JPS6148149A - 光熱磁気記録媒体 - Google Patents
光熱磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6148149A JPS6148149A JP59168982A JP16898284A JPS6148149A JP S6148149 A JPS6148149 A JP S6148149A JP 59168982 A JP59168982 A JP 59168982A JP 16898284 A JP16898284 A JP 16898284A JP S6148149 A JPS6148149 A JP S6148149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- recording
- substrate
- reproducing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、少なくともレーザビームのような光ビームの
照射に塁く熱によって情報の記録を行ない、光ビームの
照射によって記録された情報を再生する光熱磁気記録媒
体に係り、特に磁性層が記録層と再生層とからなる２層
構造の光熱磁気記録媒体に関する。
照射に塁く熱によって情報の記録を行ない、光ビームの
照射によって記録された情報を再生する光熱磁気記録媒
体に係り、特に磁性層が記録層と再生層とからなる２層
構造の光熱磁気記録媒体に関する。
光ビーム（主としてレーザビーム）の照射によって情報
の記録・再生を行なう記録媒体、いわゆる光ディスクは
、機能から分類すると再生専用型。
の記録・再生を行なう記録媒体、いわゆる光ディスクは
、機能から分類すると再生専用型。
ＤＲＡＷ （Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅａｄ Ａｆｔｅｒ
Ｗｒｉｔｅ： １回書込み可能・間去不能）型、書換え
可能型の３種があり、これらのうち再生専用型とＤＲＡ
Ｗ型は既に実用化されている。ＤＲＡＷ型の光ディスク
では通常、正確なト、ラッキングと高速ランダムアクセ
スを容易にするための光学ヘッド案内用の溝（以下、プ
リグループというンがディスク基体上に設けられる。ま
た、再生専用型およびＤＲＡＷ型のいずれも、ゴミの付
着等による再生エラーを防止するために、光ビームは記
録層の形成されている面とは逆の面、すなわち基体の裏
面側から入射されるようになっている。
Ｗｒｉｔｅ： １回書込み可能・間去不能）型、書換え
可能型の３種があり、これらのうち再生専用型とＤＲＡ
Ｗ型は既に実用化されている。ＤＲＡＷ型の光ディスク
では通常、正確なト、ラッキングと高速ランダムアクセ
スを容易にするための光学ヘッド案内用の溝（以下、プ
リグループというンがディスク基体上に設けられる。ま
た、再生専用型およびＤＲＡＷ型のいずれも、ゴミの付
着等による再生エラーを防止するために、光ビームは記
録層の形成されている面とは逆の面、すなわち基体の裏
面側から入射されるようになっている。
現在では未だ実用には至っていないが、本発明が対象と
している書換え可能型の光デイスクメモリにおいても上
記のようなプリグループを設けることが望ましく、また
光ビームの入射も基体の裏面側からなされる方式が有利
である。
している書換え可能型の光デイスクメモリにおいても上
記のようなプリグループを設けることが望ましく、また
光ビームの入射も基体の裏面側からなされる方式が有利
である。
基体の裏面側から光ビームを入射させるためには、当然
のことながら基体は少なくともこの光ビームに対して、
つまり使用する光ビームの波長領域で透明でなければな
らない。この要求を満たす基体材料としては、具体的に
はガラス系材料か、あるいはＰＭＭＡ （ポリメチルメ
タクリレート）ＰＣ（ポリカーボネイト）、エポキシ等
に代表される透明樹脂系材料の２つが挙げられる。一方
、このような材質の基体にプリグループを形成する方法
としては、ガラス系材料に対しては平坦なガラス円板上
に樹脂を塗布して露光・現像処理する方法と、ガラス円
板を局部的にエツチング処理する方法とがあり、透明樹
脂系材料に対してはプリグループに対応した表面形状を
持つ金型を使用して、射出成型もしくは注型法によりプ
リグループ付基体を作成する方法が挙げられる。
のことながら基体は少なくともこの光ビームに対して、
つまり使用する光ビームの波長領域で透明でなければな
らない。この要求を満たす基体材料としては、具体的に
はガラス系材料か、あるいはＰＭＭＡ （ポリメチルメ
タクリレート）ＰＣ（ポリカーボネイト）、エポキシ等
に代表される透明樹脂系材料の２つが挙げられる。一方
、このような材質の基体にプリグループを形成する方法
としては、ガラス系材料に対しては平坦なガラス円板上
に樹脂を塗布して露光・現像処理する方法と、ガラス円
板を局部的にエツチング処理する方法とがあり、透明樹
脂系材料に対してはプリグループに対応した表面形状を
持つ金型を使用して、射出成型もしくは注型法によりプ
リグループ付基体を作成する方法が挙げられる。
上記した２種の基体材料の適否をプリグループの形成も
考慮して比較すれば、量産性、コストの面からは樹脂系
材料を選定するのが有利であり、またディスクを記録・
再生時に高速回転させて使用する際の安全性の面からも
、樹脂系材料の方がガラス系材料に比べ信頼性が高い。
考慮して比較すれば、量産性、コストの面からは樹脂系
材料を選定するのが有利であり、またディスクを記録・
再生時に高速回転させて使用する際の安全性の面からも
、樹脂系材料の方がガラス系材料に比べ信頼性が高い。
現実に、再生専用型およびＤＲＡＷ型光ディスクメモリ
の大半が、基体材料としてポリメチルメタクリレートま
たはポリカーボネイトを使用している。
の大半が、基体材料としてポリメチルメタクリレートま
たはポリカーボネイトを使用している。
基体上に記録、再生および消去が可能な記録層が形成さ
れた書換え可能型光ディスクメモリにおいても、同様な
理由から基体材料としては樹脂系材料を使用することが
望ましい。しかしながら樹脂系材料は気体透過性があり
、吸水率が大きく、さらには耐熱性が悪いという欠点を
有している。
れた書換え可能型光ディスクメモリにおいても、同様な
理由から基体材料としては樹脂系材料を使用することが
望ましい。しかしながら樹脂系材料は気体透過性があり
、吸水率が大きく、さらには耐熱性が悪いという欠点を
有している。
このため、基体上に形成される記録層には耐腐蝕性が要
求され、またディスク形成時において基体に熱負荷のか
かる製造プロセスは使用できない。
求され、またディスク形成時において基体に熱負荷のか
かる製造プロセスは使用できない。
書換え可能型光ディスクメモリの具体的構成法はいくつ
か提案されているが、最もメモリ効果が安定しているの
は、記録層として基体面に対し垂直な方向に磁化容易軸
を有する磁性膜（以下、垂直磁化膜という）を形成した
光熱磁気記録媒体である。垂直磁化膜を使用した光熱磁
気記録媒体の原理は既に良く知られているように、記録
すべき情報信号によって変調された光ビームを記録層に
照射して局部的にキューリー温度近傍まで加熱すること
、または上記加熱に加えて外部より磁界を印加すること
で、情報を垂直磁化膜の磁化反転の形で記録する。一方
、記録された情報の再生は、垂直磁化膜に直線偏光の光
ビームを照射し、垂直磁化膜の磁化反転に基く反射光の
偏光面の回転Ｃ極力−回転）、または透過光の偏光面の
回転（ファラデー回転）を検出して行なうものである。
か提案されているが、最もメモリ効果が安定しているの
は、記録層として基体面に対し垂直な方向に磁化容易軸
を有する磁性膜（以下、垂直磁化膜という）を形成した
光熱磁気記録媒体である。垂直磁化膜を使用した光熱磁
気記録媒体の原理は既に良く知られているように、記録
すべき情報信号によって変調された光ビームを記録層に
照射して局部的にキューリー温度近傍まで加熱すること
、または上記加熱に加えて外部より磁界を印加すること
で、情報を垂直磁化膜の磁化反転の形で記録する。一方
、記録された情報の再生は、垂直磁化膜に直線偏光の光
