JPS62139149A - 光学情報記録再生デイスク - Google Patents
光学情報記録再生デイスクInfo
- Publication number
- JPS62139149A JPS62139149A JP60278205A JP27820585A JPS62139149A JP S62139149 A JPS62139149 A JP S62139149A JP 60278205 A JP60278205 A JP 60278205A JP 27820585 A JP27820585 A JP 27820585A JP S62139149 A JPS62139149 A JP S62139149A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dielectric layer
- thin film
- optical information
- information recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は大容量の情報９画像、音、データ等を記録、再
生、消去、ファイリングするメモリ分野に利用すること
ができる光学情報記録再生ディスクに関するものである
。
生、消去、ファイリングするメモリ分野に利用すること
ができる光学情報記録再生ディスクに関するものである
。
従来の技術
光学情報記録再生ディスク（以下光ディスクと称する。
）では、その信号レベルを大きくする手段として、三層
構造のものが知られている。この手段は、基本構成とし
て反射層、誘電体層そして、光吸収薄膜層からなるもの
で、ＩＥＫＫ ＪＯＵＲＮＡＬＯＦ ＱＵＡＮＴＵＭ
Ｉ！：ＬＥＣＴＲＯＮ［Ｓ （アイイー３ ベー。
構造のものが知られている。この手段は、基本構成とし
て反射層、誘電体層そして、光吸収薄膜層からなるもの
で、ＩＥＫＫ ＪＯＵＲＮＡＬＯＦ ＱＵＡＮＴＵＭ
Ｉ！：ＬＥＣＴＲＯＮ［Ｓ （アイイー３ ベー。
イーイー ジャーナル オプ ジオ／タム エレクトｏ
＝クス） 、 ＶＯＩ、、ＱＦ、 −１４，Ｎａ７ 、
ＪＵＬＹ（シュライ）１９７８ ｐ、４８７ ”Ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ５ｔｒｕｃｔｕｒｅ
ｓ ｆｏｒＯｐｔｉｃａｌ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ （
アンタイレフレクション ストラクチュアーズ フォア
オプティカル レコーディング）″ に説明されて
いる。三層構造では、誘電体層はλ／４層の膜厚に設定
し、反射層からの反射光量が最小になるようにしている
。光吸収薄膜層は、レーザ光を吸収し、昇温し、溶融、
あるいは蒸発し、穴が形成される。光吸収層は、光吸収
の機能および、光反射の機能を有しておシ、穴形成部に
おいては、干渉、散乱のため、反射光量が減少し、信号
記録が行える。大部分、つまりビット部の反射光量の減
少を検出し、情報再生がおこなえる。誘電体層がλ／４
厚においては、最も大きい反射光量変化を得ることがで
きる点がすぐれている。ただし、これら、多層構造の光
ディスクにおいては、各層間の安定性が重要である。
＝クス） 、 ＶＯＩ、、ＱＦ、 −１４，Ｎａ７ 、
ＪＵＬＹ（シュライ）１９７８ ｐ、４８７ ”Ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ５ｔｒｕｃｔｕｒｅ
ｓ ｆｏｒＯｐｔｉｃａｌ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ （
アンタイレフレクション ストラクチュアーズ フォア
オプティカル レコーディング）″ に説明されて
いる。三層構造では、誘電体層はλ／４層の膜厚に設定
し、反射層からの反射光量が最小になるようにしている
。光吸収薄膜層は、レーザ光を吸収し、昇温し、溶融、
あるいは蒸発し、穴が形成される。光吸収層は、光吸収
の機能および、光反射の機能を有しておシ、穴形成部に
おいては、干渉、散乱のため、反射光量が減少し、信号
記録が行える。大部分、つまりビット部の反射光量の減
少を検出し、情報再生がおこなえる。誘電体層がλ／４
厚においては、最も大きい反射光量変化を得ることがで
きる点がすぐれている。ただし、これら、多層構造の光
ディスクにおいては、各層間の安定性が重要である。
発明が解決しようとする問題点
