JPS6314346A - 光学的磁気記録媒体 - Google Patents
光学的磁気記録媒体Info
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- JPS6314346A JPS6314346A JP15798686A JP15798686A JPS6314346A JP S6314346 A JPS6314346 A JP S6314346A JP 15798686 A JP15798686 A JP 15798686A JP 15798686 A JP15798686 A JP 15798686A JP S6314346 A JPS6314346 A JP S6314346A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野]
本発明は、レーザー光などの光(ここで言う光とは、上
記レーザー光を含む各種波長のエネルギー線のことであ
る)によって情報の記録・再生・消去などを行なう光学
的磁気記録媒体の製造方法に関する。
記レーザー光を含む各種波長のエネルギー線のことであ
る)によって情報の記録・再生・消去などを行なう光学
的磁気記録媒体の製造方法に関する。
[従来の技術]
近年、高密度・大容量のメモリとしてレーザー光を用い
た光メモリ素子の研究および開発が急ピッチで行なわれ
ている。中でも、光磁気記録は書き換えが可能な記録方
法として注目をあびており、該記録に用いられる光学的
磁気記録媒体は書き換えが可能な光メモリ素子として大
いに期待されている。
た光メモリ素子の研究および開発が急ピッチで行なわれ
ている。中でも、光磁気記録は書き換えが可能な記録方
法として注目をあびており、該記録に用いられる光学的
磁気記録媒体は書き換えが可能な光メモリ素子として大
いに期待されている。
従来、このような光磁気記録に用いられる光学的磁気記
録媒体の光磁気記録層を構成する材料としては、MnB
i系、ガーネット系、希土類−遷移金属アモルファス
系などが代表的なものとして知られている。MnB i
系は、キューリ一温度が高いため、記録の際にパワーの
大きなレーザーを必要とし、また粒界ノイズが多いため
、 S/N比の高い再生が実施できないという欠点があ
り、ガーネット系では光の透過率が大きいため、記録の
際にパワーの大きなレーザーが必要となる欠点があった
。その中で、希土類−遷移金属アモルファス系はキュー
リ一温度が低く、また光の透過率も比較的小さいため、
両者の欠点を補うものとして期待されている。
録媒体の光磁気記録層を構成する材料としては、MnB
i系、ガーネット系、希土類−遷移金属アモルファス
系などが代表的なものとして知られている。MnB i
系は、キューリ一温度が高いため、記録の際にパワーの
大きなレーザーを必要とし、また粒界ノイズが多いため
、 S/N比の高い再生が実施できないという欠点があ
り、ガーネット系では光の透過率が大きいため、記録の
際にパワーの大きなレーザーが必要となる欠点があった
。その中で、希土類−遷移金属アモルファス系はキュー
リ一温度が低く、また光の透過率も比較的小さいため、
両者の欠点を補うものとして期待されている。
以下、図面も参照しつつ、この種の技術について更に詳
しく説明する。
しく説明する。
第3図(A)は、従来用いられている代表的な光学的磁
気記録媒体の模式的断面図である。
気記録媒体の模式的断面図である。
第3図(A)において、31はポリメチルメタクリレー
ト(PMMA)、ポリカーボネート(pc)等のプラス
チック、あるいはガラス等からなる透光性基材であり、
一般にはドーナツ状など名種形状の板状基板が用いられ
る。33は5iO1Si02、 AIN、ZnS等から
なる中間層である。32は光磁気記録層であり、上記の
ような理由によって、現在は例えばTbFe、 GdT
bFe、TbFeCo等の希土類−遷移金属アモルファ
ス系が汎用されている。34は光磁気記録層32の酸化
防止などのための保護層であり、酸化物、硫化物などの
無機材料や金属材料で構成される。
ト(PMMA)、ポリカーボネート(pc)等のプラス
チック、あるいはガラス等からなる透光性基材であり、
一般にはドーナツ状など名種形状の板状基板が用いられ
