JPS60219654A - 光メモリ素子 - Google Patents
光メモリ素子Info
- Publication number
- JPS60219654A JPS60219654A JP59075541A JP7554184A JPS60219654A JP S60219654 A JPS60219654 A JP S60219654A JP 59075541 A JP59075541 A JP 59075541A JP 7554184 A JP7554184 A JP 7554184A JP S60219654 A JPS60219654 A JP S60219654A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxygen
- moisture
- optical memory
- recording
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明はレーザ光により、情報の記録再生または消去が
可能な光メモリ素子に関するものである。
可能な光メモリ素子に関するものである。
〈発明の技術的背景とその問題点〉
近年、高密度大容量高速アクセス静穏々の要求を満足し
得る光メモリ素子の研究開発が活発に推進されている。
得る光メモリ素子の研究開発が活発に推進されている。
これらの光メモリ素子は、一般に第５図にその断面を示
すような構造となっている。
すような構造となっている。
即ち透明な基板１に真空蒸着やスパッタリング等の製膜
手段により記録膜、２を設けその記録膜２を保護するた
めに保護層３を設けたものである。
手段により記録膜、２を設けその記録膜２を保護するた
めに保護層３を設けたものである。
この基本構成は光メモリ素子の種類により種々の変化が
ある。
ある。
たとえば情報の書き換えができる光磁気メモリ素子にお
いては、本出願人が先に特願昭５７−２２０９９９とし
て提案しているようにガラス基板４、ＡｔＮやＳｉ３Ｎ
４等酸素を含まない誘電体層５、希土類遷移金属合金薄
膜の記録膜６、酸素を含まない誘電体層７及び反射膜層
８により構成されている（第６図参照）。
いては、本出願人が先に特願昭５７−２２０９９９とし
て提案しているようにガラス基板４、ＡｔＮやＳｉ３Ｎ
４等酸素を含まない誘電体層５、希土類遷移金属合金薄
膜の記録膜６、酸素を含まない誘電体層７及び反射膜層
８により構成されている（第６図参照）。
この第６図の構成において、誘電体層５はガラス基板４
の酸素が記録膜６に混入することを防ぐと共に記録膜６
の磁気光学効果を高める働きをする。又、誘電体層７と
反射膜層８は協働して反射膜層８の外側からの酸素の混
入を含ぐと共に記録層６を通りぬけた光を反射させるこ
とにより、磁気光学効果を高める働きをする。
の酸素が記録膜６に混入することを防ぐと共に記録膜６
の磁気光学効果を高める働きをする。又、誘電体層７と
反射膜層８は協働して反射膜層８の外側からの酸素の混
入を含ぐと共に記録層６を通りぬけた光を反射させるこ
とにより、磁気光学効果を高める働きをする。
希土類遷移金属を主成分とする記録膜６は酸素や湿気に
弱く、第６図の様な保護膜を設けた構成にしなければ大
気中に１週間程度放置すると、酸化とみられるピンホー
ルの発生が見られる。
弱く、第６図の様な保護膜を設けた構成にしなければ大
気中に１週間程度放置すると、酸化とみられるピンホー
ルの発生が見られる。
第６図のような構成にすることで大気中８０°Ｃ雰囲気
に放置したり、６０°Ｃ１９５％の高温高湿雰囲気に２
〜３ケ月放置しても記録膜中央部には何の変化も見られ
なかった。しかし第７図の９のような記録膜６の端面か
ら水や酸素が入り記録膜６０周辺部が劣化してくる現象
は依然として残っていることが判明した。
に放置したり、６０°Ｃ１９５％の高温高湿雰囲気に２
〜３ケ月放置しても記録膜中央部には何の変化も見られ
なかった。しかし第７図の９のような記録膜６の端面か
ら水や酸素が入り記録膜６０周辺部が劣化してくる現象
は依然として残っていることが判明した。
〈発明の目的〉
本発明は上記の点に鑑み水分、酸素等による記録媒体の
腐蝕に対して信頼性の高い光メモリ素子を提供すること
を目的として成されたものであシ、この目的を達成する
ため、本発明の光メモリ素子は記録媒体膜を第１及び第
２の耐湿耐酸素性層によって挟持した構造の光メモリ素
子において、上記の記録媒体膜の端面を保護する耐湿耐
酸素性保護膜を備えるように構成されて・いる。
腐蝕に対して信頼性の高い光メモリ素子を提供すること
を目的として成されたものであシ、この目的を達成する
ため、本発明の光メモリ素子は記録媒体膜を第１及び第
２の耐湿耐酸素性層によって挟持した構造の光メモリ素
