JPS62121944A - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
- Publication number
- JPS62121944A JPS62121944A JP25974285A JP25974285A JPS62121944A JP S62121944 A JPS62121944 A JP S62121944A JP 25974285 A JP25974285 A JP 25974285A JP 25974285 A JP25974285 A JP 25974285A JP S62121944 A JPS62121944 A JP S62121944A
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- recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザー光等の光（ここでいう光とは、上記
レーザー光を含む各種波長のエネルギー線のことである
）によって情報の記録・再生・消去を行う光学的記録媒
体に関するものである。
レーザー光を含む各種波長のエネルギー線のことである
）によって情報の記録・再生・消去を行う光学的記録媒
体に関するものである。
近年、高密度・大容量のメモリとしてレーザー光を用い
た光メモリ素子の研究および開発か急ピッチで行なわれ
ている。中でも、光磁気記録は書き換えが可能な記録方
法として注目をあびており、該記録に用いられる光学的
磁気記録媒体は書き換えが可能な光メモリ素子として大
いに期待されでいる。
た光メモリ素子の研究および開発か急ピッチで行なわれ
ている。中でも、光磁気記録は書き換えが可能な記録方
法として注目をあびており、該記録に用いられる光学的
磁気記録媒体は書き換えが可能な光メモリ素子として大
いに期待されでいる。
従来、このような光磁気記録に用いられる光学的磁気記
録媒体の光磁気記録層を構成する材料としでは、ＭｎＢ
ｉ系、ガーネット系、希土類−遷移金属アモルファス
系などが代表的なものとしで知られでいる。ＭｎＢ ｉ
系は、キューリ一温度が高いため、記録の際にパワーの
大きなレーザーを必要とし、また粒界ノイズが多いため
、Ｓ／Ｎ比の高い再生か寅施できないという欠点があり
、ガーネット系では光の透過率か大きいため、記録の際
にパワーの大きなレーザーか必要となる欠点かあった。
録媒体の光磁気記録層を構成する材料としでは、ＭｎＢ
ｉ系、ガーネット系、希土類−遷移金属アモルファス
系などが代表的なものとしで知られでいる。ＭｎＢ ｉ
系は、キューリ一温度が高いため、記録の際にパワーの
大きなレーザーを必要とし、また粒界ノイズが多いため
、Ｓ／Ｎ比の高い再生か寅施できないという欠点があり
、ガーネット系では光の透過率か大きいため、記録の際
にパワーの大きなレーザーか必要となる欠点かあった。
その中で、希土類−遷移金属アモルファス系はキューリ
一温度か低く、また光の透過率も比較的小さいため、両
者の欠点を補うものとして期待されでいる。
一温度か低く、また光の透過率も比較的小さいため、両
者の欠点を補うものとして期待されでいる。
以下、図面も参照しつつ、この種の技術について更に詳
しく説明する。
しく説明する。
第３図は、従来用いられでいる代表的な光学的磁気記録
媒体の模式的断面図である。
媒体の模式的断面図である。
第３図においで、３１はポリメチルメタクリレ−１−（
ＰＰＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等のプラスチッ
ク、あるいはガラス等からなり、使用する光に対して透
光′ｉ基材であり、一般にはドーナツ状など各種形状の
板状基板か用いられる。３２は５ｉＯ１Ｓｉｎ、、ＡＩ
Ｎ、Ｉｎｓ、ＳｉＣ、Ｓｉ、＋ Ｎ ４等の誘電体膜か
らなる中間層である。３３は光磁気記録層であり、上記
のような理由によって、現在は例えばＴｂＦｅ、 Ｇｄ