る。33は5iO1Si02、 AIN、ZnS等から
なる中間層である。32は光磁気記録層であり、上記の
ような理由によって、現在は例えばTbFe、 GdT
bFe、TbFeCo等の希土類−遷移金属アモルファ
ス系が汎用されている。34は光磁気記録層32の酸化
防止などのための保護層であり、酸化物、硫化物などの
無機材料や金属材料で構成される。
このような光学的磁気記録媒体における記録・再生・消
去は、一般には以下のように行なわれる。
去は、一般には以下のように行なわれる。
まず、記録媒体を基板31に対して垂直な一定方向に磁
化した後、基板31側からレーザー光をスポット照射す
る。磁化方向は、一定であれば所望の方向でよい。基板
31上に照射されたレーザー光か、基板31および中間
層33を透過して光磁気記録層32に到達すると、光磁
気記録層32のレーザー光照射部分において、光の吸収
か起こり局所的に温度が上昇する。その結果、該部分の
みか層構成材料のキューリ一点以上に達し、磁化が消失
する。
化した後、基板31側からレーザー光をスポット照射す
る。磁化方向は、一定であれば所望の方向でよい。基板
31上に照射されたレーザー光か、基板31および中間
層33を透過して光磁気記録層32に到達すると、光磁
気記録層32のレーザー光照射部分において、光の吸収
か起こり局所的に温度が上昇する。その結果、該部分の
みか層構成材料のキューリ一点以上に達し、磁化が消失
する。
この時、光磁気記録層32の磁化が消失した部分に面記
磁化方向とは逆方向に磁場を印加すると、該部分の磁化
か反転し、レーザー光非照射部分と磁化方向を異にする
反転磁区がそこに形成されて情報の記録が成される。記
録の消去は、光磁気記録層32の記録部分にレーザー光
を再照射して該部分の温度をキューリ一点以上に上昇さ
せると共に、記録時とは反対方向の磁化を印加すること
によって該部分の磁化方向を記録開始前の状態に戻すこ
とにより行なう。このような記録、消去に際し、図に示
したように中間層33を設け、該層の膜厚を使用するレ
ーザー光の波長に対して反射防止機能を示す厚さに設定
しておくことにより、光磁気記録層32の温度上昇を記
録、消去に極めて存効なものとすることができる。
磁化方向とは逆方向に磁場を印加すると、該部分の磁化
か反転し、レーザー光非照射部分と磁化方向を異にする
反転磁区がそこに形成されて情報の記録が成される。記
録の消去は、光磁気記録層32の記録部分にレーザー光
を再照射して該部分の温度をキューリ一点以上に上昇さ
せると共に、記録時とは反対方向の磁化を印加すること
によって該部分の磁化方向を記録開始前の状態に戻すこ
とにより行なう。このような記録、消去に際し、図に示
したように中間層33を設け、該層の膜厚を使用するレ
ーザー光の波長に対して反射防止機能を示す厚さに設定
しておくことにより、光磁気記録層32の温度上昇を記
録、消去に極めて存効なものとすることができる。
また、記録の再生は、光磁気記録層32がキューリ一点
以上に温度上昇しない程度にパワーを下げたレーザー光
を基材31側から照射し、磁気カー効果を利用して記録
部分の磁化方向を読み出すことにより行う。
以上に温度上昇しない程度にパワーを下げたレーザー光
を基材31側から照射し、磁気カー効果を利用して記録
部分の磁化方向を読み出すことにより行う。
上述したような光学的磁気記録媒体の記録感度を向上さ
せるため、例えば基材材質を熱伝導率の比較的小さな有
機樹脂とすることにより、記録に必要な熱の拡散を防止
し、光磁気記録層の実効的な温度上昇を図り記録感度を
向上させる試みや、例えば第3図(B)に示すように光
磁気記録層32を薄膜化し、更には反射層35を設ける
ことにより、記録感度を向上させるとともに、磁気ファ
ラデー効果を利用してみかけ上のカー回転角を上昇させ
るといった種々の試みがなされている。
せるため、例えば基材材質を熱伝導率の比較的小さな有
機樹脂とすることにより、記録に必要な熱の拡散を防止
し、光磁気記録層の実効的な温度上昇を図り記録感度を
向上させる試みや、例えば第3図(B)に示すように光
磁気記録層32を薄膜化し、更には反射層35を設ける
ことにより、記録感度を向上させるとともに、磁気ファ
ラデー効果を利用してみかけ上のカー回転角を上昇させ