多層構造のディスクでは、反射層と誘電体層、あるいは
誘電体層と記録薄膜層の間等で、相互の剥離が生じやす
いという問題点がある。なお、誘電体層がλ／４厚の場
合、その屈折率が２の場合、λ−８３０ｎｍの半導体レ
ーザ波長に対しては、その膜厚は、ｄ中１ｏｏＯ人と厚
くなる。このため、ディスクの膨張、収縮に対して、誘
電体層にクラックが発生しやすいという問題点がある。
誘電体層と記録薄膜層の間等で、相互の剥離が生じやす
いという問題点がある。なお、誘電体層がλ／４厚の場
合、その屈折率が２の場合、λ−８３０ｎｍの半導体レ
ーザ波長に対しては、その膜厚は、ｄ中１ｏｏＯ人と厚
くなる。このため、ディスクの膨張、収縮に対して、誘
電体層にクラックが発生しやすいという問題点がある。
問題点を解決するための手段
本発明は反射層を金属Ｍとし、誘電体層を、その金属Ｍ
の酸化物、窒化物、あるいは硫化物ＭｎＸｍとすること
である。
の酸化物、窒化物、あるいは硫化物ＭｎＸｍとすること
である。
作用
反射層として、金属Ｍを用いる場合誘電体層に、その金
属Ｍの化合物、酸化物、窒化物、硫化物ＭｎＸｍを設け
ることにより、ＭとＭｎＸｍの間において、化学的な結
合が発生しやすく、その界面における接着性が向上する
。
属Ｍの化合物、酸化物、窒化物、硫化物ＭｎＸｍを設け
ることにより、ＭとＭｎＸｍの間において、化学的な結
合が発生しやすく、その界面における接着性が向上する
。
実施例
５ページ
第１図に示す基板１としてポリカーボネイト樹脂基板を
用いる。この基板１の表面は、平坦又はレーザ光のトラ
ッキングガイド用の凹凸溝を形成しているものである。
用いる。この基板１の表面は、平坦又はレーザ光のトラ
ッキングガイド用の凹凸溝を形成しているものである。
この基板１の上に、直接又は、誘電体下地層を設けた上
に記録薄膜層２を設ける。
に記録薄膜層２を設ける。
記録薄膜層２としては、光透過率の大きい材料を用いる
。例えば、Ｔｅ０ｘ（０（ｘ（２，○）を主成分とする
薄膜を設ける。光の消衰係数が、ｋｚｌ、０の小さい拐
料が好捷しい。ただし、ｋが大きい材料については、薄
膜の膜厚を小にすることにより、光透過率の大きい領域
を選ぶことが可能である。
。例えば、Ｔｅ０ｘ（０（ｘ（２，○）を主成分とする
薄膜を設ける。光の消衰係数が、ｋｚｌ、０の小さい拐
料が好捷しい。ただし、ｋが大きい材料については、薄
膜の膜厚を小にすることにより、光透過率の大きい領域
を選ぶことが可能である。
この記録薄膜層２の上に、誘電体層３を設ける。
そして、さらにその上に、反射層４を設ける。反射層と
して、Ｔｉを設ける場合、誘電体層３は、Ｔｌｎｘｍの
光透過性の化合物を選ぶ、Ｘとしては酸素あるいは、窒
素が適用できる。酸素を用いる場合、ＴｉＯ２の形にな
り、その膜の屈折率は、ｎ；２．ｅと大きい。反射層４
の膜厚は、７００人６ベーゾ とする。ＴｉｎＸｍつまりＴｉＯ２の誘電体層３の膜厚
としては、ｄ、−λ／８ｎ＝−４ｏｏ人 になる。
して、Ｔｉを設ける場合、誘電体層３は、Ｔｌｎｘｍの
光透過性の化合物を選ぶ、Ｘとしては酸素あるいは、窒
素が適用できる。酸素を用いる場合、ＴｉＯ２の形にな
り、その膜の屈折率は、ｎ；２．ｅと大きい。反射層４
の膜厚は、７００人６ベーゾ とする。ＴｉｎＸｍつまりＴｉＯ２の誘電体層３の膜厚
としては、ｄ、−λ／８ｎ＝−４ｏｏ人 になる。
ただし、λ−８３００人を用いた場合。
８０’０８０％の雰囲気で１ｏｏｈｒ放置した場合、反
射層４としてＡｅを用い、誘電体層３として、５ｉ０２
を用いた構成では、Ａｅ膜に、酸化によるピンホールの
発生が見られる。又、反射層４として、Ａｕ膜を用いた
構成では、ピンホールの発生は見られないが、剥離テス
トでは、Ａｕ層と、誘電体層の間で、６ｏ％以上の剥離
が生ずる。Ｔｉおよび、ＴｉＯ２と記録薄膜３の構成で
は、かかる現象は発生しない。誘電体層３の膜厚は、第
２図の膜厚（光路長ｄ）と反射率のグラフから選ぶ。
射層４としてＡｅを用い、誘電体層３として、５ｉ０２
を用いた構成では、Ａｅ膜に、酸化によるピンホールの
発生が見られる。又、反射層４として、Ａｕ膜を用いた
構成では、ピンホールの発生は見られないが、剥離テス
トでは、Ａｕ層と、誘電体層の間で、６ｏ％以上の剥離
が生ずる。Ｔｉおよび、ＴｉＯ２と記録薄膜３の構成で
は、かかる現象は発生しない。誘電体層３の膜厚は、第
２図の膜厚（光路長ｄ）と反射率のグラフから選ぶ。