ＴｂＦｅ、丁ｂＦｅｃｏ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属アモルファス系か汎用されている。
ＰＰＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等のプラスチッ
ク、あるいはガラス等からなり、使用する光に対して透
光′ｉ基材であり、一般にはドーナツ状など各種形状の
板状基板か用いられる。３２は５ｉＯ１Ｓｉｎ、、ＡＩ
Ｎ、Ｉｎｓ、ＳｉＣ、Ｓｉ、＋ Ｎ ４等の誘電体膜か
らなる中間層である。３３は光磁気記録層であり、上記
のような理由によって、現在は例えばＴｂＦｅ、 Ｇｄ
ＴｂＦｅ、丁ｂＦｅｃｏ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属アモルファス系か汎用されている。
このような光学的磁気記録媒体における記録・再生・消
去は、一般には以下のように行なわれる。
去は、一般には以下のように行なわれる。
ます、記録媒体を基板３１に対して垂直な一定方向に磁
化した復、基板３１側からレーザー光をスポット照射す
る。磁化方向は、一定であれば所望の方向でよい。基板
３１上に照射されたレーザー光は、基板１および中間層
３２を透過して光磁気記録 、層３３に到達する。その
結果、光磁気記録層３３のレーザー光照射部分においで
光の吸収が起こり、局所的に温度か上昇する。その結果
核部分のみが該層構成材料のキューリ一点付近に達し、
磁化が消失する。この時、光磁気記録層３３の磁化が消
失した部分に前記磁化方向とは逆方向に磁場を印加する
と、該部分の磁化か反転し、レーザー光非照射部分と磁
化方向を異にする反転磁区がそこに形成されて情報の記
録か成される。記録の消去は、光磁気記録層３３の記録
部分にレーザー光を再照射して該部分の温度をキューリ
一点以上に上昇させ、記録時とは反対方向の磁化を記録
部分に印加することによって該部分の磁化方向を記録開
始前の状態に戻すことにより行なう。このような記録、
消去に際し、中間層３２を設け、該層の膜厚を使用する
レーザー光の波長に対して反射防止機能を示す厚さに設
定しでおくことにより、光磁気記録層３３の温度上昇を
記録、消去に極めて有効なものとすることかできる。
化した復、基板３１側からレーザー光をスポット照射す
る。磁化方向は、一定であれば所望の方向でよい。基板
３１上に照射されたレーザー光は、基板１および中間層
３２を透過して光磁気記録 、層３３に到達する。その
結果、光磁気記録層３３のレーザー光照射部分においで
光の吸収が起こり、局所的に温度か上昇する。その結果
核部分のみが該層構成材料のキューリ一点付近に達し、
磁化が消失する。この時、光磁気記録層３３の磁化が消
失した部分に前記磁化方向とは逆方向に磁場を印加する
と、該部分の磁化か反転し、レーザー光非照射部分と磁
化方向を異にする反転磁区がそこに形成されて情報の記
録か成される。記録の消去は、光磁気記録層３３の記録
部分にレーザー光を再照射して該部分の温度をキューリ
一点以上に上昇させ、記録時とは反対方向の磁化を記録
部分に印加することによって該部分の磁化方向を記録開
始前の状態に戻すことにより行なう。このような記録、
消去に際し、中間層３２を設け、該層の膜厚を使用する
レーザー光の波長に対して反射防止機能を示す厚さに設
定しでおくことにより、光磁気記録層３３の温度上昇を
記録、消去に極めて有効なものとすることかできる。
また、記録の再生は、光磁気記録層３３がキューリ一点
以上に温度上昇しない程度にパワーを丁げたレーザー光
を基板３１側から照射し、磁気カー効果を利用して記録
部分の磁化方向を読み出すことにより行なう。
以上に温度上昇しない程度にパワーを丁げたレーザー光
を基板３１側から照射し、磁気カー効果を利用して記録
部分の磁化方向を読み出すことにより行なう。
しかしながら、上記中間層３２および光磁気記録層３３
を構成する各種材料、中でも光磁気記録層３３の構成材
料としＣ汎用されでいる前述の希土類−遷移金属アモル
ファス系は上記のような優れた特長を有するものの、そ