ビームを照射し、垂直磁化膜の磁化反転に基く反射光の
偏光面の回転Ｃ極力−回転）、または透過光の偏光面の
回転（ファラデー回転）を検出して行なうものである。
ここで、垂直磁化膜の材料としてはＭｎＢ ｉ多結晶系
材料、ＥＵ−カルコゲナイド系材料、単結晶磁性ガーネ
ット系材料、および稀土類−遷移金属非晶質合金系材料
（以下、ＲＥ−ＴＭ系材料と略称、稀土類元素をＲＥ、
遷移金属元素をＴＭと略称する）がある。これらのうち
、Ｍｎ−Ｂｔ系系材法相変化を起こし易く、記録マージ
ンが狭い粒界雑音が大きいという欠点を有し、Ｅｕ−カ
ルコゲナイド系材料は常温で記録ビットが保持でき
□゛ないという欠点を有し、単結晶磁性ガーネット
系材料は製造が困難で効果な上、樹脂系基体上には現状
の技術レベルでは成膜が不可能という欠点を有している
。
材料、ＥＵ−カルコゲナイド系材料、単結晶磁性ガーネ
ット系材料、および稀土類−遷移金属非晶質合金系材料
（以下、ＲＥ−ＴＭ系材料と略称、稀土類元素をＲＥ、
遷移金属元素をＴＭと略称する）がある。これらのうち
、Ｍｎ−Ｂｔ系系材法相変化を起こし易く、記録マージ
ンが狭い粒界雑音が大きいという欠点を有し、Ｅｕ−カ
ルコゲナイド系材料は常温で記録ビットが保持でき
□゛ないという欠点を有し、単結晶磁性ガーネット
系材料は製造が困難で効果な上、樹脂系基体上には現状
の技術レベルでは成膜が不可能という欠点を有している
。
これに対し、ＲＥ−ＴＭ系材料は一般的に再生信号のＣ
／Ｎに寄与する極力−効果が小さい、耐腐蝕性が悪いと
いった欠点は持っているものの、大面積の基体上へ蒸着
法、スパッタリング法等の量産性のある方法で成膜でき
、またメモリ特性をＲＥとＴＭの組合せ２組成比によっ
て広範囲−にねたって制御できるといった長所を有して
いるため最も有望視されており、現在各所で実用化へ向
けて研究・開発が精力的に進められている。ＲＥ−ＴＭ
系材料におけるＲＥとしては、Ｇｄ、Ｔｂ。
／Ｎに寄与する極力−効果が小さい、耐腐蝕性が悪いと
いった欠点は持っているものの、大面積の基体上へ蒸着
法、スパッタリング法等の量産性のある方法で成膜でき
、またメモリ特性をＲＥとＴＭの組合せ２組成比によっ
て広範囲−にねたって制御できるといった長所を有して
いるため最も有望視されており、現在各所で実用化へ向
けて研究・開発が精力的に進められている。ＲＥ−ＴＭ
系材料におけるＲＥとしては、Ｇｄ、Ｔｂ。
Ｄｙが、またＴＭとしてはＦｅ、Ｃｏがそれぞれ代表的
であり、それらの組合せと組成比によって特性が大幅に
異なる。
であり、それらの組合せと組成比によって特性が大幅に
異なる。
ＲＥ−ＴＭ系材料では一般的に次のことがいえる。まず
記録特性、すなわち半導体レーザ等からの低パワーの光
ビーム照射時に照射部の保磁力が数１００［Ｏｅ］以下
に低下して容易に磁化反転が起こり得るかどうかの点に
対しては、ＲＥについては特にＴＭがＦｅの場合Ｄｙ、
Ｔｂ、Ｇｄの順でキューリー温度が低いため、この順序
で良好であり、またＴＭについてはＦｅ、Ｃｏの順で良
好である。再生特性、すなわち再生用直線偏光光ビーム
の照射時の反射光の極力−回転角θＫが大きく反射光量
が大きいかどうかという点に対しては、ＲＥについては
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ’／の順でθにの値が大きいという点か
ら良好であり、ＴＭについてはＣｏ、Ｆｅの順で膜の光
反射率が大きいという理由から良好である。微小記録ビ
ットの安定性（保持温度における保磁力の大きさ）に対
しては、ＲＥについてＴｂ、Ｄｙ、Ｇｄの順で良好であ
る。さらに記録媒体の耐腐蝕性という観点からは、ＴＭ
がＦｅであるよりＣＯである方が格段に有利であり、逆
に均一特性の垂直磁化膜を大面積にわたり一様に作製す
るという観点からは、ＴＭがＧｏである方がＦｅである
場合よりも難しい。
記録特性、すなわち半導体レーザ等からの低パワーの光
ビーム照射時に照射部の保磁力が数１００［Ｏｅ］以下
に低下して容易に磁化反転が起こり得るかどうかの点に
対しては、ＲＥについては特にＴＭがＦｅの場合Ｄｙ、
Ｔｂ、Ｇｄの順でキューリー温度が低いため、この順序
で良好であり、またＴＭについてはＦｅ、Ｃｏの順で良
好である。再生特性、すなわち再生用直線偏光光ビーム
の照射時の反射光の極力−回転角θＫが大きく反射光量
が大きいかどうかという点に対しては、ＲＥについては
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ’／の順でθにの値が大きいという点か
ら良好であり、ＴＭについてはＣｏ、Ｆｅの順で膜の光
反射率が大きいという理由から良好である。微小記録ビ
ットの安定性（保持温度における保磁力の大きさ）に対
しては、ＲＥについてＴｂ、Ｄｙ、Ｇｄの順で良好であ
る。さらに記録媒体の耐腐蝕性という観点からは、ＴＭ
がＦｅであるよりＣＯである方が格段に有利であり、逆
に均一特性の垂直磁化膜を大面積にわたり一様に作製す
るという観点からは、ＴＭがＧｏである方がＦｅである
場合よりも難しい。
このように、単層のＲＥ−７Ｍ膜では光熱磁気記録媒体
への要求性能を全て満足することは困ｎである。この問
題を解決する有効な手段として、特性の異なる２層のＲ
Ｅ−ＴＭＩＩを積層することが提案されている。ＲＥ−
ＴＭＩＩの２層化による光熱磁気記録・光磁気再生特性
の向上については、例えば文献（１）サイエンスフォー
ラム社発行「光磁気メモリー総合技術集成」第３節 ア
モルファス材料 ■ アモルファス多層膜８交献（２）
Ｊ、 Ａｐｆ）Ｉ 、 Ｐｈｙｓ 、 ５５ （６）
、 １５ Ｍａｒｃｈ１９８４ 、特開昭５６−１５
３５４６号公報、特開昭５７−７８６５２号公報等に開
示されている。
への要求性能を全て満足することは困ｎである。この問
題を解決する有効な手段として、特性の異なる２層のＲ
Ｅ−ＴＭＩＩを積層することが提案されている。ＲＥ−
ＴＭＩＩの２層化による光熱磁気記録・光磁気再生特性
の向上については、例えば文献（１）サイエンスフォー
ラム社発行「光磁気メモリー総合技術集成」第３節 ア
モルファス材料 ■ アモルファス多層膜８交献（２）
Ｊ、 Ａｐｆ）Ｉ 、 Ｐｈｙｓ 、 ５５ （６）
、 １５ Ｍａｒｃｈ１９８４ 、特開昭５６−１５
３５４６号公報、特開昭５７−７８６５２号公報等に開
示されている。
これらの公知例においては、光ビームの入射方向に極力
−効果が・大きいＧｄ Ｆｅ１Ｌ （３ｃｌＣｏｌＱを
形成し、それに積層して常）晶で保磁力の大きいＴｂＦ
ｅ膜、ＤｙＦｅ膜をｖ４層した構造のものが具体的に述
べられており、記録特性、再生特性、および記録ビット
の安定性が単層のものに比べて改善された結果が報告さ
れている。
−効果が・大きいＧｄ Ｆｅ１Ｌ （３ｃｌＣｏｌＱを
形成し、それに積層して常）晶で保磁力の大きいＴｂＦ
ｅ膜、ＤｙＦｅ膜をｖ４層した構造のものが具体的に述
べられており、記録特性、再生特性、および記録ビット
の安定性が単層のものに比べて改善された結果が報告さ
れている。
しかしながら、このような２層のＲＥ−７Ｍ膜を実用的
構成の光熱磁気記録媒体、すなわち望ましくは樹脂系材
料からなる基体と、この基体上に再生層および記録層を
積層した（を造の媒体に適用した場合には、例えば再生
層がＧｄＦｅ膜の場合は基板側から透過する空気中の酸
素によってＧｄＦｅ膜の酸化が進行するため、寿命の点
で問題がある。ＧｄＦｅ膜に対するこのような問題点を
回避するために、基体とＧｄ 、１” ｅ膜との間に透
明保護層を介在さＶるという方法が考えられるが、樹脂
系材料からなる基体が熱的に耐え得るような成膜方法に
よっては大面積にわたりピンホールのない透明法ＩＮＦ
の形成は現状の技術レベルで（よ困難であり、ピンホー
ルを通しての腐蝕の進行に対しては効果がない。また、
再生層にＧｄＣ０膜を用いた場合は、寿命の点では極め
て有利となる反面、ＧｄＧｏ膜は成膜方法にバイアス・
スパッタリング法を使用しなければ垂直磁化膜となり得
ないため、成膜中に樹脂基体が熱負荷に耐えられないと
いう問題がある。
構成の光熱磁気記録媒体、すなわち望ましくは樹脂系材
料からなる基体と、この基体上に再生層および記録層を
積層した（を造の媒体に適用した場合には、例えば再生