るといった種々の試みがなされている。
[発明か解決しようとする問題点]
しかし、このような光学的磁気記録にあって、光磁気記
録層は、その酸化や腐食等に関して基材の影響を受は易
く、特に基材として有機樹脂を用いた場合には、光磁気
記録層の形成時に、基材に吸着されている酸素や水分な
どが光磁気記録層に取込まれて、磁気特性に劣化を生し
ることかあった。また、形成された光学的磁気記録媒体
を高温、高湿の雰囲気に長く保存した場合には、基材を
透過して光磁気記録層に侵入する酸素や水分により磁気
特性が劣化し、結果として記録、再生時のエラーの増加
や信号品質の劣化を招くといった問題があった。
録層は、その酸化や腐食等に関して基材の影響を受は易
く、特に基材として有機樹脂を用いた場合には、光磁気
記録層の形成時に、基材に吸着されている酸素や水分な
どが光磁気記録層に取込まれて、磁気特性に劣化を生し
ることかあった。また、形成された光学的磁気記録媒体
を高温、高湿の雰囲気に長く保存した場合には、基材を
透過して光磁気記録層に侵入する酸素や水分により磁気
特性が劣化し、結果として記録、再生時のエラーの増加
や信号品質の劣化を招くといった問題があった。
従って、このような問題を解消し、記録感度や保存環境
特性等に優わた光学的磁気記録媒体を得るためには、基
板の光磁気記録層に対する影響を減じるため、光磁気記
録層と基板との間に設けられた中間層を高品位なものと
することが必要となる。しかしながら、従来この要求に
必ずしも答えているとは言い難かった。
特性等に優わた光学的磁気記録媒体を得るためには、基
板の光磁気記録層に対する影響を減じるため、光磁気記
録層と基板との間に設けられた中間層を高品位なものと
することが必要となる。しかしながら、従来この要求に
必ずしも答えているとは言い難かった。
また、中間層を、反射防止構造にしたり、外部からの酸
素や水分の侵入をより効果的に防止するために多層膜と
した時には冬服の熱膨張率の差や膜の応力の違いによっ
て薄膜にクラックが発生したり、薄膜の剥離が起こると
いった問題があった。
素や水分の侵入をより効果的に防止するために多層膜と
した時には冬服の熱膨張率の差や膜の応力の違いによっ
て薄膜にクラックが発生したり、薄膜の剥離が起こると
いった問題があった。
本発明は上記問題点を除くために成されたものであり、
その主たる目的は、長期間にわたって磁気特性やエラー
レートの変化が少ないうえに中間層を構成する薄膜の密
着性の向上とクラックの発生防止とが達成された光学的
磁気記録媒体を提供することにある。
その主たる目的は、長期間にわたって磁気特性やエラー
レートの変化が少ないうえに中間層を構成する薄膜の密
着性の向上とクラックの発生防止とが達成された光学的
磁気記録媒体を提供することにある。
C問題点を解決するための手段〕
本発明の上記目的は、光磁気記録層と、該光磁気記録層
の少なくとも一方の面に接して設けられた誘電体からな
る第1中間層と、該中間層に接して設けられた誘電体か
らなる第2中間層を基板上に有して成る光学的磁気記録
媒体において、第1中間層と第2中間層との間にこれら
両層を構成する材料の混合物から成る混合中間層を配説
することにより達成される。
の少なくとも一方の面に接して設けられた誘電体からな
る第1中間層と、該中間層に接して設けられた誘電体か
らなる第2中間層を基板上に有して成る光学的磁気記録
媒体において、第1中間層と第2中間層との間にこれら
両層を構成する材料の混合物から成る混合中間層を配説
することにより達成される。
〔発明の実施態様 )
以下、図面を参照しつつ、本発明の詳細な説明する。
本発明の光学的磁気記録媒体の一態様の模式的断面を第
1図に示す。
1図に示す。
第1図の光学的磁気記録媒体に於いて、11はガラス、
PMMA、ポリカーボネート等の各様の材料からなる。
PMMA、ポリカーボネート等の各様の材料からなる。
使用光に対して透光性の基材である。その形状は特に限
定されるものではなく、ディスク状等、所望のものとし
得る。
定されるものではなく、ディスク状等、所望のものとし
得る。
12は光磁気記録層であり、その材質としてはTbFe
、 GdTbFe、 TbFeCo、 GdTbFeC
o等の希土類−遷移金属アモルファス系が好適に用いら
