JPH10162434A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH10162434A JPH10162434A JP8321542A JP32154296A JPH10162434A JP H10162434 A JPH10162434 A JP H10162434A JP 8321542 A JP8321542 A JP 8321542A JP 32154296 A JP32154296 A JP 32154296A JP H10162434 A JPH10162434 A JP H10162434A
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- JP
- Japan
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- recording medium
- optical recording
- substrate
- light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低コストで所定の反射率及び透過率を有する透
光性反射膜を備えた光記録媒体を提供する。 【解決手段】 透光性の第１の基板１１が有する記録面
１１ａ上に被着する透光性反射膜１２として、アモルフ
ァスの金属化合物を用いる。
光性反射膜を備えた光記録媒体を提供する。 【解決手段】 透光性の第１の基板１１が有する記録面
１１ａ上に被着する透光性反射膜１２として、アモルフ
ァスの金属化合物を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学記録媒体を提供
する技術に属するものである。
する技術に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ−ＲＯＭに代表される光記録媒体
は、従来の磁気記録媒体に比べてその記録密度を飛躍的
に大きくでき、且つ非接触で情報を読み取ることができ
ることから次世代の記録媒体として注目を集めている。
は、従来の磁気記録媒体に比べてその記録密度を飛躍的
に大きくでき、且つ非接触で情報を読み取ることができ
ることから次世代の記録媒体として注目を集めている。
【０００３】そして、近年に於いては、片面に記録面を
有した透光性基板からなる光記録媒体を２組貼り合わせ
ることで、その記録密度を従来のＣＤ−ＲＯＭの約７．
５倍にまで高めた光記録媒体が提案されている（例えば
特開昭６１−２７８１５号に詳しい）。
有した透光性基板からなる光記録媒体を２組貼り合わせ
ることで、その記録密度を従来のＣＤ−ＲＯＭの約７．
５倍にまで高めた光記録媒体が提案されている（例えば
特開昭６１−２７８１５号に詳しい）。
【０００４】図４は、斯かる光記録媒体の構造を表した
構造断面図である。
構造断面図である。
【０００５】同図において、１００及び２００は第１及
び第２の光記録媒体であり、これらは夫々ＰＶＣ、ポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネート等の合成樹脂
や、ガラス等からなる透光性基板１０１、２０１の記録
面１０１ａ，２０１ａ上に、反射膜１０２、２０２が被
覆されて構成されている。
び第２の光記録媒体であり、これらは夫々ＰＶＣ、ポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネート等の合成樹脂
や、ガラス等からなる透光性基板１０１、２０１の記録
面１０１ａ，２０１ａ上に、反射膜１０２、２０２が被
覆されて構成されている。
【０００６】そして、これら第１及び第２の光記録媒体
１００及び２００は、通常紫外線硬化樹脂からなる接着
層３００を介して、互いに記録面１０１ａ，２０１ａが
対向するように貼り合わされている。
１００及び２００は、通常紫外線硬化樹脂からなる接着
層３００を介して、互いに記録面１０１ａ，２０１ａが
対向するように貼り合わされている。
【０００７】また、同図においてＬＢ１、ＬＢ２は夫々
第１及び第２の光記録媒体１００及び２００の記録面１
０１ａ及び２０１ａに記録された情報を読み取るための
第１及び第２の検出光光であり、図中矢印で示した方向
に照射される。
第１及び第２の光記録媒体１００及び２００の記録面１
０１ａ及び２０１ａに記録された情報を読み取るための
第１及び第２の検出光光であり、図中矢印で示した方向
に照射される。
【０００８】斯かる構造の光記録媒体に於いては、第２
の光記録媒体２００に記録された情報を読み取るために
は、第２の検出光ＬＢ２を、矢印Ｂで示す如く第１の光