層がＧｄＦｅ膜の場合は基板側から透過する空気中の酸
素によってＧｄＦｅ膜の酸化が進行するため、寿命の点
で問題がある。ＧｄＦｅ膜に対するこのような問題点を
回避するために、基体とＧｄ 、１” ｅ膜との間に透
明保護層を介在さＶるという方法が考えられるが、樹脂
系材料からなる基体が熱的に耐え得るような成膜方法に
よっては大面積にわたりピンホールのない透明法ＩＮＦ
の形成は現状の技術レベルで（よ困難であり、ピンホー
ルを通しての腐蝕の進行に対しては効果がない。また、
再生層にＧｄＣ０膜を用いた場合は、寿命の点では極め
て有利となる反面、ＧｄＧｏ膜は成膜方法にバイアス・
スパッタリング法を使用しなければ垂直磁化膜となり得
ないため、成膜中に樹脂基体が熱負荷に耐えられないと
いう問題がある。
このように２層のＲＥ−ＴＭｉｌによる光熱磁気、記録
媒体では、再生層および記録層共に、無バイアスもしく
は低バイアス・スパッタリング法または蒸着法等の成膜
中における基体面への熱負荷の小さい成膜法で容易に垂
直磁化膜とすることができ、しかも光ビームが入射する
側の再生層が耐腐蝕性に優れるということが要求される
のであるが、公知の構成ではこのような要求を満たすこ
とが困難であった。
媒体では、再生層および記録層共に、無バイアスもしく
は低バイアス・スパッタリング法または蒸着法等の成膜
中における基体面への熱負荷の小さい成膜法で容易に垂
直磁化膜とすることができ、しかも光ビームが入射する
側の再生層が耐腐蝕性に優れるということが要求される
のであるが、公知の構成ではこのような要求を満たすこ
とが困難であった。
本発明の目的は、記録特性と再生特性が共に良好であっ
て、垂直磁化膜を基体への熱負荷の小ざい方法で成膜で
き、さらに耐腐蝕性に優れた長寿命の光熱磁気記録媒体
を提供することにある。
て、垂直磁化膜を基体への熱負荷の小ざい方法で成膜で
き、さらに耐腐蝕性に優れた長寿命の光熱磁気記録媒体
を提供することにある。
本発明は、基体上に該基体面に対して垂直な方向に磁化
容易軸を有する記録層および再生層を積層して構成され
、少なくとも光ビームの照射に基く熱によって情報を記
録し、光ビームの照射によって情報を再生する光熱磁気
記録媒体において、再生層がＧｄＴｂＣｏ非晶質フェリ
磁性合金膜であり、さらに記録層が再生層よりキューリ
ー温度の低い磁性膜によって形成されることを骨子とす
る。
容易軸を有する記録層および再生層を積層して構成され
、少なくとも光ビームの照射に基く熱によって情報を記
録し、光ビームの照射によって情報を再生する光熱磁気
記録媒体において、再生層がＧｄＴｂＣｏ非晶質フェリ
磁性合金膜であり、さらに記録層が再生層よりキューリ
ー温度の低い磁性膜によって形成されることを骨子とす
る。
ここで、再生層の組成としては、ＧｄＴｂＣ。
非晶質フェリ磁性合金膜における稀土類元素中のＧｄの
組成比が５〜７０［ａｔ、％］の範囲にあることが望ま
しい。すなわち、再生層の組成式（Ｇｄ、Ｔｂよ−、）
Ｇｏにおいて、無バイアスもしくは低バイアスの低温ス
パッタリング法で垂直磁化膜が得られるようにするため
には、ｙ≦７０［ａｔ、％］が望ましく、また２層ＲＥ
−ＴＭ膜の記録特性を良好にする上ではｙ≧５［ａｔ、
％］が望ましい。
組成比が５〜７０［ａｔ、％］の範囲にあることが望ま
しい。すなわち、再生層の組成式（Ｇｄ、Ｔｂよ−、）
Ｇｏにおいて、無バイアスもしくは低バイアスの低温ス
パッタリング法で垂直磁化膜が得られるようにするため
には、ｙ≦７０［ａｔ、％］が望ましく、また２層ＲＥ
−ＴＭ膜の記録特性を良好にする上ではｙ≧５［ａｔ、
％］が望ましい。
再生層より低キユーリ一温度である記録層を構成する磁
性膜としては、例えばＴｂＦｅ膜。
性膜としては、例えばＴｂＦｅ膜。
ＤｙＦｅ膜、ＴｂＦｅＣｏ１１１等を用いることができ
る。また、記録層の組成は再生層であるＧｄＴｂＣｏ非
晶質フェリ磁性合金膜の磁化反転が記録層のキューリー
温度以下の温度領域で起り得る組成比とすることが望ま
しい。
る。また、記録層の組成は再生層であるＧｄＴｂＣｏ非
晶質フェリ磁性合金膜の磁化反転が記録層のキューリー
温度以下の温度領域で起り得る組成比とすることが望ま
しい。
また、本発明は基体の材料が、プリグループの形成が容
易であって、高速回転時の安全性の点でも問題のないポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネイト、エポキシ
等の透明な樹脂系材料である場合に特に有効である。
易であって、高速回転時の安全性の点でも問題のないポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネイト、エポキシ
等の透明な樹脂系材料である場合に特に有効である。
本発明によれば、再生層として極力−回転角が大きく反
射光量の大きいＧｄＴｂＣｏ非晶質フェリ磁性合金膜を
使用しているため、再生特性が良好である。また、記録
特性についても再生層であるＧｄＴｂＣｏ非晶質フェリ
磁性合金膜に、これよりキューリー温度の低い磁性膜か
らなる記録層を組合わせて使用していることによって、
再生層の磁化反転が記録層のキューリー温度近傍で起こ
るようになるため、ＧｄＴｂＣｏ膜単層の場合に比べて
高感度で、例えばＴｂＦｅ膜のみの単層膜を用いた場合
と同程度の良好な記録感度が得られる。
射光量の大きいＧｄＴｂＣｏ非晶質フェリ磁性合金膜を
使用しているため、再生特性が良好である。また、記録
特性についても再生層であるＧｄＴｂＣｏ非晶質フェリ
磁性合金膜に、これよりキューリー温度の低い磁性膜か
らなる記録層を組合わせて使用していることによって、
再生層の磁化反転が記録層のキューリー温度近傍で起こ
るようになるため、ＧｄＴｂＣｏ膜単層の場合に比べて
高感度で、例えばＴｂＦｅ膜のみの単層膜を用いた場合
と同程度の良好な記録感度が得られる。
さらに、本発明においては再生層および記録層共にＧｄ
ＣｏＰＡのようなバイアス・スパッタリングでなく、無
バイアス・スパッタリング法や蒸着法といった基、体へ
の熱負荷の小さい成膜法を用いて作製できるので、この
種の記録媒体で通常必要とされるプリグループを設は易
いポリメチルメタクリレート、ポリカーボネイト、エポ
キシ等の樹脂系基体を使用することができる。また、こ
のような樹脂系基体は気体透過性が良いため、磁性膜の
腐蝕が問題なるが、本発明によれば例えば樹脂系基体と
して光ビームに対して透明な材料を使用し、再生層と記
録層のうち再生層を基体側に成膜して基体の裏面側から
光ビームを照射して記録。
ＣｏＰＡのようなバイアス・スパッタリングでなく、無
バイアス・スパッタリング法や蒸着法といった基、体へ
の熱負荷の小さい成膜法を用いて作製できるので、この
種の記録媒体で通常必要とされるプリグループを設は易
いポリメチルメタクリレート、ポリカーボネイト、エポ
キシ等の樹脂系基体を使用することができる。また、こ
のような樹脂系基体は気体透過性が良いため、磁性膜の
腐蝕が問題なるが、本発明によれば例えば樹脂系基体と
して光ビームに対して透明な材料を使用し、再生層と記
録層のうち再生層を基体側に成膜して基体の裏面側から
光ビームを照射して記録。
再生を行なえば、再生層であるＧｄＴｂＣｏ非晶質フェ
リ磁性合金膜の耐腐蝕性が良好であるために、基体を介
しての記録層の腐蝕のおそれがなく、長寿命化が図られ
ることになる。
リ磁性合金膜の耐腐蝕性が良好であるために、基体を介
しての記録層の腐蝕のおそれがなく、長寿命化が図られ
ることになる。
（発明の実施例）
第１図は本発明の一実施例に係る光熱磁気記録媒体の記
録断面図である。第１図において、基体１１は例えば直
径２００ｍ、厚さ１．５ｒｎＩＲのポリメチルメタクリ
レート基板であり、この基体１１上に再生層１２として
膜厚１０００人の（Ｇｄ Ｔｂ ） Ｃｏ 膜
が形成され、この再！０ ８０ １・
８１生層１２上に記録層１３として、例えば膜厚１
０００人のＴｂ Ｆｅ 膜が形成されている。
録断面図である。第１図において、基体１１は例えば直
径２００ｍ、厚さ１．５ｒｎＩＲのポリメチルメタクリ
レート基板であり、この基体１１上に再生層１２として
膜厚１０００人の（Ｇｄ Ｔｂ ） Ｃｏ 膜