の熱伝導率が比較的大きいため、レーザー光の照射によ
ってこれら層３２．３３に吸収される熱エネルギーが主
として基板３１側へ放出され、為に記録層３３の温度低
下が生し、その結果として記録感度の低下をきたすと言
う欠点がある。記録感度を向上させようとすれば、より
パワーの大きなレーザー光を必要とするが、経済的にも
、また記録媒体の耐久性からもパワーにはおのずと限界
かある。
を構成する各種材料、中でも光磁気記録層３３の構成材
料としＣ汎用されでいる前述の希土類−遷移金属アモル
ファス系は上記のような優れた特長を有するものの、そ
の熱伝導率が比較的大きいため、レーザー光の照射によ
ってこれら層３２．３３に吸収される熱エネルギーが主
として基板３１側へ放出され、為に記録層３３の温度低
下が生し、その結果として記録感度の低下をきたすと言
う欠点がある。記録感度を向上させようとすれば、より
パワーの大きなレーザー光を必要とするが、経済的にも
、また記録媒体の耐久性からもパワーにはおのずと限界
かある。
ところで、このような光学的磁気記録媒体の記録感度を
向上させるために、例えば基板材質を熱伝導率の比較的
小ざな有機樹脂として熱拡散を防止し光磁気記録層の実
効的な温度上昇をはかり記ｇゑ感度を向上させる試みや
、又例えば第４図に示すごとく光磁気記録層４３ヲ薄膜
化し、見かけ上の記録感度を向上させ、更には反射層４
４を設けることにより、磁気ファラデー効果を利用しで
見かけ上のカー回転角を上昇させ記録感度を向上させる
といった種々の試みがなされでいる。
向上させるために、例えば基板材質を熱伝導率の比較的
小ざな有機樹脂として熱拡散を防止し光磁気記録層の実
効的な温度上昇をはかり記ｇゑ感度を向上させる試みや
、又例えば第４図に示すごとく光磁気記録層４３ヲ薄膜
化し、見かけ上の記録感度を向上させ、更には反射層４
４を設けることにより、磁気ファラデー効果を利用しで
見かけ上のカー回転角を上昇させ記録感度を向上させる
といった種々の試みがなされでいる。
しかし、このような光学的磁気記録媒体にあって、光磁
気記録層は、その酸化や腐食等に関して基板の影響を受
けやすく、特に、基板として有機樹脂を用いた場合には
、光磁気記録層の形成峙に、基板に吸着されている酸素
や水分等が光磁気記録層に取り込まれて、磁気特性の劣
化を生しることがあった。また、形成された光学的磁気
記録媒体を高温、高湿の雰囲気に長く保存した場合には
、基板を透過して光磁気記録層に侵入する酸素や水分に
より磁気特性が劣化し、結果として記録、再生時のエラ
ーの増加や信号の劣化を招くといった問題があった。
気記録層は、その酸化や腐食等に関して基板の影響を受
けやすく、特に、基板として有機樹脂を用いた場合には
、光磁気記録層の形成峙に、基板に吸着されている酸素
や水分等が光磁気記録層に取り込まれて、磁気特性の劣
化を生しることがあった。また、形成された光学的磁気
記録媒体を高温、高湿の雰囲気に長く保存した場合には
、基板を透過して光磁気記録層に侵入する酸素や水分に
より磁気特性が劣化し、結果として記録、再生時のエラ
ーの増加や信号の劣化を招くといった問題があった。
従って、このような問題を解消し、記録感度や保存環境
時゛注等に優れた光学的磁気記録媒体を得るためには、
基板の光磁気記録層に対する杉Ｖを減じるため、光磁気
記録層と基板との間に設けられた中間層を高品位なもの
とすることが必要となる。
時゛注等に優れた光学的磁気記録媒体を得るためには、
基板の光磁気記録層に対する杉Ｖを減じるため、光磁気
記録層と基板との間に設けられた中間層を高品位なもの
とすることが必要となる。
更に、光磁気記録層からの熱の逃１すを少なくし、記録
感度を向上させるためには、光磁気記録層に接する接着
面を熱伝導率の小ざい薄膜で形成することが必要である
。
感度を向上させるためには、光磁気記録層に接する接着
面を熱伝導率の小ざい薄膜で形成することが必要である
。
本発明は上記問題点に鑑み成されたものでありその主た
る目的は、上記従来例の欠点を除き、長期間にわたって