記録媒体１００を介して第２の光記録媒体２００の記録
面２０１ａに照射する必要がある。このため、光入射側
に配される第１の光記録媒体１００の反射膜１０２は、
第１の光記録媒体１００の情報を読み取るために矢印Ａ
に示す如く照射された第１の検出光ＬＢ１を反射させる
と共に、第２の光記録媒体２００の情報を読み取るため
の第２の検出光ＬＢ２を透過させることが必要となる。
そこで、従来は第１の光記録媒体１００の反射膜１０２
として、例えば膜厚を約１００〜２００Åと薄膜化して
光の透過率を高めたＡｇ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｌ等の金属薄
膜や、或いはＺｎＳｅ等の誘電体膜が用いられていた。
の光記録媒体２００に記録された情報を読み取るために
は、第２の検出光ＬＢ２を、矢印Ｂで示す如く第１の光
記録媒体１００を介して第２の光記録媒体２００の記録
面２０１ａに照射する必要がある。このため、光入射側
に配される第１の光記録媒体１００の反射膜１０２は、
第１の光記録媒体１００の情報を読み取るために矢印Ａ
に示す如く照射された第１の検出光ＬＢ１を反射させる
と共に、第２の光記録媒体２００の情報を読み取るため
の第２の検出光ＬＢ２を透過させることが必要となる。
そこで、従来は第１の光記録媒体１００の反射膜１０２
として、例えば膜厚を約１００〜２００Åと薄膜化して
光の透過率を高めたＡｇ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｌ等の金属薄
膜や、或いはＺｎＳｅ等の誘電体膜が用いられていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、上記反射膜
１０２として金属薄膜を用いた場合には、その膜厚分布
にムラがあると膜厚が厚い部分でのレーザ光の吸収が増
加し、再生信号が劣化するため、高精度の膜厚制御を行
うことで膜厚分布の均一性を向上させる必要があった。
加えて、反射膜１０２としてＡｕを用いた場合には材料
費が高価となる、という課題もあった。
１０２として金属薄膜を用いた場合には、その膜厚分布
にムラがあると膜厚が厚い部分でのレーザ光の吸収が増
加し、再生信号が劣化するため、高精度の膜厚制御を行
うことで膜厚分布の均一性を向上させる必要があった。
加えて、反射膜１０２としてＡｕを用いた場合には材料
費が高価となる、という課題もあった。
【００１０】また、反射膜１０２として誘電体膜を用い
た場合には、上記レーザ光ＬＢ１に対する高い反射率を
得ることが困難であり、また接着層３００との密着力が
弱いために信頼性が劣る、という課題があった。
た場合には、上記レーザ光ＬＢ１に対する高い反射率を
得ることが困難であり、また接着層３００との密着力が
弱いために信頼性が劣る、という課題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】斯かる課題を解決するた
めに、本発明光記録媒体は、透光性反射膜にて被覆され
た第１の記録面を有する透光性の第１の基板の下方に、
反射膜にて被覆された第２の記録面を有する第２の基板
を備えた光記録媒体であって、前記透光性反射膜が金属
化合物からなることを特徴としている。
めに、本発明光記録媒体は、透光性反射膜にて被覆され
た第１の記録面を有する透光性の第１の基板の下方に、
反射膜にて被覆された第２の記録面を有する第２の基板
を備えた光記録媒体であって、前記透光性反射膜が金属
化合物からなることを特徴としている。
【００１２】また、前記第１の基板と第２の基板とが、
その記録面を対向させて貼り合わされたことを特徴とし
ており、前記第１の基板と第２の基板とが、接着層を介
して貼り合わされたことを特徴としている。
その記録面を対向させて貼り合わされたことを特徴とし
ており、前記第１の基板と第２の基板とが、接着層を介
して貼り合わされたことを特徴としている。
【００１３】また、前記第２の記録面に記録された情報
が、前記第１の基板を介して前記第２の記録面を被覆す
る反射膜に照射された第２の検出光により読み出される
ことを特徴としており、前記第２の記録面に反射され、
前記第１の基板を透過して読み取られる前記第２の検出
光の割合が、その初期値に対して１５〜４０％であるこ
とを、前記透光性反射膜における前記第２の検出光の透
過率が、６０〜８０％の範囲であることを、加えて前記
第２の記録面における前記第２の検出光の反射率が、１
５〜４０％であることを特徴としている。
が、前記第１の基板を介して前記第２の記録面を被覆す
る反射膜に照射された第２の検出光により読み出される
