JPH0566662B2 - - Google Patents
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- JPH0566662B2 JPH0566662B2 JP61056883A JP5688386A JPH0566662B2 JP H0566662 B2 JPH0566662 B2 JP H0566662B2 JP 61056883 A JP61056883 A JP 61056883A JP 5688386 A JP5688386 A JP 5688386A JP H0566662 B2 JPH0566662 B2 JP H0566662B2
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、後で形成する記録媒体膜が基板樹脂
からの酸素などで劣化するのを防止するために、
樹脂板の基板表面上に硫化物と希土類金属とから
なる蒸着膜又はスパツタ膜を形成した光デイスク
である。
からの酸素などで劣化するのを防止するために、
樹脂板の基板表面上に硫化物と希土類金属とから
なる蒸着膜又はスパツタ膜を形成した光デイスク
である。
本発明は、高密度大容量メモリに用いられる光
デイスクの透明基板に関するものである。
デイスクの透明基板に関するものである。
光デイスクには光磁気デイスク、光学的反射率
の変化を利用した光デイスクなどがあり、記録媒
体が劣化しないようにして長寿命化に寄与する基
板が求められている。
の変化を利用した光デイスクなどがあり、記録媒
体が劣化しないようにして長寿命化に寄与する基
板が求められている。
光デイスク基板としては、(1)アクリル、スチレ
ン、エポキシ、ポリカーボネートなどの樹脂基
板、あるいは、(2)ガラス板又はこれら樹脂基板上
に紫外線硬化型樹脂層を形成した基板がある。そ
して、樹脂基板の表面部におよび紫外線硬化型樹
脂層に光ガイド溝（案内溝）が形成されている。
なお、ガラス板上に紫外線硬化型樹脂層を形成し
たものも本明細書中では案内溝付き樹脂基板に含
める。
ン、エポキシ、ポリカーボネートなどの樹脂基
板、あるいは、(2)ガラス板又はこれら樹脂基板上
に紫外線硬化型樹脂層を形成した基板がある。そ
して、樹脂基板の表面部におよび紫外線硬化型樹
脂層に光ガイド溝（案内溝）が形成されている。
なお、ガラス板上に紫外線硬化型樹脂層を形成し
たものも本明細書中では案内溝付き樹脂基板に含
める。
これらの案内溝付き樹脂基板上に光磁気デイス
ク用磁気記録媒体膜である希土類金属−遷移金属
（例えば、TbFeCo）を真空蒸着又はスパツタで
直接に形成すると、十分な特性が得られない。十
分な特性が得られない原因は、磁気記録媒体膜の
下地の樹脂中に含まれている酸素、水分が記録媒
体の特に希土類金属を酸化するからである。そこ
で、磁気記録媒体膜が樹脂基板に直接接触するの
を防止するために、硫化物の透明薄膜をバリア層
として樹脂基板上に形成しておけば、初期の特性
は十分な値が得られる。また、このような硫化物
薄膜は記録媒体膜に対する無反射コーテイングと
して働きかつ力−効果増大効果を有することが知
られている。しかしながら、時間が経過するにつ
れて、成膜時に硫化物薄膜に取り込まれた酸素、
および樹脂基板からの酸素が硫化物薄膜中を拡散
移動して記録媒体に達するようになつて特性が劣
化してくる。さらに、光デイスク用記録媒体膜で
ある低融点金属（例えば、Te）を直接に樹脂基
板上に形成した場合でも、時間の経過につれて上
述したように酸素が記録媒体に達して酸化して特
性が劣化してくる。
ク用磁気記録媒体膜である希土類金属−遷移金属
（例えば、TbFeCo）を真空蒸着又はスパツタで
直接に形成すると、十分な特性が得られない。十
分な特性が得られない原因は、磁気記録媒体膜の
下地の樹脂中に含まれている酸素、水分が記録媒
体の特に希土類金属を酸化するからである。そこ
で、磁気記録媒体膜が樹脂基板に直接接触するの
を防止するために、硫化物の透明薄膜をバリア層
として樹脂基板上に形成しておけば、初期の特性
は十分な値が得られる。また、このような硫化物
薄膜は記録媒体膜に対する無反射コーテイングと
して働きかつ力−効果増大効果を有することが知
られている。しかしながら、時間が経過するにつ
れて、成膜時に硫化物薄膜に取り込まれた酸素、
および樹脂基板からの酸素が硫化物薄膜中を拡散
移動して記録媒体に達するようになつて特性が劣
化してくる。さらに、光デイスク用記録媒体膜で
ある低融点金属（例えば、Te）を直接に樹脂基
板上に形成した場合でも、時間の経過につれて上
述したように酸素が記録媒体に達して酸化して特
性が劣化してくる。
本発明の目的は、樹脂基板上に形成する記録媒
