JPS6148150A - 光熱磁気記録媒体 - Google Patents
光熱磁気記録媒体Info
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- JPS6148150A JPS6148150A JP16898384A JP16898384A JPS6148150A JP S6148150 A JPS6148150 A JP S6148150A JP 16898384 A JP16898384 A JP 16898384A JP 16898384 A JP16898384 A JP 16898384A JP S6148150 A JPS6148150 A JP S6148150A
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- reproducing
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、少なくともレーザビームのような光ビームの
照射に基く熱によって情報の記録を行ない、光ビームめ
照射によって記録された情報を再生する光熱磁気記録媒
体に係り、特に磁性層が記録層と再生層とからなる２層
構造の光熱磁気記録媒体に関する。
照射に基く熱によって情報の記録を行ない、光ビームめ
照射によって記録された情報を再生する光熱磁気記録媒
体に係り、特に磁性層が記録層と再生層とからなる２層
構造の光熱磁気記録媒体に関する。
光ビーム（主としてレーザビーム）の照射によって情報
の記録・再生を行なう記録媒体、いわゆる光ディスクは
、機能から分類すると再生専用型。
の記録・再生を行なう記録媒体、いわゆる光ディスクは
、機能から分類すると再生専用型。
ＤＲＡＷ （Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅａｄ Ａｆｔｅｒ Ｗ
ｒｉｔｅ： １回書込み可能・消去不能）型、書換え可
能型の３種があり、これらのうち再生専用型とＤＲＡＷ
型は既に実用化されている。ＤＲＡＷ型の光ディスクで
は通常、正確なトラシキングと高速ラレダムアクセスを
容易にするための光学ヘッド案内用の溝（以下、プリグ
ループという）がディスク基体上に設けられる。また：
再生専用型およびＤＲＡＷ型のいずれも、ゴミの付着等
による再生エラーを防止するために、光ビームは記録層
の形成されている面とは逆の面、すなわち基体の裏面側
から入射されるようになっている。
ｒｉｔｅ： １回書込み可能・消去不能）型、書換え可
能型の３種があり、これらのうち再生専用型とＤＲＡＷ
型は既に実用化されている。ＤＲＡＷ型の光ディスクで
は通常、正確なトラシキングと高速ラレダムアクセスを
容易にするための光学ヘッド案内用の溝（以下、プリグ
ループという）がディスク基体上に設けられる。また：
再生専用型およびＤＲＡＷ型のいずれも、ゴミの付着等
による再生エラーを防止するために、光ビームは記録層
の形成されている面とは逆の面、すなわち基体の裏面側
から入射されるようになっている。
現在では未だ実用には至っていないが、本発明が対象と
している書換え可能型の光デイスクメモリにおいても上
記のようなプリグループを設けることが望ましく、また
光ビームの入射も基体の裏面側からなされる方式が有利
である。
している書換え可能型の光デイスクメモリにおいても上
記のようなプリグループを設けることが望ましく、また
光ビームの入射も基体の裏面側からなされる方式が有利
である。
基体の裏面側から光ビームを入射させるためには、当然
のことながら基体は少なくともこの光ビームに対して、
つまり使用する光ビームの波長領域で透明でなければな
らない。この要求を満たす基体材料としては、具体的に
はガラス系材料か、あるいはＰＭＭＡ （ポリメチルメ
タクリレート）ＰＣ（ポリカーボネイト）、エポキシ等
に代表される透明樹脂系材料の２つが挙げられる。一方
、このような材質の基体にプリグループを形成する方法
としては、ガラス系材料に対しては平坦なガラス円板上
に樹脂を塗布して露光・現像処理する方法と、ガラス円
板を局部的にエツチング処理する方法とがあり、透明樹
脂系材料に対してはプリグループに対応した表面形状を
持つ金型を使用して、射出成型もしくは注型法によりプ
リグループ付基体を作成する方法が挙げられる。
のことながら基体は少なくともこの光ビームに対して、
つまり使用する光ビームの波長領域で透明でなければな
らない。この要求を満たす基体材料としては、具体的に
はガラス系材料か、あるいはＰＭＭＡ （ポリメチルメ
タクリレート）ＰＣ（ポリカーボネイト）、エポキシ等
に代表される透明樹脂系材料の２つが挙げられる。一方
、このような材質の基体にプリグループを形成する方法
としては、ガラス系材料に対しては平坦なガラス円板上
に樹脂を塗布して露光・現像処理する方法と、ガラス円
板を局部的にエツチング処理する方法とがあり、透明樹
脂系材料に対してはプリグループに対応した表面形状を
持つ金型を使用して、射出成型もしくは注型法によりプ
リグループ付基体を作成する方法が挙げられる。
上記した２種の基体材料の適否をプリグループの形成も
考慮して比較すれば、量産性、コストの面からは樹脂系
材料を選定するのが有利であり、またディスクを記録・
再生時に高速回転させて使用する際の安全性の面からも
、樹脂系材料の方がガラス系材料に比べ信頼性が高い。
考慮して比較すれば、量産性、コストの面からは樹脂系
材料を選定するのが有利であり、またディスクを記録・
再生時に高速回転させて使用する際の安全性の面からも
、樹脂系材料の方がガラス系材料に比べ信頼性が高い。
現実に、再生専用型およびＤＲＡＷ型光ディスクメモリ
の大半が、基体材料としてポリメチルメタクリレートま
たはポリカーボネイトを使用している。
の大半が、基体材料としてポリメチルメタクリレートま
たはポリカーボネイトを使用している。
基体上に記録、再生および消去が可能な記録層が形成さ
れた書換え可能型光ディスクメモリにおいても、同様な
理由から基体材料としては樹脂系材料を使用することが
望ましい。しかしながら樹脂系材料は気体透過性があり
、吸水率が大きく、さらには耐熱性が悪いという欠点を
有している。
れた書換え可能型光ディスクメモリにおいても、同様な
理由から基体材料としては樹脂系材料を使用することが
望ましい。しかしながら樹脂系材料は気体透過性があり
、吸水率が大きく、さらには耐熱性が悪いという欠点を
有している。
このため、基体上に形成される記録層には耐腐蝕性が要
求され、またディスク形成時において基体に熱負荷のか
かる製造プロセスは使用できない。
求され、またディスク形成時において基体に熱負荷のか
かる製造プロセスは使用できない。
書換え可能型光ディスクメモリの具体的構成法はいくつ
か提案されているが、最もメモリ効果が安定しているの
は、記録層として基体面に対し垂直な方向に磁化容易軸
を有する磁性膜（以゛下、垂直磁化膜という）を形成し
た光熱磁気記録媒体である。垂直磁化膜を使用した光熱
磁気記録媒体の原理は既に良く知られているように、記
録すべき情報信号によって変調された光ビームを記録層
に照射して局部的にキューリー温度近傍まで加熱するこ
と、または上記加熱に加えて外部より磁界を印加するこ
とで、情報を垂直磁化膜の磁化反転の形で記録する。一
方、記録された情報の再生は、垂直磁化膜に直線偏光の
光ビームを照射し、垂直磁化膜の磁化反転に基く反射光
の偏光面の回転（極力−回転）や、透過光の偏光面の回
転（ファラデー回転）を検出して行なうものである。
か提案されているが、最もメモリ効果が安定しているの
は、記録層として基体面に対し垂直な方向に磁化容易軸
を有する磁性膜（以゛下、垂直磁化膜という）を形成し
た光熱磁気記録媒体である。垂直磁化膜を使用した光熱
磁気記録媒体の原理は既に良く知られているように、記
録すべき情報信号によって変調された光ビームを記録層
に照射して局部的にキューリー温度近傍まで加熱するこ
と、または上記加熱に加えて外部より磁界を印加するこ
とで、情報を垂直磁化膜の磁化反転の形で記録する。一
方、記録された情報の再生は、垂直磁化膜に直線偏光の
光ビームを照射し、垂直磁化膜の磁化反転に基く反射光
の偏光面の回転（極力−回転）や、透過光の偏光面の回
転（ファラデー回転）を検出して行なうものである。
ここで、垂直磁化膜の材料としてはＭｎ３ ｉ多結晶系
材料、Ｅｕ−カルコゲナイド系材料、磁性ガーネット系
単結晶材料、および稀土類−遷移金属非晶質合金系材料
（以下、ＲＥ−ＴＭ系材料と略称、稀土類元素をＲＥ、
Ｉ移金罵元素をＴＭと略称する）がある。これらのうち
、Ｍｎ−Ｂ１系材料は相変化を起こし易く、記録マージ
ンが狭い。
材料、Ｅｕ−カルコゲナイド系材料、磁性ガーネット系
単結晶材料、および稀土類−遷移金属非晶質合金系材料
（以下、ＲＥ−ＴＭ系材料と略称、稀土類元素をＲＥ、
Ｉ移金罵元素をＴＭと略称する）がある。これらのうち
、Ｍｎ−Ｂ１系材料は相変化を起こし易く、記録マージ
ンが狭い。
粒界雑音が大きいという欠点を有し、［”ｕ−カルコゲ
ナイド系材料は常温で記録ビットが保持できないという
欠点を有し、単結晶磁性ガーネット系材料は製造が困難
で高価な上、樹脂系基体上には現状の技術レベルでは成
膜が不可能という欠点を有している。
ナイド系材料は常温で記録ビットが保持できないという
欠点を有し、単結晶磁性ガーネット系材料は製造が困難
で高価な上、樹脂系基体上には現状の技術レベルでは成
膜が不可能という欠点を有している。
これに対し、ＲＥ−ＴＭ系材料は一般的に再生信号のＣ
／Ｎに寄与する極力−効果が小さい、耐腐蝕性が悪いと
いった欠点は持っているものの、大面積の基体上へ蒸着
法、スパッタリング法等のｍ産性のある方法で成膜でき
、またメモリ特性をＲＥとＴＭの組合せ９組成比によっ
て広範囲にわたって制御できるといった長所を有してい
るため最も有望視されており、現在各所で実用化へ向け
て研究・開発が精力的に進められている。ＲＥ−ＴＭ系
材料におけるＲＥとしてはＧｄ、Ｔｔ）。
／Ｎに寄与する極力−効果が小さい、耐腐蝕性が悪いと
いった欠点は持っているものの、大面積の基体上へ蒸着
法、スパッタリング法等のｍ産性のある方法で成膜でき
、またメモリ特性をＲＥとＴＭの組合せ９組成比によっ
て広範囲にわたって制御できるといった長所を有してい
るため最も有望視されており、現在各所で実用化へ向け
て研究・開発が精力的に進められている。ＲＥ−ＴＭ系
材料におけるＲＥとしてはＧｄ、Ｔｔ）。
Ｄｙが、またＴＭとしてはＦｅ、Ｃｏがそれぞれ代表的
であり、それらの組合せと組成比によって特性が大幅に
異なる。
であり、それらの組合せと組成比によって特性が大幅に
異なる。
ＲＥ−ＴＭ系材料では一般的に次のことがいえる。まず
記録特性、すなわち半導体レーザ等からの低パワーの光
ビーム照射時に照射部の保磁力が数１００［Ｏｅｌ以下
に低下して磁化反転が容易に起こり得るかどうかの点に
対しては、ＲＥについては特にＴＭがＦｅの場合、Ｄｙ
、Ｔｂ、Ｇｄの順でキューリー温度が低いため、この順
序で良好である。再生特性、すなわち再生用直線偏光光
ビームの照射時の反射光の極力−回転角θにが大きく反
射光量が大きいかどうかという点に対しては、ＲＥにつ
いてはＧｄ、Ｔｂ、ＤＹの順でθにの値が大きいという
点から良好であり、ＴＭについてはＣｏ、Ｆｅの順で膜
の光反射率が大きいという理由から良好である。微小記
録ビットの安定性（保持温度における保磁力の大きさ）
に対しては、ＲＥについてＴｂ、Ｄｙ、Ｇｄの順で良好
である。さらに記録媒体の耐腐蝕性という観点からは、
ＴＭがｌ”ｅであるよりＣＯである方が格段に有利であ
り、逆に均一特性の垂直磁化膜を大面積にわたり一様に
作製するという観点からは、ＴＭがＣＯである方がｌ”
ｅである場合よりも難しい。
記録特性、すなわち半導体レーザ等からの低パワーの光
ビーム照射時に照射部の保磁力が数１００［Ｏｅｌ以下
に低下して磁化反転が容易に起こり得るかどうかの点に
対しては、ＲＥについては特にＴＭがＦｅの場合、Ｄｙ
、Ｔｂ、Ｇｄの順でキューリー温度が低いため、この順
序で良好である。再生特性、すなわち再生用直線偏光光
ビームの照射時の反射光の極力−回転角θにが大きく反
射光量が大きいかどうかという点に対しては、ＲