JP2511199B2 - 光メモリ素子 - Google Patents
光メモリ素子Info
- Publication number
- JP2511199B2 JP2511199B2 JP3064317A JP6431791A JP2511199B2 JP 2511199 B2 JP2511199 B2 JP 2511199B2 JP 3064317 A JP3064317 A JP 3064317A JP 6431791 A JP6431791 A JP 6431791A JP 2511199 B2 JP2511199 B2 JP 2511199B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxygen
- optical memory
- memory device
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光により情報の記
録再生または消去が可能な光メモリ素子に関するもので
ある。
録再生または消去が可能な光メモリ素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度大容量高速アクセス等種々
の要求を満足し得る光メモリ素子の研究開発が活発に推
進されている。これらの光メモリ素子は、一般に図２に
その断面を示すような構造となっている。すなわち、透
明な基板１に真空蒸着やスパッタリング等の製膜手段に
より記録膜２を設け、その記録膜２を保護するために保
護層３を設けたものである。
の要求を満足し得る光メモリ素子の研究開発が活発に推
進されている。これらの光メモリ素子は、一般に図２に
その断面を示すような構造となっている。すなわち、透
明な基板１に真空蒸着やスパッタリング等の製膜手段に
より記録膜２を設け、その記録膜２を保護するために保
護層３を設けたものである。
【０００３】この基本構成は光メモリ素子の種類によっ
て種々の変化がある。
て種々の変化がある。
【０００４】例えば、情報の書き換えができる光磁気メ
モリ素子においては、本出願人が先に特願昭５７−２２
０９９９（特開昭５９−１１００５２）として提案して
いるように（図３参照）ガラス基板４、ＡｌＮやＳｉ3
Ｎ4等酸素を含まない誘電体層５、希土類遷移金属合金
薄膜の記録膜６、酸素を含まない誘電体層７及び反射膜
層８により構成されている。
モリ素子においては、本出願人が先に特願昭５７−２２
０９９９（特開昭５９−１１００５２）として提案して
いるように（図３参照）ガラス基板４、ＡｌＮやＳｉ3
Ｎ4等酸素を含まない誘電体層５、希土類遷移金属合金
薄膜の記録膜６、酸素を含まない誘電体層７及び反射膜
層８により構成されている。
【０００５】この図３の構成において、誘電体層５はガ
ラス基板４の酸素が記録膜６に混入することを防ぐと共
に記録膜６の磁気光学効果を高める働きをする。また、
誘電体層７と反射膜層８は協働して反射膜層８の外側か
らの酸素の混入を防ぐと共に記録層６を通り抜けた光を
反射させることにより、磁気光学効果を高める働きをす
る。
ラス基板４の酸素が記録膜６に混入することを防ぐと共
に記録膜６の磁気光学効果を高める働きをする。また、
誘電体層７と反射膜層８は協働して反射膜層８の外側か
らの酸素の混入を防ぐと共に記録層６を通り抜けた光を
反射させることにより、磁気光学効果を高める働きをす
る。
【０００６】希土類遷移金属を主成分とする記録膜６は
酸素や湿気に弱く、図３のような保護膜を設けた構成に
しなければ、大気中に１週間程度放置すると、酸化が原
因と思われるピンホールの発生が見られる。
酸素や湿気に弱く、図３のような保護膜を設けた構成に
しなければ、大気中に１週間程度放置すると、酸化が原
因と思われるピンホールの発生が見られる。
【０００７】図３のような構成にすることで大気中８０
°Ｃ雰囲気に放置したり、６０°Ｃ、９５％の高温高湿
雰囲気に２〜３カ月放置しても記録膜中央部には何の変
化も見られなかった。
°Ｃ雰囲気に放置したり、６０°Ｃ、９５％の高温高湿
雰囲気に２〜３カ月放置しても記録膜中央部には何の変
化も見られなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】これに対して周辺部で
は、図４の符号９を付した部分のような記録膜６の端面
から水や酸素が入り、記録膜６が劣化してくる現象は依
然として残っていることが判明した。
は、図４の符号９を付した部分のような記録膜６の端面
から水や酸素が入り、記録膜６が劣化してくる現象は依
然として残っていることが判明した。
【０００９】そこで、本発明の目的は光メモリ素子の構
造を、記録膜の端面からの水分や酸素等の侵入を防止す
る構造にすることによって、水分や酸素等による記録媒
体の腐食を防止して信頼性の高い光メモリ素子を提供す
ることにある。
造を、記録膜の端面からの水分や酸素等の侵入を防止す
る構造にすることによって、水分や酸素等による記録媒
体の腐食を防止して信頼性の高い光メモリ素子を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は端部を切り込んだ透明基板と、該透明基