体膜の樹脂基板側からの酸化を防止することによ
り寿命を向上させた光デイスクを提供することで
ある。
体膜の樹脂基板側からの酸化を防止することによ
り寿命を向上させた光デイスクを提供することで
ある。
上述の目的が、案内溝付き樹脂基板と；前記樹
脂基板上に形成されており、かつ、１〜60at％の
希土類金属と残部の硫化物とからなる蒸着膜また
はスパツタ膜と；前記蒸着膜またはスパツタ膜の
上に形成されている記録媒体膜と；前記記録媒体
膜の上に形成されている保護膜と；から成ること
を特徴とする光デイスクによつて達成される。
脂基板上に形成されており、かつ、１〜60at％の
希土類金属と残部の硫化物とからなる蒸着膜また
はスパツタ膜と；前記蒸着膜またはスパツタ膜の
上に形成されている記録媒体膜と；前記記録媒体
膜の上に形成されている保護膜と；から成ること
を特徴とする光デイスクによつて達成される。
蒸着膜又はスパツタ膜中の希土類金属は1at％
以下では酸化防止効果が十分でなく、一方、60at
％以上では光の吸収が大きくなり反射効率が低下
する。
以下では酸化防止効果が十分でなく、一方、60at
％以上では光の吸収が大きくなり反射効率が低下
する。
硫化物としては透明でかつ屈折率が樹脂基板と
記録媒体の中間の値であるZnS，CdS又はPbSが
好ましい。
記録媒体の中間の値であるZnS，CdS又はPbSが
好ましい。
〔作用〕
本発明では硫化物薄膜中に酸化しやすい希土類
金属を添付することになり、この希土類金属が成
膜時に硫化物薄膜中に取り込まれた酸素および樹
脂基板から侵入してくる酸素をトラツプ（捕獲）
することによつて記録媒体の酸素を防止する。本
発明での硫化物・希土類金属の蒸着（スパツタ）
膜を樹脂基板の耐熱性許容範囲での温度（45℃〜
許容温度）にて熱処理することが望ましい。蒸着
（スパツタ）にて膜組成はかなり均一となつてい
るであろうが加熱処理によつてより均一化するこ
とができる。
金属を添付することになり、この希土類金属が成
膜時に硫化物薄膜中に取り込まれた酸素および樹
脂基板から侵入してくる酸素をトラツプ（捕獲）
することによつて記録媒体の酸素を防止する。本
発明での硫化物・希土類金属の蒸着（スパツタ）
膜を樹脂基板の耐熱性許容範囲での温度（45℃〜
許容温度）にて熱処理することが望ましい。蒸着
（スパツタ）にて膜組成はかなり均一となつてい
るであろうが加熱処理によつてより均一化するこ
とができる。
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実
施態様例によつて本発明を詳しく説明する。
施態様例によつて本発明を詳しく説明する。
〔例 １〕
第１図は本発明による光磁気デイスクの部分断
面図である。
面図である。
案内溝（図示せず）を有するアクリル基板（例
えば、射出成形で作られたPMMA基板）１上に
スパツタリングによつて硫化物（ZnS）−希土類
金属（Dy）の混合膜２を形成する（第１図）。こ
のスパツタリング成膜は、第２図に示すようなス
パツタリング装置内で次のようにして行なわれ
る。まず、真空容器１１内にアクリル基板１およ
びカソード１２上で硫化物（ZnS）ターゲツト１
３および希土類金属（Dy）ターゲツト１４を配
置する。これらターゲツトを面積比で、ZnSター
ゲツト対Dyターゲツトが10：１となるように並
べられている。真空ポンプを用いて真空容器１１
内を５×10-7Torrまで排気し、Arガスを１×
10-2Torrとなるように真空容器１１内へ流す。
高周波（RF）電源から高周波電力（例えば、
200W）をカソード１２に加えて、ターゲツトに
Ar+イオンが入射してターゲツト材料をエツチン
グし、このエツチング（スパツタ）されたZnSお
よびDyがアクリル基板１上に被着堆積する。こ
のようにして、ZnS−Dy混合膜（厚さ200nm）
２が得られる。
えば、射出成形で作られたPMMA基板）１上に
スパツタリングによつて硫化物（ZnS）−希土類
金属（Dy）の混合膜２を形成する（第１図）。こ
のスパツタリング成膜は、第２図に示すようなス
パツタリング装置内で次のようにして行なわれ
る。まず、真空容器１１内にアクリル基板１およ
びカソード１２上で硫化物（ZnS）ターゲツト１
３および希土類金属（Dy）ターゲツト１４を配
置する。これらターゲツトを面積比で、ZnSター
ゲツト対Dyターゲツトが10：１となるように並
べられている。真空ポンプを用いて真空容器１１
内を５×10-7Torrまで排気し、Arガスを１×
10-2Torrとなるように真空容器１１内へ流す。
高周波（RF）電源から高周波電力（例えば、
200W）をカソード１２に加えて、ターゲツトに
Ar+イオンが入射してターゲツト材料をエツチン
