JP2002312978A - 相変化光ディスク - Google Patents
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ヘッドの光学系のＮＡを高めることで、容
易に記録密度の向上が図れるようにする。 【解決手段】 反射層１０２に、粒径が小さく表面荒さ
を小さく膜を形成できる、ＡｇあるいはＣｕあるいはＴ
ｉあるいはＮｉを主成分とした膜を用いる。また、記録
層１０５が結晶状態にあるときのディスクの反射率を、
記録層１０５が非晶質状態にあるときのディスクの反射
率より低くし、Ａｃ／Ａａを大きくする。
易に記録密度の向上が図れるようにする。 【解決手段】 反射層１０２に、粒径が小さく表面荒さ
を小さく膜を形成できる、ＡｇあるいはＣｕあるいはＴ
ｉあるいはＮｉを主成分とした膜を用いる。また、記録
層１０５が結晶状態にあるときのディスクの反射率を、
記録層１０５が非晶質状態にあるときのディスクの反射
率より低くし、Ａｃ／Ａａを大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光の照射に
より情報の記録と再生とを行う光学情報記録媒体であ
る、記録層における相状態を変化させて記録を行い、こ
の記録相の非晶質状態と結晶状態との光特性の差の違い
を利用して情報の再生を行う相変化光ディスクに関す
る。
より情報の記録と再生とを行う光学情報記録媒体であ
る、記録層における相状態を変化させて記録を行い、こ
の記録相の非晶質状態と結晶状態との光特性の差の違い
を利用して情報の再生を行う相変化光ディスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の光技術を利用した光学情報記録媒
体として、光磁気ディスクや相変化光ディスクが提供さ
れている。このうち相変化光ディスクは、記録層を結晶
状態と非晶質状態と似変化させることで情報の記録を行
い、また、記録相の結晶状態と非晶質状態とでの光反射
率あるいは光透過率の違いを利用して情報の再生を行っ
ている。従来の相変化光ディスクは、一般に非晶質状態
でのＡａが、結晶状態の光吸収率Ａｃよりも高くされて
いる。
体として、光磁気ディスクや相変化光ディスクが提供さ
れている。このうち相変化光ディスクは、記録層を結晶
状態と非晶質状態と似変化させることで情報の記録を行
い、また、記録相の結晶状態と非晶質状態とでの光反射
率あるいは光透過率の違いを利用して情報の再生を行っ
ている。従来の相変化光ディスクは、一般に非晶質状態
でのＡａが、結晶状態の光吸収率Ａｃよりも高くされて
いる。
【０００３】このため、高密度化のために相変化光ディ
スクの記録トラックのピッチを狭めていくと、ある記録
トラックに対してレーザ光を照射して記録層の相（結晶
状態）を変化させて記録を行った際に、隣接する記録ト
ラックに存在している光吸収率の高い非晶質記録マーク
で光吸収による昇温・結晶化、いわゆるクロス消去が生
じることになる。このようなクロス消去を防止するため
には、非晶質状態での光吸収率Ａａを、結晶状態の光吸
収率Ａｃよりも低くすることが有効である（特開２００
０−１０５９４６号公報参照）
スクの記録トラックのピッチを狭めていくと、ある記録
トラックに対してレーザ光を照射して記録層の相（結晶
状態）を変化させて記録を行った際に、隣接する記録ト
ラックに存在している光吸収率の高い非晶質記録マーク
で光吸収による昇温・結晶化、いわゆるクロス消去が生
じることになる。このようなクロス消去を防止するため
には、非晶質状態での光吸収率Ａａを、結晶状態の光吸
収率Ａｃよりも低くすることが有効である（特開２００
０−１０５９４６号公報参照）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、上述したような
光情報記録において、記録密度の向上のために、光ヘッ
ドに用いる対物レンズ（光学系）の開口数（ＮＡ）を
０．８５にまで高める技術が提案されている。この技術
では、光ディスクの支持基板とは反対側に形成された光
透過層を通してレーザ光を記録層に照射するため、反射
層や記録層からなる各層の膜形成順番が従来とは逆にな
る。このため、基板直上に粒径が大きい金属膜などから
なる反射層が形成されることになり、反射面の平坦性が
低く、光ノイズが高くなるという問題が生じていた。ま
た、開口数を高めてビーム径を小さくしているため、ビ
ームが記録層のある微小な点を通過する時間が短くなる
ため、記録層が結晶化温度以上に保持される時間が減少
し、消去率が低下してしまうという問題が生じていた。
以上説明したように、光ヘッドの光学系のＮＡを高める
ことでは、容易に記録密度を向上させることができない
という問題があった。
光情報記録において、記録密度の向上のために、光ヘッ
ドに用いる対物レンズ（光学系）の開口数（ＮＡ）を
０．８５にまで高める技術が提案されている。この技術
では、光ディスクの支持基板とは反対側に形成された光
透過層を通してレーザ光を記録層に照射するため、反射
層や記録層からなる各層の膜形成順番が従来とは逆にな
る。このため、基板直上に粒径が大きい金属膜などから
なる反射層が形成されることになり、反射面の平坦性が
低く、光ノイズが高くなるという問題が生じていた。ま
た、開口数を高めてビーム径を小さくしているため、ビ
ームが記録層のある微小な点を通過する時間が短くなる
ため、記録層が結晶化温度以上に保持される時間が減少
し、消去率が低下してしまうという問題が生じていた。
以上説明したように、光ヘッドの光学系のＮＡを高める
ことでは、容易に記録密度を向上させることができない
という問題があった。
【０００５】本発明は、以上のような問題点を解消する
ためになされたものであり、光ヘッドの光学系のＮＡを
高めることで、容易に記録密度の向上が図れるようにす
ることを目的とする。
ためになされたものであり、光ヘッドの光学系のＮＡを
高めることで、容易に記録密度の向上が図れるようにす
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の相変化光ディス
クは、支持基板上に少なくとも第１の誘電体層と反射層
と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２の誘電体
層と第３の誘電体層と第４の誘電体層とが順次積層さ
れ、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過
層側から照射されたレーザ光により、記録層の結晶状態
を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光デ
ィスクであって、記録層が結晶状態にあるときのディス
ク反射率Ｒｃが３％以上１２％以下であり、記録層が非
晶質状態にあるときのディスク反射率Ｒａと反射率Ｒｃ
との差の絶対値が１０％であり、レーザ光の波長λにお
ける第１の界面層もしくは第２の界面層の屈折率が２よ
り大きく、反射層は、銀，銅，チタン，ニッケルのいず
れか１つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を
主成分とするものである。この発明によれば、反射層の
平坦性の向上が図れ、反射層に起因したディスクノイズ
が低減する。
クは、支持基板上に少なくとも第１の誘電体層と反射層
と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２の誘電体
層と第３の誘電体層と第４の誘電体層とが順次積層さ
れ、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過
層側から照射されたレーザ光により、記録層の結晶状態
を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光デ
ィスクであって、記録層が結晶状態にあるときのディス
ク反射率Ｒｃが３％以上１２％以下であり、記録層が非
晶質状態にあるときのディスク反射率Ｒａと反射率Ｒｃ
との差の絶対値が１０％であり、レーザ光の波長λにお
ける第１の界面層もしくは第２の界面層の屈折率が２よ
り大きく、反射層は、銀，銅，チタン，ニッケルのいず