板の上に形成された記録媒体膜と、該記録媒体膜の上に
形成された耐湿耐酸素性を有する膜とからなり、該耐湿
耐酸素性を有する膜の膜厚を前記記録媒体膜の膜厚より
も大きくするとともに、前記透明基板端部の切り込み深
さを前記記録媒体膜の端面が前記耐湿耐酸素性の膜の端
面によって覆われるように設定することを特徴とする光
メモリ素子である。
めに、本発明は端部を切り込んだ透明基板と、該透明基
板の上に形成された記録媒体膜と、該記録媒体膜の上に
形成された耐湿耐酸素性を有する膜とからなり、該耐湿
耐酸素性を有する膜の膜厚を前記記録媒体膜の膜厚より
も大きくするとともに、前記透明基板端部の切り込み深
さを前記記録媒体膜の端面が前記耐湿耐酸素性の膜の端
面によって覆われるように設定することを特徴とする光
メモリ素子である。
【００１１】
【作用】端部を記録媒体膜の膜厚よりも大きく切り込ん
だ透明基板に記録媒体膜と耐湿耐酸素性を有する膜とを
製膜すると、膜相互のズレを利用して記録媒体膜の端面
を耐湿耐酸素性の膜の端面で覆うことができる。これに
よって、記録膜を外気等の酸素や水分に直接接しない構
造とすることができ、光メモリ素子の記録媒体膜の腐食
を防止し得る。
だ透明基板に記録媒体膜と耐湿耐酸素性を有する膜とを
製膜すると、膜相互のズレを利用して記録媒体膜の端面
を耐湿耐酸素性の膜の端面で覆うことができる。これに
よって、記録膜を外気等の酸素や水分に直接接しない構
造とすることができ、光メモリ素子の記録媒体膜の腐食
を防止し得る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る光メモリ素子の実施例に
ついて図面を用いて詳細に説明する。
ついて図面を用いて詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明に係る光メモリ素子の実施例
の端面の断面を示す図であり、図３及び図４に示した光
メモリ素子と同一の部分は同一の符号を付してある。
の端面の断面を示す図であり、図３及び図４に示した光
メモリ素子と同一の部分は同一の符号を付してある。
【００１４】図１において符号４は透明基板、５はＡｌ
ＮあるいはＳｉ3Ｎ4等の酸素を含まない誘電体膜、６は
ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＮｄＦｅ、ＴｂＦｅやＴｂＦｅＣｏ
等の希土類遷移金属合金薄膜で構成された記録膜、７は
ＡｌＮ等の酸素を含まない誘電体膜、８はＡｌ、Ｎｉ、
Ｃｒあるいはステンレス等の耐湿耐酸素性のよい物質で
構成される反射膜層である。
ＮあるいはＳｉ3Ｎ4等の酸素を含まない誘電体膜、６は
ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＮｄＦｅ、ＴｂＦｅやＴｂＦｅＣｏ
等の希土類遷移金属合金薄膜で構成された記録膜、７は
ＡｌＮ等の酸素を含まない誘電体膜、８はＡｌ、Ｎｉ、
Ｃｒあるいはステンレス等の耐湿耐酸素性のよい物質で
構成される反射膜層である。
【００１５】ここで、透明基板４の端面４１を約１２０
ｎｍ切り込み、次いでＡｌＮ等の酸素を含まない膜５と
５ａを約１００ｎｍ、ＧｄＴｂＦｅ等の記録膜６と６ａ
を約２０ｎｍ、ＡｌＮ等酸素を含まない膜７と７ａとを
約５０ｎｍ、反射膜８と８ａとを約１５０ｎｍ形成する
ようにした構造である。
ｎｍ切り込み、次いでＡｌＮ等の酸素を含まない膜５と
５ａを約１００ｎｍ、ＧｄＴｂＦｅ等の記録膜６と６ａ
を約２０ｎｍ、ＡｌＮ等酸素を含まない膜７と７ａとを
約５０ｎｍ、反射膜８と８ａとを約１５０ｎｍ形成する
ようにした構造である。
【００１６】この構造においては、記録膜６ａは端面６
１ａが外気に触れているため劣化するが、記録膜６の端
面６１は反射膜８ａで保護されているため劣化すること
はない。
１ａが外気に触れているため劣化するが、記録膜６の端
面６１は反射膜８ａで保護されているため劣化すること
はない。
【００１７】このような構成により記録膜６の端面６１
を外気や酸素、水分等から隔離するようになされてい
る。要するに、段付けされた基板上に形成された反射膜
８の端部が記録膜６の端面６１を保護する耐湿耐酸素性
保護膜として作用することになる。
を外気や酸素、水分等から隔離するようになされてい
る。要するに、段付けされた基板上に形成された反射膜
８の端部が記録膜６の端面６１を保護する耐湿耐酸素性
保護膜として作用することになる。
【００１８】このような構成は透明基板４がアクリルや
ポリカーボネイト等の透湿性の樹脂基板の場合にも有効
である。
ポリカーボネイト等の透湿性の樹脂基板の場合にも有効
である。
【００１９】この構成で６０°Ｃ、９５％の高温高湿に
光メモリ素子を放置したが、周辺部も含めて何の変化も
示さなかった。
光メモリ素子を放置したが、周辺部も含めて何の変化も
示さなかった。
【００２０】本発明は上記したように、水分や酸素等に
弱い記録膜の端面を誘電体や金属膜等の水分、酸素に強
い膜で覆い、記録膜を外気等の酸素や水分に直接接しな
いようにすることを特徴とするものであるから、具体的