子において、上記の記録媒体膜の端面を保護する耐湿耐
酸素性保護膜を備えるように構成されて・いる。
〈発明の実施例〉
本発明の詳細な説明する前に、本発明の詳細な説明する
と、本発明は水分や酸素等に弱い記録膜の端面を誘電体
や金属膜等の水分、酸素に強い（以下耐湿耐酸素性と称
す）膜でおおい記録膜を外気等の酸素や水分に直接接し
ないように成したことを特徴としている。
と、本発明は水分や酸素等に弱い記録膜の端面を誘電体
や金属膜等の水分、酸素に強い（以下耐湿耐酸素性と称
す）膜でおおい記録膜を外気等の酸素や水分に直接接し
ないように成したことを特徴としている。
以下本発明に係る光メモリ素子の実施例について図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光メモリ素子の端面を示す図であ
り、第６図に示した光メモリ素子と同一部分は同一符号
で示している。第１図において、４は透明基板、５はＡ
ｔＮあるいはＳ ｉ ４Ｎ４等の酸素を含まない誘電体
膜、６は希土類遷移金属合金薄膜の記録膜、７は酸素を
含まない誘電体層、８は反射膜層であり酸素、水分等に
弱い記録膜６をＡｔＮ等酸素を含まない誘電体膜５及び
７よりも狭い面積に形成し、記録膜６を直接外気や酸素
、水分等を含有したシ、通過させたシする層から隔離す
るように成されている。
り、第６図に示した光メモリ素子と同一部分は同一符号
で示している。第１図において、４は透明基板、５はＡ
ｔＮあるいはＳ ｉ ４Ｎ４等の酸素を含まない誘電体
膜、６は希土類遷移金属合金薄膜の記録膜、７は酸素を
含まない誘電体層、８は反射膜層であり酸素、水分等に
弱い記録膜６をＡｔＮ等酸素を含まない誘電体膜５及び
７よりも狭い面積に形成し、記録膜６を直接外気や酸素
、水分等を含有したシ、通過させたシする層から隔離す
るように成されている。
即ちこの場合上記記録膜６よシ延出して形成された誘電
体膜５及び７の周辺部５１及び７１が記録膜６の端面６
１を保護する耐湿耐酸素性保護膜として作用することに
なる。この場合、特に誘電体膜５と７が窒化膜のような
同質の膜で形成されていると境界ＩＯがなくなり、この
境界から生ずる記録膜６の劣化がなくなシよシ効果的で
ある。
体膜５及び７の周辺部５１及び７１が記録膜６の端面６
１を保護する耐湿耐酸素性保護膜として作用することに
なる。この場合、特に誘電体膜５と７が窒化膜のような
同質の膜で形成されていると境界ＩＯがなくなり、この
境界から生ずる記録膜６の劣化がなくなシよシ効果的で
ある。
本発明による光メモリ素子の構成は透明基板４が、アク
リルやポリカーボネート等透湿性の樹脂基板の場合も有
効である。
リルやポリカーボネート等透湿性の樹脂基板の場合も有
効である。
この構成で６０℃、９５％の高温高湿に光メモリ素子を
放置したが周辺部も含めて何の変化も示さなかった。
放置したが周辺部も含めて何の変化も示さなかった。
第２図は本発明に係る光メモリ素子の他の実施例の端面
を示す図であり、第１図と同一部分は同一符号で示して
いる。
を示す図であり、第１図と同一部分は同一符号で示して
いる。
第２図において、ＡｔＮ等の誘電体膜５ 、ＧｄＴｂＦ
ｅやＧｄＮｄＦｅ、、ＴｂＦｅ、、ＴｂＦｅＣｏ 等希
土類遷移金属薄膜よりなる記録膜６、ＡｔＮ等の誘電体
膜７を透明基板４よりも少い面積に形成し、その上から
Ａ ｔ 、 Ｎ ’＋ ＋ Ｃｒ Ｎステンレス等耐久
性（耐湿耐酸素性）の良い反射膜８をコートして、記録
膜６の端面６Ｉを外気や基板等にふれさせない構造に成
されている。
ｅやＧｄＮｄＦｅ、、ＴｂＦｅ、、ＴｂＦｅＣｏ 等希
土類遷移金属薄膜よりなる記録膜６、ＡｔＮ等の誘電体
膜７を透明基板４よりも少い面積に形成し、その上から
Ａ ｔ 、 Ｎ ’＋ ＋ Ｃｒ Ｎステンレス等耐久
性（耐湿耐酸素性）の良い反射膜８をコートして、記録
膜６の端面６Ｉを外気や基板等にふれさせない構造に成
されている。
このような構成により、上記誘電体膜５．７及び記録膜
６より延出して形成され、基板４に密接されている反射
膜８の周辺部８Ｉが記録膜６の端面６１を保護する耐湿
耐酸素性保護膜として作用することになる。
６より延出して形成され、基板４に密接されている反射
膜８の周辺部８Ｉが記録膜６の端面６１を保護する耐湿
耐酸素性保護膜として作用することになる。
本発明は上記したように、水分や酸素等に弱い記録膜の
端面を誘電体や金属膜等の水分、酸素に強い膜で覆い、
記録膜を外気等の酸素や水分に直接接しないようにする
ことを特徴とするものであるから、本発明の他の実施例
として、例えば第３図に示すような構成をとることも可
能である。
端面を誘電体や金属膜等の水分、酸素に強い膜で覆い、
記録膜を外気等の酸素や水分に直接接しないようにする