磁気特″ｉやエラーレートの変化か少なく記録感度に優
れた光学的記録媒体を提供することにある。
る目的は、上記従来例の欠点を除き、長期間にわたって
磁気特″ｉやエラーレートの変化か少なく記録感度に優
れた光学的記録媒体を提供することにある。
本発明の上記目的は、基板上に光学的記録層を有しでな
る光学的記録媒体にあいで、該記録層の両側に酸化物、
窒化物、硫化物のうち少なくとも１種以上の化合物から
なる第１中間層を積層し、ざらに炭化物からなる第２中
間層を第１中間層の該記録層に接しない面の少くとも１
方の面に積層しＣいる光学的記録媒体により達成される
。
る光学的記録媒体にあいで、該記録層の両側に酸化物、
窒化物、硫化物のうち少なくとも１種以上の化合物から
なる第１中間層を積層し、ざらに炭化物からなる第２中
間層を第１中間層の該記録層に接しない面の少くとも１
方の面に積層しＣいる光学的記録媒体により達成される
。
第１中間層は、熱伝導率が小ざく、光ど−ムにより加熱
された光学的記録層の熱の周囲への伝導を少なくするも
のである。
された光学的記録層の熱の周囲への伝導を少なくするも
のである。
第２中間層は、好ましくはＳｉＣからなり、光学的記録
層を周囲の水分から保護するものである。
層を周囲の水分から保護するものである。
以下、図面を参照しつつ、本発明の詳細な説明する。
本発明の光学的記録媒体の基本的態様を説明する模式的
断面図を第１図に示す。
断面図を第１図に示す。
第１図の光学的記録媒体に於いで、１１は前述のガラス
、ＰＭＭＡ、 ＰＣ、エポキシ等の各種材料からなる透
光゛性基板である。ここでいう透光性とは使用する光ビ
ームが透光可能であるという意味である。本発明ではデ
ィスク状基板としであるが、その形状は特に限定される
ものではなく、所望のものとし得る。
、ＰＭＭＡ、 ＰＣ、エポキシ等の各種材料からなる透
光゛性基板である。ここでいう透光性とは使用する光ビ
ームが透光可能であるという意味である。本発明ではデ
ィスク状基板としであるが、その形状は特に限定される
ものではなく、所望のものとし得る。
１２は、光磁気記録層であり、その材質としては丁ｂＦ
ｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ等の希
土類−遷移金属アモルファス系か好適に用いられる。勿
論、前述のＭｎＢ ｉ系、ガーネット系などとすること
も可能である。
ｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ等の希
土類−遷移金属アモルファス系か好適に用いられる。勿
論、前述のＭｎＢ ｉ系、ガーネット系などとすること
も可能である。
１３．１３′は酸化物、硫化物、窒化物のうちの少くと
も一種頚以上の化合物からなる第１中間層である。例え
ばＳｉＯ，ＳｉＯ７，Ｚｒ０ｚ 、Ｉ＋ｌ１ｑＯ％の酸
化物、ＡＩＮ、Ｓｉ、＋ Ｎ ｓ 、ｌｒＮ、ＣｒＮ、
ＴｉＮなどの窒化物、２ｎＳ。
も一種頚以上の化合物からなる第１中間層である。例え
ばＳｉＯ，ＳｉＯ７，Ｚｒ０ｚ 、Ｉ＋ｌ１ｑＯ％の酸
化物、ＡＩＮ、Ｓｉ、＋ Ｎ ｓ 、ｌｒＮ、ＣｒＮ、
ＴｉＮなどの窒化物、２ｎＳ。
ａｔ、Ｓ、ｑなどの硫化物等の一種頚以上がうなり、熱
伝導率か小さく、光ｆｉｊｔ気記録層の加熱効率を良く
し記録感度を向上させるものである。
伝導率か小さく、光ｆｉｊｔ気記録層の加熱効率を良く
し記録感度を向上させるものである。
１４．１４′は炭化物からなる第２中間層である。
例えば、ＳｉＣ，ＴｉＣ，２ｒＣ等か挙げられ光磁気記
録層の酸化を防ぐものである。
録層の酸化を防ぐものである。
第１中間層および第２中間層の膜厚は、記録、再生に使
用する光の波長においで、反射率の低くなるように設定
することか好ましい。
用する光の波長においで、反射率の低くなるように設定
することか好ましい。
また熱容量（記録感度）と中間層の膜質どの点から、第
１中間層の膜厚は１００人〜３０００八程度が好ましく
第２中間層の膜厚は１００人〜３０００人程度か好まし
