JPS6271042A - 光メモリ素子 - Google Patents
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- JPS6271042A JPS6271042A JP60211660A JP21166085A JPS6271042A JP S6271042 A JPS6271042 A JP S6271042A JP 60211660 A JP60211660 A JP 60211660A JP 21166085 A JP21166085 A JP 21166085A JP S6271042 A JPS6271042 A JP S6271042A
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はレーザ等の光により情報の記録、再生、消去等
を行なう光メモリ素子に関するものである。
を行なう光メモリ素子に関するものである。
〈従来技術〉
近年、光メモリ素子は高密度、大容量なメモリとなる為
、多方面で種力の研究開発が行なわれている。特に使用
者が情報の追加記録をなし得るメモリ、あるいは使用者
が情報の追加記録及び消去をなし肯るメモリは巾広い応
用分野があり、種々の材料やシステl、が発表されてい
る。前者のメモリの利料としてけTeOx、TeSe
、TeC等があTbFeCo等の希土類遷移金属合金薄
膜等がある。
、多方面で種力の研究開発が行なわれている。特に使用
者が情報の追加記録をなし得るメモリ、あるいは使用者
が情報の追加記録及び消去をなし肯るメモリは巾広い応
用分野があり、種々の材料やシステl、が発表されてい
る。前者のメモリの利料としてけTeOx、TeSe
、TeC等があTbFeCo等の希土類遷移金属合金薄
膜等がある。
しかし、これら情報の追加記録ができるメモリ、あるい
は情報の追加記録及び消去ができるメモリの基本となる
記録媒体材料は酸化等の耐食性に欠ける為、その対策と
してメモリ素子の構造には色々な工夫かなされている。
は情報の追加記録及び消去ができるメモリの基本となる
記録媒体材料は酸化等の耐食性に欠ける為、その対策と
してメモリ素子の構造には色々な工夫かなされている。
たとえば追加記録をなし得るメモリとして用いられる記
録材料を用い之場合には第8図に示す様に透明基板1上
に真空蒸着やスパッタリング等の製膜手段によシ記録媒
体漢2を設け、該記録媒体膜2を酸化等の腐食から保護
する目的で保護層3を設けたものがある。また情報の追
加記録及び消去ができるメモリとして用いられる希土類
遷移金属合金薄膜の場合には、たとえば第9図に示す様
に透明基板1上に保護層3と、希土類と移金属合金薄膜
2と、保護層4とをこの順にて積層したもの、あるいは
更に反射層5を第4番目の層として付加したもの(第1
0図参照)がある。しかし前述の如き保護層を設ける素
子構成を用いても酸化等の腐食を防止できると以下に使
用者が情報の追加記録及び消去をなし得る光メモリ素子
である磁気光学記憶素子の酸化の問題について例を挙げ
て説明する。
録材料を用い之場合には第8図に示す様に透明基板1上
に真空蒸着やスパッタリング等の製膜手段によシ記録媒
体漢2を設け、該記録媒体膜2を酸化等の腐食から保護
する目的で保護層3を設けたものがある。また情報の追
加記録及び消去ができるメモリとして用いられる希土類
遷移金属合金薄膜の場合には、たとえば第9図に示す様
に透明基板1上に保護層3と、希土類と移金属合金薄膜
2と、保護層4とをこの順にて積層したもの、あるいは
更に反射層5を第4番目の層として付加したもの(第1
0図参照)がある。しかし前述の如き保護層を設ける素
子構成を用いても酸化等の腐食を防止できると以下に使
用者が情報の追加記録及び消去をなし得る光メモリ素子
である磁気光学記憶素子の酸化の問題について例を挙げ
て説明する。
第11図は木発明者等が調査を行った磁気光学記憶素子
の一部側面断面図である。6はカラス基板であシ、該ガ
ラス基板6上に第1の透明誘電体保護膜であるSiO膜
7(膜厚120nm)が形が形成され、該GdTbFe
合金薄膜8上に第2の透明誘電体保護膜であるSiO□
膜9(膜厚50nm)が形成され、該5i02膜9上に
反射膜であるC II膜10(膜厚50nm)が形成さ
れている。この磁気光学記憶素子を高温高湿テストにか
けたところ、GdTb)e合金薄膜8が酸化° され
るという問題が発生した。木発明者等はこの原因が上記
SiO膜7及び5in2膜9中に含まれる酸素にあるこ
とを確認した。即ち上記SiO膜7及び5i02膜9の
成膜時、あるいは成膜後((内部の酸素成分が分離等し
てG d T b F e合金薄膜8が酸化されるもの
である。しかるに、希土類遷移金属合金薄膜8は酸化さ
れることによって磁気記録媒体としての能力を著しく阻
害されるものであるから、上記酸化の問題は極めて重大
である。又、」二記希土類遷移金属合金薄膜8の膜厚が
薄r場合は僅かの酸化であっても影響が大きいので非常
な注意が必要である。よって、この場合上記希土類遷移
金属合金薄膜8を保護する保護膜としては窒化アルミニ