ことを特徴とするものであるから、本発明の他の実施例
として、例えば第３図に示すような構成をとることも可
能である。
即ち、透明基板４の端面４１を約１２０’ｎｍ切９込み
、次いでＡｔＮ等の酸素を含まない膜５と５′を約１０
０ ｎｍ、 ＧｄＴｂＦｅ等の記録膜６と６′を約２０
ｎｍ、ＡｔＮ等酸素を含まない膜７と７′約５０ｎｍ−
。
、次いでＡｔＮ等の酸素を含まない膜５と５′を約１０
０ ｎｍ、 ＧｄＴｂＦｅ等の記録膜６と６′を約２０
ｎｍ、ＡｔＮ等酸素を含まない膜７と７′約５０ｎｍ−
。
反射膜８と８′を１５０ｎｍ 形成するようにした構造
である。
である。
この構造においては記録膜６′は端面６１′が外気にふ
れているため劣化するが、記録膜６の端面６１は反射膜
８′で保護されているため劣化することはない。
れているため劣化するが、記録膜６の端面６１は反射膜
８′で保護されているため劣化することはない。
このような構成によ、！７６′の部分を記録膜として使
用しなければ実用上劣化しない素子構造となる。
用しなければ実用上劣化しない素子構造となる。
各膜厚や切り込み部は必ずしも上記の例に限定される必
要はなく記録膜の端面が、他の安定な膜の端面と重なる
構造であれば良い。
要はなく記録膜の端面が、他の安定な膜の端面と重なる
構造であれば良い。
上記各実施例ではいずれも基板４の端面と何等かの膜端
面、たとえば第２図における反射膜端面が同一面になっ
ているが、必ずしもその必要がなく、第２図に示す構造
の改良として第４図に示すごとくすべての膜を基板よシ
も少い面積に形成しても良い。
面、たとえば第２図における反射膜端面が同一面になっ
ているが、必ずしもその必要がなく、第２図に示す構造
の改良として第４図に示すごとくすべての膜を基板よシ
も少い面積に形成しても良い。
第４図に示す例では同じ光メモリ素子を２枚はり合わせ
た例を示しており、１１は紫外線硬化剤等の接着剤であ
る。
た例を示しており、１１は紫外線硬化剤等の接着剤であ
る。
本発明の説明は光メモリ素子に限定しているが主旨の範
囲で他のメモリ素子にも適用可能である。
囲で他のメモリ素子にも適用可能である。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、光メモリ素子の記録膜端
面を外気等の劣化原因から保護することができ信頼性の
高いメモリ素子を提供することが可能となる。
面を外気等の劣化原因から保護することができ信頼性の
高いメモリ素子を提供することが可能となる。
第１図は本発明に係る光メモリ素子の一実施例の端面を
示す一部拡大図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明に
係る光メモリ素子の他の実施例の端面を示す一部拡大図
、第４図は第２図に示す構造を改良した他の実施例を示
す図、第５図は従来の光メモリ素子の一部拡大断面図、
第６図は従来の光磁気メモリ素子の一部拡大断面図、第
、７図は光磁気メモリ素子の端面を示す図である。 ４・・・透明基板、５・・誘電体層、６・・・記録層、
７・・・誘電体層、８・・・反射膜層、９・・・素子の
端面、１０・・・誘電体層の境界。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第２図 第３図 第５図 第６図 第７図
示す一部拡大図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明に
係る光メモリ素子の他の実施例の端面を示す一部拡大図
、第４図は第２図に示す構造を改良した他の実施例を示
す図、第５図は従来の光メモリ素子の一部拡大断面図、
第６図は従来の光磁気メモリ素子の一部拡大断面図、第
、７図は光磁気メモリ素子の端面を示す図である。 ４・・・透明基板、５・・誘電体層、６・・・記録層、
７・・・誘電体層、８・・・反射膜層、９・・・素子の
端面、１０・・・誘電体層の境界。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第２図 第３図 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、記録媒体膜を第１及び第２の耐湿耐酸素性層によっ
て挾持した構造の光メモリ素子において、上記記録媒体
膜の端面を保護する耐湿耐酸素性保護膜を備えたことを
特徴とする光メモリ素子０ ２ 上記第１及び第２の耐湿耐酸素性層を上記記録媒体
膜よシ延設せしめて該記録媒体膜の端面を保護する保護
膜となしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光メモリ素子。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075541A JPS60219654A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光メモリ素子 |
| US06/721,707 US4719137A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-10 | Magneto-optic memory element |
| CA000478873A CA1234916A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-11 | Magneto-optic memory element |
| DE19853587538 DE3587538T2 (de) | 1984-04-13 | 1985-04-12 | Magneto-optisches Speicherelement. |
| EP85302580A EP0161807B1 (en) | 1984-04-13 | 1985-04-12 | Magneto-optic memory element |
| EP19880201371 EP0297689B1 (en) | 1984-04-13 | 1985-04-12 | Magneto-optic memory element |
| DE8585302580T DE3581230D1 (de) | 1984-04-13 | 1985-04-12 | Magneto-optisches speicherelement. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075541A JPS60219654A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光メモリ素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064317A Division JP2511199B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 光メモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219654A true JPS60219654A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13579162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59075541A Pending JPS60219654A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光メモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219654A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258747A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS6154054A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体 |
| JPS6240651A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-21 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP59075541A patent/JPS60219654A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258747A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS6154054A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体 |
| JPH0580735B2 (ja) * | 1984-08-23 | 1993-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS6240651A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-21 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体 |
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