い、これらの薄膜は、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法などを用いて形成するこ
とかできる。
１中間層の膜厚は１００人〜３０００八程度が好ましく
第２中間層の膜厚は１００人〜３０００人程度か好まし
い、これらの薄膜は、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法などを用いて形成するこ
とかできる。
前述の如く、記録の際には基板１１側からレーザー光か
照射されるとともに照射光エネルギーのほとんどか光磁
気記録層１２に於いて吸収され、熱エネルギーに変換さ
れると同時に、光磁気記録層１２の両側に向かって熱拡
散してゆく。従って記録感度を向上させるためには光１
ネル主−を効率的に熱エネルギーに変換させるとともに
、光磁気記録層１２からの熱拡散をおさえることが有効
であると考えられる。
照射されるとともに照射光エネルギーのほとんどか光磁
気記録層１２に於いて吸収され、熱エネルギーに変換さ
れると同時に、光磁気記録層１２の両側に向かって熱拡
散してゆく。従って記録感度を向上させるためには光１
ネル主−を効率的に熱エネルギーに変換させるとともに
、光磁気記録層１２からの熱拡散をおさえることが有効
であると考えられる。
このような観点から本発明においで光磁気記録層１２に
接する第１中間層１３．１３′は熱伝導率の比較的小ざ
い酸化物、窒化物、硫化物で構成する。
接する第１中間層１３．１３′は熱伝導率の比較的小ざ
い酸化物、窒化物、硫化物で構成する。
また第２中間層１４．１４′は基板、特にプラスチック
基板や、外気と接するため、どンホールやクラックの発
生しないような膜質の良好な、例えばＳｉＣ等の炭化物
で構成する。
基板や、外気と接するため、どンホールやクラックの発
生しないような膜質の良好な、例えばＳｉＣ等の炭化物
で構成する。
別の態様を示す第２図について説明する。
２２は光磁気記録層である。膜厚としでは１００人〜３
００人程度か好ましい、 ２３．２３ ′は第１中間層
、２４．２４ ＝は第２中間層である。
００人程度か好ましい、 ２３．２３ ′は第１中間層
、２４．２４ ＝は第２中間層である。
２５は＾Ｕ、Ａ９．Ｃｕ、＾１などの反射層である。こ
の反射層は、従来技術で説明したように、磁気ファラデ
ー効果を利用して見かけ上のカー回転角を上昇させ記録
感度を向上させる役割をはたす。
の反射層は、従来技術で説明したように、磁気ファラデ
ー効果を利用して見かけ上のカー回転角を上昇させ記録
感度を向上させる役割をはたす。
２６は光磁気記録層２２の酸化防止などのための保護層
であり、曹機高分子膜、あるいは酸化物、硫化物、窒化
物、炭化物などの無機材料や金属材料で構成される０本
発明では、保護層２６を設けることは必すしも必要では
ないかこれを設けることにより光磁気記録層２２の酸化
や腐食を防止することかでき、本発明をいっそう有効な
ものとすることかてきる。
であり、曹機高分子膜、あるいは酸化物、硫化物、窒化
物、炭化物などの無機材料や金属材料で構成される０本
発明では、保護層２６を設けることは必すしも必要では
ないかこれを設けることにより光磁気記録層２２の酸化
や腐食を防止することかでき、本発明をいっそう有効な
ものとすることかてきる。
以Ｆ、実施例に基すいて本発明を更に詳細に説明する。
実施例１
第１図に例示したと同様の光学的記録媒体を作成した。
ディスク状ポリカーボネイト基板１１上に第２中間層１
４としで膜厚３００人のＳｉＣ＠スパッタリング法によ
り形成した。その上に第１中間層１３としで膜厚８００
ＡのＺｎＳ薄膜を電子ビーム蒸着法により形成した。そ
の上に光磁気記録層１２としで膜厚１０００人のＴｂＦ
ｅＣｏ簿膜をスパッタリング法にで形成した。更にそ−
の上に第１中間層１３′、第２中間層１４′としてそれ
ぞれ膜厚２０００人の２ｎＳ簿膜と膜厚５００人のＳｉ
Ｃ薄膜を形成し、本例の光学的記録媒体を得た。
４としで膜厚３００人のＳｉＣ＠スパッタリング法によ
