JPS60201546A - 光磁気記録素子 - Google Patents
光磁気記録素子Info
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- JPS60201546A JPS60201546A JP5670084A JP5670084A JPS60201546A JP S60201546 A JPS60201546 A JP S60201546A JP 5670084 A JP5670084 A JP 5670084A JP 5670084 A JP5670084 A JP 5670084A JP S60201546 A JPS60201546 A JP S60201546A
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- Japan
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- substrate
- magneto
- optical recording
- magnetic layer
- dielectric layer
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基体に対する磁性層の密着不良を解決すると共
に成膜速度を大幅に高めて生産性を向上させた光磁気記
録媒体に関するものである。
に成膜速度を大幅に高めて生産性を向上させた光磁気記
録媒体に関するものである。
近年、垂直記録媒体や光磁気記録媒体などを用いた高密
度記録が盛んに研究され、光磁気記録媒体に射いては、
大量の情報を高密度に記録するため、レーザー光を投光
して記録媒体を局部加熱することによりビットを書き込
み、磁気光学効果を利用して読み出すという光磁気記録
が研究開発されており、例えば、希土類元素−遷移金属
から成る非晶質の金属磁性薄膜を主にスパッタリング法
によって成膜している。
度記録が盛んに研究され、光磁気記録媒体に射いては、
大量の情報を高密度に記録するため、レーザー光を投光
して記録媒体を局部加熱することによりビットを書き込
み、磁気光学効果を利用して読み出すという光磁気記録
が研究開発されており、例えば、希土類元素−遷移金属
から成る非晶質の金属磁性薄膜を主にスパッタリング法
によって成膜している。
この高密度記録に用いられるディスク用基板には軽量、
低価格、耐久性及び安全性、並びに射出成型によりガイ
ドトラック入り基板を大量に複製できることから、プラ
スチック材料が使用されるようになり、とりわけ、優れ
た透光性を有する高分子材料、例えばポリカーボネート
樹脂やポリメチルメタクリレート樹脂などを用いて光磁
気記録用基板が製作されるようになってきた。
低価格、耐久性及び安全性、並びに射出成型によりガイ
ドトラック入り基板を大量に複製できることから、プラ
スチック材料が使用されるようになり、とりわけ、優れ
た透光性を有する高分子材料、例えばポリカーボネート
樹脂やポリメチルメタクリレート樹脂などを用いて光磁
気記録用基板が製作されるようになってきた。
ところが、このプラスチック基板は磁性層と比べて線膨
張係数が大きく、且つ他の基板材料と比べて吸水性が大
きく、更に磁性層を形成する高真空の装置内でプラスチ
ック基板に吸着された不純物、並びにそのプラスチック
成分の一部がガスとなって放出し、かかるプラスチック
基板に直接、磁性層を被着すると密着不十分で磁性層が
剥がれ易くなると共に水などによって磁性層が酸化され
易くなるため、長期に亘って安定した磁気記録特性を維
持することができず、信頼性に劣っていた。
張係数が大きく、且つ他の基板材料と比べて吸水性が大
きく、更に磁性層を形成する高真空の装置内でプラスチ
ック基板に吸着された不純物、並びにそのプラスチック
成分の一部がガスとなって放出し、かかるプラスチック
基板に直接、磁性層を被着すると密着不十分で磁性層が
剥がれ易くなると共に水などによって磁性層が酸化され
易くなるため、長期に亘って安定した磁気記録特性を維
持することができず、信頼性に劣っていた。
前記課題を解決するにはプラスチック基板と磁性層の間
で物理的もしくは化学的な結合で密着性を向上させねば
ならず、前者においては、逆ス／ｆツタリング、イオン
ボンバードメント等の方法により適当に基板表面に凹凸
を形成することが提案されているが、高密度光磁気記録
においては、入射光が基板表面で乱反射を起こしてノイ
ズの原因及び実質的な反射率の低下をもたらし、好まし