ことを特徴としており、前記第２の記録面に反射され、
前記第１の基板を透過して読み取られる前記第２の検出
光の割合が、その初期値に対して１５〜４０％であるこ
とを、前記透光性反射膜における前記第２の検出光の透
過率が、６０〜８０％の範囲であることを、加えて前記
第２の記録面における前記第２の検出光の反射率が、１
５〜４０％であることを特徴としている。
【００１４】さらには、前記第１の記録面に記録された
情報が、該第１の記録面を被覆する前記透光性反射膜に
照射された第１の検出光により読み出されることを、前
記透光性反射膜における前記第１の検出光の反射率が、
１５〜４０％であることを特徴としている。
情報が、該第１の記録面を被覆する前記透光性反射膜に
照射された第１の検出光により読み出されることを、前
記透光性反射膜における前記第１の検出光の反射率が、
１５〜４０％であることを特徴としている。
【００１５】ここで、本発明光記録媒体にあっては、前
記第１及び第２の検出光の波長が６２０ｎｍ〜６５０ｎ
ｍの範囲であることを、さらには前記第１及び第２の検
出光の波長が同一であることを、また、前記第１及び第
２の検出光が同一の光源から照射されることを特徴とし
ている。
記第１及び第２の検出光の波長が６２０ｎｍ〜６５０ｎ
ｍの範囲であることを、さらには前記第１及び第２の検
出光の波長が同一であることを、また、前記第１及び第
２の検出光が同一の光源から照射されることを特徴とし
ている。
【００１６】また、本発明光記録媒体にあっては、前記
金属化合物が、酸素、窒素もしくは炭素のいずれかの元
素と、金属元素との化合物であることを、前記金属化合
物がアモルファスであること、さらには前記金属化合物
が、化学量論的組成比以外の組成比を有することを特徴
としている。
金属化合物が、酸素、窒素もしくは炭素のいずれかの元
素と、金属元素との化合物であることを、前記金属化合
物がアモルファスであること、さらには前記金属化合物
が、化学量論的組成比以外の組成比を有することを特徴
としている。
【００１７】ここで、前記金属化合物がプラズマＣＶＤ
法により形成されたことを特徴としている。
法により形成されたことを特徴としている。
【００１８】さらには、本発明光記録媒体は、透光性反
射膜にて被覆された記録面を有する透光性基板を複数個
備え、且つこれら複数個の基板の下方に、反射膜にて被
覆された別の記録面を有する基板を備えた光記録媒体で
あって、前記透光性反射膜が金属化合物からなることを
特徴としている。
射膜にて被覆された記録面を有する透光性基板を複数個
備え、且つこれら複数個の基板の下方に、反射膜にて被
覆された別の記録面を有する基板を備えた光記録媒体で
あって、前記透光性反射膜が金属化合物からなることを
特徴としている。
【００１９】ここで、前記複数個の透光性基板及び基板
が、接着層を介して互いに積層されたことを特徴として
おり、前記金属化合物が、酸素、窒素もしくは炭素のい
ずれかの元素と、金属元素との化合物であることを、ま
た前記金属化合物がアモルファスであることを、また前
記金属化合物が、化学量論的組成比以外の組成比を有す
ることを特徴としており、前記金属化合物がプラズマＣ
ＶＤ法により形成されたことを特徴としている。
が、接着層を介して互いに積層されたことを特徴として
おり、前記金属化合物が、酸素、窒素もしくは炭素のい
ずれかの元素と、金属元素との化合物であることを、ま
た前記金属化合物がアモルファスであることを、また前
記金属化合物が、化学量論的組成比以外の組成比を有す
ることを特徴としており、前記金属化合物がプラズマＣ
ＶＤ法により形成されたことを特徴としている。
【００２０】
【実施の形態】本発明の実施形態に係わる光記録媒体
を、図面を参照して説明する。
を、図面を参照して説明する。
【００２１】図１は本実施形態に係わる光記録媒体の断
面構造図である。同図に於いて、１１は直径１２ｃｍ、
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートからなる透光性の第
１の基板であり、その表面に、例えばトラックピッチ
０．７４μｍ、最短ピット長０．４μｍの第１の記録面
１１ａを有している。そして、該記録面１１ａが、例え
ばＴｉＯX，ＳｉＯX、或いはＧｅＯX等の金属酸化物
や、ＴｉＮX，ＳｉＮX、或いはＧｅＮX等の金属窒化物
や、ＳｉＣX等の金属炭化物等のアモルファスの金属化
合物からなる透光性反射膜１２にて被覆されることで、
第１の光記録媒体１０が構成される。
面構造図である。同図に於いて、１１は直径１２ｃｍ、
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートからなる透光性の第