れる。勿論、前述のMnB i系、ガーネット系などと
することも可能である。
、 GdTbFe、 TbFeCo、 GdTbFeC
o等の希土類−遷移金属アモルファス系が好適に用いら
れる。勿論、前述のMnB i系、ガーネット系などと
することも可能である。
X3a 、 13bは第1中間層、14a、14bは第
2中間層である。各中間層は、例えば酸化物、窒化物、
硫化物、炭化物の一種以上の誘電体から成り、それぞれ
異なる材質で構成される。酸化物としては5iO1Si
02、ZrO2、MgOなど、硫化物としてはZnS
、 B1043など、窒化物としては+lN。
2中間層である。各中間層は、例えば酸化物、窒化物、
硫化物、炭化物の一種以上の誘電体から成り、それぞれ
異なる材質で構成される。酸化物としては5iO1Si
02、ZrO2、MgOなど、硫化物としてはZnS
、 B1043など、窒化物としては+lN。
Si3N4 、ZrN 、 CrNなど、炭化物として
は5iC1TiCなどが挙げられる。
は5iC1TiCなどが挙げられる。
+5a、15bは第1中間層と第2中間層との間に設け
られた混合中間層を示す。混合中間層15a 、 15
bは第1及び第2中間層を構成する材料の混合物からな
る。これらの混合中間層は、2元同時に成膜できる、蒸
着法、 CVD法、スパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法などを用いて形成することができる。具体的に
は、第1中間層を形成する操作が終了する直前において
第2中間層を形成する操作を開始し、(あるいは第2中
間層の形成操作が終了する直前において第1中間層の形
成操作を開始し)、所望時間の後に第1中間層の形成操
作を終了することにより第1中間層および第2中間層を
構成する材料の混合物からなる混合中間層を形成すれば
よい。熱容量(記録感度)と中間層の膜質どの点から、
第1中間層の膜厚100人〜3000人程度が好ましく
、第2中間層の膜厚も100人〜3000人程度が好ま
しい。また、第1中間層と第2中間層との間に設けられ
る、それら両層の混合物からなる混合中間層はIOλ〜
1000人程度、好適には50人〜300人程度の膜厚
とする。
られた混合中間層を示す。混合中間層15a 、 15
bは第1及び第2中間層を構成する材料の混合物からな
る。これらの混合中間層は、2元同時に成膜できる、蒸
着法、 CVD法、スパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法などを用いて形成することができる。具体的に
は、第1中間層を形成する操作が終了する直前において
第2中間層を形成する操作を開始し、(あるいは第2中
間層の形成操作が終了する直前において第1中間層の形
成操作を開始し)、所望時間の後に第1中間層の形成操
作を終了することにより第1中間層および第2中間層を
構成する材料の混合物からなる混合中間層を形成すれば
よい。熱容量(記録感度)と中間層の膜質どの点から、
第1中間層の膜厚100人〜3000人程度が好ましく
、第2中間層の膜厚も100人〜3000人程度が好ま
しい。また、第1中間層と第2中間層との間に設けられ
る、それら両層の混合物からなる混合中間層はIOλ〜
1000人程度、好適には50人〜300人程度の膜厚
とする。
第1中間層には酸化物で緻密な膜質の誘電体が好ましく
使用できる。好適には第1中間層材料にZnS、SiC
,AIN、SiN 、第2中間層材料にSiO,lAg
0゜AIN、SiN、SiCが使用できる。
使用できる。好適には第1中間層材料にZnS、SiC
,AIN、SiN 、第2中間層材料にSiO,lAg
0゜AIN、SiN、SiCが使用できる。
中間層を2層化した場合には、両層の熱膨張率差や応力
差によりクラックや、両層の界面での膜の剥離が生じ易
いのに対し、第1中間層と第2中間層との間に、これら
両層の混合物からなる混合中間層を設けたことにより、
上記欠点を解決することができる。
差によりクラックや、両層の界面での膜の剥離が生じ易
いのに対し、第1中間層と第2中間層との間に、これら
両層の混合物からなる混合中間層を設けたことにより、
上記欠点を解決することができる。
本発明は上記態様に限らず種々の態様の光学的磁気記録