い方法ではない。後者の化学的な結合で密着性を向上さ
せるにはプラスチック基板と磁性層の間にＳ′ｉ、ａＮ
４膜などの介在層を形成することが提案されているが、
かかる５ｉ−ｓＮ＋・膜を介して希土類元素−遷移金属
から成る光磁気記録媒体を形成しても未だ満足し得るほ
どに十分な密着性が得られないことが判っている。
で物理的もしくは化学的な結合で密着性を向上させねば
ならず、前者においては、逆ス／ｆツタリング、イオン
ボンバードメント等の方法により適当に基板表面に凹凸
を形成することが提案されているが、高密度光磁気記録
においては、入射光が基板表面で乱反射を起こしてノイ
ズの原因及び実質的な反射率の低下をもたらし、好まし
い方法ではない。後者の化学的な結合で密着性を向上さ
せるにはプラスチック基板と磁性層の間にＳ′ｉ、ａＮ
４膜などの介在層を形成することが提案されているが、
かかる５ｉ−ｓＮ＋・膜を介して希土類元素−遷移金属
から成る光磁気記録媒体を形成しても未だ満足し得るほ
どに十分な密着性が得られないことが判っている。
更に上述に従って介在層を設けると大量に光磁気記録素
子を製造するのに伴って、量産面において、できるだけ
その成膜速度を高くすることが望まれる。
子を製造するのに伴って、量産面において、できるだけ
その成膜速度を高くすることが望まれる。
即ち、スパッタリングによって５ｉａＮ＋膜などを形成
するに際して、その成膜速度は主に電力効率（このスパ
ッタ電力効率は単位投入電力Ｗ／、７当りの基板上での
成膜速度Ａｄ ／＝ ＃ Ｗを意味する）の大小によっ
て決定され、電力効率を大きくするためには電力パワー
を大きくすればよいが、プラスチック基板に熱的損傷を
与えない範囲でプラスチック基板とターゲットの距離を
設定しながら電力パワーを大きくする必要があり、且つ
電力パワーを小さくしてエネルギーコストを低減せしめ
た量産型とするためには、できるだけ小さい電力パワー
で効率よ（成膜が行なわれるような材料が望まれる。
するに際して、その成膜速度は主に電力効率（このスパ
ッタ電力効率は単位投入電力Ｗ／、７当りの基板上での
成膜速度Ａｄ ／＝ ＃ Ｗを意味する）の大小によっ
て決定され、電力効率を大きくするためには電力パワー
を大きくすればよいが、プラスチック基板に熱的損傷を
与えない範囲でプラスチック基板とターゲットの距離を
設定しながら電力パワーを大きくする必要があり、且つ
電力パワーを小さくしてエネルギーコストを低減せしめ
た量産型とするためには、できるだけ小さい電力パワー
で効率よ（成膜が行なわれるような材料が望まれる。
また、前記介在層を形成した光磁気記録素子を用いて、
基板側からレーザー光を投光した場合、レーザー光の波
長λ及び介在層の屈折率ｎに対してλ／４ｎの奇数倍の
層厚になるように設定できるとエンハンス効果によりカ
ー回転角を更に大きくできて読取り信号強度が大きくな
ることが公知となっている。従って、かかる設定条件を
達成するためには層厚方向に均一な膜質になっているこ
とが必要である。因に、スパッタリングによって形成し
たＳｉ、ｓＮ＋膜には、その膜中に遊離８１金属の存在
がオージェ電子分光分析により確認され、又、基板側へ
向かって層厚方向にシリコン酸化物量が顕著となり、更
にスパッタ時の低電力パワーに伴って膜自体の屈折率が
不安定となったりするため、介在層の層厚を適確に設定
することができなかった。
基板側からレーザー光を投光した場合、レーザー光の波
長λ及び介在層の屈折率ｎに対してλ／４ｎの奇数倍の
層厚になるように設定できるとエンハンス効果によりカ
ー回転角を更に大きくできて読取り信号強度が大きくな
ることが公知となっている。従って、かかる設定条件を
達成するためには層厚方向に均一な膜質になっているこ
とが必要である。因に、スパッタリングによって形成し
たＳｉ、ｓＮ＋膜には、その膜中に遊離８１金属の存在
がオージェ電子分光分析により確認され、又、基板側へ
向かって層厚方向にシリコン酸化物量が顕著となり、更
にスパッタ時の低電力パワーに伴って膜自体の屈折率が
不安定となったりするため、介在層の層厚を適確に設定
することができなかった。
従って本発明の目的は基体と磁性層の密着性を向上させ
ると共に磁性層の酸化を防止し、長期に亘って安定した
光磁気特性が維持できる高信頼性の光磁気記録素子を提
供することにある。
ると共に磁性層の酸化を防止し、長期に亘って安定した
光磁気特性が維持できる高信頼性の光磁気記録素子を提
供することにある。
本発明の他の目的は小さな電力パワーで高速成膜を達成
した量産型に相応しい光磁気記録素子を提供することに
