JP2002312978A - 相変化光ディスク - Google Patents

相変化光ディスク

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JP2002312978A JP2001119239A JP2001119239A JP2002312978A JP 2002312978 A JP2002312978 A JP 2002312978A JP 2001119239 A JP2001119239 A JP 2001119239A JP 2001119239 A JP2001119239 A JP 2001119239A JP 2002312978 A JP2002312978 A JP 2002312978A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ヘッドの光学系のNAを高めることで、容
易に記録密度の向上が図れるようにする。 【解決手段】 反射層102に、粒径が小さく表面荒さ
を小さく膜を形成できる、AgあるいはCuあるいはT
iあるいはNiを主成分とした膜を用いる。また、記録
層105が結晶状態にあるときのディスクの反射率を、
記録層105が非晶質状態にあるときのディスクの反射
率より低くし、Ac/Aaを大きくする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光の照射に
より情報の記録と再生とを行う光学情報記録媒体であ
る、記録層における相状態を変化させて記録を行い、こ
の記録相の非晶質状態と結晶状態との光特性の差の違い
を利用して情報の再生を行う相変化光ディスクに関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年の光技術を利用した光学情報記録媒
体として、光磁気ディスクや相変化光ディスクが提供さ
れている。このうち相変化光ディスクは、記録層を結晶
状態と非晶質状態と似変化させることで情報の記録を行
い、また、記録相の結晶状態と非晶質状態とでの光反射
率あるいは光透過率の違いを利用して情報の再生を行っ
ている。従来の相変化光ディスクは、一般に非晶質状態
でのAaが、結晶状態の光吸収率Acよりも高くされて
いる。
【0003】このため、高密度化のために相変化光ディ
スクの記録トラックのピッチを狭めていくと、ある記録
トラックに対してレーザ光を照射して記録層の相(結晶
状態)を変化させて記録を行った際に、隣接する記録ト
ラックに存在している光吸収率の高い非晶質記録マーク
で光吸収による昇温・結晶化、いわゆるクロス消去が生
じることになる。このようなクロス消去を防止するため
には、非晶質状態での光吸収率Aaを、結晶状態の光吸
収率Acよりも低くすることが有効である(特開200
0−105946号公報参照)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年、上述したような
光情報記録において、記録密度の向上のために、光ヘッ
ドに用いる対物レンズ(光学系)の開口数(NA)を
0.85にまで高める技術が提案されている。この技術
では、光ディスクの支持基板とは反対側に形成された光
透過層を通してレーザ光を記録層に照射するため、反射
層や記録層からなる各層の膜形成順番が従来とは逆にな
る。このため、基板直上に粒径が大きい金属膜などから
なる反射層が形成されることになり、反射面の平坦性が
低く、光ノイズが高くなるという問題が生じていた。ま
た、開口数を高めてビーム径を小さくしているため、ビ
ームが記録層のある微小な点を通過する時間が短くなる
ため、記録層が結晶化温度以上に保持される時間が減少
し、消去率が低下してしまうという問題が生じていた。
以上説明したように、光ヘッドの光学系のNAを高める
ことでは、容易に記録密度を向上させることができない
という問題があった。
【0005】本発明は、以上のような問題点を解消する
ためになされたものであり、光ヘッドの光学系のNAを
高めることで、容易に記録密度の向上が図れるようにす
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の相変化光ディス
クは、支持基板上に少なくとも第1の誘電体層と反射層
と第1の界面層と記録層と第2の界面層と第2の誘電体
層と第3の誘電体層と第4の誘電体層とが順次積層さ
れ、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過