れか１つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を
主成分とするものである。この発明によれば、反射層の
平坦性の向上が図れ、反射層に起因したディスクノイズ
が低減する。
【０００７】上記発明において反射層は、膜厚が２０ｎ
ｍ以上２００ｎｍ以下であればよく、また、反射層は、
熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上である方がよい。また、上
記発明において、記録層が結晶状態にあるときの光吸収
率Ａｃと、記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率Ａ
ａとの関係Ａｃ／Ａａが、１．１以上であればよく、こ
のためには、第２の誘電体層の屈折率ｎ２より第３の誘
電体層の屈折率ｎ３の方が小さく、第４の誘電体層の屈
折率ｎ４より屈折率ｎ３の方が小さいものであるように
すればよい。
ｍ以上２００ｎｍ以下であればよく、また、反射層は、
熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上である方がよい。また、上
記発明において、記録層が結晶状態にあるときの光吸収
率Ａｃと、記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率Ａ
ａとの関係Ａｃ／Ａａが、１．１以上であればよく、こ
のためには、第２の誘電体層の屈折率ｎ２より第３の誘
電体層の屈折率ｎ３の方が小さく、第４の誘電体層の屈
折率ｎ４より屈折率ｎ３の方が小さいものであるように
すればよい。
【０００８】本発明の相変化光ディスクは、支持基板上
に少なくとも第１の誘電体層と反射層と第１の界面層と
記録層と第２の界面層と第２の誘電体層とが順次積層さ
れ、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過
層側から照射されたレーザ光により、記録層の結晶状態
を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光デ
ィスクであって、記録層が結晶状態にあるときのディス
ク反射率Ｒｃが３％以上１２％以下であり、記録層が非
晶質状態にあるときのディスク反射率Ｒａと反射率Ｒｃ
との差の絶対値が１０％であり、レーザ光の波長λにお
ける第１の界面層もしくは第２の界面層の屈折率が２よ
り大きく、反射層は、銀，銅，チタン，ニッケルのいず
れか１つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を
主成分とするものである。この発明によれば、反射層の
平坦性の向上が図れ、反射層に起因したディスクノイズ
が低減する。
に少なくとも第１の誘電体層と反射層と第１の界面層と
記録層と第２の界面層と第２の誘電体層とが順次積層さ
れ、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過
層側から照射されたレーザ光により、記録層の結晶状態
を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光デ
ィスクであって、記録層が結晶状態にあるときのディス
ク反射率Ｒｃが３％以上１２％以下であり、記録層が非
晶質状態にあるときのディスク反射率Ｒａと反射率Ｒｃ
との差の絶対値が１０％であり、レーザ光の波長λにお
ける第１の界面層もしくは第２の界面層の屈折率が２よ
り大きく、反射層は、銀，銅，チタン，ニッケルのいず
れか１つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を
主成分とするものである。この発明によれば、反射層の
平坦性の向上が図れ、反射層に起因したディスクノイズ
が低減する。
【０００９】本発明の相変化光ディスクは、支持基板上
に少なくとも第１の誘電体層と反射層と第１の界面層と
記録層と第２の界面層と第２の誘電体層と第３の誘電体
層と第４の誘電体層とが順次積層され、さらに、これら
の上に光透過層を備え、この光透過層側から照射された
レーザ光により、記録層の結晶状態を変化させて情報の
記録・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、記
録層が結晶状態にあるときの光吸収率Ａｃと、記録層が
非晶質状態にあるときの光吸収率Ａａとの関係Ａｃ／Ａ
ａが、１．１以上としたものである。この発明によれ
ば、クロス消去が低減される。
に少なくとも第１の誘電体層と反射層と第１の界面層と
記録層と第２の界面層と第２の誘電体層と第３の誘電体
層と第４の誘電体層とが順次積層され、さらに、これら
の上に光透過層を備え、この光透過層側から照射された
レーザ光により、記録層の結晶状態を変化させて情報の
記録・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、記
録層が結晶状態にあるときの光吸収率Ａｃと、記録層が
非晶質状態にあるときの光吸収率Ａａとの関係Ａｃ／Ａ
ａが、１．１以上としたものである。この発明によれ
ば、クロス消去が低減される。
【００１０】上記発明において、第２の誘電体層の屈折
率ｎ２より第３の誘電体層の屈折率ｎ３の方が小さく、
第４の誘電体層の屈折率ｎ４より屈折率ｎ３の方が小さ
いものとすればよい。また、反射層は、熱伝導率が２０
Ｗ／ｍＫ以上がよく、レーザ光の波長λにおける第１の
界面層および第２の界面層の消衰係数が１以下でればよ
い。
率ｎ２より第３の誘電体層の屈折率ｎ３の方が小さく、
第４の誘電体層の屈折率ｎ４より屈折率ｎ３の方が小さ
いものとすればよい。また、反射層は、熱伝導率が２０
Ｗ／ｍＫ以上がよく、レーザ光の波長λにおける第１の
界面層および第２の界面層の消衰係数が１以下でればよ
い。
【００１１】また、上述した発明において、第１の界面
層および第２の界面層は、ＸをＡｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉ
のいずれかとしたＧｅＸＮ，もしくはこれらの混合物か
ら構成すればよく、また、第１の界面層および第２の界
面層の膜厚が、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下とした方がよ
い。
層および第２の界面層は、ＸをＡｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉ
のいずれかとしたＧｅＸＮ，もしくはこれらの混合物か
ら構成すればよく、また、第１の界面層および第２の界
面層の膜厚が、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下とした方がよ
い。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態
における相変化光ディスクの構成を概略的に示す断面図
である。この相変化光ディスクは、ポリカーボネートや
ガラスなどからなる厚さ０．６ｍｍ〜２ｍｍ程度の支持
基板１０１上に、反射層１０２，誘電体層Ａ１０３，界
面層Ａ１０４，記録層１０５，界面層Ｂ１０６，誘電体
層Ｂ１０７，誘電体層Ｃ１０８，誘電体層Ｄ１０９，光
透過層１１０を備えた構造である。この層変化光ディス
クに対する情報の記録、再生・消去は、光透過層１１０
よりレーザ光を照射して行う。なお、支持基板１０１に
は、アルミニウム（Ａｌ）およびこの合金を用いるよう
にしても良い。
て図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態
における相変化光ディスクの構成を概略的に示す断面図
である。この相変化光ディスクは、ポリカーボネートや
ガラスなどからなる厚さ０．６ｍｍ〜２ｍｍ程度の支持
基板１０１上に、反射層１０２，誘電体層Ａ１０３，界
面層Ａ１０４，記録層１０５，界面層Ｂ１０６，誘電体
層Ｂ１０７，誘電体層Ｃ１０８，誘電体層Ｄ１０９，光
透過層１１０を備えた構造である。この層変化光ディス
クに対する情報の記録、再生・消去は、光透過層１１０
よりレーザ光を照射して行う。なお、支持基板１０１に
は、アルミニウム（Ａｌ）およびこの合金を用いるよう