が形成され、この再！０ ８０ １・
８１生層１２上に記録層１３として、例えば膜厚１
０００人のＴｂ Ｆｅ 膜が形成されている。
ｔｏ ｎ。
記録層１３の上にはさらに保護層１４として、例えば膜
厚１０００人の３ｉ３Ｎ＋膜が形成されている。
厚１０００人の３ｉ３Ｎ＋膜が形成されている。
第２図は本実施例で各層の成膜に使用したスパッタリン
グ装置の概略構成図である。第２図において、２１は成
膜室、２２はガス供給系、２３は排気系、２４はマグネ
トロンスパッタガン、２５はシャッタ、２６は電源、２
７は基体ホルダ、２８はサンプル基体である。マグネト
ロンスパッタガン２４は基体ホルダ２７に対して対称な
位置に４つ設置されている。また、基体ホルダ２７には
適宜バイアスを印加することができるようになっている
。
グ装置の概略構成図である。第２図において、２１は成
膜室、２２はガス供給系、２３は排気系、２４はマグネ
トロンスパッタガン、２５はシャッタ、２６は電源、２
７は基体ホルダ、２８はサンプル基体である。マグネト
ロンスパッタガン２４は基体ホルダ２７に対して対称な
位置に４つ設置されている。また、基体ホルダ２７には
適宜バイアスを印加することができるようになっている
。
第２図の構成において、ガス供給系２２からスパッタ雰
囲気となるガス（主にＡｒ）を成膜至２１内に導入し、
排気系２３のバルブを調整して成ＩＩＡｖ２１内のガス
圧力を５ ｍ Ｔ ｏｒｒ程度に維持した後、マグネト
ロンスパッタガン２４に電源２６から直流または高周波
電力を印加してスパッタを開始する。次に、基体ホルダ
２７を６０ ｒｌ）ＩＩ程度で回転させ、シャッタ２５
を開いてサンプル基体２８上に所定の膜厚が得られるま
で成膜を行なった。使用したターゲットは、Ｇｄ、Ｔｂ
、Ｆｅ。
囲気となるガス（主にＡｒ）を成膜至２１内に導入し、
排気系２３のバルブを調整して成ＩＩＡｖ２１内のガス
圧力を５ ｍ Ｔ ｏｒｒ程度に維持した後、マグネト
ロンスパッタガン２４に電源２６から直流または高周波
電力を印加してスパッタを開始する。次に、基体ホルダ
２７を６０ ｒｌ）ＩＩ程度で回転させ、シャッタ２５
を開いてサンプル基体２８上に所定の膜厚が得られるま
で成膜を行なった。使用したターゲットは、Ｇｄ、Ｔｂ
、Ｆｅ。
Ｃｏ、３ ｉ３ Ｎ４の５種類であり、これらのうち４
つを適宜マグネトロンスパッタ・ガン２４に設置して合
金成膜、連続成膜を行なった。合金成膜の際の組成は各
マグネトロンスパッタガン２４へ印加する電力比で制御
し、膜厚は時間制御とした。
つを適宜マグネトロンスパッタ・ガン２４に設置して合
金成膜、連続成膜を行なった。合金成膜の際の組成は各
マグネトロンスパッタガン２４へ印加する電力比で制御
し、膜厚は時間制御とした。
ＲＥ−ＴＭ膜の形成時はスパッタ雰囲気として純Ａｒガ
スを使用し、ターゲットに直流電圧を印加した。さらに
、５ｉｉＮ＋の形成時は２５％Ｎ２−Ａｒ混合ガスを使
用して、ターゲットに高周波電力を印加した。
スを使用し、ターゲットに直流電圧を印加した。さらに
、５ｉｉＮ＋の形成時は２５％Ｎ２−Ａｒ混合ガスを使
用して、ターゲットに高周波電力を印加した。
第１図に示した本発明の一実施例による光熱磁気記録媒
体の有効性を調べるために、本発明者らは次に述べる実
験を行なった。
体の有効性を調べるために、本発明者らは次に述べる実
験を行なった。
支［
第３図は試作した種々のＲＥ−ＴＭ光熱磁気記録媒体の
サンプルを示したものであり、（ａ）はガラス基体３）
上にＴ ｂ、。Ｆ ｅｓｏ膜３２゜（Ｇｄ、。Ｔｂ、。
サンプルを示したものであり、（ａ）はガラス基体３）
上にＴ ｂ、。Ｆ ｅｓｏ膜３２゜（Ｇｄ、。Ｔｂ、。
）１．ＣＯ，１膜３３を順次形成も、（Ｇ ｄ２ｏ Ｔ
ｂｇｏ ）ｓｏ ＣＯａｔ膜３３側から光ビーム３４
を照射するようにした本発明に基く構造の媒体、（ｂ）
（ｃ）はそれぞれ（ａ）に示′す（Ｇｄ！ＯＴｂ、。’
ｔｏ Ｃ０ａｔ膜３３をＧｄ、。Ｆｅ、。
ｂｇｏ ）ｓｏ ＣＯａｔ膜３３側から光ビーム３４
を照射するようにした本発明に基く構造の媒体、（ｂ）
（ｃ）はそれぞれ（ａ）に示′す（Ｇｄ！ＯＴｂ、。’
ｔｏ Ｃ０ａｔ膜３３をＧｄ、。Ｆｅ、。
１Ｉ３５．Ｇ（Ｉ□ＣＯ？、膜３６に置換えた従来構造
の媒体である。但し、各ＲＥ−、ＴＭ膜の膜厚は全て１
０００人とした。また、Ｇｄ Ｃｏ １１１３６！
宜 丁ａ の形成時は一１００■のバイアス電圧を基体３）に印加
した。
の媒体である。但し、各ＲＥ−、ＴＭ膜の膜厚は全て１
０００人とした。また、Ｇｄ Ｃｏ １１１３６！
宜 丁ａ の形成時は一１００■のバイアス電圧を基体３）に印加
した。
第３図（ａ）〜（Ｃ）の３つのサンプルを７０℃、８５
％ＲＨの゛恒温恒湿槽中に放置し、極力−回転角θにの
放置時間との関係を調べた（カー回転角θにの測定は）
（ｅ−Ｎｅレーザビームを膜面側から照射して行なった
）。その結果を第４図に示す。第４図において−１４１
は第３図（ａ）（Ｃ）のサンプルの特性、４２は第３図
（ｂ）のサンプルの特性である。この結果かられかるよ
うに、空気にさらされる面にＧｄＦｅ膜が形成されてい
る第３図（ｂ）に示すサンプルでは、酸化により容易に
光磁気特性が失われる。 。
％ＲＨの゛恒温恒湿槽中に放置し、極力−回転角θにの
放置時間との関係を調べた（カー回転角θにの測定は）
（ｅ−Ｎｅレーザビームを膜面側から照射して行なった
）。その結果を第４図に示す。第４図において−１４１
は第３図（ａ）（Ｃ）のサンプルの特性、４２は第３図
（ｂ）のサンプルの特性である。この結果かられかるよ
うに、空気にさらされる面にＧｄＦｅ膜が形成されてい
る第３図（ｂ）に示すサンプルでは、酸化により容易に
光磁気特性が失われる。 。
第５図は第３図（ｂ）のサンプルを７０℃。
８５％ＲＨの雰囲気に２日間放置した後の膜面の一部の
反射型光学顕微鏡写真（Ｘ４００）である。
反射型光学顕微鏡写真（Ｘ４００）である。
この写真で黒い枝状の部分は腐蝕が特に著しく進行した
部分−であ゛す、第４図−の４２に示したデータはこの
ような黒い枝・状の部分を避けてＨｅ−Ｎｅレーザビー
ムを照射することにより得たものである。第４図および
第５図から明らかな７ように、Ｇｄ Ｆ ｅ膜を表面に
形成した媒体は、メモリ寿命の面から実用上使用困難で
ある。ｉだ、図には示していないが、第３図（ｂ）と同
様の構造でＱ ｄ Ｆ ｅ ＩＩに代えＧｄ （Ｆｅ
Ｃｏ□−、）、。
部分−であ゛す、第４図−の４２に示したデータはこの
ような黒い枝・状の部分を避けてＨｅ−Ｎｅレーザビー
ムを照射することにより得たものである。第４図および
第５図から明らかな７ように、Ｇｄ Ｆ ｅ膜を表面に
形成した媒体は、メモリ寿命の面から実用上使用困難で
ある。ｉだ、図には示していないが、第３図（ｂ）と同
様の構造でＱ ｄ Ｆ ｅ ＩＩに代えＧｄ （Ｆｅ
Ｃｏ□−、）、。
冨ｏｙ
（Ｙ＞８０ａｔ％）のサンプルを作製し同様の試験を行
なったところ、第５図に見られるのと同様の腐蝕パター
ンを呈した。第３図（ａ）（Ｃ）のサンプルについては
、第５図のような局部的に腐蝕の著しい部分は全く見ら
れなかった。
なったところ、第５図に見られるのと同様の腐蝕パター
ンを呈した。第３図（ａ）（Ｃ）のサンプルについては
、第５図のような局部的に腐蝕の著しい部分は全く見ら
れなかった。
また、第３図（ｂ）のサンプルのＧｄＦｅ１１３５の上
に保護層として５ｉｉＮ＜腹を１０００人連続成膜した
サンブールを作製し、同様−に７０℃。
に保護層として５ｉｉＮ＜腹を１０００人連続成膜した
サンブールを作製し、同様−に７０℃。
８５％Ｒｌ−１の雰囲気に１週間放置した。第６図は１
週間経過後の膜面側から観測した反射型光学顕微鏡写真
（Ｘ４００）である。Ｓｉ３．Ｎ＋膜からなる保護層の
サンプル基体に存在するピンホールを通−してＧｄ、Ｆ
ｅｌの酸化が進行している様子が明確に示されており、
ＴＭとしてｌ”ｅを主成分とするＲＥ−ＴＭ膜は実用的
な寿命を有していないことが理解されよう。
週間経過後の膜面側から観測した反射型光学顕微鏡写真
（Ｘ４００）である。Ｓｉ３．Ｎ＋膜からなる保護層の
サンプル基体に存在するピンホールを通−してＧｄ、Ｆ
ｅｌの酸化が進行している様子が明確に示されており、