従来の三層構造では、λ／４厚の領域を、信号検出レベ
ルを大きくする目的で用いている。
ルを大きくする目的で用いている。
本発明においては、誘電体層３の厚さは、反射層４から
の反射光量が大きくなる領域で選ぶ。
の反射光量が大きくなる領域で選ぶ。
例えば、記録薄膜３として、ＴａＯｘ （０（ｘ ＜２
−０ ）を主成分とする材料を用いる場合、レーザ光の
照射による昇温により、この記録薄膜３は、屈折率７ベ
ーノ ｎおよび消衰係数ｋが同時に変化し、特に、透過率の大
きい膜厚領域においてはとの消衰係数の変化に伴う透過
率の変化により、反射層４からの反射光量が記録トソト
部と未記録部で大きい変化を生ずる。記録が、膜を黒化
させる方向の場合は、反射層４からの反射光量は吸収を
受けて減少する。
−０ ）を主成分とする材料を用いる場合、レーザ光の
照射による昇温により、この記録薄膜３は、屈折率７ベ
ーノ ｎおよび消衰係数ｋが同時に変化し、特に、透過率の大
きい膜厚領域においてはとの消衰係数の変化に伴う透過
率の変化により、反射層４からの反射光量が記録トソト
部と未記録部で大きい変化を生ずる。記録が、膜を黒化
させる方向の場合は、反射層４からの反射光量は吸収を
受けて減少する。
この変化を検出して、情報再生が行える。
誘電体層を厚さを５２０００人に厚くしたものでは、８
０°Ｃ８０％の試験を行うと、誘電体層３にクラックの
発生が見られるが、≦５００八では安定である。
０°Ｃ８０％の試験を行うと、誘電体層３にクラックの
発生が見られるが、≦５００八では安定である。
λ
したがって、誘電体層３の厚さｄをｏ＜ｄｌ〈／８に選
ぶことが望ましい。
ぶことが望ましい。
ただし、誘電体層３に、断熱、あるいは機械的強度を強
化する機能を含ませる場合は、その厚さλ を （２Ｎ＋１）・−±ｄ１ とする。熱伝導性を必
要とするときは、ＳｉＣ等が適用できる。誘電体層３の
形成は、真空蒸着法、スパッタ法等が可能であるが、本
発明では、反射層４の金層Ｍと、誘電体層３ＭｎＸｍを
構成するため、スパッタ法により、ガス雰囲気を選んで
、ＭｎＸｍを形成し、引き続きＭを形成することが好ま
しい。Ｘに硫黄を用いるときは、透明誘電体層としてＺ
ｎＳ等が適用できる。
化する機能を含ませる場合は、その厚さλ を （２Ｎ＋１）・−±ｄ１ とする。熱伝導性を必
要とするときは、ＳｉＣ等が適用できる。誘電体層３の
形成は、真空蒸着法、スパッタ法等が可能であるが、本
発明では、反射層４の金層Ｍと、誘電体層３ＭｎＸｍを
構成するため、スパッタ法により、ガス雰囲気を選んで
、ＭｎＸｍを形成し、引き続きＭを形成することが好ま
しい。Ｘに硫黄を用いるときは、透明誘電体層としてＺ
ｎＳ等が適用できる。
発明の効果
多層光デイスク構造において、反射層Ｍと誘電体層Ｍｎ
Ｘｍを同一金属Ｍから形成することにより反射層と誘電
体層の接着安定性が高い光学情報記録再生ディスクを得
ることができる。
Ｘｍを同一金属Ｍから形成することにより反射層と誘電
体層の接着安定性が高い光学情報記録再生ディスクを得
ることができる。
第１図は、本発明の光学情報記録再生ディスクの断面図
、第２図は、同誘電体層の厚さと反射層からの反射率の
関係を示すグラフである。 １・・・・・・基板、２・・・・・記録薄膜、３・・・
・誘電体層、４・・・・・反射層。
、第２図は、同誘電体層の厚さと反射層からの反射率の
関係を示すグラフである。 １・・・・・・基板、２・・・・・記録薄膜、３・・・
・誘電体層、４・・・・・反射層。
Claims (6)
- （１）基板上に記録薄膜層を形成し、この記録薄膜層上
に誘電体層を介して反射層を形成し、この反射層の材料
を金属Ｍとし、前記誘電体層を前記金属Ｍと酸素、窒素
、硫黄、炭素の少くとも１つであるＸとの化合物Ｍ＿ｎ
Ｘ＿ｍとすることを特徴とする光学情報記録再生ディス
ク。 - （２）誘電体層Ｍ＿ｎＸ＿ｍの膜厚ｄを、０＜ｄ＿１＜
λ／８に選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光学情報記録再生ディスク。 - （３）誘電体層Ｍ＿ｎＸ＿ｍの膜厚ｄを、Ｎを整数とし
（２Ｎ＋１）・λ／２±ｄ＿１に選ぶことを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の光学情報記録再生ディスク
。 - （４）反射層として、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、の少くとも１
つの金属層を選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光学情報記録再生ディスク。 - （５）記録薄膜層の材料をＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２．０
）を主成分とすることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光学情報記録再生ディスク。 - （６）記録薄膜層の透過率が、５０％以上になる膜厚を
選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の光学
情報記録再生ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60278205A JPS62139149A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光学情報記録再生デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60278205A JPS62139149A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光学情報記録再生デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139149A true JPS62139149A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17594059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60278205A Pending JPS62139149A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光学情報記録再生デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62139149A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027241A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
| JPH0244537A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体 |
| JPH0287342A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH04102243A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-03 | Nec Corp | 光学的情報記録媒体 |
| US5667862A (en) * | 1989-03-15 | 1997-09-16 | Sony Corporation | Magneto-optical disk |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP60278205A patent/JPS62139149A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027241A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
| JPH0244537A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体 |
| JPH0287342A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| US5667862A (en) * | 1989-03-15 | 1997-09-16 | Sony Corporation | Magneto-optical disk |
| JPH04102243A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-03 | Nec Corp | 光学的情報記録媒体 |
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