ある。
した量産型に相応しい光磁気記録素子を提供することに
ある。
本発明の更に他の目的は基体側からレーザー光を投光し
て再生する光磁気記録素子において、エンハンス効果を
もたらすことによってカー回転角を一層大きくし、読み
取り信号強度を大きくしてＳ／Ｎ比の向上した光磁気記
録素子を提供することにある。
て再生する光磁気記録素子において、エンハンス効果を
もたらすことによってカー回転角を一層大きくし、読み
取り信号強度を大きくしてＳ／Ｎ比の向上した光磁気記
録素子を提供することにある。
本発明の光磁気記録素子は基体上に硫化カドミウム（Ｃ
ｄＳ ）から成る誘電体層を介して光磁気記録媒体を有
する磁性層を形成したことを特徴とするものである。
ｄＳ ）から成る誘電体層を介して光磁気記録媒体を有
する磁性層を形成したことを特徴とするものである。
本発明において、磁性層の被着素地となる基体は種々の
形状を取り得るが、以下、ディスク用基板を例によって
詳細に説明する。
形状を取り得るが、以下、ディスク用基板を例によって
詳細に説明する。
ディスク用基板の表面上にＣｄＳから成る誘電体層を形
成するには、ＣｄＳを含むペーストを塗布してもよいが
、続いて磁性層をスパッタリングによって連続形成し、
量産型に相応しくするためにはＰＶＤ （物理蒸着）や
Ｃ！ＶＤ （化学蒸着）の薄膜形成技術がよい。
成するには、ＣｄＳを含むペーストを塗布してもよいが
、続いて磁性層をスパッタリングによって連続形成し、
量産型に相応しくするためにはＰＶＤ （物理蒸着）や
Ｃ！ＶＤ （化学蒸着）の薄膜形成技術がよい。
本発明によれば、基板材料にガラス、並びにポリカーボ
ネート樹脂（以下、ＰＣ樹脂と略す）やポリメチルメタ
クリレート樹脂（以下、ＰＭＭＡ樹脂と略す）などのプ
ラスチックスを用いることができ、特に、ＣｄＳ誘電体
層の被着面がプラスチックスにより形成されていること
が望ましい。例えば、基板全体がプラスチックスにより
成るプラスチック基板は軽量、低価格、耐久性及び安全
性、並びに射出成型によりガイドトラック入り基板を大
量に複製できる利点を有するのに加え、かかる誘電著し
く向上することが判った。
ネート樹脂（以下、ＰＣ樹脂と略す）やポリメチルメタ
クリレート樹脂（以下、ＰＭＭＡ樹脂と略す）などのプ
ラスチックスを用いることができ、特に、ＣｄＳ誘電体
層の被着面がプラスチックスにより形成されていること
が望ましい。例えば、基板全体がプラスチックスにより
成るプラスチック基板は軽量、低価格、耐久性及び安全
性、並びに射出成型によりガイドトラック入り基板を大
量に複製できる利点を有するのに加え、かかる誘電著し
く向上することが判った。
この誘電体層の層厚は最適な密着性となるために１００
Å以上必要であり、１００人未満であると十分な密着性
を維持することができないばかりか、膜厚が小さいため
にピンホールが発生し易く、基板を構成するガラスやプ
ラスチックスの表面に付着した酸素原子や水分子な戸に
起因して磁性層の金属成分が酸化され、これにより、磁
気モーメントの消失傾向が現われることが実験上確かめ
られた。
Å以上必要であり、１００人未満であると十分な密着性
を維持することができないばかりか、膜厚が小さいため
にピンホールが発生し易く、基板を構成するガラスやプ
ラスチックスの表面に付着した酸素原子や水分子な戸に
起因して磁性層の金属成分が酸化され、これにより、磁
気モーメントの消失傾向が現われることが実験上確かめ
られた。
更に前記誘電体層は薄膜形成技術によってプラスチック
基板の表面を平滑化することができると共に均一な膜質
となるため、レーザー光の乱反射を低減させることがで
きると同時に、レーザー光の波長λ及びＣｄＳの屈折率
ｎ（ｎ＝２．５）に対してλ／４Ｈの奇数倍の層厚にな
るよう馨こ設定するとエンハンス効果によってカー回転
角が大きくできて読取り信号強度が大きくなるため、Ｓ
／Ｎ比を大幅に向上させることができる。
基板の表面を平滑化することができると共に均一な膜質
となるため、レーザー光の乱反射を低減させることがで
きると同時に、レーザー光の波長λ及びＣｄＳの屈折率
ｎ（ｎ＝２．５）に対してλ／４Ｈの奇数倍の層厚にな
るよう馨こ設定するとエンハンス効果によってカー回転
角が大きくできて読取り信号強度が大きくなるため、Ｓ
／Ｎ比を大幅に向上させることができる。
更に本発明に係る磁性層は光磁気記録媒体を有すること
に特徴があり、この媒体にレーザ゛−光を投光して記録
、再生、消去をし、高密度記録を行なうものである。こ