にしても良い。
【００１３】支持基板側からレーザ光を入射して情報の
記録・消去・再生を行う従来の相変化光ディスクに用い
る反射層としては、Ａｌを主成分とした金属膜が良く用
いられてきた。Ａｌを主成分とした反射層の形成では、
プロセスの時間の短縮などのため、スパッタリング法が
用いられている。しかしながら、スパッタリング法によ
り高速に膜を形成しようとすると、膜を構成する粒径が
大きくなり、また表面荒さも大きくなりやすい。また、
反射層としてＡｌ膜を形成し、引き続いて、他の膜を形
成した場合、Ａｌ膜の表面荒さの影響で他の膜の表面荒
れも大きくなる。この結果、反射面に表面荒れが存在
し、また信号光が通過する膜においても膜荒れが存在す
ることになり、信号光におけるノイズが増大してしまう
という問題が生じていた。
記録・消去・再生を行う従来の相変化光ディスクに用い
る反射層としては、Ａｌを主成分とした金属膜が良く用
いられてきた。Ａｌを主成分とした反射層の形成では、
プロセスの時間の短縮などのため、スパッタリング法が
用いられている。しかしながら、スパッタリング法によ
り高速に膜を形成しようとすると、膜を構成する粒径が
大きくなり、また表面荒さも大きくなりやすい。また、
反射層としてＡｌ膜を形成し、引き続いて、他の膜を形
成した場合、Ａｌ膜の表面荒さの影響で他の膜の表面荒
れも大きくなる。この結果、反射面に表面荒れが存在
し、また信号光が通過する膜においても膜荒れが存在す
ることになり、信号光におけるノイズが増大してしまう
という問題が生じていた。
【００１４】これら反射層に起因したノイズを低減する
ためには、反射層１０２に、粒径が小さく表面荒さを小
さく膜を形成できるＡｇあるいはＣｕあるいはＴｉある
いはＮｉを主成分とした膜を用いることが望ましい。い
ずれの場合でも主成分の組成比は７０ａｔ％以上である
ことが望ましく、Ａｇの場合には、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｒｔ，
Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｉなどを添加成分として用いることがで
きる。Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉの場合には、Ｓｉ，Ｃｒ，Ｗな
ど、または、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉを相互に、あるいはＡｇ
を添加成分として用いることができる。
ためには、反射層１０２に、粒径が小さく表面荒さを小
さく膜を形成できるＡｇあるいはＣｕあるいはＴｉある
いはＮｉを主成分とした膜を用いることが望ましい。い
ずれの場合でも主成分の組成比は７０ａｔ％以上である
ことが望ましく、Ａｇの場合には、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｒｔ，
Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｉなどを添加成分として用いることがで
きる。Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉの場合には、Ｓｉ，Ｃｒ，Ｗな
ど、または、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉを相互に、あるいはＡｇ
を添加成分として用いることができる。
【００１５】上述した材料を用いたいずれの反射層１０
２でも、厚くしすぎるとノイズ上昇を招くので、膜厚は
２００ｎｍ以下とすることが望ましい。しかしながら、
薄すぎると反射率が低くなってしまい反射層としての機
能を十分に果たすことができず、また、ヒートシンクと
しての機能も十分に果たすことができないので、２０ｎ
ｍ以上の膜厚が必要である。
２でも、厚くしすぎるとノイズ上昇を招くので、膜厚は
２００ｎｍ以下とすることが望ましい。しかしながら、
薄すぎると反射率が低くなってしまい反射層としての機
能を十分に果たすことができず、また、ヒートシンクと
しての機能も十分に果たすことができないので、２０ｎ
ｍ以上の膜厚が必要である。
【００１６】また、反射層に起因したディスクノイズを
低減するためには、ディスク反射率を低くすることが有
効である。ディスク反射率は、光透過層１１０より入射
した光の反射状態を示すものであり、反射層のみの反射
率ではなく、相変化光ディスク全体の反射率である。反
射層に起因したディスクノイズは、反射率と相関（一般
には二乗で比例）があるので、ディスク反射率が低いほ
どディスクノイズを抑制することが可能になる。
低減するためには、ディスク反射率を低くすることが有
効である。ディスク反射率は、光透過層１１０より入射
した光の反射状態を示すものであり、反射層のみの反射
率ではなく、相変化光ディスク全体の反射率である。反
射層に起因したディスクノイズは、反射率と相関（一般
には二乗で比例）があるので、ディスク反射率が低いほ
どディスクノイズを抑制することが可能になる。
【００１７】したがって、記録層１０５が結晶状態にあ
るときのディスク反射率Ｒｃは、１２％以下であること
が望ましい。ただし、この反射率が低すぎると、信号読
み出しのためのサーボが不安定になり、また、アドレス
検出用などに形成されたプリピット信号の読み取り精度
が低下するなどの問題が生じる。したがって、Ｒｃは３
％以上であることが望ましい。また、十分な信号振幅を
得るためには、ＲｃとＲａとの差が１０％以上であるこ
とが望ましい。
るときのディスク反射率Ｒｃは、１２％以下であること
が望ましい。ただし、この反射率が低すぎると、信号読
み出しのためのサーボが不安定になり、また、アドレス
検出用などに形成されたプリピット信号の読み取り精度
が低下するなどの問題が生じる。したがって、Ｒｃは３
％以上であることが望ましい。また、十分な信号振幅を
得るためには、ＲｃとＲａとの差が１０％以上であるこ
とが望ましい。
【００１８】一方、クロス消去低減のためには、Ａｃ／
Ａａは大きい方が望ましく、少なくとも１．１以上であ
ることが望ましい。Ａｃ／Ａａを大きくするには、記録
層１０５が結晶状態にあるときのディスクの反射率を、
記録層１０５が非晶質状態にあるときのディスクの反射
率より低くすればよい。このためには、光透過層１１０
と記録層１０５の間に、誘電体層Ｂ１０７，誘電体層Ｃ
１０８，誘電体層Ｄ１０９からなる多層誘電体層を形成
し、各層の屈折率の関係が、ｎ２＞ｎ３かつｎ４＞ｎ３
を満たすようにすると良い。なお、誘電体層Ｂ１０７の
屈折率をｎ２，誘電体層Ｃ１０８の屈折率をｎ３，誘電
体層Ｄ１０９の屈折率をｎ４としている。
Ａａは大きい方が望ましく、少なくとも１．１以上であ
ることが望ましい。Ａｃ／Ａａを大きくするには、記録
層１０５が結晶状態にあるときのディスクの反射率を、
記録層１０５が非晶質状態にあるときのディスクの反射
率より低くすればよい。このためには、光透過層１１０
と記録層１０５の間に、誘電体層Ｂ１０７，誘電体層Ｃ
１０８，誘電体層Ｄ１０９からなる多層誘電体層を形成
し、各層の屈折率の関係が、ｎ２＞ｎ３かつｎ４＞ｎ３
を満たすようにすると良い。なお、誘電体層Ｂ１０７の
屈折率をｎ２，誘電体層Ｃ１０８の屈折率をｎ３，誘電
体層Ｄ１０９の屈折率をｎ４としている。
【００１９】さらに、ｎ２とｎ３の屈折率の差およびｎ
３とｎ４の屈折率の差を大きくすればするほど、Ａｃ／
Ａａを大きくできる各層の膜厚の組み合わせが多くな
り、設計の自由度が増すので、ｎ２とｎ３の差、および
ｎ３とｎ４の差は０．４以上あることが望ましい。な
お、上述では記録層１０５と光透過層１１０との間に３
つの誘電体層を備えるようにしたが、これに限るもので
はなく、４層以上の誘電体層を備えるようにしても良
い。なお、クロス消去低減のためには、反射層１０２の
熱伝導率は高い方が望ましく、少なくとも２０Ｗ／ｍＫ
以上であることが望ましい。
３とｎ４の屈折率の差を大きくすればするほど、Ａｃ／
Ａａを大きくできる各層の膜厚の組み合わせが多くな
り、設計の自由度が増すので、ｎ２とｎ３の差、および
ｎ３とｎ４の差は０．４以上あることが望ましい。な
お、上述では記録層１０５と光透過層１１０との間に３