ＴＭとしてｌ”ｅを主成分とするＲＥ−ＴＭ膜は実用的
な寿命を有していないことが理解されよう。
友」１Ｌ
５０闇Ｘ５０順、Ｌ５ｍｔｎ厚の注型ポリメチルメタク
リレート基体を２枚用意し、そのうちの１枚には（Ｇｄ
、。Ｔｂ、。）１＠ Ｃ０８１’を１０００人の厚さに
基体バイアス無しのスパッタリング法で成膜し、他の１
枚にはＧ ｄ、、 Ｃｏ、、膜を一５０Ｖの基体バイア
スを印加してバイアススパッタリング法で成膜した。こ
れらをサンプル４，５とする。
リレート基体を２枚用意し、そのうちの１枚には（Ｇｄ
、。Ｔｂ、。）１＠ Ｃ０８１’を１０００人の厚さに
基体バイアス無しのスパッタリング法で成膜し、他の１
枚にはＧ ｄ、、 Ｃｏ、、膜を一５０Ｖの基体バイア
スを印加してバイアススパッタリング法で成膜した。こ
れらをサンプル４，５とする。
なお、サンプル４で基体バイアス電圧を一５０Ｖとした
のは、基体バイアスの絶対値が５０Ｖに満たない領域で
はＧｄＣｏ１！Ｉの場合、垂直磁化膜が得られないため
である。成Ｉｌｌ後のサンプル４，５の膜面を反射型光
学顕微鏡でｖＡ察した結果を第７図および第８図に示す
。第８図から明らかなように、ＧｄＣｏ膜の場合は、垂
直磁化膜が得られる条件下（バイアス電圧の絶対値が５
０Ｖ以上）では、基体への熱負荷が大きいためにポリメ
チルメタクリレートからなる基体が熱的に耐えられない
。
のは、基体バイアスの絶対値が５０Ｖに満たない領域で
はＧｄＣｏ１！Ｉの場合、垂直磁化膜が得られないため
である。成Ｉｌｌ後のサンプル４，５の膜面を反射型光
学顕微鏡でｖＡ察した結果を第７図および第８図に示す
。第８図から明らかなように、ＧｄＣｏ膜の場合は、垂
直磁化膜が得られる条件下（バイアス電圧の絶対値が５
０Ｖ以上）では、基体への熱負荷が大きいためにポリメ
チルメタクリレートからなる基体が熱的に耐えられない
。
これに対し、ＧｄＴｂＣｏ膜は無バイアスで垂直磁化膜
となるので、第７図に見られるようにポリメチルメタク
リレート基体上に鏡面膜として形成される利点がある。
となるので、第７図に見られるようにポリメチルメタク
リレート基体上に鏡面膜として形成される利点がある。
次に、（Ｇｄ Ｔｂ ） Ｇｏ のｙを３０
）’ １−Ｙ ｕ ｓｔ ［ａｔ１％］、５０［ａｔ、％］、７０［ａｔ、％］。
）’ １−Ｙ ｕ ｓｔ ［ａｔ１％］、５０［ａｔ、％］、７０［ａｔ、％］。
９０［ａｔ、％］と変化させて基体バイアス無しのスパ
ッタリング法でＧｄＴｂＣｏ１１ｉをポリメチルメタク
リレート基体上に１０００人の厚さ成膜したところ、Ｖ
＝＝３０［ａｔ０％１の膜は垂直磁化膜となったが、ｙ
−５０［ａｔ、％３ 、７０ ［ａｔ、％］の膜は垂直
磁化膜どならなかった。そこで、ｙ＝５０［ａｔ、％］
の膜を基体バイアス−１０■。
ッタリング法でＧｄＴｂＣｏ１１ｉをポリメチルメタク
リレート基体上に１０００人の厚さ成膜したところ、Ｖ
＝＝３０［ａｔ０％１の膜は垂直磁化膜となったが、ｙ
−５０［ａｔ、％３ 、７０ ［ａｔ、％］の膜は垂直
磁化膜どならなかった。そこで、ｙ＝５０［ａｔ、％］
の膜を基体バイアス−１０■。
−３０Ｖ、−５０Ｖと変化させ、ポリメチルメタクリレ
ート基体上に１０００大成膜したところ、上記した全て
の基体バイアス電圧（−１０Ｖ、−３０Ｖ、−５０Ｖ）
の条件で垂直磁化膜となったが、−５０■のバイアス電
圧を印加したものではポリメチルメタクリレート基体に
クラックが発生した。
ート基体上に１０００大成膜したところ、上記した全て
の基体バイアス電圧（−１０Ｖ、−３０Ｖ、−５０Ｖ）
の条件で垂直磁化膜となったが、−５０■のバイアス電
圧を印加したものではポリメチルメタクリレート基体に
クラックが発生した。
次に、Ｖ−７０［ａｔ、％］の組成の膜を同じく基体バ
イアスを一１０Ｖ、−３０Ｖ、−５０Ｖと変化させてポ
リメチルメタクリレート基体上に成膜したところ、基体
バイアスが一３０Ｖおよ゛び、−５０Ｖの場合にのみ垂
直磁化膜が得られたが、−５０Ｖの基体バイアスを印加
したものは基体にクラックが発生した。Ｖ＝９０［ａｔ
、％、］の組成の腹では、−５０Ｖの基体バイアスを印
加しなければ垂直磁化膜は得られないが、−５０■の基
体バイアスを印加するとポリメチルメタクリレート基体
にやはりクラックが発生した。
イアスを一１０Ｖ、−３０Ｖ、−５０Ｖと変化させてポ
リメチルメタクリレート基体上に成膜したところ、基体
バイアスが一３０Ｖおよ゛び、−５０Ｖの場合にのみ垂
直磁化膜が得られたが、−５０Ｖの基体バイアスを印加
したものは基体にクラックが発生した。Ｖ＝９０［ａｔ
、％、］の組成の腹では、−５０Ｖの基体バイアスを印
加しなければ垂直磁化膜は得られないが、−５０■の基
体バイアスを印加するとポリメチルメタクリレート基体
にやはりクラックが発生した。
１１」と
実験例１，２から明らかになったように、低温で成膜が
でき、しかも耐腐蝕性の良好なＲＥ−丁ＭＪＩＩ材料は
（Ｇｄ、丁ｂｌ−，）Ｇｏのｙ≦７０［ａｔ、％］の組
成Ｉ！域の膜であることがわかった。
でき、しかも耐腐蝕性の良好なＲＥ−丁ＭＪＩＩ材料は
（Ｇｄ、丁ｂｌ−，）Ｇｏのｙ≦７０［ａｔ、％］の組
成Ｉ！域の膜であることがわかった。
このｖｔ識に基き、実験例３として、直径２００ａｍ。
１．５ｍ厚のガラス基体上に、単層の
（Ｇｄ、。Ｔｂ、。）ｔ、ＣＯ，ＩＷＡを１０００人の
厚さに無バイアススパッタリング法で成膜し、Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザを特徴とする特性評価システムにて記録試験を
実施した。動特性評価システムの基本構成は、Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザ、ＡＯｆ調器調器１ミ射ミラー光ビームスプリ
ッタ、対物レンズ、ビームスプリッタ、焦点位置側ａｔ
ｏｍ構、主信号検出器からなる通常のものであり、補助
磁界発生用電磁石はディスクを挟んで対物レンズと反対
側に設置される。記録用光ビームは繰返し周期４μｓｅ
ｃ 。
厚さに無バイアススパッタリング法で成膜し、Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザを特徴とする特性評価システムにて記録試験を
実施した。動特性評価システムの基本構成は、Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザ、ＡＯｆ調器調器１ミ射ミラー光ビームスプリ
ッタ、対物レンズ、ビームスプリッタ、焦点位置側ａｔ
ｏｍ構、主信号検出器からなる通常のものであり、補助
磁界発生用電磁石はディスクを挟んで対物レンズと反対
側に設置される。記録用光ビームは繰返し周期４μｓｅ
ｃ 。
パルス幅５００ ｎ５ｅｃのパルス変調波であり、ガラ
ス基体、面側から膜面に照射される。この光ビームの膜
面での最大パワーは７ｍＷ、ビームスポット径は約１．
２μｍφ、また補助磁界の膜面上での最大値は９５０
［Ｏｅ］である。
ス基体、面側から膜面に照射される。この光ビームの膜
面での最大パワーは７ｍＷ、ビームスポット径は約１．
２μｍφ、また補助磁界の膜面上での最大値は９５０
［Ｏｅ］である。
この動特性評価システムにて、
（Ｇｄ Ｔｂ ） Ｇｏ、、ｍｌの記録試験をデ
ィスｔｏｍａ Ｉｍ り回転速１１４ｍ／ｓｅａで行なったところ、９００［
Ｏｅ］の補助磁界印加時の記録ビット形成閾値パワー（
以下、記録閾値という）は膜面で６ｍＷであった。これ
ら記録閾値および補助磁界の大きさは、通常光学系を構
成する上で望ましいとされている。補助磁界５００ ［
Ｏｅ］以下で、記録閾値５ｍＷという数値に比べかなり
大きく、単層のＴｂＣｏ１１＊では光熱磁気記録媒体と
して十分なものが得られないことがわかる。
ィスｔｏｍａ Ｉｍ り回転速１１４ｍ／ｓｅａで行なったところ、９００［
Ｏｅ］の補助磁界印加時の記録ビット形成閾値パワー（
以下、記録閾値という）は膜面で６ｍＷであった。これ
ら記録閾値および補助磁界の大きさは、通常光学系を構
成する上で望ましいとされている。補助磁界５００ ［
Ｏｅ］以下で、記録閾値５ｍＷという数値に比べかなり
大きく、単層のＴｂＣｏ１１＊では光熱磁気記録媒体と