１の基板であり、その表面に、例えばトラックピッチ
０．７４μｍ、最短ピット長０．４μｍの第１の記録面
１１ａを有している。そして、該記録面１１ａが、例え
ばＴｉＯX，ＳｉＯX、或いはＧｅＯX等の金属酸化物
や、ＴｉＮX，ＳｉＮX、或いはＧｅＮX等の金属窒化物
や、ＳｉＣX等の金属炭化物等のアモルファスの金属化
合物からなる透光性反射膜１２にて被覆されることで、
第１の光記録媒体１０が構成される。
【００２２】また、図中２１は、上記第１の基板と同一
サイズのポリカーボネートからなる第２の基板であり、
前述の第１の基板１１と同様、その表面に、例えばトラ
ックピッチ０．７４μｍ、最短ピット長０．４μｍの第
２の記録面２１ａを有している。そして、この記録面２
１ａが膜厚約１０００ÅのＡｌからなる反射膜２２にて
被覆されることで、第２の光記録媒体２０が構成されて
いる。
サイズのポリカーボネートからなる第２の基板であり、
前述の第１の基板１１と同様、その表面に、例えばトラ
ックピッチ０．７４μｍ、最短ピット長０．４μｍの第
２の記録面２１ａを有している。そして、この記録面２
１ａが膜厚約１０００ÅのＡｌからなる反射膜２２にて
被覆されることで、第２の光記録媒体２０が構成されて
いる。
【００２３】そして、上記第１の光記録媒体１０と第２
の光記録媒体２０とは、例えば２Ｐ樹脂等の紫外線硬化
樹脂からなる接着層３０により、互いの記録面１１ａ及
び２１ａが対向するように張り合わすことで、本実施形
態の光記録媒体が構成される。
の光記録媒体２０とは、例えば２Ｐ樹脂等の紫外線硬化
樹脂からなる接着層３０により、互いの記録面１１ａ及
び２１ａが対向するように張り合わすことで、本実施形
態の光記録媒体が構成される。
【００２４】また、図中ＬＢ１及びＬＢ２は、夫々第１
及び第２の記録面１１ａ及び２１ａに記録された情報を
読み取るための、波長６３０ｎｍ〜６５０ｎｍの半導体
レーザを用いた第１及び第２の検出光であり、共に第１
の光記録媒体１０側から矢印で示した方向に照射され
る。
及び第２の記録面１１ａ及び２１ａに記録された情報を
読み取るための、波長６３０ｎｍ〜６５０ｎｍの半導体
レーザを用いた第１及び第２の検出光であり、共に第１
の光記録媒体１０側から矢印で示した方向に照射され
る。
【００２５】尚、図示はしていないが、上記第１及び第
２の検出光ＬＢ１及びＬＢ２を出射する光源は必ずしも
別々に備える必要はなく、同一の光源を用いても良い。
この場合にも、光学系、或いは読み取り系を切り替える
ことでより、同一の光源から夫々第１及び第２の検出光
ＬＢ２を出射することが可能である。
２の検出光ＬＢ１及びＬＢ２を出射する光源は必ずしも
別々に備える必要はなく、同一の光源を用いても良い。
この場合にも、光学系、或いは読み取り系を切り替える
ことでより、同一の光源から夫々第１及び第２の検出光
ＬＢ２を出射することが可能である。
【００２６】斯かる構造の光記録媒体にあっては、検出
すべき、上記第１及び第２の検出光ＬＢ１及びＬＢ２の
反射光が略同じ強度となることが好ましい。
すべき、上記第１及び第２の検出光ＬＢ１及びＬＢ２の
反射光が略同じ強度となることが好ましい。
【００２７】従って、上記第１の記録面１１ａを被覆す
る透光性反射膜１２は、上記第１の検出光ＬＢ１に対し
て１５〜４０％の反射率を有することが好ましい。
る透光性反射膜１２は、上記第１の検出光ＬＢ１に対し
て１５〜４０％の反射率を有することが好ましい。
【００２８】同様に、上記第２の記録面２１ａを被覆す
る反射膜２２にて反射され、そして前記透光性反射膜１
２が設けられた透光性の第１の基板１１を透過して検出
される前記第２の検出光ＬＢ２の割合が、光源から出射
された際の初期値に対して１５〜４０％であることが好
ましい。
る反射膜２２にて反射され、そして前記透光性反射膜１
２が設けられた透光性の第１の基板１１を透過して検出
される前記第２の検出光ＬＢ２の割合が、光源から出射
された際の初期値に対して１５〜４０％であることが好
ましい。
【００２９】ここで、検出される第２の検出光ＬＢ２の
割合を初期値に対して上記１５〜４０％の範囲とするた
めには、第２の検出光ＬＢ２に対して、前記透光性反射
膜１２が約５０〜７５％の透過率を有すると共に、前記
反射膜２２が約７０〜１００％の反射率を有することが
好ましい。
割合を初期値に対して上記１５〜４０％の範囲とするた
めには、第２の検出光ＬＢ２に対して、前記透光性反射
膜１２が約５０〜７５％の透過率を有すると共に、前記
反射膜２２が約７０〜１００％の反射率を有することが
好ましい。
【００３０】このうち、反射膜２２については、該反射