つの誘電体層を備えるようにしたが、これに限るもので
はなく、４層以上の誘電体層を備えるようにしても良
い。なお、クロス消去低減のためには、反射層１０２の
熱伝導率は高い方が望ましく、少なくとも２０Ｗ／ｍＫ
以上であることが望ましい。
【００２０】また、界面層Ａ１０４および界面層Ｂ１０
６は、記録層１０５の結晶化を促進する役割を果たして
おり、光ヘッドの光学系のＮＡが高くビーム径が小さい
場合に、記録層１０５が結晶化温度以上に保持される時
間が減少した際の消去率低下を抑制している。記録層１
０５の剥離等によるピンホールやバースト等の欠陥を生
じさせないためには、界面層としては、応力が低く、記
録層との付着力（接着力）が良好な材料が適しており、
具体的には、ＧｅＮＸ（ＸはＡｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉの
いずれか、あるいは、これらの混合物；Ｘの組成比は５
〜３０ａｔ％）が好適である。
６は、記録層１０５の結晶化を促進する役割を果たして
おり、光ヘッドの光学系のＮＡが高くビーム径が小さい
場合に、記録層１０５が結晶化温度以上に保持される時
間が減少した際の消去率低下を抑制している。記録層１
０５の剥離等によるピンホールやバースト等の欠陥を生
じさせないためには、界面層としては、応力が低く、記
録層との付着力（接着力）が良好な材料が適しており、
具体的には、ＧｅＮＸ（ＸはＡｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉの
いずれか、あるいは、これらの混合物；Ｘの組成比は５
〜３０ａｔ％）が好適である。
【００２１】しかしながら、窒化物と相変化記録膜（記
録層１０５）との付着力はそれほど高くないので、界面
層を厚くしすぎると剥離が生じやすくなる。この薄利を
防ぐため、界面層の膜厚は、１０ｎｍ以下であることが
望ましいが、薄すぎると膜自体の欠陥が多くなってしま
うので、３ｎｍ以上の膜厚が必要である。また、界面層
でのレーザ光吸収が大きい場合には、記録層での光吸収
が低下してしまい、記録に際して高いレーザーパワーが
必要となるため、界面層での光吸収はできるだけ小さい
方が望ましく、そのためには、波長λにおける界面層の
消衰係数ｋは１以下であることが望ましい。
録層１０５）との付着力はそれほど高くないので、界面
層を厚くしすぎると剥離が生じやすくなる。この薄利を
防ぐため、界面層の膜厚は、１０ｎｍ以下であることが
望ましいが、薄すぎると膜自体の欠陥が多くなってしま
うので、３ｎｍ以上の膜厚が必要である。また、界面層
でのレーザ光吸収が大きい場合には、記録層での光吸収
が低下してしまい、記録に際して高いレーザーパワーが
必要となるため、界面層での光吸収はできるだけ小さい
方が望ましく、そのためには、波長λにおける界面層の
消衰係数ｋは１以下であることが望ましい。
【００２２】
【実施例】＜実施例１＞以下、本発明の実施例を説明す
る。図１において、支持基板１０１として厚さ１．２ｍ
ｍのポリカーボネイトを用い、この支持基板１０１上
に、まず、以下の各膜をスパッタリング法により順次積
層した。反射層１０２としてＡｇ９８ａｔ％，Ｐｄ１ａ
ｔ％，Ｃｕ１ａｔ％からなる金属膜を１５０ｎｍ、誘電
体層Ａ１０３としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、界面層Ａ１
０４および界面層Ｂ１０６として（ＧｅＮ）９０ａｔ
％，Ａｌ１０ａｔ％からなる膜を５ｎｍ、記録層１０５
としてＡｇＧｅＳｂＴｅ膜を１５ｎｍ、誘電体層Ｂ１０
７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる膜を３０ｎｍ、誘電
体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、誘電体層Ｄ
１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を５０ｎｍ積層した。
この後、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートフィルムを
紫外線硬化樹脂（接着剤）を用いて、誘電体層Ｄ１０９
上に接着させ、光透過層１１０とした。また、支持基板
１０１の図示しない案内溝のピッチ（トラックピッチ）
は０．６μｍとした。
る。図１において、支持基板１０１として厚さ１．２ｍ
ｍのポリカーボネイトを用い、この支持基板１０１上
に、まず、以下の各膜をスパッタリング法により順次積
層した。反射層１０２としてＡｇ９８ａｔ％，Ｐｄ１ａ
ｔ％，Ｃｕ１ａｔ％からなる金属膜を１５０ｎｍ、誘電
体層Ａ１０３としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、界面層Ａ１
０４および界面層Ｂ１０６として（ＧｅＮ）９０ａｔ
％，Ａｌ１０ａｔ％からなる膜を５ｎｍ、記録層１０５
としてＡｇＧｅＳｂＴｅ膜を１５ｎｍ、誘電体層Ｂ１０
７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる膜を３０ｎｍ、誘電
体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、誘電体層Ｄ
１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を５０ｎｍ積層した。
この後、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートフィルムを
紫外線硬化樹脂（接着剤）を用いて、誘電体層Ｄ１０９
上に接着させ、光透過層１１０とした。また、支持基板
１０１の図示しない案内溝のピッチ（トラックピッチ）
は０．６μｍとした。
【００２３】この相変化光ディスクにおいて記録層１０
５の結晶状態と非晶質状態の各光吸収率を測定したとこ
ろ、Ａｃは９０％、Ａａは６０％であった。この相変化
光ディスクを線速度５ｍ／ｓで回転させ、波長４００ｎ
ｍのレーザビームを照射するＮＡ０．８５の光学系から
構成された光ヘッドを用いて測定を行った。なお、波長
４００ｎｍにおける各層の光学定数（ｎ，ｋ）は、Ｇｅ
ＮＡｌが（２．３，０．３）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2が
（２．３５，０．０１）、ＳｉＯ2が（１．５４，０）
であった。
５の結晶状態と非晶質状態の各光吸収率を測定したとこ
ろ、Ａｃは９０％、Ａａは６０％であった。この相変化
光ディスクを線速度５ｍ／ｓで回転させ、波長４００ｎ
ｍのレーザビームを照射するＮＡ０．８５の光学系から
構成された光ヘッドを用いて測定を行った。なお、波長
４００ｎｍにおける各層の光学定数（ｎ，ｋ）は、Ｇｅ
ＮＡｌが（２．３，０．３）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2が
（２．３５，０．０１）、ＳｉＯ2が（１．５４，０）
であった。
【００２４】記録再生特性評価では、まず、ランド部
（支持基板の案内溝間の平坦部）に４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
＝５０％の信号を記録した後、隣接する両側グルーブ部
に５ＭＨｚ、ｄｕｔｙ＝５０％の信号を繰り返し記録
し、４ＭＨｚ信号のキャリアの変化を測定した。図２か
ら明らかなように、隣接グルーブ部で情報の書き換えを
繰り返し行っても、４ＭＨｚの信号はまったく影響を受
けない。
（支持基板の案内溝間の平坦部）に４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
＝５０％の信号を記録した後、隣接する両側グルーブ部
に５ＭＨｚ、ｄｕｔｙ＝５０％の信号を繰り返し記録
し、４ＭＨｚ信号のキャリアの変化を測定した。図２か
ら明らかなように、隣接グルーブ部で情報の書き換えを
繰り返し行っても、４ＭＨｚの信号はまったく影響を受
けない。
【００２５】なお、図２には、隣接するトラックに情報
を記録していない状態で測定した４ＭＨｚ信号のキャリ
アＣｉと、隣接トラックで５ＭＨｚの信号を所定回数繰
り返し記録した後で測定した４ＭＨｚ信号のキャリアＣ