グし、このエツチング（スパツタ）されたZnSお
よびDyがアクリル基板１上に被着堆積する。こ
のようにして、ZnS−Dy混合膜（厚さ200nm）
２が得られる。
次に、得られた基板をスパツタリング装置から
取り出して加熱炉に入れて120℃にて１時間の熱
処理を特別に不活性雰囲気にすることなく施こ
す。このようにして製作した本発明に係る基板上
に光磁気デイスクの磁気記録媒体膜（例えば、
TbFeCo膜、厚さ100nm）３をスパツタリングに
て形成する。さらに、保護膜（例えば、Si膜、厚
さ100nm）４をスパツタリングにて磁気記録媒体
膜３上に形成して、光磁気デイスクが得られる。
取り出して加熱炉に入れて120℃にて１時間の熱
処理を特別に不活性雰囲気にすることなく施こ
す。このようにして製作した本発明に係る基板上
に光磁気デイスクの磁気記録媒体膜（例えば、
TbFeCo膜、厚さ100nm）３をスパツタリングに
て形成する。さらに、保護膜（例えば、Si膜、厚
さ100nm）４をスパツタリングにて磁気記録媒体
膜３上に形成して、光磁気デイスクが得られる。
この光磁気デイスクを60℃、常温（90％湿度）
にて保持したときのカーループによるHc（保磁
力）の変化を調べたところ第３図の実線で示す結
果が得られた。比較例として、アクリル基板上に
希土類金属の入つていない硫化物（ZnS）膜をス
パツタリングにて形成し、さらにその上に
TbFeCo磁気記録媒体膜およびSi保護膜をスパツ
タリングにて同様に形成することで光磁気デイス
クを製作した。この従来例の光磁気デイスクにつ
いても60℃、常温での保持によるカーループによ
るHc変化を調べ、その結果を第３図中の点線で
示す。第３図から明らかなように従来例の硫化物
のみの膜と比べて本発明に係る硫化物−希土類金
属の膜によつてHc経時変化が小さいことがわか
る。このことは光磁気デイスクの長寿命化が従来
よりもかなり達成できたことを意味している。
にて保持したときのカーループによるHc（保磁
力）の変化を調べたところ第３図の実線で示す結
果が得られた。比較例として、アクリル基板上に
希土類金属の入つていない硫化物（ZnS）膜をス
パツタリングにて形成し、さらにその上に
TbFeCo磁気記録媒体膜およびSi保護膜をスパツ
タリングにて同様に形成することで光磁気デイス
クを製作した。この従来例の光磁気デイスクにつ
いても60℃、常温での保持によるカーループによ
るHc変化を調べ、その結果を第３図中の点線で
示す。第３図から明らかなように従来例の硫化物
のみの膜と比べて本発明に係る硫化物−希土類金
属の膜によつてHc経時変化が小さいことがわか
る。このことは光磁気デイスクの長寿命化が従来
よりもかなり達成できたことを意味している。
〔例 ２〕
ガラス基板上に紫外線硬化型樹脂層を塗布しこ
の樹脂層を露光・現像によつて案内溝を形成し
て、樹脂基板とする。この基板上に例１での場合
と同様にスパツタリングによつてPbS−Sm混合
膜を形成する。得られた基板を100℃にて２時間
の熱処理をした後で、例１と同じようにTbFeCo
膜およびSi保護膜を形成して光磁気デイスクを製
作する。この光磁気デイスクを例１と同様にして
Hc経時変化を調べたところ、例１と同様の効果
が得られた。
の樹脂層を露光・現像によつて案内溝を形成し
て、樹脂基板とする。この基板上に例１での場合
と同様にスパツタリングによつてPbS−Sm混合
膜を形成する。得られた基板を100℃にて２時間
の熱処理をした後で、例１と同じようにTbFeCo
膜およびSi保護膜を形成して光磁気デイスクを製
作する。この光磁気デイスクを例１と同様にして
Hc経時変化を調べたところ、例１と同様の効果
が得られた。
本発明に係る光デイスクでは硫化物−希土類金
属の膜がこの膜形成時に取り込まれた酸素および
樹脂基板からの酸素をトラツプして、記録媒体の
酸化が防止されるので、寿命の長い光（磁気）デ
イスクが得られる。
属の膜がこの膜形成時に取り込まれた酸素および
樹脂基板からの酸素をトラツプして、記録媒体の
酸化が防止されるので、寿命の長い光（磁気）デ
イスクが得られる。
第１図は、本発明による光磁気デイスクの部分
断面図であり、第２図は、スパツタリング装置の
概略図であり、第３図は、光磁気デイスクのHc
経時変化を示すグラフである。 １……アクリル基板、２……硫化物−希土類金
属の混合膜、３……記録媒体膜、４……保護膜、
１３……ZnSターゲツト、１４……Dyターゲツ
ト。
断面図であり、第２図は、スパツタリング装置の
概略図であり、第３図は、光磁気デイスクのHc
経時変化を示すグラフである。 １……アクリル基板、２……硫化物−希土類金
属の混合膜、３……記録媒体膜、４……保護膜、
１３……ZnSターゲツト、１４……Dyターゲツ