媒体に適用できる。再生にカー効果とファラデー効果を
゛利用する上記とは別の態様の光学的磁気記録媒体を第
2図に示す。
媒体に適用できる。再生にカー効果とファラデー効果を
゛利用する上記とは別の態様の光学的磁気記録媒体を第
2図に示す。
22は光学的磁気層である。膜厚としては100〜30
0八程度か好ましい。23a、23bは第1中間層、2
4a、24bは、第2中間層で、25a、25bは混合
中間層である。
0八程度か好ましい。23a、23bは第1中間層、2
4a、24bは、第2中間層で、25a、25bは混合
中間層である。
26は^u、Ag、Cu、AIなどの反射層である。こ
の反射層は、従来技術て説明したように、磁気ファラデ
ー効果を利用して見かけのカー回転角を上昇させ再生効
率を向上させる役割を果す。
の反射層は、従来技術て説明したように、磁気ファラデ
ー効果を利用して見かけのカー回転角を上昇させ再生効
率を向上させる役割を果す。
27は光磁気記録層の酸化防止などのための保護層であ
り、有機高分子膜、あるいは酸化物、硫化物、窒化物、
炭化物などの無機材料や金属材料で構成される。
り、有機高分子膜、あるいは酸化物、硫化物、窒化物、
炭化物などの無機材料や金属材料で構成される。
以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
第1図に例示したと同様の光学的磁気記録媒体を次のよ
うに作製した。ディスク状のポリカーボネート基板ll
上に、 SiO薄膜を、1分間に厚さ100人(100
人/m1n)の速度でスパッタリングによる成膜を続け
、8分経過後に、80人/minの成膜速度でZnSの
スパッタリングを開始し、 SiOと ZnSの2元同
時スパッタリングを1分間行なった。その後、 SiO
のスパッタリングを終了し、引き続き、 ZnSを3分
間スパッタリングすることにより、 SiO膜(第2中
間層14a、1154厚=800人)、 SiOとZn
Sの混合中間層15a (150人)、及びZnS膜(
第1中間層12a、 240人)を成膜した。この上に
、光磁気記録層12として膜厚1000人のTbFeC
o薄膜をスパッタリング法により形成した。更にその上
にZQS膜(第1中間層13b、 400人) 、In
sとSiOの混合中間層15b (200人)及びSi
O膜(第2中間層14b、3000人)を上記と同様に
して形成し、本例の光学的磁気記録媒体を得た。
うに作製した。ディスク状のポリカーボネート基板ll
上に、 SiO薄膜を、1分間に厚さ100人(100
人/m1n)の速度でスパッタリングによる成膜を続け
、8分経過後に、80人/minの成膜速度でZnSの
スパッタリングを開始し、 SiOと ZnSの2元同
時スパッタリングを1分間行なった。その後、 SiO
のスパッタリングを終了し、引き続き、 ZnSを3分
間スパッタリングすることにより、 SiO膜(第2中
間層14a、1154厚=800人)、 SiOとZn
Sの混合中間層15a (150人)、及びZnS膜(
第1中間層12a、 240人)を成膜した。この上に
、光磁気記録層12として膜厚1000人のTbFeC
o薄膜をスパッタリング法により形成した。更にその上
にZQS膜(第1中間層13b、 400人) 、In
sとSiOの混合中間層15b (200人)及びSi
O膜(第2中間層14b、3000人)を上記と同様に
して形成し、本例の光学的磁気記録媒体を得た。
比較例1
第1中間層1:Ia、 13bをそれぞれ300人、5
00人のZnS薄膜、第2中間層+4a、 14bをそ
れぞれ900人、 3100人のSiO薄膜とし、混合
中間層を全く設けない以外は実施例1と同構成の従来例
の光学的磁気記録媒体を作製した。
00人のZnS薄膜、第2中間層+4a、 14bをそ
れぞれ900人、 3100人のSiO薄膜とし、混合
中間層を全く設けない以外は実施例1と同構成の従来例
の光学的磁気記録媒体を作製した。
(実施例1と比較例1の光磁気記録媒体の評価)各記録
媒体を温度60℃、相対湿度90%RHの=囲気に放置
し、保存テストを行なった。放置前の保磁力Hcoと、
500時間放置後の保磁力Hcを測定し、放置前に対
する放置後の保磁力の比Hc/Hc。