り形成した。その上に第１中間層１３としで膜厚８００
ＡのＺｎＳ薄膜を電子ビーム蒸着法により形成した。そ
の上に光磁気記録層１２としで膜厚１０００人のＴｂＦ
ｅＣｏ簿膜をスパッタリング法にで形成した。更にそ−
の上に第１中間層１３′、第２中間層１４′としてそれ
ぞれ膜厚２０００人の２ｎＳ簿膜と膜厚５００人のＳｉ
Ｃ薄膜を形成し、本例の光学的記録媒体を得た。
この記録媒体＠ １８００ｒｐｍで回転させ、半導体レ
ーザー（波長８３０ｎｍ）を周波数２ＭＨｚでパルス発
掘ざぜてｄｕｔｙ比５０％で記録を行った。この時の記
録パワーは７ 、６ｍＷである。これを再生パワー２ｍ
Ｗ、バンド幅３０にＨｚで再生したところ５１ｄＢのＣ
／Ｎ比が得られた。
ーザー（波長８３０ｎｍ）を周波数２ＭＨｚでパルス発
掘ざぜてｄｕｔｙ比５０％で記録を行った。この時の記
録パワーは７ 、６ｍＷである。これを再生パワー２ｍ
Ｗ、バンド幅３０にＨｚで再生したところ５１ｄＢのＣ
／Ｎ比が得られた。
次に上記記録媒体を温度４５℃、相対湿度９５％ＲＨの
恒温恒湿槽に放置し、保存テストを行なった。
恒温恒湿槽に放置し、保存テストを行なった。
放言前の保磁力Ｈｃｏと５００時間放置後の保持力Ｈｃ
を測定し、放言前に対する放置後の保磁力の比Ｈｃ／Ｈ
ｃｏを求め保存性を評価した（核化の大きいものほど保
存注に優れでいることを示す）。測定結果を第１表に示
す。第１表に示されるｆｆｉ＜Ｈａ／Ｈｃｏ＝０．９５
であ−）た。尚、５００時間放置後も、上記記録媒体に
はクラック等のタト観上の変化は認められなかった。
を測定し、放言前に対する放置後の保磁力の比Ｈｃ／Ｈ
ｃｏを求め保存性を評価した（核化の大きいものほど保
存注に優れでいることを示す）。測定結果を第１表に示
す。第１表に示されるｆｆｉ＜Ｈａ／Ｈｃｏ＝０．９５
であ−）た。尚、５００時間放置後も、上記記録媒体に
はクラック等のタト観上の変化は認められなかった。
比較例１
第１中間層１３、第２中間層１４を膜厚８００人の２ｎ
Ｓ薄膜、および第１中間層１３′、第２中間層１４″を
膜厚３０００人の２ｎＳ薄膜とする以外は実施例１と同
構成の従来例の光学的記録媒体を実施例１と同様の方法
で作成した。
Ｓ薄膜、および第１中間層１３′、第２中間層１４″を
膜厚３０００人の２ｎＳ薄膜とする以外は実施例１と同
構成の従来例の光学的記録媒体を実施例１と同様の方法
で作成した。
これら記録媒体につき、実施例］と同様の方法で記録、
再生を行ないＣ／Ｎ （ａおよび保磁力の比Ｈｃ／Ｈｃ
ｏ％求め、これら媒体の保存荘を評価した。結果を第１
表に示す。
再生を行ないＣ／Ｎ （ａおよび保磁力の比Ｈｃ／Ｈｃ
ｏ％求め、これら媒体の保存荘を評価した。結果を第１
表に示す。
菓）表にようにＣ／Ｎ比＝５０ｄＢ、 Ｈｃ／Ｈｃ。
＝０．８５Ｃｆ）った。
実施例２
第２図（こ例示したと同様の光学的記録媒体を作成した
。
。
ディスク状ポリカーボネイト基板２１上に第２中間層２
４としで膜厚３００人のＳｉＣをスパッタリング法によ
り形成した。その上に第１中間層２３として膜厚８００
人のＺｎＳ薄膜を電子ビーム蒸着法により形成した。そ
の土に光磁気記録層２２として膜厚１６０人のＴｂＦｅ
Ｃｏ簿膜をスパッタリング７去にて形成した。更にその
上に第１中間層２３′としで膜厚８００人の２ｎＳ Ｍ
膜を、第２中間層２４′とじＣ膜厚５００人のＳｉＣ’
！膜を形成した後、反射層２５としで膜厚８００人のＡ
Ｉ薄膜を形成した。最債に保護層２６としＴ：膜厚３０
００人のＳｉＯ薄膜を形成し、本例の光学的記録媒体を
得た。
４としで膜厚３００人のＳｉＣをスパッタリング法によ
り形成した。その上に第１中間層２３として膜厚８００
人のＺｎＳ薄膜を電子ビーム蒸着法により形成した。そ
の土に光磁気記録層２２として膜厚１６０人のＴｂＦｅ
Ｃｏ簿膜をスパッタリング７去にて形成した。更にその
上に第１中間層２３′としで膜厚８００人の２ｎＳ Ｍ
膜を、第２中間層２４′とじＣ膜厚５００人のＳｉＣ’
！膜を形成した後、反射層２５としで膜厚８００人のＡ
