JPH0379779B2 - - Google Patents
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- JPH0379779B2 JPH0379779B2 JP57149806A JP14980682A JPH0379779B2 JP H0379779 B2 JPH0379779 B2 JP H0379779B2 JP 57149806 A JP57149806 A JP 57149806A JP 14980682 A JP14980682 A JP 14980682A JP H0379779 B2 JPH0379779 B2 JP H0379779B2
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- thin film
- film
- magnetic thin
- amorphous magnetic
- magneto
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はレーザ光を用いて情報の記録・再生・
消去を行なうことのできる磁気光学記憶素子に関
する。
消去を行なうことのできる磁気光学記憶素子に関
する。
（従来技術）
近年、情報の記録・再生・消去が可能な光記憶
素子の開発が磁気光学記憶素子を中心に活発に推
進されている。又、この磁気光学記憶素子の構造
の中で高い評価を受けているものとして反射膜構
造の素子がある。第１図に反射膜構造の素子の一
例の側面図を示す。同図で１はガラス、アクリル
樹脂等よりなる透明基板、２はSiO、SiO2、
Si3N4等の透明薄膜、３はGdTbFe、TbDyFe、
GdCo、TbFe、GdTbDyFe等の希土類・遷移金
属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４はSiO、
SiO2、Si3N4等の透明薄膜、５はCu、Al、Au、
Ag等の反射膜である。以上の反射膜構造の素子
は非晶質磁性体薄膜３の厚みを100〓程度と非常
に薄くしている為透明基板１側から入射した入射
レーザ光が非晶質磁性体薄膜３を透過し該透過し
た光が反射膜５にて反射される。従つて非晶質磁
性体薄膜３表面にて入射レーザが反射された光の
カー効果と上記した非晶質磁性体薄膜３を透過し
該透過した光が反射膜属５にて反射され再び非晶
質磁性体薄膜３を透過する光のフアラデー効果と
が相乗作用を起こしカー回転角の増大を得るもの
である。又、透明薄膜２の内部で光が干渉しそれ
によつてもカー回転角の増大の作用を得るもので
ある。
素子の開発が磁気光学記憶素子を中心に活発に推
進されている。又、この磁気光学記憶素子の構造
の中で高い評価を受けているものとして反射膜構
造の素子がある。第１図に反射膜構造の素子の一
例の側面図を示す。同図で１はガラス、アクリル
樹脂等よりなる透明基板、２はSiO、SiO2、
Si3N4等の透明薄膜、３はGdTbFe、TbDyFe、
GdCo、TbFe、GdTbDyFe等の希土類・遷移金
属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４はSiO、
SiO2、Si3N4等の透明薄膜、５はCu、Al、Au、
Ag等の反射膜である。以上の反射膜構造の素子
は非晶質磁性体薄膜３の厚みを100〓程度と非常
に薄くしている為透明基板１側から入射した入射
レーザ光が非晶質磁性体薄膜３を透過し該透過し
た光が反射膜５にて反射される。従つて非晶質磁
性体薄膜３表面にて入射レーザが反射された光の
カー効果と上記した非晶質磁性体薄膜３を透過し
該透過した光が反射膜属５にて反射され再び非晶
質磁性体薄膜３を透過する光のフアラデー効果と
が相乗作用を起こしカー回転角の増大を得るもの
である。又、透明薄膜２の内部で光が干渉しそれ
によつてもカー回転角の増大の作用を得るもので
ある。
（発明が解決しようとする問題点）
上述の反射膜構造の素子は磁気光学効果の点か
ら見れば極めて優れた構造であるが、その一方で
非晶質磁性体薄膜３の酸化による特性劣化が大き
い事が難点であることが判明している。つまり、
反射膜５及び透明薄膜４を通過して外気が侵入し
非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる、あるいは反
射膜５、透明薄膜４内部に含まれていた酸素が非
晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる現象が発生する
のである。非晶質磁性体薄膜３が酸化すれば保磁
力が低下し磁気光学効果による再生が困難とな
り、極端な場合は非晶質磁性体薄膜３の垂直磁気
異方性が全く無くなり記録・再生共に不可能とな
るという著しく不都合な問題が発生する。
ら見れば極めて優れた構造であるが、その一方で
非晶質磁性体薄膜３の酸化による特性劣化が大き
い事が難点であることが判明している。つまり、
反射膜５及び透明薄膜４を通過して外気が侵入し
非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる、あるいは反
射膜５、透明薄膜４内部に含まれていた酸素が非
晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる現象が発生する
のである。非晶質磁性体薄膜３が酸化すれば保磁
力が低下し磁気光学効果による再生が困難とな
り、極端な場合は非晶質磁性体薄膜３の垂直磁気
異方性が全く無くなり記録・再生共に不可能とな
るという著しく不都合な問題が発生する。
（問題点を解決する為の手段）
本発明は上記問題点を解決するために、透明基
板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希
土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜を
形成してなる磁気光学記憶素子において、前記非
晶質磁性体薄膜に近接する反射膜を備え、該反射
膜が酸化容易性金属であるTi、Mg、希土類金属
のいずれか一つからなることを特徴とするもので
あつて、Ti、Mg、希土類金属等の酸化容易性金
属物質からなる反射膜によつて外部から侵入する
酸素を消費せしめ、非晶質磁性体薄膜の酸化を防
止して信頼性の高い磁気光学記憶素子を提供する
ものである。
板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希
土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜を
形成してなる磁気光学記憶素子において、前記非
晶質磁性体薄膜に近接する反射膜を備え、該反射
膜が酸化容易性金属であるTi、Mg、希土類金属
のいずれか一つからなることを特徴とするもので
あつて、Ti、Mg、希土類金属等の酸化容易性金
属物質からなる反射膜によつて外部から侵入する
酸素を消費せしめ、非晶質磁性体薄膜の酸化を防
止して信頼性の高い磁気光学記憶素子を提供する
ものである。
（実施例）
第２図に示すものは本発明に係る磁気光学記憶
素子の一実施例の側面図である。同図で１はガラ
ス、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２は
SiO、SiO2、Si3N4等の透明薄膜、３はGdTbFe、
TbDyFe、GdCo、TbFe、GdTbDyFe等の希土
類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はSiO、SiO2、Si3N4等の透明薄膜、６はTi、
Mg、希土類金属（Gd、Tb、Dy、Ho、Ｙ等）
のいずれかの酸化容易性金属からなる膜である。
該膜６は外部から侵入した酸素及び素子内部に存
在する酸素を吸収する作用と透明基板１側より入
射したレーザ光を反射する反射膜としての作用を
合わせもつ。同図の構成において透明薄膜２は無
くとも構わない。
素子の一実施例の側面図である。同図で１はガラ
ス、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２は
SiO、SiO2、Si3N4等の透明薄膜、３はGdTbFe、
TbDyFe、GdCo、TbFe、GdTbDyFe等の希土
類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はSiO、SiO2、Si3N4等の透明薄膜、６はTi、
Mg、希土類金属（Gd、Tb、Dy、Ho、Ｙ等）
のいずれかの酸化容易性金属からなる膜である。
該膜６は外部から侵入した酸素及び素子内部に存
在する酸素を吸収する作用と透明基板１側より入
射したレーザ光を反射する反射膜としての作用を
合わせもつ。同図の構成において透明薄膜２は無
くとも構わない。
第３図に示すものは本発明に係る磁気光学記憶
素子の他の実施例の側面図である。同図で１はガ
ラス、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２は
SiO、SiO2、Si3N4等の透明薄膜、３はGdTbFe、
TbDyFe、GdCo、TbFe、GdTbDyFe等の希土
類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はSiO、SiO2、Si3N4等の透明薄膜、５はCu、
Al、Au、Ag等の反射膜、７はTi、Mg、希土類
金属（Gd、Tb、Dy、Ho、Ｙ等）のいずれかの
酸化容易性金属からなる膜である。該膜７は外部
から侵入した酸素及び素子内部に存在する酸素を
吸収する作用をなす。同図の構成において透明薄
膜２は無くとも構わない。
素子の他の実施例の側面図である。同図で１はガ
ラス、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２は
SiO、SiO2、Si3N4等の透明薄膜、３はGdTbFe、
TbDyFe、GdCo、TbFe、GdTbDyFe等の希土
類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はSiO、SiO2、Si3N4等の透明薄膜、５はCu、
Al、Au、Ag等の反射膜、７はTi、Mg、希土類
金属（Gd、Tb、Dy、Ho、Ｙ等）のいずれかの
酸化容易性金属からなる膜である。該膜７は外部
から侵入した酸素及び素子内部に存在する酸素を
吸収する作用をなす。同図の構成において透明薄
膜２は無くとも構わない。
なお、本発明は非晶質磁性体薄膜の膜厚が十分