層側から照射されたレーザ光により、記録層の結晶状態
を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光デ
ィスクであって、記録層が結晶状態にあるときのディス
ク反射率Rcが3%以上12%以下であり、記録層が非
晶質状態にあるときのディスク反射率Raと反射率Rc
との差の絶対値が10%であり、レーザ光の波長λにお
ける第1の界面層もしくは第2の界面層の屈折率が2よ
り大きく、反射層は、銀,銅,チタン,ニッケルのいず
れか1つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を
主成分とするものである。この発明によれば、反射層の
平坦性の向上が図れ、反射層に起因したディスクノイズ
が低減する。
【0007】上記発明において反射層は、膜厚が20n
m以上200nm以下であればよく、また、反射層は、
熱伝導率が20W/mK以上である方がよい。また、上
記発明において、記録層が結晶状態にあるときの光吸収
率Acと、記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率A
aとの関係Ac/Aaが、1.1以上であればよく、こ
のためには、第2の誘電体層の屈折率n2より第3の誘
電体層の屈折率n3の方が小さく、第4の誘電体層の屈
折率n4より屈折率n3の方が小さいものであるように
すればよい。
【0008】本発明の相変化光ディスクは、支持基板上
に少なくとも第1の誘電体層と反射層と第1の界面層と
記録層と第2の界面層と第2の誘電体層とが順次積層さ
れ、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過
層側から照射されたレーザ光により、記録層の結晶状態
を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光デ
ィスクであって、記録層が結晶状態にあるときのディス
ク反射率Rcが3%以上12%以下であり、記録層が非
晶質状態にあるときのディスク反射率Raと反射率Rc
との差の絶対値が10%であり、レーザ光の波長λにお
ける第1の界面層もしくは第2の界面層の屈折率が2よ
り大きく、反射層は、銀,銅,チタン,ニッケルのいず
れか1つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を
主成分とするものである。この発明によれば、反射層の
平坦性の向上が図れ、反射層に起因したディスクノイズ
が低減する。
【0009】本発明の相変化光ディスクは、支持基板上
に少なくとも第1の誘電体層と反射層と第1の界面層と
記録層と第2の界面層と第2の誘電体層と第3の誘電体
層と第4の誘電体層とが順次積層され、さらに、これら
の上に光透過層を備え、この光透過層側から照射された
レーザ光により、記録層の結晶状態を変化させて情報の
記録・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、記
録層が結晶状態にあるときの光吸収率Acと、記録層が
非晶質状態にあるときの光吸収率Aaとの関係Ac/A
aが、1.1以上としたものである。この発明によれ
ば、クロス消去が低減される。
【0010】上記発明において、第2の誘電体層の屈折
率n2より第3の誘電体層の屈折率n3の方が小さく、
第4の誘電体層の屈折率n4より屈折率n3の方が小さ
いものとすればよい。また、反射層は、熱伝導率が20
W/mK以上がよく、レーザ光の波長λにおける第1の
界面層および第2の界面層の消衰係数が1以下でればよ
い。
【0011】また、上述した発明において、第1の界面
層および第2の界面層は、XをAl,Cr,Ti,Si
のいずれかとしたGeXN,もしくはこれらの混合物か
ら構成すればよく、また、第1の界面層および第2の界
面層の膜厚が、3nm以上10nm以下とした方がよ
い。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態
における相変化光ディスクの構成を概略的に示す断面図
である。この相変化光ディスクは、ポリカーボネートや
ガラスなどからなる厚さ0.6mm〜2mm程度の支持
基板101上に、反射層102,誘電体層A103,界
面層A104,記録層105,界面層B106,誘電体
層B107,誘電体層C108,誘電体層D109,光
透過層110を備えた構造である。この層変化光ディス
クに対する情報の記録、再生・消去は、光透過層110