な構成は図１記載のものには限られない。すなわち、各
膜厚や切り込み部は必ずしも上記の例に限定される必要
はなく、記録膜の端面が他の安定な膜の端面と重なる構
造であれば良い。
弱い記録膜の端面を誘電体や金属膜等の水分、酸素に強
い膜で覆い、記録膜を外気等の酸素や水分に直接接しな
いようにすることを特徴とするものであるから、具体的
な構成は図１記載のものには限られない。すなわち、各
膜厚や切り込み部は必ずしも上記の例に限定される必要
はなく、記録膜の端面が他の安定な膜の端面と重なる構
造であれば良い。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明より明らかのように、本発明
の光メモリ素子では端部を記録媒体膜の膜厚よりも大き
く切り込んだ透明基板に記録媒体膜と耐湿耐酸素性を有
する膜とを製膜することによって、膜相互のズレを利用
して記録媒体膜の端面を耐湿耐酸素性の膜の端面で覆う
構成を採用するので、光メモリ素子の記録膜端面を外気
等の劣化原因から保護することができ信頼性の高い光メ
モリ素子を提供することが可能となる。
の光メモリ素子では端部を記録媒体膜の膜厚よりも大き
く切り込んだ透明基板に記録媒体膜と耐湿耐酸素性を有
する膜とを製膜することによって、膜相互のズレを利用
して記録媒体膜の端面を耐湿耐酸素性の膜の端面で覆う
構成を採用するので、光メモリ素子の記録膜端面を外気
等の劣化原因から保護することができ信頼性の高い光メ
モリ素子を提供することが可能となる。
【図１】本発明に係る光メモリ素子の一実施例の端面を
示す一部拡大図である。
示す一部拡大図である。
【図２】従来の光メモリ素子の一部拡大断面図である。
【図３】従来の光磁気メモリ素子の一部拡大断面図であ
る。
る。
【図４】光磁気メモリ素子の端面を示す図である。
４ 透明基板 ５ 誘電体膜 ６ 記録膜 ７ 誘電体膜 ８ 反射膜層 ９ 素子の端面 １１ 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広兼 順司 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (72)発明者 村上 善照 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−152552（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】端部を切り込んだ透明基板と、 該透明基板の上に形成された記録媒体膜と、 該記録媒体膜の上に形成された耐湿耐酸素性を有する膜
とからなり、 該耐湿耐酸素性を有する膜の膜厚を前記記録媒体膜の膜
厚よりも大きくするとともに、前記透明基板端部の切り
込み深さを前記記録媒体膜の端面が前記耐湿耐酸素性の
膜の端面によって覆われるように設定することを特徴と
する光メモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064317A JP2511199B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 光メモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064317A JP2511199B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 光メモリ素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59075541A Division JPS60219654A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212741A JPH04212741A (ja) | 1992-08-04 |
| JP2511199B2 true JP2511199B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=13254740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064317A Expired - Lifetime JP2511199B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 光メモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511199B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152552A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064317A patent/JP2511199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04212741A (ja) | 1992-08-04 |
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