Ｉ薄膜を形成した。最債に保護層２６としＴ：膜厚３０
００人のＳｉＯ薄膜を形成し、本例の光学的記録媒体を
得た。
この記録媒体を実施例１と同様の方法て、記録、再生お
よびＨｃ／Ｈｃｏを測定した結果Ｃ／Ｎ＝５４ｄＢ、Ｈ
ｃ／Ｈｃｏ＝０．９３ であった。
よびＨｃ／Ｈｃｏを測定した結果Ｃ／Ｎ＝５４ｄＢ、Ｈ
ｃ／Ｈｃｏ＝０．９３ であった。
比較例２
￥］中間層２３、第２中間層２４を膜厚１０００人の２
ｎＳ薄膜、および第１中間層２３′、第２中間層２４′
を膜厚１３００人のｌｎＳ薄膜とする以外は実施例２と
同構成の従来例の光学的記録媒体を実施例２と同様の方
法で作成した。
ｎＳ薄膜、および第１中間層２３′、第２中間層２４′
を膜厚１３００人のｌｎＳ薄膜とする以外は実施例２と
同構成の従来例の光学的記録媒体を実施例２と同様の方
法で作成した。
これら記録媒体につき、実施例１と同様の方法で記録、
再生を行ないＣ／Ｎ値および保磁力の比Ｈｃ／Ｈｃｏ！
求め、これら媒体の保存笠を評価した。結果を第１表に
示す。
再生を行ないＣ／Ｎ値および保磁力の比Ｈｃ／Ｈｃｏ！
求め、これら媒体の保存笠を評価した。結果を第１表に
示す。
第１表にようにＣ／Ｎ比＝５３ｄＢ、 Ｈｃ／Ｈｃ。
＝ ０．８０℃あった。
実施例３〜６
第１表の実施例３〜６にす種々の第１中間層および第２
中間層を構成する以外は実施例１ど同様の方法Ｃ５実施
例１と同構成の種々の光学的記録媒体を作成した。
中間層を構成する以外は実施例１ど同様の方法Ｃ５実施
例１と同構成の種々の光学的記録媒体を作成した。
これら記録媒体につき、実施例１と同様の方法で記録、
再生を行ないＣ／Ｎ値および保磁力の比Ｈｃ／Ｈｃｏを
求め、これら媒体の保存性そ評価した。結果を第１表に
示す。すべでの記録媒体において再生時のエラーは増加
しなかった。
再生を行ないＣ／Ｎ値および保磁力の比Ｈｃ／Ｈｃｏを
求め、これら媒体の保存性そ評価した。結果を第１表に
示す。すべでの記録媒体において再生時のエラーは増加
しなかった。
実施例７〜１０
第１表の実施例７〜１０に示す種々の第１中間層および
第２中間層を構成する以外は、実施例２と同様の方法で
、実施例２と同構成の種々の光学的記録媒体を作成した
。
第２中間層を構成する以外は、実施例２と同様の方法で
、実施例２と同構成の種々の光学的記録媒体を作成した
。
これら記録媒体につき、実施例１と同様の方法で記録、
再生を行ない、Ｃ／Ｎ値および保磁力の比Ｈｃ／Ｈｃｏ
ｔ求め、これら媒体の保存ｔｔｔ評価した。結果を第１
表に示す。すべでの記録媒体にあいで、再生時のエラー
は増加しなかった。
再生を行ない、Ｃ／Ｎ値および保磁力の比Ｈｃ／Ｈｃｏ
ｔ求め、これら媒体の保存ｔｔｔ評価した。結果を第１
表に示す。すべでの記録媒体にあいで、再生時のエラー
は増加しなかった。
（発明の効果）
以上に説明した如く本発明の光学的記録媒体は、第１層
第２層により光学的記録層か保護されているため長期間
にわたり磁気積重やエラーレートの変化か少なく、保存
安定在か良好であり、また第１層の保護により加熱効率
か良いため記録感度か優れた光学的記録媒体である。
第２層により光学的記録層か保護されているため長期間
にわたり磁気積重やエラーレートの変化か少なく、保存
安定在か良好であり、また第１層の保護により加熱効率
か良いため記録感度か優れた光学的記録媒体である。
第１図および第２図は本発明の光学的記録媒体の基本的
態様を示す模式的断面図、第３図ａよび第４図は従来例
の光学的記録媒体を模式的断面図である。 １１．２１．３１．４１−−−−−一基板ｉ２．２２．
３．４３−−−−−−一光学的記録層１３．１３ ′２
３．２３ ’−第１中間層１４．１４ ′２４．２４
＝−第２中間層３２．４２．−−−−−−−−−−−一
中間層２５、４４−−−−一〜−−−−−−−反射層２
６．３４．４５−−−−−−−−−保護層第２図
態様を示す模式的断面図、第３図ａよび第４図は従来例
の光学的記録媒体を模式的断面図である。 １１．２１．３１．４１−−−−−一基板ｉ２．２２．
３．４３−−−−−−一光学的記録層１３．１３ ′２