膜２２をＡｇ，Ａｌ等の高反射性材料から構成しその膜
厚を厚くすることで、上記第２の検出光ＬＢ２に対して
約７０〜１００％の高い反射率を有することが可能であ
る。
膜２２をＡｇ，Ａｌ等の高反射性材料から構成しその膜
厚を厚くすることで、上記第２の検出光ＬＢ２に対して
約７０〜１００％の高い反射率を有することが可能であ
る。
【００３１】また、透光性反射膜１２については、本実
施形態の如く金属化合物を用い、そしてその組成比を制
御してアモルファスとすることで、上記第１の検出光Ｌ
Ｂ１に対する反射率が所定の範囲をとると共に、第２の
検出光ＬＢ２に対する透過率も所定の範囲をとることが
可能となる。
施形態の如く金属化合物を用い、そしてその組成比を制
御してアモルファスとすることで、上記第１の検出光Ｌ
Ｂ１に対する反射率が所定の範囲をとると共に、第２の
検出光ＬＢ２に対する透過率も所定の範囲をとることが
可能となる。
【００３２】即ち、透光性反射膜１２としてアモルファ
スの金属化合物を使用することにより、その透過率及び
屈折率を容易に制御することができる。そして、第１の
検出光ＬＢ１は、透光性反射膜１２と第１の基板１１と
の間の屈折率の差によりこれらの界面で反射されるの
で、透光性反射膜１２の屈折率を変化させることで第１
の検出光ＬＢ１に対する反射率を変化させることが可能
となる。
スの金属化合物を使用することにより、その透過率及び
屈折率を容易に制御することができる。そして、第１の
検出光ＬＢ１は、透光性反射膜１２と第１の基板１１と
の間の屈折率の差によりこれらの界面で反射されるの
で、透光性反射膜１２の屈折率を変化させることで第１
の検出光ＬＢ１に対する反射率を変化させることが可能
となる。
【００３３】本発明の金属化合物としてＴｉＯXを用い
た場合について、具体的に説明する。
た場合について、具体的に説明する。
【００３４】図２は、プラズマＣＶＤ法によりＴｉＯX
を形成するための製造装置の概略図であり、反応室４０
内には接地電極４１及びＲＦ印加用電極４２が、互いに
対向して配置され、基板４３は上記接地電極４１上に設
置される。 また、上記ＲＦ印加用電極４２は、反応室
４０外部に設けられたＲＦ電源４４に接続されている。
また、図示はしないが、反応室４０には原料ガス導入の
ためのガス供給系、及び排気のための排気系が設けてあ
る。
を形成するための製造装置の概略図であり、反応室４０
内には接地電極４１及びＲＦ印加用電極４２が、互いに
対向して配置され、基板４３は上記接地電極４１上に設
置される。 また、上記ＲＦ印加用電極４２は、反応室
４０外部に設けられたＲＦ電源４４に接続されている。
また、図示はしないが、反応室４０には原料ガス導入の
ためのガス供給系、及び排気のための排気系が設けてあ
る。
【００３５】斯かる製造装置を用いて表１に示す反応条
件によりＴｉＯXを製造した。
件によりＴｉＯXを製造した。
【００３６】
【表１】
【００３７】図３に、得られたＴｉＯXの組成比（Ｘ）
と屈折率との関係を示す。本実施形態の如くＴｉＣｌ4
を原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法を使用することで、
化学量論的組成比以外の組成比を有し、アモルファス状
態となったＴｉＯXが得られ、図３に示すように屈折率
を１〜２．７の範囲で制御できることがわかる。透光性
基板１１の屈折率が約２であるので、ＴｉＯX膜の屈折
率を１〜１．５の範囲とすることで所望の反射率を得る
ことができる。具体的には、屈折率１．３のＴｉＯXを
用いて透光性反射膜としたところ、第１の検出光ＬＢ１
に対して約３０％の反射率を有しており、また第２の反
射光ＬＢ２に対して約６０％の透過率を示した。
と屈折率との関係を示す。本実施形態の如くＴｉＣｌ4
を原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法を使用することで、
化学量論的組成比以外の組成比を有し、アモルファス状
態となったＴｉＯXが得られ、図３に示すように屈折率
を１〜２．７の範囲で制御できることがわかる。透光性
基板１１の屈折率が約２であるので、ＴｉＯX膜の屈折
率を１〜１．５の範囲とすることで所望の反射率を得る
ことができる。具体的には、屈折率１．３のＴｉＯXを
用いて透光性反射膜としたところ、第１の検出光ＬＢ１
に対して約３０％の反射率を有しており、また第２の反
射光ＬＢ２に対して約６０％の透過率を示した。
【００３８】斯かる如くして、透光性基板１１の記録面
１１ａ上に膜厚約６００Å、屈折率約１．８のＴｉＯX
膜を被着して透光性反射膜１２とした光記録媒体を作成
したところ、透光性反射膜１２における、第１の検出光