して十分なものが得られないことがわかる。
上記の動特性評価に供したと同一条件でガラス基体上に
（Ｇ ｄｔ、 Ｔ ｂ、。）、、 Ｃｏ□膜を１０００
人の厚さに成膜し、ｌ−１ｅ−Ｎｅレーザを光源とする
サンプル加熱機構を設けたカーヒステリシスループ測定
系を使用して、躾の保磁力ＨＣと極力−回転角θにの大
きさの温度依存性を調べた結果を第９図に示す。図に示
すように膜を２００℃まで加熱しても（Ｇｄ、。Ｔｂ、
。）１１ Ｃ０Ｉ１１膜の保磁力１−１ｃは常温下の保
磁力１．３ ［ｋＯｅｌの約７０％までしか減少してお
らず、前述した記録特性評価での記録閾値が大き過ぎる
という結果と対応している。
（Ｇ ｄｔ、 Ｔ ｂ、。）、、 Ｃｏ□膜を１０００
人の厚さに成膜し、ｌ−１ｅ−Ｎｅレーザを光源とする
サンプル加熱機構を設けたカーヒステリシスループ測定
系を使用して、躾の保磁力ＨＣと極力−回転角θにの大
きさの温度依存性を調べた結果を第９図に示す。図に示
すように膜を２００℃まで加熱しても（Ｇｄ、。Ｔｂ、
。）１１ Ｃ０Ｉ１１膜の保磁力１−１ｃは常温下の保
磁力１．３ ［ｋＯｅｌの約７０％までしか減少してお
らず、前述した記録特性評価での記録閾値が大き過ぎる
という結果と対応している。
支１１Ｌ
第１図に示した本発明の一実茄例に係る光熱磁気記録媒
体を実験例３で述べたと同一の記録試験に供したところ
、６００［Ｏｅコの補助磁界印加時の記録閾値は５ｍＷ
であった。この値は実験例３で述べたと同一組成、同一
膜厚の（Ｇｄ Ｔｂ）２６ Ｓｏ ｌＩ Ｃ０膜中層の記録閾値よりかなり小さく、Ｔｂ２５８＋ Ｆｅ 膜を積層したことによってＧ ｄ Ｔ ｂ Ｃ
ｏ ＩＩの記録特性が改善されたことを示している。こ
のようにＴｂ、。Ｆ ｅ、ｏｉ！を積層したことで記録
特性が改善される理由は、以下の通りである。
体を実験例３で述べたと同一の記録試験に供したところ
、６００［Ｏｅコの補助磁界印加時の記録閾値は５ｍＷ
であった。この値は実験例３で述べたと同一組成、同一
膜厚の（Ｇｄ Ｔｂ）２６ Ｓｏ ｌＩ Ｃ０膜中層の記録閾値よりかなり小さく、Ｔｂ２５８＋ Ｆｅ 膜を積層したことによってＧ ｄ Ｔ ｂ Ｃ
ｏ ＩＩの記録特性が改善されたことを示している。こ
のようにＴｂ、。Ｆ ｅ、ｏｉ！を積層したことで記録
特性が改善される理由は、以下の通りである。
（Ｇｄ Ｔｂ ） Ｃｏ 膜の保磁力をＨＣｔ
！ＯＳｏ １＠ ８１［Ｏｅｌ、磁化
の大きさをＭＳｌ ［Ｇ］ 、膜厚をｔｌ ［人］とし
、Ｔｂ Ｆｅ ＩＩの保磁力をＨＯ２［Ｏｅｌ、磁
化の大きさをＭＳ２ ［Ｇ］ 。
！ＯＳｏ １＠ ８１［Ｏｅｌ、磁化
の大きさをＭＳｌ ［Ｇ］ 、膜厚をｔｌ ［人］とし
、Ｔｂ Ｆｅ ＩＩの保磁力をＨＯ２［Ｏｅｌ、磁
化の大きさをＭＳ２ ［Ｇ］ 。
膜厚をｔ２ ［人１としたとき、（Ｇｄ！。Ｔｂ、。）
１゜Ｇｏ ／Ｔｂ Ｆｅ ２層膜の磁化反転に要
する外部印加磁界強度１−１ｅｘは、前記文献（１）よ
り次式で与えられる。
１゜Ｇｏ ／Ｔｂ Ｆｅ ２層膜の磁化反転に要
する外部印加磁界強度１−１ｅｘは、前記文献（１）よ
り次式で与えられる。
Ｈｅｘ−（ＨｃｌＭｓｔ ｔ１＋ＨＣ２ＭＳ２ ｔ２）
／Ｍｓｌ ｔｉ ＋Ｍｓ２ ｔ２ ［○ｅ］記録用
光ビームの照射により、２層膜の温度が１３０℃程度に
上昇したとき、ｌ−１ｃ１４９２０［Ｏｅｌ 、Ｍｓｔ
”Ｆ２Ｏ［Ｇ］ 、ＨＯ２＃２００［Ｏｅｌ 、ＭＳ
２４４０ ［Ｇ］であるので、これをｔｌ −ｔ２−１
０００ ［人］と共に上記の式に代入すれば、Ｈ−ｅｘ
−５６０［Ｏｅｌとなり、５ｍＷ程度のレーザビーム照
射時に６００ ［Ｏｅｌの補助磁界の印加によって２層
膜の磁化反転が起こることになる。
／Ｍｓｌ ｔｉ ＋Ｍｓ２ ｔ２ ［○ｅ］記録用
光ビームの照射により、２層膜の温度が１３０℃程度に
上昇したとき、ｌ−１ｃ１４９２０［Ｏｅｌ 、Ｍｓｔ
”Ｆ２Ｏ［Ｇ］ 、ＨＯ２＃２００［Ｏｅｌ 、ＭＳ
２４４０ ［Ｇ］であるので、これをｔｌ −ｔ２−１
０００ ［人］と共に上記の式に代入すれば、Ｈ−ｅｘ
−５６０［Ｏｅｌとなり、５ｍＷ程度のレーザビーム照
射時に６００ ［Ｏｅｌの補助磁界の印加によって２層
膜の磁化反転が起こることになる。
上記実施例と同じ構成で、（Ｇｄ Ｔｂ ）χＯ畠
０ １１１ Ｃｏ ＩＩＩの膜厚を５００人とした場合は、５ｍＷ
のレーザビーム照射時に４５０ ［Ｏｅｌの補助磁界の
印加で記録ビットの形成ができた。この記録感度は実用
的な光熱磁気記録媒体として十分なものである。
０ １１１ Ｃｏ ＩＩＩの膜厚を５００人とした場合は、５ｍＷ
のレーザビーム照射時に４５０ ［Ｏｅｌの補助磁界の
印加で記録ビットの形成ができた。この記録感度は実用
的な光熱磁気記録媒体として十分なものである。
また、（Ｇｄｙ Ｔｂ１−、） Ｇｏ、−、（７）Ｘ
、Ｙを上記したＸ−”１９［ａｔ％］、Ｖ＝２０［ａｔ
％］の他に種々変化させ、Ｔｂ、。Ｆｅ、。膜１０００
人の記録層と積層し、同様の記録試験を行なった。
、Ｙを上記したＸ−”１９［ａｔ％］、Ｖ＝２０［ａｔ
％］の他に種々変化させ、Ｔｂ、。Ｆｅ、。膜１０００
人の記録層と積層し、同様の記録試験を行なった。
その結果を第１表に示す。但し、ＧｄＴｂＣｏ再生層の
膜厚は全て５００人とした。
膜厚は全て５００人とした。
１工１
第１表においてＨｏは記録用光ビームとしてパワーが５
ｍＷのレーザビームを照射したときに記録ビットを形成
するのに必要な補助磁界強度であり、Ｈｃは１３０℃に
おける保磁力、θには常温における極力−回転角の大き
さである。この第１表に示されるように、低温プロセス
で成膜が可能な（Ｇ ｄ ｙ Ｔ ｂｌ −ｙ ） Ｇ
Ｏ（ｙ≦７０［ａｔ、％１）の広い組成範囲で記録感
度の良好な２層ＲＥ−ＴＭ膜からなる光熱磁気記録媒体
が得られることがわかる。また、記録感度はｙが大きい
ほど良好であるが１．Ｖ−５［ａｔ１％〕の微量のＧｄ
の添加によってもＴｂＣ０膜に対しては感度が向上して
いることと、Ｇｄ添加量が少ない方が低温成膜マージン
を広くとれるということから、ｙの下限は５［ａｔ、％
］・とするのが好ましい。なお、再生特性上は極力−回
転角θにの大きい方が有利であり、その点からは（Ｇｄ
Ｔｂ ） Ｃ０Ｉ−ｘにおＹ ｌ
−Ｙ いてｙが大きく、Ｘが小さい方が好ましい。
ｍＷのレーザビームを照射したときに記録ビットを形成
するのに必要な補助磁界強度であり、Ｈｃは１３０℃に
おける保磁力、θには常温における極力−回転角の大き
さである。この第１表に示されるように、低温プロセス
で成膜が可能な（Ｇ ｄ ｙ Ｔ ｂｌ −ｙ ） Ｇ
Ｏ（ｙ≦７０［ａｔ、％１）の広い組成範囲で記録感
度の良好な２層ＲＥ−ＴＭ膜からなる光熱磁気記録媒体
が得られることがわかる。また、記録感度はｙが大きい
ほど良好であるが１．Ｖ−５［ａｔ１％〕の微量のＧｄ
の添加によってもＴｂＣ０膜に対しては感度が向上して
いることと、Ｇｄ添加量が少ない方が低温成膜マージン
を広くとれるということから、ｙの下限は５［ａｔ、％
］・とするのが好ましい。なお、再生特性上は極力−回
転角θにの大きい方が有利であり、その点からは（Ｇｄ
Ｔｂ ） Ｃ０Ｉ−ｘにおＹ ｌ
−Ｙ いてｙが大きく、Ｘが小さい方が好ましい。
上記実施例ではＴｂＦｅ記録層１３の保護層１４として
３ｉ３Ｎ＋膜１０００人を形成したが、実験例１から明
らかなように、このような保Ｉ！ではＴｂＦ ｅ Ｍｔ
Ａの腐蝕を完全に抑えることはできない。しかし、この
場合のＴｂＦｅ膜は記録層であり、従ってこれに積層し
てなる保１！層はなんら光学的特性を要求されないこと
がら膜厚の制限は事実上なく、また透明であることも要
求されないため、実用的にはこのような保護層で十分に
ＴｂＦｅ膜からなる記録層３の保護が可能である。
３ｉ３Ｎ＋膜１０００人を形成したが、実験例１から明
らかなように、このような保Ｉ！ではＴｂＦ ｅ Ｍｔ
Ａの腐蝕を完全に抑えることはできない。しかし、この
場合のＴｂＦｅ膜は記録層であり、従ってこれに積層し
てなる保１！層はなんら光学的特性を要求されないこと
がら膜厚の制限は事実上なく、また透明であることも要
求されないため、実用的にはこのような保護層で十分に
ＴｂＦｅ膜からなる記録層３の保護が可能である。