の媒体には、例えば、単結晶、多結晶の他に、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄ７等の希土類元素及びＦｅ、ＣＯ等の遷移金属か
ら成り、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質垂直磁
化膜があるが、基板側もしくは磁性層の側からレーザー
光を投光して磁気記録が可能となるものであれば、上記
以外、種々の材料を用いることができる。
に特徴があり、この媒体にレーザ゛−光を投光して記録
、再生、消去をし、高密度記録を行なうものである。こ
の媒体には、例えば、単結晶、多結晶の他に、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄ７等の希土類元素及びＦｅ、ＣＯ等の遷移金属か
ら成り、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質垂直磁
化膜があるが、基板側もしくは磁性層の側からレーザー
光を投光して磁気記録が可能となるものであれば、上記
以外、種々の材料を用いることができる。
また、本発明に用いられるＣ１Ｓは、元来、高温下で昇
暗し易い性質があり、仁れに基づいて数百ワット程度の
スパッタリングによりＣ１Ｓ誘電体層を形成すると電力
効率は１４３人・ｃＩ＃／ｉ−Ｗとなり、後述の実施例
より明らかな通り、−ｆｆｌと大きい値となっている。
暗し易い性質があり、仁れに基づいて数百ワット程度の
スパッタリングによりＣ１Ｓ誘電体層を形成すると電力
効率は１４３人・ｃＩ＃／ｉ−Ｗとなり、後述の実施例
より明らかな通り、−ｆｆｌと大きい値となっている。
その結果、小さな電力パワーで高速成膜が達成でき、量
産に向く優れた材料であることは明らかである。
産に向く優れた材料であることは明らかである。
更にＣｄＳ誘電体層の熱伝導率は５１ｓＮ＋＠電体層と
比べ、比較的小さいことが判っている。従って、光磁気
記録媒体にビットを形成するため、その箇所にレーザー
光を投光して局部加熱するに、際して、その加熱エネル
ギーが断熱効果の高い誘電体層によって放散され難く、
これにより、比較的低パワーのレーザー光によって媒体
のキュリ一点近傍の温度まで十分に局部加熱が可能とな
り、書き込みエネルギーの高効率化をもたらすことが判
明した。
比べ、比較的小さいことが判っている。従って、光磁気
記録媒体にビットを形成するため、その箇所にレーザー
光を投光して局部加熱するに、際して、その加熱エネル
ギーが断熱効果の高い誘電体層によって放散され難く、
これにより、比較的低パワーのレーザー光によって媒体
のキュリ一点近傍の温度まで十分に局部加熱が可能とな
り、書き込みエネルギーの高効率化をもたらすことが判
明した。
以上の通り、ＣｄＳ誘電体層を基体と磁性層の間に介在
させると基体と磁性層の密着性が向上し、且つＳ／Ｎ比
が大きくなり、長期に亘って安定した光磁気特性を有す
る光磁気記録素子となる。加えて、ＣｄＳ誘電体層がス
パッタリングなどを用いて小さな電力パワ一により高速
に成膜されるため量産に向く材料と言える。
させると基体と磁性層の密着性が向上し、且つＳ／Ｎ比
が大きくなり、長期に亘って安定した光磁気特性を有す
る光磁気記録素子となる。加えて、ＣｄＳ誘電体層がス
パッタリングなどを用いて小さな電力パワ一により高速
に成膜されるため量産に向く材料と言える。
次に本発明の実施例を述べる。
〔実施例１〕
ＰＭＭＡ樹脂、ＰＣ樹脂及びガラスの各々の材料から成
る３種の基板上に５ｉｎｓ 、 ５ｉａＮ＋ 、 Ｔｉ
、Ｎ 、 ＭｇＦｓ 、 ＣｄＳの５種の材料をそれぞ
れスパッタリングによって形成し、その誘電体層の厚み
を約１０００λとした。各々の誘電体材料の電力効率は
第１表に示す通りである。続いて、この誘電体層の上に
、周知のスパッタリング形成条件により、Ｔｂ５ｇ Ｆ
ｅ’１８の組成の薄膜を約１０００人の膜厚で形成した
。
る３種の基板上に５ｉｎｓ 、 ５ｉａＮ＋ 、 Ｔｉ
、Ｎ 、 ＭｇＦｓ 、 ＣｄＳの５種の材料をそれぞ
れスパッタリングによって形成し、その誘電体層の厚み
を約１０００λとした。各々の誘電体材料の電力効率は
第１表に示す通りである。続いて、この誘電体層の上に
、周知のスパッタリング形成条件により、Ｔｂ５ｇ Ｆ
ｅ’１８の組成の薄膜を約１０００人の膜厚で形成した
。
尚、いずれの誘電体層もスパッタ条件は５ Ｘ １Ｏ−
７ＴＯｒｒまで真空排気後、５Ｘ１０ ’ｒｏｒｒまで
アルゴンガスを導入し、ターゲットと基板の距離を１０
゜ｎにすると共に電力パワーを１００Ｗに設定して成膜