よりレーザ光を照射して行う。なお、支持基板101に
は、アルミニウム(Al)およびこの合金を用いるよう
にしても良い。
【0013】支持基板側からレーザ光を入射して情報の
記録・消去・再生を行う従来の相変化光ディスクに用い
る反射層としては、Alを主成分とした金属膜が良く用
いられてきた。Alを主成分とした反射層の形成では、
プロセスの時間の短縮などのため、スパッタリング法が
用いられている。しかしながら、スパッタリング法によ
り高速に膜を形成しようとすると、膜を構成する粒径が
大きくなり、また表面荒さも大きくなりやすい。また、
反射層としてAl膜を形成し、引き続いて、他の膜を形
成した場合、Al膜の表面荒さの影響で他の膜の表面荒
れも大きくなる。この結果、反射面に表面荒れが存在
し、また信号光が通過する膜においても膜荒れが存在す
ることになり、信号光におけるノイズが増大してしまう
という問題が生じていた。
【0014】これら反射層に起因したノイズを低減する
ためには、反射層102に、粒径が小さく表面荒さを小
さく膜を形成できるAgあるいはCuあるいはTiある
いはNiを主成分とした膜を用いることが望ましい。い
ずれの場合でも主成分の組成比は70at%以上である
ことが望ましく、Agの場合には、Pd,Cu,Rt,
Hf,Ti,Niなどを添加成分として用いることがで
きる。Cu,Ti,Niの場合には、Si,Cr,Wな
ど、または、Cu,Ti,Niを相互に、あるいはAg
を添加成分として用いることができる。
【0015】上述した材料を用いたいずれの反射層10
2でも、厚くしすぎるとノイズ上昇を招くので、膜厚は
200nm以下とすることが望ましい。しかしながら、
薄すぎると反射率が低くなってしまい反射層としての機
能を十分に果たすことができず、また、ヒートシンクと
しての機能も十分に果たすことができないので、20n
m以上の膜厚が必要である。
【0016】また、反射層に起因したディスクノイズを
低減するためには、ディスク反射率を低くすることが有
効である。ディスク反射率は、光透過層110より入射
した光の反射状態を示すものであり、反射層のみの反射
率ではなく、相変化光ディスク全体の反射率である。反
射層に起因したディスクノイズは、反射率と相関(一般
には二乗で比例)があるので、ディスク反射率が低いほ
どディスクノイズを抑制することが可能になる。
【0017】したがって、記録層105が結晶状態にあ
るときのディスク反射率Rcは、12%以下であること
が望ましい。ただし、この反射率が低すぎると、信号読
み出しのためのサーボが不安定になり、また、アドレス
検出用などに形成されたプリピット信号の読み取り精度
が低下するなどの問題が生じる。したがって、Rcは3
%以上であることが望ましい。また、十分な信号振幅を
得るためには、RcとRaとの差が10%以上であるこ
とが望ましい。
【0018】一方、クロス消去低減のためには、Ac/
Aaは大きい方が望ましく、少なくとも1.1以上であ
ることが望ましい。Ac/Aaを大きくするには、記録
層105が結晶状態にあるときのディスクの反射率を、
記録層105が非晶質状態にあるときのディスクの反射
率より低くすればよい。このためには、光透過層110
と記録層105の間に、誘電体層B107,誘電体層C
108,誘電体層D109からなる多層誘電体層を形成
し、各層の屈折率の関係が、n2>n3かつn4>n3
を満たすようにすると良い。なお、誘電体層B107の
屈折率をn2,誘電体層C108の屈折率をn3,誘電
体層D109の屈折率をn4としている。
【0019】さらに、n2とn3の屈折率の差およびn
3とn4の屈折率の差を大きくすればするほど、Ac/
Aaを大きくできる各層の膜厚の組み合わせが多くな
り、設計の自由度が増すので、n2とn3の差、および
n3とn4の差は0.4以上あることが望ましい。な
お、上述では記録層105と光透過層110との間に3
つの誘電体層を備えるようにしたが、これに限るもので
はなく、4層以上の誘電体層を備えるようにしても良
い。なお、クロス消去低減のためには、反射層102の
熱伝導率は高い方が望ましく、少なくとも20W/mK
以上であることが望ましい。
【0020】また、界面層A104および界面層B10
6は、記録層105の結晶化を促進する役割を果たして
おり、光ヘッドの光学系のNAが高くビーム径が小さい
場合に、記録層105が結晶化温度以上に保持される時
間が減少した際の消去率低下を抑制している。記録層1
05の剥離等によるピンホールやバースト等の欠陥を生