本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、例
えば実施例では記録層としてＴｂＦｅ膜を示したが、Ｄ
ｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ。
えば実施例では記録層としてＴｂＦｅ膜を示したが、Ｄ
ｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ。
ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ等の膜を使用シタ場合でも
同様の効果を得ることができ、要するにそのキューリー
温度が再生層であるＧｄＴｂＣｏ膜のそれより低い材料
であればよい。また、実施例では基体として樹脂系材料
を示したが、ガラスでもよい。さらに、実施例では基体
を透明として基体の裏面側から光ビームを入射させるよ
うにしたが、基体を不透明とし基体と反対側から光ビー
ムを入射させるようにした光熱磁気記録媒体にも本発明
を適用することができる。その他、本発明は要旨を逸脱
しない範囲で種々変形実施が可能である。
同様の効果を得ることができ、要するにそのキューリー
温度が再生層であるＧｄＴｂＣｏ膜のそれより低い材料
であればよい。また、実施例では基体として樹脂系材料
を示したが、ガラスでもよい。さらに、実施例では基体
を透明として基体の裏面側から光ビームを入射させるよ
うにしたが、基体を不透明とし基体と反対側から光ビー
ムを入射させるようにした光熱磁気記録媒体にも本発明
を適用することができる。その他、本発明は要旨を逸脱
しない範囲で種々変形実施が可能である。
第１図は本発明の一実施例に係る光熱磁気記録媒体の構
成を示す断面図、第２図は光熱磁気記録媒体における垂
直磁化膜の成膜に使用するスパッタリング装置の一例を
示す断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の光熱磁気
記録媒体の有効性を調べるために試作し、た各種の光熱
磁気記録媒体サンプルの断面図、第４図は第３図（ａ）
〜（Ｃ）に示した各サンプルの寿命特性を示す図、第５
図は第３図（ｂ）のサンプルを７０℃、８５％ＲＨ雰囲
気中に２日間放置した優の膜面の表面状態を示す反射型
光学顕微鏡写真、第６図は第３図（ｂ）のサンプルの上
に保護層を形成したサンプルを７０℃、８５％Ｒ−Ｈ雰
囲気中に２日間放置した後の膜面の表面状態を示す反射
型光学顕微鏡写真、第７図および第８図はポリメチルメ
タクリレート基体上に本発明および従来技術に基く２層
磁化膜をそれぞれ成膜した各サンプルの成１！１１ａの
表面状態を示す反射型顕微鏡写真、第９図は本発明に暴
く光熱磁気記録媒体における再生層の保磁力および極力
−回転角の温度依存特性を示す図である。 １１・・・基体、１２・・・再生層、１３・・・記録層
、１４・・・保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 、 ＆３４− ｖ３４ １ｇｔ＊ 因 ７０℃、８５ＲＨ’／、−耳昼ｌ湿Ｓ磁気紋り日牧Ｔｏ
Ｃｏ眉混＆（’Ｃ） ５Ｎ ［・ ・ 第６図 第７ 図 第８ＬＡ “。 １、事件の表示 特願ｗｉ５９−１６８９８２号 ２、発明の名称 光熱磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 株式会社 東芝 ４、代理人 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビル〒１
０５ １＆！ｉ ０３（５０２）３）８１（大代表）
方瞥 。 ７゜補正の内容 「金属組織」と訂正する。 ＜２１ １［ＩＩＴ２９頁第１８行ＣＦ）ｒ表面状態Ｊ
ｅ「金属組織」と訂正する。 、 （３明１１１門第３０頁第１行の「表面状態」を
「膜面の金属組織」と訂正する。 １゜ 手続補正書 ５ｑ、１ｚｌＱ 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 特願昭５９−１６８９８２号 ２、発明の名称 光熱磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 株式会社 東芝 ４、代理人 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビル〒１
０５ 電話 ０３ （５０２）３）８１ （大代表）６
、補正の対象 ７、補正の内容 （１） 明１書第２４頁第２行〜第３行のＩＴ ｂ
２． Ｆ ｅａｏ膜Ｊを「Ｔｂｚｏ Ｆ ｅａｏｌｌ
ｉＪと訂正する。 （２） 明細書第２４頁第９行のｌ”Ｔｂ Ｆｅ
膜」をｒ Ｔ ｂｚｏ Ｆ ｅｓｏ膜」と訂正する。 （３明ｌｌ１ｌ内第２４頁第１２行の ｒｃｏ ／Ｔｂ Ｆｅ ２Ｊを ｒ ＣＯｓｔ ／ Ｔ ｂｚｏ Ｆ ｅｓｏ ２ Ｊ
ト訂正ｔル。
成を示す断面図、第２図は光熱磁気記録媒体における垂
直磁化膜の成膜に使用するスパッタリング装置の一例を
示す断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の光熱磁気
記録媒体の有効性を調べるために試作し、た各種の光熱
磁気記録媒体サンプルの断面図、第４図は第３図（ａ）
〜（Ｃ）に示した各サンプルの寿命特性を示す図、第５
図は第３図（ｂ）のサンプルを７０℃、８５％ＲＨ雰囲
気中に２日間放置した優の膜面の表面状態を示す反射型
光学顕微鏡写真、第６図は第３図（ｂ）のサンプルの上
に保護層を形成したサンプルを７０℃、８５％Ｒ−Ｈ雰
囲気中に２日間放置した後の膜面の表面状態を示す反射
型光学顕微鏡写真、第７図および第８図はポリメチルメ
タクリレート基体上に本発明および従来技術に基く２層
磁化膜をそれぞれ成膜した各サンプルの成１！１１ａの
表面状態を示す反射型顕微鏡写真、第９図は本発明に暴
く光熱磁気記録媒体における再生層の保磁力および極力
−回転角の温度依存特性を示す図である。 １１・・・基体、１２・・・再生層、１３・・・記録層
、１４・・・保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 、 ＆３４− ｖ３４ １ｇｔ＊ 因 ７０℃、８５ＲＨ’／、−耳昼ｌ湿Ｓ磁気紋り日牧Ｔｏ
Ｃｏ眉混＆（’Ｃ） ５Ｎ ［・ ・ 第６図 第７ 図 第８ＬＡ “。 １、事件の表示 特願ｗｉ５９−１６８９８２号 ２、発明の名称 光熱磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 株式会社 東芝 ４、代理人 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビル〒１
０５ １＆！ｉ ０３（５０２）３）８１（大代表）
方瞥 。 ７゜補正の内容 「金属組織」と訂正する。 ＜２１ １［ＩＩＴ２９頁第１８行ＣＦ）ｒ表面状態Ｊ
ｅ「金属組織」と訂正する。 、 （３明１１１門第３０頁第１行の「表面状態」を
「膜面の金属組織」と訂正する。 １゜ 手続補正書 ５ｑ、１ｚｌＱ 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 特願昭５９−１６８９８２号 ２、発明の名称 光熱磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 株式会社 東芝 ４、代理人 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビル〒１
０５ 電話 ０３ （５０２）３）８１ （大代表）６
、補正の対象 ７、補正の内容 （１） 明１書第２４頁第２行〜第３行のＩＴ ｂ
２． Ｆ ｅａｏ膜Ｊを「Ｔｂｚｏ Ｆ ｅａｏｌｌ
ｉＪと訂正する。 （２） 明細書第２４頁第９行のｌ”Ｔｂ Ｆｅ
膜」をｒ Ｔ ｂｚｏ Ｆ ｅｓｏ膜」と訂正する。 （３明ｌｌ１ｌ内第２４頁第１２行の ｒｃｏ ／Ｔｂ Ｆｅ ２Ｊを ｒ ＣＯｓｔ ／ Ｔ ｂｚｏ Ｆ ｅｓｏ ２ Ｊ
ト訂正ｔル。
Claims (3)
- （１）基体上に該基体面に対して垂直な方向に磁化容易
軸を有する記録層および再生層を積層して構成され、少
なくとも光ビームの照射に基く熱によって情報を記録し
、光ビームの照射によって情報を再生する光熱磁気記録