ａとの差（Ｃｉ−Ｃａ）を示した。なお、４ＭＨｚ信号
のＣ／Ｎは５５Ｂと高い値であった。また、この相変化
光ディスクを用いて、消去率を測定したところ、図３に
示すように、３０ｄＢ以上の高い消去率が得られた。な
お、消去率は、４ＭＨｚ信号に１６ＭＨｚ信号をオーバ
ライトした際の４ＭＨｚ信号の減衰比として測定した。
を記録していない状態で測定した４ＭＨｚ信号のキャリ
アＣｉと、隣接トラックで５ＭＨｚの信号を所定回数繰
り返し記録した後で測定した４ＭＨｚ信号のキャリアＣ
ａとの差（Ｃｉ−Ｃａ）を示した。なお、４ＭＨｚ信号
のＣ／Ｎは５５Ｂと高い値であった。また、この相変化
光ディスクを用いて、消去率を測定したところ、図３に
示すように、３０ｄＢ以上の高い消去率が得られた。な
お、消去率は、４ＭＨｚ信号に１６ＭＨｚ信号をオーバ
ライトした際の４ＭＨｚ信号の減衰比として測定した。
【００２６】＜比較例１＞上記実施例と同じ支持基板，
反射層，記録層，誘電体層，光透過層を用い、界面層Ａ
および界面層Ｂを付加していないディスクを作製し、上
記実施例と同じ条件で消去率の測定を行った。図４に示
すように、１５ｄＢ程度の低い消去率しか得られなかっ
た。界面層の付加により消去率が著しく向上しているこ
とが判る。
反射層，記録層，誘電体層，光透過層を用い、界面層Ａ
および界面層Ｂを付加していないディスクを作製し、上
記実施例と同じ条件で消去率の測定を行った。図４に示
すように、１５ｄＢ程度の低い消去率しか得られなかっ
た。界面層の付加により消去率が著しく向上しているこ
とが判る。
【００２７】＜比較例２＞上記実施例と同じ支持基板，
記録層，界面層，誘電体層，光透過層を用い、反射層と
してＡｌ９０ａｔ％，Ｔｉ１０ａｔ％の金属膜を膜厚１
５０ｎｍに形成したディスクを作製し、上記実施例と同
じ光ヘッド、同じ記録再生条件でＣ／Ｎの測定を行っ
た。ノイズが高く、Ｃ／Ｎは５０ｄＢ程度であり、上記
実施例に比べて５ ｄＢ低い値しか得られなかった。
記録層，界面層，誘電体層，光透過層を用い、反射層と
してＡｌ９０ａｔ％，Ｔｉ１０ａｔ％の金属膜を膜厚１
５０ｎｍに形成したディスクを作製し、上記実施例と同
じ光ヘッド、同じ記録再生条件でＣ／Ｎの測定を行っ
た。ノイズが高く、Ｃ／Ｎは５０ｄＢ程度であり、上記
実施例に比べて５ ｄＢ低い値しか得られなかった。
【００２８】＜実施例２＞つぎに、本発明の他の実施例
について説明する。前述した実施例１とほぼ同一の層構
成とし、誘電体層Ｂ１０７，誘電体層Ｃ１０８，誘電体
層Ｄ１０９の各膜厚を変化させ、Ｒｃを３％から１５％
の間で変化させた複数のディスクを形成した。これら各
ディスクを前述した実施例１と同じ光ヘッドを用い、線
速度５ｍ／ｓ，記録線密度０．１１６μｍ／ｂｉｔの条
件で、エラーレートの測定を行った。この測定の結果、
以下の表１に示すように、反射率１２％以下で１ｅ−４
以下のビットエラーレートが得られていることが判る。
について説明する。前述した実施例１とほぼ同一の層構
成とし、誘電体層Ｂ１０７，誘電体層Ｃ１０８，誘電体
層Ｄ１０９の各膜厚を変化させ、Ｒｃを３％から１５％
の間で変化させた複数のディスクを形成した。これら各
ディスクを前述した実施例１と同じ光ヘッドを用い、線
速度５ｍ／ｓ，記録線密度０．１１６μｍ／ｂｉｔの条
件で、エラーレートの測定を行った。この測定の結果、
以下の表１に示すように、反射率１２％以下で１ｅ−４
以下のビットエラーレートが得られていることが判る。
【００２９】
【表１】
【００３０】＜実施例３＞つぎに、他の実施例について
説明する。前述した実施例１と同じ支持基板１０１を用
い、反射層１０２としてＮｉ８０ａｔ％，Ｃｒ２０ａｔ
％の金属膜を１００ｎｍ形成し、誘電体層Ａ１０３とし
てＡｌ2Ｏ3膜を２０ｎｍ形成し、界面層Ａ１０４として
（ＧｅＮ）８０ａｔ％，Ｃｒ２０ａｔ％の膜を２ｎｍ〜
１２ｎｍ形成し、記録層１０５としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5
の膜を１３ｎｍ形成し、界面層Ｂ１０６として（Ｇｅ
Ｎ）８０ａｔ％，Ｃｒ２０ａｔ％の膜を２ｎｍ〜１２ｎ
ｍ形成し、誘電体層Ｂ１０７としてＳｉＮ膜を４０ｎｍ
形成し、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を２０ｎｍ
形成し、誘電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を
５０ｎｍ形成し、かつ、光透過層１１０として厚さ０．
１ｍｍのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂を
用いて接着させた。なお、光透過層１１０以外は、スパ
ッタリング法により順次積層した。
説明する。前述した実施例１と同じ支持基板１０１を用
い、反射層１０２としてＮｉ８０ａｔ％，Ｃｒ２０ａｔ
％の金属膜を１００ｎｍ形成し、誘電体層Ａ１０３とし
てＡｌ2Ｏ3膜を２０ｎｍ形成し、界面層Ａ１０４として
（ＧｅＮ）８０ａｔ％，Ｃｒ２０ａｔ％の膜を２ｎｍ〜
１２ｎｍ形成し、記録層１０５としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5
の膜を１３ｎｍ形成し、界面層Ｂ１０６として（Ｇｅ
Ｎ）８０ａｔ％，Ｃｒ２０ａｔ％の膜を２ｎｍ〜１２ｎ
ｍ形成し、誘電体層Ｂ１０７としてＳｉＮ膜を４０ｎｍ
形成し、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を２０ｎｍ
形成し、誘電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を
５０ｎｍ形成し、かつ、光透過層１１０として厚さ０．
１ｍｍのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂を
用いて接着させた。なお、光透過層１１０以外は、スパ
ッタリング法により順次積層した。
【００３１】このように形成した相変化光ディスクにつ
いて、前述した実施例１と同じ光ヘッド、同じ記録再生
条件で、界面層Ｂ１０６の膜厚と消去率および繰り返し
オーバライト特性の関係を調べた。繰り返しオーバライ
ト回数は、４ＭＨｚの信号を繰り返し記録してＣ／Ｎを
測定し、初回のＣ／Ｎから３ｄＢ低下する回数として定
義した。表２に示すように、消去率は膜厚が薄いほど高
く、また、繰り返しオーバライト特性は、３〜１０ｎｍ
の膜厚範囲で良好である。したがって、界面層の膜厚と
しては、３〜１０ｎｍが望ましく、消去率も加味する
と、３〜４ｎｍが最適であることが判る。
いて、前述した実施例１と同じ光ヘッド、同じ記録再生
条件で、界面層Ｂ１０６の膜厚と消去率および繰り返し
オーバライト特性の関係を調べた。繰り返しオーバライ
ト回数は、４ＭＨｚの信号を繰り返し記録してＣ／Ｎを
測定し、初回のＣ／Ｎから３ｄＢ低下する回数として定
義した。表２に示すように、消去率は膜厚が薄いほど高
く、また、繰り返しオーバライト特性は、３〜１０ｎｍ
の膜厚範囲で良好である。したがって、界面層の膜厚と
しては、３〜１０ｎｍが望ましく、消去率も加味する
と、３〜４ｎｍが最適であることが判る。
【００３２】
【表２】
【００３３】＜実施例４＞つぎに、他の実施例について
説明する。前述した実施例１と同じ基板を用い、反射層
１０２としてＣｕ９５ａｔ％，Ｓｉ５ａｔ％の膜を１５
０ｎｍ、誘電体層Ａ１０３としてＺｎＳ−ＳｉＯ2の膜
を１５ｎｍ、界面層Ａ１０４として（ＧｅＮ）９０ａｔ
％，Ｔｉ１０ａｔ％の膜を３ｎｍ、記録層１０５として
ＡｇＧｅＳｂＴｅ膜を１８ｎｍ、界面層Ｂ１０６として
（ＧｅＮ）９０ａｔ％，Ｔｉ１０ａｔ％の膜を３ｎｍ、
誘電体層Ｂ１０７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を４０ｎ
ｍ、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を３５ｎｍ、誘
電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を４５ｎｍ、
スパッタリング法により順次積層し、これらの上に、光