媒体を温度60℃、相対湿度90%RHの=囲気に放置
し、保存テストを行なった。放置前の保磁力Hcoと、
500時間放置後の保磁力Hcを測定し、放置前に対
する放置後の保磁力の比Hc/Hc。
を求め保存性を評価した(該比の大きいものほど保存性
に優れていることを示す)。測定結果を第1表に示す。
に優れていることを示す)。測定結果を第1表に示す。
第1表に示される如く、Hc/Hcoは0.90 (実
施例1)と、0.80 (比較例1)であった。尚、
500時間放置後も、実施例1の記録媒体には光学顕微
鏡観察によりクラック等の外観上の変化は観察されなか
った。比較例1のものはクラックの発生が確認された。
施例1)と、0.80 (比較例1)であった。尚、
500時間放置後も、実施例1の記録媒体には光学顕微
鏡観察によりクラック等の外観上の変化は観察されなか
った。比較例1のものはクラックの発生が確認された。
実施例2
第2図に例示したと同様の光学的磁気記録媒体を次のよ
うに作製した。
うに作製した。
ディスク状のポリカーボネート基板21上に、第2中間
層24a、中間混合層25a、第1中間層23aとして
、それぞれSiO膜(900人)、SiOとZnSの7
昆合中間層(200人)、 7.nS膜(200人)を
実施例1と同様に順次61層した。その上、光磁気記録
層22として膜厚160人のTbFe(:o薄1摸をス
パッタリング法により成膜した。更にその上に、第1中
間層23b、混合中間層25b、第2中間層25bとし
てそれぞれZnS膜(200人)、 ZnSとSiOの
混合中間層(200人)、SiO膜(1100人)を上
記と同様にして順次積層した。その上に反射層26とし
て膜厚800人のA1薄膜をスパッタリング法で形成し
た後、最後に保護層27として膜厚3000人のSiO
薄月莫をスパッタリング法て形成し、本例の光学的磁気
記録媒体を得た。
層24a、中間混合層25a、第1中間層23aとして
、それぞれSiO膜(900人)、SiOとZnSの7
昆合中間層(200人)、 7.nS膜(200人)を
実施例1と同様に順次61層した。その上、光磁気記録
層22として膜厚160人のTbFe(:o薄1摸をス
パッタリング法により成膜した。更にその上に、第1中
間層23b、混合中間層25b、第2中間層25bとし
てそれぞれZnS膜(200人)、 ZnSとSiOの
混合中間層(200人)、SiO膜(1100人)を上
記と同様にして順次積層した。その上に反射層26とし
て膜厚800人のA1薄膜をスパッタリング法で形成し
た後、最後に保護層27として膜厚3000人のSiO
薄月莫をスパッタリング法て形成し、本例の光学的磁気
記録媒体を得た。
比較例2
第1中間層23a、 23bをそれぞれ300人のZn
S薄膜、第2中間層14a、 +4bをそれぞれ900
人。
S薄膜、第2中間層14a、 +4bをそれぞれ900
人。
1300人のSiO薄膜とし、混合中間層を全く設けな
い以外は実施例2と同構成の従来例の光学的電気記録媒
体を作製した。
い以外は実施例2と同構成の従来例の光学的電気記録媒
体を作製した。
(実施例2と比較例2の光磁気記録媒体の評価)これら
記録媒体につき、実施例1と同様の方法で記録、再生な
行ないC/N値および保磁力の比)1c/Hcoを求め
、これら媒体の保存性を評価した。
記録媒体につき、実施例1と同様の方法で記録、再生な
行ないC/N値および保磁力の比)1c/Hcoを求め
、これら媒体の保存性を評価した。
結果を第1表に示す。 llc/Hcoは0.90 (
実施例2)と、0.79 (比較例2)であった。また
、実施例2の記録媒体にはクラック等の外観上の変化は
観察されなかフだが、比較例2のものはクラックの発生
が確認された。
実施例2)と、0.79 (比較例2)であった。また
、実施例2の記録媒体にはクラック等の外観上の変化は
観察されなかフだが、比較例2のものはクラックの発生
が確認された。
実施例3〜6.7〜lO
第1表の実施例3〜6に示す構成とした以外は、実施例
1と同様の方法で種々の光学的磁気記録媒体を作製した
。
1と同様の方法で種々の光学的磁気記録媒体を作製した
。
第1表の実施例7〜10に示す構成とした以外は実施例
2と同様の方法で種々の光学的記録媒体を作成した。
2と同様の方法で種々の光学的記録媒体を作成した。