ト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 案内溝付き樹脂基板と、 前記樹脂基板上に形成されており、かつ、１〜
60at％の希土類金属と残部の硫化物とからなる蒸
着膜またはスパツタ膜と、 前記蒸着膜またはスパツタ膜の上に形成されて
いる記録媒体膜と、 前記記録媒体膜の上に形成されている保護膜
と、 から成ることを特徴とする光デイスク。 ２ 前記硫化物がZnS，CdS又はPbSであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光デイ
スク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056883A JPS62222445A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 光ディスク |
| EP86402530A EP0231672B1 (en) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Optical memory device and process for fabricating same |
| DE8686402530T DE3685649T2 (de) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Apparatur mit optischem gedaechtnis und verfahren zu deren herstellung. |
| KR1019860009659A KR900003688B1 (ko) | 1986-01-29 | 1986-11-15 | 광기억장치 및 그의 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056883A JPS62222445A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222445A JPS62222445A (ja) | 1987-09-30 |
| JPH0566662B2 true JPH0566662B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=13039816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61056883A Granted JPS62222445A (ja) | 1986-01-29 | 1986-03-17 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222445A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2774616B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1998-07-09 | 旭化成工業株式会社 | 光学情報記録媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938779A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS60201546A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-12 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS62219348A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP61056883A patent/JPS62222445A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938779A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS60201546A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-12 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS62219348A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62222445A (ja) | 1987-09-30 |
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