ＬＢ１に対する反射率は約３０％であり、また第２の検
出光ＬＢ２に対する透過率は約７６％であった。
１１ａ上に膜厚約６００Å、屈折率約１．８のＴｉＯX
膜を被着して透光性反射膜１２とした光記録媒体を作成
したところ、透光性反射膜１２における、第１の検出光
ＬＢ１に対する反射率は約３０％であり、また第２の検
出光ＬＢ２に対する透過率は約７６％であった。
【００３９】従って、本実施形態によれば、透光性反射
膜１２をアモルファスの金属化合物から構成するのでそ
の屈折率を容易に制御することができ、また、その組成
比を化学量論的組成比以外の組成比とすることで、第１
の検出光ＬＢ１に対して所定の反射率を有すると共に、
第２の検出光ＬＢ２に対しても所定の透過率を有するこ
とが可能となる。
膜１２をアモルファスの金属化合物から構成するのでそ
の屈折率を容易に制御することができ、また、その組成
比を化学量論的組成比以外の組成比とすることで、第１
の検出光ＬＢ１に対して所定の反射率を有すると共に、
第２の検出光ＬＢ２に対しても所定の透過率を有するこ
とが可能となる。
【００４０】尚、ＴｉＯXの形成にあたっては、上述し
たプラズマＣＶＤ法の代わりに、これに限らず、反応性
スパッタ法やＴｉターゲットとＴｉＯ2ターゲットを使
用した２元スパッタ法を用いても良いが、均一性の点か
らはプラズマＣＶＤ法を用いることが好ましい。即ち、
プラズマＣＶＤ法は反応性スパッタ法や２元スパッタ法
に比べて凹凸基板の被覆性が良好であり、第１の記録面
１１ａ上に略均一に透光性反射膜１２を形成することが
できる。
たプラズマＣＶＤ法の代わりに、これに限らず、反応性
スパッタ法やＴｉターゲットとＴｉＯ2ターゲットを使
用した２元スパッタ法を用いても良いが、均一性の点か
らはプラズマＣＶＤ法を用いることが好ましい。即ち、
プラズマＣＶＤ法は反応性スパッタ法や２元スパッタ法
に比べて凹凸基板の被覆性が良好であり、第１の記録面
１１ａ上に略均一に透光性反射膜１２を形成することが
できる。
【００４１】また、透光性反射膜１２は上述したＴｉＯ
X以外に、ＳｉＯXやＧｅＯX等の金属酸化物、ＴｉＮXや
ＳｉＮX等の金属窒化物、或いはＳｉＣX等の金属炭化物
を用いることができる。これらの金属化合物に関して
も、反応条件の制御によりその組成比を変化してアモル
ファスとすることで容易に屈折率を変化させることがで
き、さらにその組成比を化学量論的組成比以外の組成比
とすることで、所望の反射率及び透過率を得ることがで
きる。
X以外に、ＳｉＯXやＧｅＯX等の金属酸化物、ＴｉＮXや
ＳｉＮX等の金属窒化物、或いはＳｉＣX等の金属炭化物
を用いることができる。これらの金属化合物に関して
も、反応条件の制御によりその組成比を変化してアモル
ファスとすることで容易に屈折率を変化させることがで
き、さらにその組成比を化学量論的組成比以外の組成比
とすることで、所望の反射率及び透過率を得ることがで
きる。
【００４２】さらに、本発明は、透光性反射膜にて被覆
された記録面を有する透光性基板を複数個備えると共
に、該複数個の透光性基板の下方に、反射膜にて被覆さ
れた別の記録面を有する基板を備えた、積層型の光記録
媒体にも適用することができる。斯かる積層型の光記録
媒体は、上記複数個の透光性基板及び基板を、例えば紫
外線硬化樹脂からなる接着層を介して積層することで得
られる。
された記録面を有する透光性基板を複数個備えると共
に、該複数個の透光性基板の下方に、反射膜にて被覆さ
れた別の記録面を有する基板を備えた、積層型の光記録
媒体にも適用することができる。斯かる積層型の光記録
媒体は、上記複数個の透光性基板及び基板を、例えば紫
外線硬化樹脂からなる接着層を介して積層することで得
られる。
【００４３】斯かる構成の積層型の光記録媒体にあって
も、上記透光性反射膜を、上述の実施形態に示す如く、
ＴｉＯX、ＳｉＯXやＧｅＯX等の金属酸化物、ＴｉＮXや
ＳｉＮX等の金属窒化物、或いはＳｉＣX等の金属炭化物
等の金属化合物から構成し、これらの組成比を変化して
アモルファスとすること出屈折率を変化させ、さらにそ
の組成比を化学量論的組成比以外の組成比とすること
で、検出光に対して最適な反射率及び透過率を得ること
ができる。また、本実施形態においても、透光性反射膜
の形成にはプラズマＣＶＤ法を用いることが、膜厚の均
一性の点で好ましい。
も、上記透光性反射膜を、上述の実施形態に示す如く、
ＴｉＯX、ＳｉＯXやＧｅＯX等の金属酸化物、ＴｉＮXや
ＳｉＮX等の金属窒化物、或いはＳｉＣX等の金属炭化物
等の金属化合物から構成し、これらの組成比を変化して
アモルファスとすること出屈折率を変化させ、さらにそ