３．２３ ’−第１中間層１４．１４ ′２４．２４
＝−第２中間層３２．４２．−−−−−−−−−−−一
中間層２５、４４−−−−一〜−−−−−−−反射層２
６．３４．４５−−−−−−−−−保護層第２図
Claims (3)
- （１）基板上に光学的記録層を有してなる光学的記録媒
体において、該記録層の両側に、酸化物、窒化物、硫化
物のうち少なくとも１種以上の化合物からなる第１中間
層を積層し、さらに炭化物からなる第２中間層を第１中
間層の該記録層に接しない面の少くとも１方の面に積層
していることを特徴とする光学的記録媒体。 - （２）光学的記録層から見て基板側でない方に設けられ
た第２中間層に金属より成る層を積層したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒体。 - （３）第２中間層が炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒
体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25974285A JPS62121944A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25974285A JPS62121944A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 光学的記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62121944A true JPS62121944A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17338314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25974285A Pending JPS62121944A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62121944A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0265204A2 (en) * | 1986-10-20 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Protective layer for optical information recording medium |
| FR2625590A1 (fr) * | 1987-12-30 | 1989-07-07 | Bull Sa | Milieu magneto-optique d'enregistrement resistant a la corrosion en atmosphere humide |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP25974285A patent/JPS62121944A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0265204A2 (en) * | 1986-10-20 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Protective layer for optical information recording medium |
| FR2625590A1 (fr) * | 1987-12-30 | 1989-07-07 | Bull Sa | Milieu magneto-optique d'enregistrement resistant a la corrosion en atmosphere humide |
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