JPS5938779A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
- Publication number
- JPS5938779A JPS5938779A JP14980682A JP14980682A JPS5938779A JP S5938779 A JPS5938779 A JP S5938779A JP 14980682 A JP14980682 A JP 14980682A JP 14980682 A JP14980682 A JP 14980682A JP S5938779 A JPS5938779 A JP S5938779A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- rare earth
- thin film
- amorphous magnetic
- transition metal
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- Granted
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術範囲）
本発明はレーザ光を用いて情報の記録・再生・消去を行
々うことのできる磁気光学記憶素子に関する。
々うことのできる磁気光学記憶素子に関する。
（従来技術）
近年、情報の記録・再生・消去が可能な光記憶素子の開
発が磁気光学記憶素子を中心に活発に推進されている。
発が磁気光学記憶素子を中心に活発に推進されている。
又、この磁気光学記憶素子の構造の中で高い評価を受け
ているものとして反射膜構造の素子がある。第１図に反
射膜構造の素ｒ−の一例の側面図を示す。同図で１はガ
ラス、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２はＳ ｉ
Ｏ，Ｓ ｉ（ｈ。
ているものとして反射膜構造の素子がある。第１図に反
射膜構造の素ｒ−の一例の側面図を示す。同図で１はガ
ラス、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２はＳ ｉ
Ｏ，Ｓ ｉ（ｈ。
Ｓｉ３Ｎ４等の透明薄膜、３はＧｄＴｂＦｅ。
ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂ１）ｙＦ
ｅ等の希土類・遷移金属合金からなる非晶ｆｅｉ磁性体
薄膜、４けＳｉＯ，ＳｉＯ□＊ Ｓ ｉａ Ｎ４ ”！
ｊの透明薄膜、５はＣｕ 、 Ａ ｌ 、 Ａ ｕ
、 Ａ ｇ ”、ｑの反則膜である。以上の反射膜構造
の素子は非晶質磁性体薄膜３の厚みを１００Ａ程度と非
常に薄くしている為透明基板１側から入射した入射レー
ザ光が非晶質磁性体薄膜３を透過し該透過した光が反射
膜５にて反射される。従って非晶質磁性体薄膜３表面に
て入射レーザ光が反射された光のカー効果と上記した非
晶質磁性体薄膜３を透過し該透過した光が反射膜属５に
て反射され再び非晶質磁性体薄膜３を透過する光のファ
ラデー効果とが相乗作用を起こしカー回転角の増大を得
るものである。
ｅ等の希土類・遷移金属合金からなる非晶ｆｅｉ磁性体
薄膜、４けＳｉＯ，ＳｉＯ□＊ Ｓ ｉａ Ｎ４ ”！
ｊの透明薄膜、５はＣｕ 、 Ａ ｌ 、 Ａ ｕ
、 Ａ ｇ ”、ｑの反則膜である。以上の反射膜構造
の素子は非晶質磁性体薄膜３の厚みを１００Ａ程度と非
常に薄くしている為透明基板１側から入射した入射レー
ザ光が非晶質磁性体薄膜３を透過し該透過した光が反射
膜５にて反射される。従って非晶質磁性体薄膜３表面に
て入射レーザ光が反射された光のカー効果と上記した非
晶質磁性体薄膜３を透過し該透過した光が反射膜属５に
て反射され再び非晶質磁性体薄膜３を透過する光のファ
ラデー効果とが相乗作用を起こしカー回転角の増大を得
るものである。
父、透明薄膜２の内部で光が干渉しそれによってもカー
回転角の増大の作用を得るものである。
回転角の増大の作用を得るものである。
（発明が解決しようとする問題点）
上述の反則膜構造の素子は磁気光学効果の点から見れば
極めて優れた構造であるが、その一方で非晶質磁性体薄
膜３の酸化による特性劣化が大きい事が難点であること
が判明している。っ捷り、反則膜５及び透明薄膜４を通
過して外気が侵入し非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる
、あるいは反ｑ・１膜５、透明薄膜４内部に含まれてい
た酸素が非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる現象が発生
するのである。非晶質磁性体薄膜３が酸化すれば保磁力
が低「し磁気光学効果による再生が困難となり、極端な
場合は非晶質磁性体薄膜３の垂直磁気異方性が全く無く
なり記録・再生共に不可能となるという著しく不都合な
問題が発生する。
極めて優れた構造であるが、その一方で非晶質磁性体薄
膜３の酸化による特性劣化が大きい事が難点であること
が判明している。っ捷り、反則膜５及び透明薄膜４を通
過して外気が侵入し非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる
、あるいは反ｑ・１膜５、透明薄膜４内部に含まれてい
た酸素が非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる現象が発生
するのである。非晶質磁性体薄膜３が酸化すれば保磁力
が低「し磁気光学効果による再生が困難となり、極端な
場合は非晶質磁性体薄膜３の垂直磁気異方性が全く無く
なり記録・再生共に不可能となるという著しく不都合な
問題が発生する。
（問題点を解決する為の手段）
本発明は上記問題点を解決する為に磁気光学記憶素子の
構造を透明基板と膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有す
る希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜と、
Ｔｉ、Ｍｇ、希土類金属、希土類、遷移金属合金等の酸
化容易性金属からなる膜とが智状構造をなすものとし、
上記酸化容易性金属からなる膜によって侵入する酸素を
吸収せしめ、非晶質磁性体薄膜の酸化を極力減少せんと
するものである。
構造を透明基板と膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有す
る希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜と、
Ｔｉ、Ｍｇ、希土類金属、希土類、遷移金属合金等の酸
化容易性金属からなる膜とが智状構造をなすものとし、
上記酸化容易性金属からなる膜によって侵入する酸素を
吸収せしめ、非晶質磁性体薄膜の酸化を極力減少せんと
するものである。
（実施例）
第２図に示すものは本発明に係る磁気光学記憶素子の一
実施例の側面図である。同図でＩＶｉガラス、アクリル
樹脂等よりなる透明基板、２はＳｉｎ。
実施例の側面図である。同図でＩＶｉガラス、アクリル
樹脂等よりなる透明基板、２はＳｉｎ。
５ｉ０２．Ｓｉ３Ｎ４等の透明薄膜、３はＧ ｄ ′ｒ
１）Ｆｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｇｄ
ＴｂＤｙＦｅ等の希土類・遷移金属合金からなる非晶質
磁性体薄膜、４はＳｉｎ、 Ｓ ｉ０２ 、 Ｓｉ３Ｎ
４等の透明薄膜、６はＴｉ、Ｍｇ、希土類金属（Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ等）、希土類・遷移金属合金（Ｇ
ｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＧｄＴｂＤｙＦ
ｅ等）等の酸化容易性金属からなる膜である。該膜６け
外部から侵入した酸傘□路ひ素子内部に存在する酸素を
吸収する作用と透明基板１側より入射したレーザ光を反
射する反射膜としての作用を合わせもつ。同図の構成に
おいて透明薄膜２は無くとも構わない。
１）Ｆｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｇｄ
ＴｂＤｙＦｅ等の希土類・遷移金属合金からなる非晶質
磁性体薄膜、４はＳｉｎ、 Ｓ ｉ０２ 、 Ｓｉ３Ｎ
４等の透明薄膜、６はＴｉ、Ｍｇ、希土類金属（Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ等）、希土類・遷移金属合金（Ｇ
ｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＧｄＴｂＤｙＦ
ｅ等）等の酸化容易性金属からなる膜である。該膜６け
外部から侵入した酸傘□路ひ素子内部に存在する酸素を
吸収する作用と透明基板１側より入射したレーザ光を反
射する反射膜としての作用を合わせもつ。同図の構成に
おいて透明薄膜２は無くとも構わない。
第３図に示すものは本発明に係る磁気光学記憶素子の他
の実施例の側面図である。同図で１はガラス、アクリル
樹脂等よりなる透明基板、２はＳ ｉｏ、Ｓ ｉ０２
、Ｓ ｉ３Ｎ４等の透明薄膜、３はＧｄＴｂＦｅ、Ｔｂ
ＤｙＦｅ、Ｇａ、Ｃｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等
の希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はＳ ｉ Ｏ，５ｉ０２゜Ｓｉ３Ｎ４等の透明薄膜、５
ばＣｕ、ＡＩ、Ａｕ。
の実施例の側面図である。同図で１はガラス、アクリル
樹脂等よりなる透明基板、２はＳ ｉｏ、Ｓ ｉ０２
、Ｓ ｉ３Ｎ４等の透明薄膜、３はＧｄＴｂＦｅ、Ｔｂ
ＤｙＦｅ、Ｇａ、Ｃｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等
の希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はＳ ｉ Ｏ，５ｉ０２゜Ｓｉ３Ｎ４等の透明薄膜、５
ばＣｕ、ＡＩ、Ａｕ。
Ａｇ等の反射膜、７はＴｉ、Ｍｇ、希土類金属（Ｇｄ、
Ｔｂ、ＤＹ、ＨＯ，Ｙ等）、希土類・遷 ・移金属合
金（ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＧｄＴｂ
ＤｙＦｅ）等の酸化容易性金属からなる膜である。該膜
７は外部から侵入した酸素及び素子内部に存在する酸素
を吸収する作用をなす。同図の構成において透明薄膜２
は無くとも構わない。
Ｔｂ、ＤＹ、ＨＯ，Ｙ等）、希土類・遷 ・移金属合
金（ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＧｄＴｂ
ＤｙＦｅ）等の酸化容易性金属からなる膜である。該膜
７は外部から侵入した酸素及び素子内部に存在する酸素
を吸収する作用をなす。同図の構成において透明薄膜２
は無くとも構わない。
ｈ以上の実施例の説明においては反射膜構造の素子にお
いて本発明を適用したものを示したが、本発明は非晶質
磁性体薄膜の膜厚が充分厚い（］ ０００Ａ程度）厚膜
形の構造の素子、つまりカー効果のみを利用する素子に
おいても適用がｉｉＪ能なものである。
いて本発明を適用したものを示したが、本発明は非晶質
磁性体薄膜の膜厚が充分厚い（］ ０００Ａ程度）厚膜
形の構造の素子、つまりカー効果のみを利用する素子に
おいても適用がｉｉＪ能なものである。
（効 果）
本発明によればＴｉ、Ｍｇ、希土類金１．・へ、希土類
・遷移金属合金等の酸化容易性金属からなる膜の存在に
より、非晶質磁性体薄膜の酸化を極力抑制することがで
きるので、この非晶質磁性体薄膜の磁気的特性を安定化
することができ、素ｒ−の信頼性が著しく向上するもの
である。
・遷移金属合金等の酸化容易性金属からなる膜の存在に
より、非晶質磁性体薄膜の酸化を極力抑制することがで
きるので、この非晶質磁性体薄膜の磁気的特性を安定化
することができ、素ｒ−の信頼性が著しく向上するもの
である。
第１図は従来の磁気光学記憶素子の側面図、第２図は本
発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の側面図、第３
図は本発明に係る磁気光学記憶素子の他の実施例の側面
図を示す。
発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の側面図、第３
図は本発明に係る磁気光学記憶素子の他の実施例の側面
図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 透明基板と、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有す
る希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜と、
Ｔｉ、Ｍｇ、希土類金属（Ｇｄ。 Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ等）、希土類・遷移金属合金（Ｇ
ｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ。 ＧｄＴｂＤｙＦｅ等）等の酸化容易性金属からなる膜と
が層１状構造をなすことを特徴とする磁気光学記憶素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14980682A JPS5938779A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14980682A JPS5938779A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5938779A true JPS5938779A (ja) | 1984-03-02 |
| JPH0379779B2 JPH0379779B2 (ja) | 1991-12-19 |
Family
ID=15483115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14980682A Granted JPS5938779A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938779A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252743A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS62109440A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチプレツクス復調装置 |
| JPS62222445A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | 光ディスク |
| US5714251A (en) * | 1982-12-15 | 1998-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120253A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-27 | Sharp Corp | Magnetooptical storage elemen |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP14980682A patent/JPS5938779A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120253A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-27 | Sharp Corp | Magnetooptical storage elemen |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714251A (en) * | 1982-12-15 | 1998-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
| US5738765A (en) * | 1982-12-15 | 1998-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
| JPS6252743A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS62109440A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチプレツクス復調装置 |
| JPS62222445A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | 光ディスク |
| JPH0566662B2 (ja) * | 1986-03-17 | 1993-09-22 | Fujitsu Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0379779B2 (ja) | 1991-12-19 |
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