じさせないためには、界面層としては、応力が低く、記
録層との付着力(接着力)が良好な材料が適しており、
具体的には、GeNX(XはAl,Cr,Ti,Siの
いずれか、あるいは、これらの混合物;Xの組成比は5
〜30at%)が好適である。
【0021】しかしながら、窒化物と相変化記録膜(記
録層105)との付着力はそれほど高くないので、界面
層を厚くしすぎると剥離が生じやすくなる。この薄利を
防ぐため、界面層の膜厚は、10nm以下であることが
望ましいが、薄すぎると膜自体の欠陥が多くなってしま
うので、3nm以上の膜厚が必要である。また、界面層
でのレーザ光吸収が大きい場合には、記録層での光吸収
が低下してしまい、記録に際して高いレーザーパワーが
必要となるため、界面層での光吸収はできるだけ小さい
方が望ましく、そのためには、波長λにおける界面層の
消衰係数kは1以下であることが望ましい。
【0022】
【実施例】<実施例1>以下、本発明の実施例を説明す
る。図1において、支持基板101として厚さ1.2m
mのポリカーボネイトを用い、この支持基板101上
に、まず、以下の各膜をスパッタリング法により順次積
層した。反射層102としてAg98at%,Pd1a
t%,Cu1at%からなる金属膜を150nm、誘電
体層A103としてSiO2膜を30nm、界面層A1
04および界面層B106として(GeN)90at
%,Al10at%からなる膜を5nm、記録層105
としてAgGeSbTe膜を15nm、誘電体層B10
7としてZnS−SiO2からなる膜を30nm、誘電
体層C108としてSiO2膜を30nm、誘電体層D
109としてZnS−SiO2膜を50nm積層した。
この後、厚さ0.1mmのポリカーボネートフィルムを
紫外線硬化樹脂(接着剤)を用いて、誘電体層D109
上に接着させ、光透過層110とした。また、支持基板
101の図示しない案内溝のピッチ(トラックピッチ)
は0.6μmとした。
【0023】この相変化光ディスクにおいて記録層10
5の結晶状態と非晶質状態の各光吸収率を測定したとこ
ろ、Acは90%、Aaは60%であった。この相変化
光ディスクを線速度5m/sで回転させ、波長400n
mのレーザビームを照射するNA0.85の光学系から
構成された光ヘッドを用いて測定を行った。なお、波長
400nmにおける各層の光学定数(n,k)は、Ge
NAlが(2.3,0.3)、ZnS−SiO2
(2.35,0.01)、SiO2が(1.54,0)
であった。
【0024】記録再生特性評価では、まず、ランド部
(支持基板の案内溝間の平坦部)に4MHz、duty
=50%の信号を記録した後、隣接する両側グルーブ部
に5MHz、duty=50%の信号を繰り返し記録
し、4MHz信号のキャリアの変化を測定した。図2か
ら明らかなように、隣接グルーブ部で情報の書き換えを
繰り返し行っても、4MHzの信号はまったく影響を受
けない。
【0025】なお、図2には、隣接するトラックに情報
を記録していない状態で測定した4MHz信号のキャリ
アCiと、隣接トラックで5MHzの信号を所定回数繰
り返し記録した後で測定した4MHz信号のキャリアC
aとの差(Ci−Ca)を示した。なお、4MHz信号
のC/Nは55Bと高い値であった。また、この相変化
光ディスクを用いて、消去率を測定したところ、図3に
示すように、30dB以上の高い消去率が得られた。な
お、消去率は、4MHz信号に16MHz信号をオーバ
ライトした際の4MHz信号の減衰比として測定した。
【0026】<比較例1>上記実施例と同じ支持基板,
反射層,記録層,誘電体層,光透過層を用い、界面層A
および界面層Bを付加していないディスクを作製し、上
記実施例と同じ条件で消去率の測定を行った。図4に示
すように、15dB程度の低い消去率しか得られなかっ
た。界面層の付加により消去率が著しく向上しているこ
とが判る。
【0027】<比較例2>上記実施例と同じ支持基板,
記録層,界面層,誘電体層,光透過層を用い、反射層と
してAl90at%,Ti10at%の金属膜を膜厚1
50nmに形成したディスクを作製し、上記実施例と同
じ光ヘッド、同じ記録再生条件でC/Nの測定を行っ
た。ノイズが高く、C/Nは50dB程度であり、上記
実施例に比べて5 dB低い値しか得られなかった。
【0028】<実施例2>つぎに、本発明の他の実施例
について説明する。前述した実施例1とほぼ同一の層構
成とし、誘電体層B107,誘電体層C108,誘電体
層D109の各膜厚を変化させ、Rcを3%から15%