の組成比を化学量論的組成比以外の組成比とすること
で、検出光に対して最適な反射率及び透過率を得ること
ができる。また、本実施形態においても、透光性反射膜
の形成にはプラズマＣＶＤ法を用いることが、膜厚の均
一性の点で好ましい。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、透光性
の第１の基板１１上に被着される透光性反射膜１２とし
て金属化合物を用い、この金属化合物をアモルファスと
することでその屈折率を容易に調整することができ、加
えてその組成比を化学量論的組成比以外の組成比とする
ことで、第１の検出光ＬＢ１及び第２の検出光ＬＢ２に
対して所定の反射率及び透過率を備えることが可能とな
る。
の第１の基板１１上に被着される透光性反射膜１２とし
て金属化合物を用い、この金属化合物をアモルファスと
することでその屈折率を容易に調整することができ、加
えてその組成比を化学量論的組成比以外の組成比とする
ことで、第１の検出光ＬＢ１及び第２の検出光ＬＢ２に
対して所定の反射率及び透過率を備えることが可能とな
る。
【００４５】また、上記透光性反射膜１２の形成にあた
っては特にプラズマＣＶＤ法を用いることで膜厚の均一
性を向上させることができ、上記反射率及び透過率の面
内での均一性が改善される。
っては特にプラズマＣＶＤ法を用いることで膜厚の均一
性を向上させることができ、上記反射率及び透過率の面
内での均一性が改善される。
【００４６】加えて、紫外線硬化樹脂に対する密着性も
優れており、信頼性の優れた光記録媒体を提供すること
が可能となる。
優れており、信頼性の優れた光記録媒体を提供すること
が可能となる。
【図１】本発明の実施形態に係わる光記録媒体の構造断
面図である。
面図である。
【図２】ＴｉＯXの形成に用いた反応装置の概略構造図
である。
である。
【図３】ＴｉＯX膜の組成比と屈折率との関係を示す特
性図である。
性図である。
【図４】従来の光記録媒体の構造断面図である。
【符号の従明】１０，１００…第１の光記録媒体、２
０，２００…第２の光記録媒体 １１，１０１…第１の基板、２１、２０１…第２の基板 １１ａ，１０１ａ…第１の記録面、２１ａ，２０１ａ…
第２の記録面 １２，１０２…透光性反射膜、２２，２０２…反射膜 ３０，３００…接着層
０，２００…第２の光記録媒体 １１，１０１…第１の基板、２１、２０１…第２の基板 １１ａ，１０１ａ…第１の記録面、２１ａ，２０１ａ…
第２の記録面 １２，１０２…透光性反射膜、２２，２０２…反射膜 ３０，３００…接着層
Claims (22)
- 【請求項１】 透光性反射膜にて被覆された第１の記録
面を有する透光性の第１の基板の下方に、反射膜にて被
覆された第２の記録面を有する第２の基板を備えた光記
録媒体であって、前記透光性反射膜が金属化合物からな
ることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記第１の基板と第２の基板とが、その
記録面を対向させて貼り合わされたことを特徴とする請
求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記第１の基板と第２の基板とが、接着
層を介して貼り合わされたことを特徴とする請求項２記
載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記第２の記録面に記録された情報が、
前記第１の基板を介して前記第２の記録面を被覆する反
射膜に照射された第２の検出光により読み出されること
を特徴とする請求項１乃至３記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記第２の記録面に反射され、前記第１
の基板を透過して読み取られる前記第２の検出光の割合
が、その初期値に対して１５〜４０％であることを特徴
とする請求項４記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 前記透光性反射膜における前記第２の検
出光の透過率が、６０〜８０％の範囲であることを特徴
とする請求項５記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 前記第２の記録面における前記第２の検
出光の反射率が、１５〜４０％であることを特徴とする
請求項５または６記載の光記録媒体。 - 【請求項８】 前記第１の記録面に記録された情報が、
該第１の記録面を被覆する前記透光性反射膜に照射され
た第１の検出光により読み出されることを特徴とする請
求項４乃至７記載の光記録媒体。 - 【請求項９】 前記透光性反射膜における前記第１の検
出光の反射率が、１５〜４０％であることを特徴とする
請求項８記載の光記録媒体。 - 【請求項１０】 前記第１及び第２の検出光の波長が６
２０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲であることを特徴とする請
求項４乃至９記載の光記録媒体。 - 【請求項１１】 前記第１及び第２の検出光の波長が同
一であることを特徴とする請求項１０記載の光記録媒
体。 - 【請求項１２】 前記第１及び第２の検出光が同一の光
源から照射されることを特徴とした請求項１１記載の光
記録媒体。 - 【請求項１３】 前記金属化合物が、酸素、窒素もしく
は炭素のいずれかの元素と、金属元素との化合物である
ことを特徴とする請求項１乃至１２記載の光記録媒体。 - 【請求項１４】 前記金属化合物がアモルファスである
ことを特徴とする請求項１３記載の光記録媒体。 - 【請求項１５】 前記金属化合物が、化学量論的組成比
以外の組成比を有することを特徴とする請求項１３また
は１４記載の光記録媒体。 - 【請求項１６】 前記金属化合物がプラズマＣＶＤ法に
より形成されたことを特徴とする請求項１３乃至１５記
載の光記録媒体。 - 【請求項１７】 透光性反射膜にて被覆された記録面を
有する透光性基板を複数個備え、且つこれら複数個の基
板の下方に、反射膜にて被覆された別の記録面を有する
基板を備えた光記録媒体であって、前記透光性反射膜が
金属化合物からなることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項１８】 前記複数個の透光性基板及び基板が、
接着層を介して互いに積層されたことを特徴とする請求
項１７記載の光記録媒体。 - 【請求項１９】 前記金属化合物が、酸素、窒素もしく
は炭素のいずれかの元素と、金属元素との化合物である
ことを特徴とする請求項１７または１８記載の光記録媒
体。 - 【請求項２０】 前記金属化合物がアモルファスである
ことを特徴とする請求項１９記載の光記録媒体。 - 【請求項２１】 前記金属化合物が、化学量論的組成比
以外の組成比を有することを特徴とする請求項１９また
は２０記載の光記録媒体。 - 【請求項２２】 前記金属化合物がプラズマＣＶＤ法に
より形成されたことを特徴とする請求項１９乃至２１記
載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8321542A JPH10162434A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8321542A JPH10162434A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162434A true JPH10162434A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18133728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8321542A Pending JPH10162434A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10162434A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399021B1 (ko) * | 2001-01-31 | 2003-09-19 | 한국과학기술연구원 | 비정질 반사막을 이용한 고밀도 광 디스크 |
| KR100618998B1 (ko) * | 2000-05-15 | 2006-08-31 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 광디스크 |
-
1996
- 1996-12-02 JP JP8321542A patent/JPH10162434A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100618998B1 (ko) * | 2000-05-15 | 2006-08-31 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 광디스크 |
| KR100399021B1 (ko) * | 2001-01-31 | 2003-09-19 | 한국과학기술연구원 | 비정질 반사막을 이용한 고밀도 광 디스크 |
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