した。
７ＴＯｒｒまで真空排気後、５Ｘ１０ ’ｒｏｒｒまで
アルゴンガスを導入し、ターゲットと基板の距離を１０
゜ｎにすると共に電力パワーを１００Ｗに設定して成膜
した。
かくして出来た光磁気記録素子をポーラーカーヒステリ
シスループ及びトルクメータによって測定したところ、
いずれも垂直磁化膜が形成されていることを確認した。
シスループ及びトルクメータによって測定したところ、
いずれも垂直磁化膜が形成されていることを確認した。
次に、それぞれの光磁気記録素子について、その磁性膜
の表面にスコッチテープを十分に付着させ（接着面積を
４．７ ｃｄとした）、その後、このテープを引き剥す
というテストを同一箇所で５回繰り返すと共に磁性膜の
表面の幾つかの箇所でそのテストを繰り返し行なうこと
によって基板と誘電体層との密着性の度合を測った。
の表面にスコッチテープを十分に付着させ（接着面積を
４．７ ｃｄとした）、その後、このテープを引き剥す
というテストを同一箇所で５回繰り返すと共に磁性膜の
表面の幾つかの箇所でそのテストを繰り返し行なうこと
によって基板と誘電体層との密着性の度合を測った。
第１表はその密着テストの結果を示している。
第１表
第１表中、Ｏ印は密着性に優れ、全く剥れないことを示
し、Δ印は密着性がやや良く、幾度もスコッチテープを
付着させると剥れてくることを示し、Ｘ印は容易化剥れ
てくることを示している。
し、Δ印は密着性がやや良く、幾度もスコッチテープを
付着させると剥れてくることを示し、Ｘ印は容易化剥れ
てくることを示している。
第１表より明らかなように、ＣｄＳ誘電体材料はＰＣ樹
脂及びＰＭＭＡ樹脂のいずれのプラスチック基板に対し
ても密着性は良好であるが、他の誘電体材料については
両方のプラスチックスに対して十分な密着性を示すもの
はなく、特に８１０８誘電体材料については容易にプラ
スチック基板から剥れることが確認できた。
脂及びＰＭＭＡ樹脂のいずれのプラスチック基板に対し
ても密着性は良好であるが、他の誘電体材料については
両方のプラスチックスに対して十分な密着性を示すもの
はなく、特に８１０８誘電体材料については容易にプラ
スチック基板から剥れることが確認できた。
また電力効率についてはＣ（ＩＳ誘電体材料が他の材料
に比べて著しく大きな値を示していることが判る。
に比べて著しく大きな値を示していることが判る。
〔実施例２〕
ＰＣ樹脂及びＰＭＭＡ樹脂の各々の材料から成る２種の
基板上に電力パワー１００Ｗで６１分スパッタリングを
行って厚み６３３ＡのＣｄＳ誘電体層を形成した。次い
で電力パワー２００Ｗで４１分スパッタリングを行って
Ｔｂｕ Ｆｅ７ｓの組成の薄膜を約２４０ＯＡの膜厚で
形成した。
基板上に電力パワー１００Ｗで６１分スパッタリングを
行って厚み６３３ＡのＣｄＳ誘電体層を形成した。次い
で電力パワー２００Ｗで４１分スパッタリングを行って
Ｔｂｕ Ｆｅ７ｓの組成の薄膜を約２４０ＯＡの膜厚で
形成した。
かくして得られた２種の光磁気記録素子薯とついて、波
長６３３ ｎｍのレーザー光を基板側から投光してカー
回転角を測定したところ、 ＰＣ樹脂基板では０．２４
°、ＰＭＭＡ樹脂基板では０．２３°の値を得た。
長６３３ ｎｍのレーザー光を基板側から投光してカー
回転角を測定したところ、 ＰＣ樹脂基板では０．２４
°、ＰＭＭＡ樹脂基板では０．２３°の値を得た。
然るに、ＣｄＳ誘電体層がなく他は上述と全く同一の２
種の光磁気記録素子について、同じ測定を行なったとこ
ろ、カー回転角は０．１６°であった。
種の光磁気記録素子について、同じ測定を行なったとこ
ろ、カー回転角は０．１６°であった。
斯様に、Ｃ（１，ｓ誘電体層には層厚を設定することに
より、エンハンス効果をもたらすことができた。
より、エンハンス効果をもたらすことができた。
上述の実施例より、基体上に０！ｉｓから成る誘電体層
を介して磁性層を形成すると、基体と磁性層の密着性が
向上し、且つＳ／Ｎ比が大きくなり、長期化亘って安定
した光磁気特性を有する光磁気記録素子となる。加えて
、かかる誘電体層は電力効率が他の誘電体材料に比べて
格段に大きくなり、その結果、小さな電力パワーで高速
成膜を達成した量産型に相応しい光磁気記録素子が提供
される。
を介して磁性層を形成すると、基体と磁性層の密着性が
向上し、且つＳ／Ｎ比が大きくなり、長期化亘って安定
した光磁気特性を有する光磁気記録素子となる。加えて
、かかる誘電体層は電力効率が他の誘電体材料に比べて
格段に大きくなり、その結果、小さな電力パワーで高速
成膜を達成した量産型に相応しい光磁気記録素子が提供