の間で変化させた複数のディスクを形成した。これら各
ディスクを前述した実施例1と同じ光ヘッドを用い、線
速度5m/s,記録線密度0.116μm/bitの条
件で、エラーレートの測定を行った。この測定の結果、
以下の表1に示すように、反射率12%以下で1e−4
以下のビットエラーレートが得られていることが判る。
【0029】
【表1】
【0030】<実施例3>つぎに、他の実施例について
説明する。前述した実施例1と同じ支持基板101を用
い、反射層102としてNi80at%,Cr20at
%の金属膜を100nm形成し、誘電体層A103とし
てAl23膜を20nm形成し、界面層A104として
(GeN)80at%,Cr20at%の膜を2nm〜
12nm形成し、記録層105としてGe2Sb2Te5
の膜を13nm形成し、界面層B106として(Ge
N)80at%,Cr20at%の膜を2nm〜12n
m形成し、誘電体層B107としてSiN膜を40nm
形成し、誘電体層C108としてSiO2膜を20nm
形成し、誘電体層D109としてZnS−SiO2膜を
50nm形成し、かつ、光透過層110として厚さ0.
1mmのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂を
用いて接着させた。なお、光透過層110以外は、スパ
ッタリング法により順次積層した。
【0031】このように形成した相変化光ディスクにつ
いて、前述した実施例1と同じ光ヘッド、同じ記録再生
条件で、界面層B106の膜厚と消去率および繰り返し
オーバライト特性の関係を調べた。繰り返しオーバライ
ト回数は、4MHzの信号を繰り返し記録してC/Nを
測定し、初回のC/Nから3dB低下する回数として定
義した。表2に示すように、消去率は膜厚が薄いほど高
く、また、繰り返しオーバライト特性は、3〜10nm
の膜厚範囲で良好である。したがって、界面層の膜厚と
しては、3〜10nmが望ましく、消去率も加味する
と、3〜4nmが最適であることが判る。
【0032】
【表2】
【0033】<実施例4>つぎに、他の実施例について
説明する。前述した実施例1と同じ基板を用い、反射層
102としてCu95at%,Si5at%の膜を15
0nm、誘電体層A103としてZnS−SiO2の膜
を15nm、界面層A104として(GeN)90at
%,Ti10at%の膜を3nm、記録層105として
AgGeSbTe膜を18nm、界面層B106として
(GeN)90at%,Ti10at%の膜を3nm、
誘電体層B107としてZnS−SiO2膜を40n
m、誘電体層C108としてSiO2膜を35nm、誘
電体層D109としてZnS−SiO2膜を45nm、
スパッタリング法により順次積層し、これらの上に、光
透過層110として厚さ0.1mmのポリカーボネート
フィルムを紫外線硬化樹脂を用いて接着させた。なお、
界面層をスパッタリング法で形成するときのガス圧を変
化させることにより、界面層の波長400nmにおける
消衰係数を0.2〜1.1の範囲で変化させて複数のデ
ィスクを作製した。
【0034】前述実施例1と同じ光ヘッド、同じ記録再
生条件で、最適記録パワーと界面層の消衰係数の関係を
調べた。最適記録パワーは、4MHz信号の2次高調波
歪み(2ndH/C)が最小となる記録パワーとして定
義した。なお、本実施例に用いたレーザ光の最大出射パ
ワー上限は、5mWであった。以下の表3に示すよう
に、消衰係数が大きくなるにつれ、最適記録パワーが高
くなる傾向があり、消衰係数が1.1の場合には5mW
でも2ndH/Cは最小値とはならなかった。
【0035】
【表3】
【0036】<実施例5>つぎに、他の実施例について
説明する。前述した実施例1と同じ支持基板101を用
い、反射層102としてTi95at%,Cri5at
%の膜を20nm、誘電体層A103としてSiO2
を30nm、界面層A104として(GeN)85at
%,Cr15at%の膜を3nm、記録層105として
Ge2Sb2Te5の膜を18nm、界面層B106とし
て(GeN)85at%,Cr15at%の膜を3n
m、誘電体層B107としてZnS−SiO2膜を35
nm、誘電体層C108としてSiO2膜を30nm、
誘電体層D109としてZnS−SiO2膜を45n
m、スパッタリング法により順次積層し、これらの上
に、光透過層110として厚さ0.1mmのポリカーボ
ネートフィルムを紫外線硬化樹脂を用いて接着させた。
本実施例において、Ac/Aaは、1.1であった。な
お、反射層102を形成するときのガス圧を変化させる