透過層１１０として厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート
フィルムを紫外線硬化樹脂を用いて接着させた。なお、
界面層をスパッタリング法で形成するときのガス圧を変
化させることにより、界面層の波長４００ｎｍにおける
消衰係数を０．２〜１．１の範囲で変化させて複数のデ
ィスクを作製した。
説明する。前述した実施例１と同じ基板を用い、反射層
１０２としてＣｕ９５ａｔ％，Ｓｉ５ａｔ％の膜を１５
０ｎｍ、誘電体層Ａ１０３としてＺｎＳ−ＳｉＯ2の膜
を１５ｎｍ、界面層Ａ１０４として（ＧｅＮ）９０ａｔ
％，Ｔｉ１０ａｔ％の膜を３ｎｍ、記録層１０５として
ＡｇＧｅＳｂＴｅ膜を１８ｎｍ、界面層Ｂ１０６として
（ＧｅＮ）９０ａｔ％，Ｔｉ１０ａｔ％の膜を３ｎｍ、
誘電体層Ｂ１０７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を４０ｎ
ｍ、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を３５ｎｍ、誘
電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を４５ｎｍ、
スパッタリング法により順次積層し、これらの上に、光
透過層１１０として厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート
フィルムを紫外線硬化樹脂を用いて接着させた。なお、
界面層をスパッタリング法で形成するときのガス圧を変
化させることにより、界面層の波長４００ｎｍにおける
消衰係数を０．２〜１．１の範囲で変化させて複数のデ
ィスクを作製した。
【００３４】前述実施例１と同じ光ヘッド、同じ記録再
生条件で、最適記録パワーと界面層の消衰係数の関係を
調べた。最適記録パワーは、４ＭＨｚ信号の２次高調波
歪み（２ｎｄＨ／Ｃ）が最小となる記録パワーとして定
義した。なお、本実施例に用いたレーザ光の最大出射パ
ワー上限は、５ｍＷであった。以下の表３に示すよう
に、消衰係数が大きくなるにつれ、最適記録パワーが高
くなる傾向があり、消衰係数が１．１の場合には５ｍＷ
でも２ｎｄＨ／Ｃは最小値とはならなかった。
生条件で、最適記録パワーと界面層の消衰係数の関係を
調べた。最適記録パワーは、４ＭＨｚ信号の２次高調波
歪み（２ｎｄＨ／Ｃ）が最小となる記録パワーとして定
義した。なお、本実施例に用いたレーザ光の最大出射パ
ワー上限は、５ｍＷであった。以下の表３に示すよう
に、消衰係数が大きくなるにつれ、最適記録パワーが高
くなる傾向があり、消衰係数が１．１の場合には５ｍＷ
でも２ｎｄＨ／Ｃは最小値とはならなかった。
【００３５】
【表３】
【００３６】＜実施例５＞つぎに、他の実施例について
説明する。前述した実施例１と同じ支持基板１０１を用
い、反射層１０２としてＴｉ９５ａｔ％，Ｃｒｉ５ａｔ
％の膜を２０ｎｍ、誘電体層Ａ１０３としてＳｉＯ2膜
を３０ｎｍ、界面層Ａ１０４として（ＧｅＮ）８５ａｔ
％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎｍ、記録層１０５として
Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5の膜を１８ｎｍ、界面層Ｂ１０６とし
て（ＧｅＮ）８５ａｔ％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎ
ｍ、誘電体層Ｂ１０７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を３５
ｎｍ、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、
誘電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を４５ｎ
ｍ、スパッタリング法により順次積層し、これらの上
に、光透過層１１０として厚さ０．１ｍｍのポリカーボ
ネートフィルムを紫外線硬化樹脂を用いて接着させた。
本実施例において、Ａｃ／Ａａは、１．１であった。な
お、反射層１０２を形成するときのガス圧を変化させる
ことにより、反射層１０２の熱伝導率を１０〜２５Ｗ／
ｍＫの間で変化させた。
説明する。前述した実施例１と同じ支持基板１０１を用
い、反射層１０２としてＴｉ９５ａｔ％，Ｃｒｉ５ａｔ
％の膜を２０ｎｍ、誘電体層Ａ１０３としてＳｉＯ2膜
を３０ｎｍ、界面層Ａ１０４として（ＧｅＮ）８５ａｔ
％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎｍ、記録層１０５として
Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5の膜を１８ｎｍ、界面層Ｂ１０６とし
て（ＧｅＮ）８５ａｔ％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎ
ｍ、誘電体層Ｂ１０７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を３５
ｎｍ、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、
誘電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を４５ｎ
ｍ、スパッタリング法により順次積層し、これらの上
に、光透過層１１０として厚さ０．１ｍｍのポリカーボ
ネートフィルムを紫外線硬化樹脂を用いて接着させた。
本実施例において、Ａｃ／Ａａは、１．１であった。な
お、反射層１０２を形成するときのガス圧を変化させる
ことにより、反射層１０２の熱伝導率を１０〜２５Ｗ／
ｍＫの間で変化させた。
【００３７】実施例１と同じ光ヘッド、同じ記録再生条
件で、反射層１０２の熱伝導率とクロス消去の関係を調
べた。表４に示すように、熱伝導率が低いほどクロス消
去が大きくなる傾向が確認された。クロス消去が無いの
は、反射層１０２の熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上の場合
である。
件で、反射層１０２の熱伝導率とクロス消去の関係を調
べた。表４に示すように、熱伝導率が低いほどクロス消
去が大きくなる傾向が確認された。クロス消去が無いの
は、反射層１０２の熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上の場合
である。
【００３８】
【表４】
【００３９】＜実施例６＞つぎに、他の実施例について
説明する。前述した実施例１と同じ支持基板１０１を用
い、反射層１０２としてＴｉ９５ａｔ％，Ｃｒｉ５ａｔ
％の膜を２０ｎｍ、誘電体層Ａ１０３としてＳｉＯ2膜
を３０ｎｍ、界面層Ａ１０４として（ＧｅＮ）８５ａｔ
％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎｍ、記録層１０５として
Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜を１８ｎｍ、界面層Ｂ１０６として
（ＧｅＮ）８５ａｔ％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎｍ、
誘電体層Ｂ１０７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜、誘電体層
Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜、誘電体層Ｄ１０９としてＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2膜をスパッタリング法により順次積層
し、これらの上に、光透過層１１０として厚さ０．１ｍ
ｍのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂を用い
て接着させた。
説明する。前述した実施例１と同じ支持基板１０１を用
い、反射層１０２としてＴｉ９５ａｔ％，Ｃｒｉ５ａｔ
％の膜を２０ｎｍ、誘電体層Ａ１０３としてＳｉＯ2膜
を３０ｎｍ、界面層Ａ１０４として（ＧｅＮ）８５ａｔ
％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎｍ、記録層１０５として
Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜を１８ｎｍ、界面層Ｂ１０６として
（ＧｅＮ）８５ａｔ％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎｍ、
誘電体層Ｂ１０７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜、誘電体層
Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜、誘電体層Ｄ１０９としてＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2膜をスパッタリング法により順次積層
し、これらの上に、光透過層１１０として厚さ０．１ｍ
ｍのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂を用い
て接着させた。
【００４０】また、本実施例においては、誘電体層Ｂ１
０７，誘電体層Ｃ１０８，誘電体層Ｄ１０９の各膜厚を
変化させることにより、Ａｃ／Ａａを１．０２〜１．１
３の範囲で変化させ、Ａｃ／Ａａとクロス消去の関係を
調べた。実施例１と同じ光ヘッド、同じ記録再生条件
で、Ａｃ／Ａａとクロス消去の関係を調べた。以下の表
５に示すように、Ａｃ／Ａａが大きいほどクロス消去が
小さくなる傾向が確認された。クロス消去が無いのは、
Ａｃ／Ａａが１．１以上の場合である。
０７，誘電体層Ｃ１０８，誘電体層Ｄ１０９の各膜厚を
変化させることにより、Ａｃ／Ａａを１．０２〜１．１
３の範囲で変化させ、Ａｃ／Ａａとクロス消去の関係を
調べた。実施例１と同じ光ヘッド、同じ記録再生条件
で、Ａｃ／Ａａとクロス消去の関係を調べた。以下の表
５に示すように、Ａｃ／Ａａが大きいほどクロス消去が
小さくなる傾向が確認された。クロス消去が無いのは、
Ａｃ／Ａａが１．１以上の場合である。
【００４１】
【表５】
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光ノイズが抑制され、クロス消去が低減された消去率の
低下が抑制されるようになるので、光ヘッドの対物レン
ズのＮＡを高めることで、容易に記録密度の向上が図れ
るようになるというすぐれた効果が得られる。
光ノイズが抑制され、クロス消去が低減された消去率の
低下が抑制されるようになるので、光ヘッドの対物レン
ズのＮＡを高めることで、容易に記録密度の向上が図れ
るようになるというすぐれた効果が得られる。
【図１】 本発明の実施の形態における相変化光ディス
クの構成を示す構成図である。
クの構成を示す構成図である。
【図２】 本発明の実施の形態の相変化光ディスクにお
けるクロス消去特性を示す特性図である。
けるクロス消去特性を示す特性図である。
【図３】 本発明の実施の形態の相変化光ディスクにお
ける消去特性を示す特性図である。
ける消去特性を示す特性図である。
【図４】 従来の相変化光ディスクにおける消去特性を
示す特性図である。
示す特性図である。
１０１…支持基板、１０２…反射層、１０３…誘電体層
Ａ、１０４…界面層Ａ、１０５…記録層、１０６…界面
層Ｂ、１０７…誘電体層Ｂ、１０８…誘電体層Ｃ、１０
９…誘電体層Ｄ、１１０…光透過層。
Ａ、１０４…界面層Ａ、１０５…記録層、１０６…界面
層Ｂ、１０７…誘電体層Ｂ、１０８…誘電体層Ｃ、１０
９…誘電体層Ｄ、１１０…光透過層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｈ ５３８ ５３８Ｃ ５３８Ｅ ５３８Ｆ
Claims (12)
- 【請求項１】 支持基板上に少なくとも第１の誘電体層
と反射層と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２
の誘電体層と第３の誘電体層と第４の誘電体層とが順次
積層され、さらに、これらの上に光透過層を備え、この
光透過層側から照射されたレーザ光により、前記記録層
の結晶状態を変化させて情報の記録・再生・消去を行う
相変化光ディスクであって、 前記記録層が結晶状態にあるときのディスク反射率Ｒｃ
が３％以上１２％以下であり、 前記記録層が非晶質状態にあるときのディスク反射率Ｒ
ａと前記反射率Ｒｃとの差の絶対値が１０％であり、 前記レーザ光の波長λにおける前記第１の界面層もしく
は前記第２の界面層の屈折率が２より大きく、 前記反射層は、銀，銅，チタン，ニッケルのいずれか１
つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を主成分
とすることを特徴とする相変化光ディスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の相変化光ディスクにおい
て、 前記反射層は、膜厚が２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であ
ることを特徴とする相変化光ディスク。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の相変化光ディス
クにおいて、 前記反射層は、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上であること
を特徴とする相変化光ディスク。 - 【請求項４】 請求項１〜３いずれか１項記載の相変化
光ディスクにおいて、 前記記録層が結晶状態にあるときの光吸収率Ａｃと、前
記記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率Ａａとの関
係Ａｃ／Ａａが、１．１以上であることを特徴とする相
変化光ディスク。 - 【請求項５】 請求項１〜４いずれか１項記載の相変化
光ディスクにおいて、 前記第２の誘電体層の屈折率ｎ２より前記第３の誘電体
層の屈折率ｎ３の方が小さく、前記第４の誘電体層の屈
折率ｎ４より前記屈折率ｎ３の方が小さいものであるこ
とを特徴とする相変化光ディスク。 - 【請求項６】 支持基板上に少なくとも第１の誘電体層
と反射層と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２
の誘電体層とが順次積層され、さらに、これらの上に光
透過層を備え、この光透過層側から照射されたレーザ光
により、前記記録層の結晶状態を変化させて情報の記録
・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、 前記記録層が結晶状態にあるときのディスク反射率Ｒｃ
が３％以上１２％以下であり、 前記記録層が非晶質状態にあるときのディスク反射率Ｒ
ａと前記反射率Ｒｃとの差の絶対値が１０％であり、 前記レーザ光の波長λにおける前記第１の界面層もしく
は前記第２の界面層の屈折率が２より大きく、 前記反射層は、銀，銅，チタン，ニッケルのいずれか１
つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を主成分
とすることを特徴とする相変化光ディスク。 - 【請求項７】 支持基板上に少なくとも第１の誘電体層
と反射層と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２
の誘電体層と第３の誘電体層と第４の誘電体層とが順次
積層され、さらに、これらの上に光透過層を備え、この
光透過層側から照射されたレーザ光により、前記記録層
の結晶状態を変化させて情報の記録・再生・消去を行う
相変化光ディスクであって、 前記記録層が結晶状態にあるときの光吸収率Ａｃと、前
記記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率Ａａとの関
係Ａｃ／Ａａが、１．１以上であることを特徴とする相
変化光ディスク。 - 【請求項８】 請求項７記載の相変化光ディスクにおい
て、 前記第２の誘電体層の屈折率ｎ２より前記第３の誘電体
層の屈折率ｎ３の方が小さく、前記第４の誘電体層の屈
折率ｎ４より前記屈折率ｎ３の方が小さいものであるこ