される。
特許出願人 京セラ株式会社
手続補正書 （自発）
昭和５９年５月１日
Ｌ 事件の表示 昭和５９年特許願第 ５６τＯｏ 号
２、発明の名称 光磁気記録素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 京都市山科区東野北井ノ上町５番地の２２４、補
正命令の日付 自発 （１） 明細豊中第１３頁第８行目の「６１分」を「８
分」と補正する。 以上
２、発明の名称 光磁気記録素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 京都市山科区東野北井ノ上町５番地の２２４、補
正命令の日付 自発 （１） 明細豊中第１３頁第８行目の「６１分」を「８
分」と補正する。 以上
Claims (7)
- （１）基体上に硫化カドミウム（Ｃｄ５）から成る誘電
体層を介して光磁気記録媒体を有する磁性層を形成した
ことを特徴とする光磁気記録素子。 - （２）前記誘電体層の被着面がプラスチックスにより形
成されでいることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光磁気記録素子。 - （３） 前記基体がプラスチックスにより形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気
記録素子。 - （４） 前記プラスチックスがポリカーボネート樹脂で
あることを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第３項
記載の光磁気記録素子。 - （５）前記プラスチックスがポリメチルメタクリレート
樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第２項又は
第３項記載の光磁気記録素子。 - （６） 前記光磁気記録媒体が膜面に垂直方向に磁化容
易軸を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光磁気記録素子。 - （７） 前記基体がディスク状基板であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5670084A JPS60201546A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 光磁気記録素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5670084A JPS60201546A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 光磁気記録素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201546A true JPS60201546A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13034740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5670084A Pending JPS60201546A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 光磁気記録素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201546A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222445A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | 光ディスク |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP5670084A patent/JPS60201546A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222445A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | 光ディスク |
| JPH0566662B2 (ja) * | 1986-03-17 | 1993-09-22 | Fujitsu Ltd |
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