ことにより、反射層102の熱伝導率を10〜25W/
mKの間で変化させた。
【0037】実施例1と同じ光ヘッド、同じ記録再生条
件で、反射層102の熱伝導率とクロス消去の関係を調
べた。表4に示すように、熱伝導率が低いほどクロス消
去が大きくなる傾向が確認された。クロス消去が無いの
は、反射層102の熱伝導率が20W/mK以上の場合
である。
【0038】
【表4】
【0039】<実施例6>つぎに、他の実施例について
説明する。前述した実施例1と同じ支持基板101を用
い、反射層102としてTi95at%,Cri5at
%の膜を20nm、誘電体層A103としてSiO2
を30nm、界面層A104として(GeN)85at
%,Cr15at%の膜を3nm、記録層105として
Ge2Sb2Te5膜を18nm、界面層B106として
(GeN)85at%,Cr15at%の膜を3nm、
誘電体層B107としてZnS−SiO2膜、誘電体層
C108としてSiO2膜、誘電体層D109としてZ
nS−SiO2膜をスパッタリング法により順次積層
し、これらの上に、光透過層110として厚さ0.1m
mのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂を用い
て接着させた。
【0040】また、本実施例においては、誘電体層B1
07,誘電体層C108,誘電体層D109の各膜厚を
変化させることにより、Ac/Aaを1.02〜1.1
3の範囲で変化させ、Ac/Aaとクロス消去の関係を
調べた。実施例1と同じ光ヘッド、同じ記録再生条件
で、Ac/Aaとクロス消去の関係を調べた。以下の表
5に示すように、Ac/Aaが大きいほどクロス消去が
小さくなる傾向が確認された。クロス消去が無いのは、
Ac/Aaが1.1以上の場合である。
【0041】
【表5】
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光ノイズが抑制され、クロス消去が低減された消去率の
低下が抑制されるようになるので、光ヘッドの対物レン
ズのNAを高めることで、容易に記録密度の向上が図れ
るようになるというすぐれた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態における相変化光ディス
クの構成を示す構成図である。
【図2】 本発明の実施の形態の相変化光ディスクにお
けるクロス消去特性を示す特性図である。
【図3】 本発明の実施の形態の相変化光ディスクにお
ける消去特性を示す特性図である。
【図4】 従来の相変化光ディスクにおける消去特性を
示す特性図である。
【符号の説明】
101…支持基板、102…反射層、103…誘電体層
A、104…界面層A、105…記録層、106…界面
層B、107…誘電体層B、108…誘電体層C、10
9…誘電体層D、110…光透過層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/24 G11B 7/24 535H 538 538C 538E 538F

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 支持基板上に少なくとも第1の誘電体層
    と反射層と第1の界面層と記録層と第2の界面層と第2
    の誘電体層と第3の誘電体層と第4の誘電体層とが順次
    積層され、さらに、これらの上に光透過層を備え、この
    光透過層側から照射されたレーザ光により、前記記録層
    の結晶状態を変化させて情報の記録・再生・消去を行う
    相変化光ディスクであって、 前記記録層が結晶状態にあるときのディスク反射率Rc
    が3%以上12%以下であり、 前記記録層が非晶質状態にあるときのディスク反射率R
    aと前記反射率Rcとの差の絶対値が10%であり、 前記レーザ光の波長λにおける前記第1の界面層もしく
    は前記第2の界面層の屈折率が2より大きく、 前記反射層は、銀,銅,チタン,ニッケルのいずれか1
    つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を主成分
    とすることを特徴とする相変化光ディスク。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の相変化光ディスクにおい
    て、 前記反射層は、膜厚が20nm以上200nm以下であ
