
    とを特徴とするアモルファス反射膜を用いた高密度光デ
    ィスク。
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