ウム等の酸素を含まないものが良い事を既に本出願人は
提案している(特願昭57−220999 )。しかし
この窒化アルミニウムは熱伝導率が高いため記録の際に
高いレーザパワーが必要となる。言い換えれば記録感度
の低い光メモリ素子となることが欠点である。
の一部側面断面図である。6はカラス基板であシ、該ガ
ラス基板6上に第1の透明誘電体保護膜であるSiO膜
7(膜厚120nm)が形が形成され、該GdTbFe
合金薄膜8上に第2の透明誘電体保護膜であるSiO□
膜9(膜厚50nm)が形成され、該5i02膜9上に
反射膜であるC II膜10(膜厚50nm)が形成さ
れている。この磁気光学記憶素子を高温高湿テストにか
けたところ、GdTb)e合金薄膜8が酸化° され
るという問題が発生した。木発明者等はこの原因が上記
SiO膜7及び5in2膜9中に含まれる酸素にあるこ
とを確認した。即ち上記SiO膜7及び5i02膜9の
成膜時、あるいは成膜後((内部の酸素成分が分離等し
てG d T b F e合金薄膜8が酸化されるもの
である。しかるに、希土類遷移金属合金薄膜8は酸化さ
れることによって磁気記録媒体としての能力を著しく阻
害されるものであるから、上記酸化の問題は極めて重大
である。又、」二記希土類遷移金属合金薄膜8の膜厚が
薄r場合は僅かの酸化であっても影響が大きいので非常
な注意が必要である。よって、この場合上記希土類遷移
金属合金薄膜8を保護する保護膜としては窒化アルミニ
ウム等の酸素を含まないものが良い事を既に本出願人は
提案している(特願昭57−220999 )。しかし
この窒化アルミニウムは熱伝導率が高いため記録の際に
高いレーザパワーが必要となる。言い換えれば記録感度
の低い光メモリ素子となることが欠点である。
〈発明の目的〉
本発明は上記の点に鑑み、酸素等による記録媒体の酸化
に対し信頼性を高め且つ記録感度を向上せしめる光メモ
リ素子を提供することを目的としてなされた、ものであ
シ、この目的を達成するため光メモリ素子の一部に窒化
アルミニウムシリコンを用いたものである。
に対し信頼性を高め且つ記録感度を向上せしめる光メモ
リ素子を提供することを目的としてなされた、ものであ
シ、この目的を達成するため光メモリ素子の一部に窒化
アルミニウムシリコンを用いたものである。
〈発明の実施例〉
以下、本発明に係る光メモ・ノ素子の一実施例について
図面を用いて詳細に説明する。
図面を用いて詳細に説明する。
第1図は本発明に係る光メモリ素子の一実施例の構造を
示す一部側面断面図である。1はガラス、ポリカーボネ
ート、アクリル等の透明基板であシ、該透明基板1上に
第1の透明誘電体膜である窒化アルミニウムシリコン膜
11が形成され、該窒化アルミニウムシリコン膜11上
に希土類遷移金属合金薄膜12(たとえばGdTbFe
、GdTbDyFe、TbFeCo等)が形成され、該
希土類遷移金属合金薄膜12上に第2の透明誘電体膜で
ある窒化アルミニウムシリコン膜13が形成され、該窒
化アルシミニウムシリコン膜13上にC’u+Ag、A
6等の反射膜14が形成される。この構造の有利な点に
ついて以下説明する。
示す一部側面断面図である。1はガラス、ポリカーボネ
ート、アクリル等の透明基板であシ、該透明基板1上に
第1の透明誘電体膜である窒化アルミニウムシリコン膜
11が形成され、該窒化アルミニウムシリコン膜11上
に希土類遷移金属合金薄膜12(たとえばGdTbFe
、GdTbDyFe、TbFeCo等)が形成され、該
希土類遷移金属合金薄膜12上に第2の透明誘電体膜で
ある窒化アルミニウムシリコン膜13が形成され、該窒
化アルシミニウムシリコン膜13上にC’u+Ag、A
6等の反射膜14が形成される。この構造の有利な点に
ついて以下説明する。
■ 窒化アlレミニウムシリコン膜は極めて安定であり
、窒化物であるため酸化物の膜に比較して緻密な2嘆が
形成できる。
、窒化物であるため酸化物の膜に比較して緻密な2嘆が
形成できる。
■ 窒化アルミニウムシリコンはその成分として酸素を
也有しないので記録媒体膜が酸化される危険性を極度に
減少せしめ得る。
也有しないので記録媒体膜が酸化される危険性を極度に
減少せしめ得る。
■ 窒化アルミニウムシリコンは上記■、■ヲ満足する
耐湿耐酸素性膜として有用な窒化アpミニワムに比べ熱
伝導率か低く、記課媒体への記録感度を向上せしめる効
果をもたらす。第2図はこの効果を調べる為に行った実
験結果を示すもので、第1図に構成を示した光メモリ素
イにおいて、第1.第2の誘電体膜である窒化アルミニ
ウムシリコン膜のシリコンAfl成(wt%)を0〜8
%の範囲で変化させ記録感度の変化を見えものである。
耐湿耐酸素性膜として有用な窒化アpミニワムに比べ熱
伝導率か低く、記課媒体への記録感度を向上せしめる効
果をもたらす。第2図はこの効果を調べる為に行った実
験結果を示すもので、第1図に構成を示した光メモリ素
イにおいて、第1.第2の誘電体膜である窒化アルミニ
ウムシリコン膜のシリコンAfl成(wt%)を0〜8
%の範囲で変化させ記録感度の変化を見えものである。