    ることを特徴とする相変化光ディスク。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載の相変化光ディス
    クにおいて、 前記反射層は、熱伝導率が20W/mK以上であること
    を特徴とする相変化光ディスク。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3いずれか1項記載の相変化
    光ディスクにおいて、 前記記録層が結晶状態にあるときの光吸収率Acと、前
    記記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率Aaとの関
    係Ac/Aaが、1.1以上であることを特徴とする相
    変化光ディスク。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4いずれか1項記載の相変化
    光ディスクにおいて、 前記第2の誘電体層の屈折率n2より前記第3の誘電体
    層の屈折率n3の方が小さく、前記第4の誘電体層の屈
    折率n4より前記屈折率n3の方が小さいものであるこ
    とを特徴とする相変化光ディスク。
  6. 【請求項6】 支持基板上に少なくとも第1の誘電体層
    と反射層と第1の界面層と記録層と第2の界面層と第2
    の誘電体層とが順次積層され、さらに、これらの上に光
    透過層を備え、この光透過層側から照射されたレーザ光
    により、前記記録層の結晶状態を変化させて情報の記録
    ・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、 前記記録層が結晶状態にあるときのディスク反射率Rc
    が3%以上12%以下であり、 前記記録層が非晶質状態にあるときのディスク反射率R
    aと前記反射率Rcとの差の絶対値が10%であり、 前記レーザ光の波長λにおける前記第1の界面層もしく
    は前記第2の界面層の屈折率が2より大きく、 前記反射層は、銀,銅,チタン,ニッケルのいずれか1
    つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を主成分
    とすることを特徴とする相変化光ディスク。
  7. 【請求項7】 支持基板上に少なくとも第1の誘電体層
    と反射層と第1の界面層と記録層と第2の界面層と第2
    の誘電体層と第3の誘電体層と第4の誘電体層とが順次
    積層され、さらに、これらの上に光透過層を備え、この
    光透過層側から照射されたレーザ光により、前記記録層
    の結晶状態を変化させて情報の記録・再生・消去を行う
    相変化光ディスクであって、 前記記録層が結晶状態にあるときの光吸収率Acと、前
    記記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率Aaとの関
    係Ac/Aaが、1.1以上であることを特徴とする相
    変化光ディスク。
  8. 【請求項8】 請求項7記載の相変化光ディスクにおい
    て、 前記第2の誘電体層の屈折率n2より前記第3の誘電体
    層の屈折率n3の方が小さく、前記第4の誘電体層の屈
    折率n4より前記屈折率n3の方が小さいものであるこ
    とを特徴とする相変化光ディスク。
  9. 【請求項9】 請求項7または8記載の相変化光ディス
    クにおいて、 前記反射層は、熱伝導率が20W/mK以上であること
    を特徴とする相変化光ディスク。
  10. 【請求項10】 請求項1〜9いずれか1項記載の相変
    化光ディスクにおいて、 前記レーザ光の波長λにおける前記第1の界面層および
    第2の界面層の消衰係数が1以下であることを特徴とす
    る相変化光ディスク。
  11. 【請求項11】 請求項1〜10いずれか1項記載の相
    変化光ディスクにおいて、 前記第1の界面層および第2の界面層は、XをAl,C
    r,Ti,SiのいずれかとしたGeXN,もしくはこ
    れらの混合物から構成されたものであることを特徴とす
    る相変化光ディスク。
  12. 【請求項12】 請求項1〜10いずれか1項記載の相
    変化光ディスクにおいて、 前記第1の界面層および第2の界面層の膜厚が、3nm
    以上10nm以下であることを特徴とする相変化光ディ
    スク。
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