厚い（1000Å程度）厚膜形の構造の素子において
も適用が可能なものである。
厚い（1000Å程度）厚膜形の構造の素子において
も適用が可能なものである。
（効果）
以上のように、本発明によれば非晶質磁性体薄
膜に近接する反射膜がTi、Mg、希土類金属等の
酸化容易性金属のいずれか一つからなるので、こ
の酸化容易性金属からなる反射膜が酸素を消費す
ることによつて非晶質磁性体薄膜の酸化を未然に
防止することができる。これによつて、非晶質磁
性体薄膜の磁気的特性を安定化することができる
ので素子の信頼性を著しく向上することができ
る。
膜に近接する反射膜がTi、Mg、希土類金属等の
酸化容易性金属のいずれか一つからなるので、こ
の酸化容易性金属からなる反射膜が酸素を消費す
ることによつて非晶質磁性体薄膜の酸化を未然に
防止することができる。これによつて、非晶質磁
性体薄膜の磁気的特性を安定化することができる
ので素子の信頼性を著しく向上することができ
る。
第１図は従来の磁気光学記憶素子の側面図、第
２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例
の側面図、第３図は本発明に係る磁気光学記憶素
子の他の実施例の側面図を示す。 図中、１：透明基板、２：透明薄膜、３：非晶
質磁性体薄膜、４：透明薄膜、５：反射膜、６，
７：酸化容易性金属の膜。
２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例
の側面図、第３図は本発明に係る磁気光学記憶素
子の他の実施例の側面図を示す。 図中、１：透明基板、２：透明薄膜、３：非晶
質磁性体薄膜、４：透明薄膜、５：反射膜、６，
７：酸化容易性金属の膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸
を有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁
性体薄膜を形成してなる磁気光学記憶素子におい
て、 前記非晶質磁性体薄膜に近接する反射膜を備
え、該反射膜が酸化容易性金属であるTi、Mg、
希土類金属のいずれか一つからなることを特徴と
する磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14980682A JPS5938779A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14980682A JPS5938779A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5938779A JPS5938779A (ja) | 1984-03-02 |
| JPH0379779B2 true JPH0379779B2 (ja) | 1991-12-19 |
Family
ID=15483115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14980682A Granted JPS5938779A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938779A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3382791T2 (de) * | 1982-12-15 | 1995-12-07 | Sharp Kk | Magneto-optischer Speicher. |
| JPS6252743A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS62109440A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチプレツクス復調装置 |
| JPS62222445A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | 光ディスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120253A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-27 | Sharp Corp | Magnetooptical storage elemen |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP14980682A patent/JPS5938779A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120253A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-27 | Sharp Corp | Magnetooptical storage elemen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5938779A (ja) | 1984-03-02 |
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