実施例3〜IOの各記録媒体につき、実施例1と同様の
方法で記録、再生を行ないC/N値および保磁力の比)
1c/1lcoを求め、これら媒体の保存性を評価した
。結果を第1表に示す。各記録媒体にはクラック等の外
観上の変化は観察されなかった。
方法で記録、再生を行ないC/N値および保磁力の比)
1c/1lcoを求め、これら媒体の保存性を評価した
。結果を第1表に示す。各記録媒体にはクラック等の外
観上の変化は観察されなかった。
[発明の効果]
以上詳細に説明した本発明により、長期間にわたりて磁
気特性やエラーレートの変化が少なく、しかも媒体に剥
離やクラックのない保存安定性に優れた光学的磁気記録
媒体を提供か可能になった。
気特性やエラーレートの変化が少なく、しかも媒体に剥
離やクラックのない保存安定性に優れた光学的磁気記録
媒体を提供か可能になった。
第1図および第2図は各々本発明の光学的記録媒体の基
本的態様を示す模式的断面図、第3図(A)’、(B)
は従来例の光学的記録媒体を模式的断面図である。 11、21.31・・・基板、 12、22.32・・・光磁気記録層、13a、 13
b、 23a、 23b・−第1中間層、+4a、 1
4 b、24a、 24b・・・第2中間層33、43
・・・中間層、 15a、 15b、 25a、 25b・−混合膜、2
6.35・・−反射層、 27.34・・・保護層。 (八) (8)牙3回
本的態様を示す模式的断面図、第3図(A)’、(B)
は従来例の光学的記録媒体を模式的断面図である。 11、21.31・・・基板、 12、22.32・・・光磁気記録層、13a、 13
b、 23a、 23b・−第1中間層、+4a、 1
4 b、24a、 24b・・・第2中間層33、43
・・・中間層、 15a、 15b、 25a、 25b・−混合膜、2
6.35・・−反射層、 27.34・・・保護層。 (八) (8)牙3回
Claims (2)
- (1)光磁気記録層と、該光磁気記録層の少なくとも一
方の面に接して設けられた誘電体からなる第1中間層と
、該中間層に接して設けられた誘電体からなる第2中間
層を基板上に有して成る光学的磁気記録媒体において、
第1中間層と第2中間層との間にこれら両層を構成する
材料の混合物から成る混合中間層を配設したことを特徴
とする光学的磁気記録媒体。 - (2)前記光磁気記録層からみて基板と反対側に設けら
れた第2中間層に接して金属より成る層を積層した特許
請求の範囲第1項記載の光学的磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15798686A JPS6314346A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 光学的磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15798686A JPS6314346A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 光学的磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6314346A true JPS6314346A (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=15661742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15798686A Pending JPS6314346A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 光学的磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6314346A (ja) |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP15798686A patent/JPS6314346A/ja active Pending
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