媒体において、前記再生層がＧｄＴｂＣｏ非晶質フェリ
磁性合金膜であって、かつ稀土類元素中のＧｄの組成比
が５〜７０［ａｔ．％］の範囲にあり、前記記録層が前
記再生層よりキューリー温度の低い磁性膜であることを
特徴とする光熱磁気記録媒体。 - （２）前記基体が前記光ビームに対して透明であり前記
再生層および記録層が該基体上に再生層、記録層の順で
積層されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光熱磁気記録媒体。 - （３）基体が樹脂系材料により形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の光熱
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59168982A JPS6148149A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 光熱磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59168982A JPS6148149A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 光熱磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148149A true JPS6148149A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15878157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59168982A Pending JPS6148149A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 光熱磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148149A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634443A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0577823U (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | 日本航空電子工業株式会社 | 照光パネルスイッチ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778652A (en) * | 1980-11-01 | 1982-05-17 | Daido Steel Co Ltd | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
| JPS58125251A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-26 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-08-13 JP JP59168982A patent/JPS6148149A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778652A (en) * | 1980-11-01 | 1982-05-17 | Daido Steel Co Ltd | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
| JPS58125251A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-26 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634443A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0577823U (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | 日本航空電子工業株式会社 | 照光パネルスイッチ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5783320A (en) | Magneto-optical recording medium and process for producing the same | |
| JPS6148148A (ja) | 光熱磁気記録媒体 | |
| US5265073A (en) | Overwritable magneto-optical recording medium having two-layer magnetic films wherein one of the films contains one or more of Cu, Ag, Ti, Mn, B, Pt, Si, Ge, Cr and Al, and a method of recording on the same | |
| US5663935A (en) | Magneto-optical recording medium having two magnetic layers of exchange-coupled at ferromagnetic phase | |
| EP0698881A1 (en) | Magnetooptical recording medium and method for reproducing information from the medium | |
| US4777082A (en) | Optical magnetic recording medium | |
| US4631617A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS61196445A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH10134431A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JPS6148149A (ja) | 光熱磁気記録媒体 | |
| JP2549122B2 (ja) | 記録媒体及びこれを用いた情報の記録再生方法 | |
| JPS60219655A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| KR890004262B1 (ko) | 광자기 디스크 | |
| JPS6148150A (ja) | 光熱磁気記録媒体 | |
| JP2525366B2 (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPS6168748A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2604361B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS5960745A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH06223427A (ja) | 光磁気記録媒体およびその再生方法 | |
| JPS62114134A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPH039544B2 (ja) | ||
| JPS62234251A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62121944A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPS62109247A (ja) | 光学的磁気記録媒体 | |
| JPS63148447A (ja) | 光熱磁気記録媒体 |