とを特徴とする相変化光ディスク。 - 【請求項９】 請求項７または８記載の相変化光ディス
クにおいて、 前記反射層は、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上であること
を特徴とする相変化光ディスク。 - 【請求項１０】 請求項１〜９いずれか１項記載の相変
化光ディスクにおいて、 前記レーザ光の波長λにおける前記第１の界面層および
第２の界面層の消衰係数が１以下であることを特徴とす
る相変化光ディスク。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０いずれか１項記載の相
変化光ディスクにおいて、 前記第１の界面層および第２の界面層は、ＸをＡｌ，Ｃ
ｒ，Ｔｉ，ＳｉのいずれかとしたＧｅＸＮ，もしくはこ
れらの混合物から構成されたものであることを特徴とす
る相変化光ディスク。 - 【請求項１２】 請求項１〜１０いずれか１項記載の相
変化光ディスクにおいて、 前記第１の界面層および第２の界面層の膜厚が、３ｎｍ
以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする相変化光ディ
スク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001119239A JP2002312978A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | 相変化光ディスク |
| US10/119,355 US6649241B2 (en) | 2001-04-18 | 2002-04-09 | Phase-change optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001119239A JP2002312978A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | 相変化光ディスク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005143144A Division JP2005235394A (ja) | 2005-05-16 | 2005-05-16 | 相変化光ディスク |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002312978A true JP2002312978A (ja) | 2002-10-25 |
Family
ID=18969492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001119239A Pending JP2002312978A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | 相変化光ディスク |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2002312978A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006510157A (ja) * | 2002-12-13 | 2006-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 書き換え可能型光記録担体 |
| US7494700B2 (en) | 2004-03-03 | 2009-02-24 | Nec Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
| US7767285B2 (en) | 2003-10-29 | 2010-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording medium |
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| TW200744091A (en) * | 2006-05-17 | 2007-12-01 | Victor Company Of Japan | Phase-change optical storage medium |
| US20070269670A1 (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Ronald Wilmer | Multilayered structures and their use as optical storage media |
| EP2139001A1 (en) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | Deutsche Thomson OHG | Storage medium for optical data and optical data disc |
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| US6410115B1 (en) * | 1999-02-26 | 2002-06-25 | Ritek Corporation | Multi-rewritable optical recording medium with surface plasmon super-resolution layer |
| JP2000322770A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体 |
| JP3289716B2 (ja) | 1999-10-20 | 2002-06-10 | 日本電気株式会社 | 相変化光ディスク |
| US6406771B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-06-18 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium and optical recording apparatus |
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| JP2003162844A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Toshiba Corp | 光学情報記録媒体 |
-
2001
- 2001-04-18 JP JP2001119239A patent/JP2002312978A/ja active Pending
-
2002
- 2002-04-09 US US10/119,355 patent/US6649241B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006510157A (ja) * | 2002-12-13 | 2006-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 書き換え可能型光記録担体 |
| US8325586B2 (en) | 2002-12-13 | 2012-12-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Rewritable optical record carrier |
| US7767285B2 (en) | 2003-10-29 | 2010-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording medium |
| US7494700B2 (en) | 2004-03-03 | 2009-02-24 | Nec Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6649241B2 (en) | 2003-11-18 |
| US20020192424A1 (en) | 2002-12-19 |
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