記録感度は一部パワーで記録した時のピントの大きさで
判断した。第2図から明らかなように誘電体膜として窒
化アルミニウムヲ月いたトキよりも窒化アルミニウムシ
リコン膜を用いた方が記録感度が向上している。
判断した。第2図から明らかなように誘電体膜として窒
化アルミニウムヲ月いたトキよりも窒化アルミニウムシ
リコン膜を用いた方が記録感度が向上している。
本発明は、記録媒体の保護膜及び記録感度上昇用膜とし
て短化アルミニウムシリコンを用いたものであるが記録
材料の種類は問わず、光メモリ素子の構成としては少な
くとも一層に窒化アルミニウムシリコンを用いていれば
それ以外についてはいかなる構成でも良い。即ち、第3
図に示すように透明基板1上に記録媒体膜2、窒化アル
ミニウムシリコン膜15をこの順に積層したもの、又第
4図に示すように透明基板l上に記録媒体膜2、窒化ア
ルミニウムシリコン膜15、反射!1l14をこの順に
積層したもの、又第5図に示すように透明基板1上に窒
化アルミニウムシリコン膜15、記録媒体膜2、反射膜
14をこの順に積層したもの、又第6図に示すように透
明基板1上に第1の誘電体膜16、記録媒体膜2、第2
の誘電体g!17をこの順に積層したものにおいて、上
記第1、第2の誘電体膜の少なくとも一方が窒化アルミ
ニ・クムシリコンで形成されたもの、又、第7図に示す
ように透明基板1上に第1の[体[1ε、記録媒体膜2
、第2の誘電体膜17、反射膜14をこの順に積層した
ものにおいて上記第1.第2の誘電体膜の少なくとも一
方が窒化アyミニウムシリコンで形成されたもの等の構
成が適用可能である。
て短化アルミニウムシリコンを用いたものであるが記録
材料の種類は問わず、光メモリ素子の構成としては少な
くとも一層に窒化アルミニウムシリコンを用いていれば
それ以外についてはいかなる構成でも良い。即ち、第3
図に示すように透明基板1上に記録媒体膜2、窒化アル
ミニウムシリコン膜15をこの順に積層したもの、又第
4図に示すように透明基板l上に記録媒体膜2、窒化ア
ルミニウムシリコン膜15、反射!1l14をこの順に
積層したもの、又第5図に示すように透明基板1上に窒
化アルミニウムシリコン膜15、記録媒体膜2、反射膜
14をこの順に積層したもの、又第6図に示すように透
明基板1上に第1の誘電体膜16、記録媒体膜2、第2
の誘電体g!17をこの順に積層したものにおいて、上
記第1、第2の誘電体膜の少なくとも一方が窒化アルミ
ニ・クムシリコンで形成されたもの、又、第7図に示す
ように透明基板1上に第1の[体[1ε、記録媒体膜2
、第2の誘電体膜17、反射膜14をこの順に積層した
ものにおいて上記第1.第2の誘電体膜の少なくとも一
方が窒化アyミニウムシリコンで形成されたもの等の構
成が適用可能である。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば記録媒体の耐酸化性及び情
報の記録再生特性を共に良好に確保せしめることができ
るものである。
報の記録再生特性を共に良好に確保せしめることができ
るものである。
第1図は本発明に係る光メモリ素子の一実施例の構成を
示す−g(Stllll而断面図、面2図は測定グラフ
図、@3図、第4図、第5図、第6図、第7図は本発明
Kiる光メモリ素子の他の実施例の構成を示す一部側面
断面図、第8図は、従来の光メモ図、第11図は従来の
光メモリ素子の一部側面断面図である。 図中、1:透明基板 2:記録媒体膜3.4:保M膜
5:反射膜 6:ガフス基板 7:SiO膜 8:GdTbFe合金薄膜 9 : 5i02膜
10 :Cu膜 11:第1の窒化アルミニウムシリ
コンIII 12:希土類遷移金属合金薄膜 1
3:第2の窒化アルミニウムシリコン嘆 14:[[ 15:i化アルミニウムシリコン膜 16:第1の誘電体膜 17:@2の誘電体膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦C(ItzQ名)第
1図 第2[;21 第7図 第8図 第1O図 第11図
示す−g(Stllll而断面図、面2図は測定グラフ
図、@3図、第4図、第5図、第6図、第7図は本発明
Kiる光メモリ素子の他の実施例の構成を示す一部側面
断面図、第8図は、従来の光メモ図、第11図は従来の
光メモリ素子の一部側面断面図である。 図中、1:透明基板 2:記録媒体膜3.4:保M膜
5:反射膜 6:ガフス基板 7:SiO膜 8:GdTbFe合金薄膜 9 : 5i02膜
10 :Cu膜 11:第1の窒化アルミニウムシリ
コンIII 12:希土類遷移金属合金薄膜 1
3:第2の窒化アルミニウムシリコン嘆 14:[[ 15:i化アルミニウムシリコン膜 16:第1の誘電体膜 17:@2の誘電体膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦C(ItzQ名)第
1図 第2[;21 第7図 第8図 第1O図 第11図
Claims (1)
- 1、光メモリ素子の基板上に記録媒体膜と、窒化アルミ
ニウムシリコン膜とをこの順にて積層したことを特徴と
する光メモリ素子。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60211660A JPS6271042A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 光メモリ素子 |
CA000517495A CA1264852A (en) | 1985-09-24 | 1986-09-04 | Optical memory element |
US06/908,716 US4792474A (en) | 1985-09-24 | 1986-09-18 | Optical memory element |
DE8686307305T DE3669605D1 (de) | 1985-09-24 | 1986-09-23 | Optisches speicherelement. |
EP86307305A EP0216634B1 (en) | 1985-09-24 | 1986-09-23 | Optical memory element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60211660A JPS6271042A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6271042A true JPS6271042A (ja) | 1987-04-01 |
JPH0418377B2 JPH0418377B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16609477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60211660A Granted JPS6271042A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 光メモリ素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4792474A (ja) |
EP (1) | EP0216634B1 (ja) |
JP (1) | JPS6271042A (ja) |
CA (1) | CA1264852A (ja) |
DE (1) | DE3669605D1 (ja) |
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DE3802998A1 (de) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung einer duennen roentgenamorphen aluminiumnitrid- oder aluminiumsiliciumnitridschicht auf einer oberflaeche |
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WO2010151856A2 (en) | 2009-06-26 | 2010-12-29 | Cornell University | Chemical vapor deposition process for aluminum silicon nitride |
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-
1985
- 1985-09-24 JP JP60211660A patent/JPS6271042A/ja active Granted
-
1986
- 1986-09-04 CA CA000517495A patent/CA1264852A/en not_active Expired
- 1986-09-18 US US06/908,716 patent/US4792474A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-23 EP EP86307305A patent/EP0216634B1/en not_active Expired
- 1986-09-23 DE DE8686307305T patent/DE3669605D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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---|---|
US4792474A (en) | 1988-12-20 |
JPH0418377B2 (ja) | 1992-03-27 |
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EP0216634A1 (en) | 1987-04-01 |
EP0216634B1 (en) | 1990-03-14 |
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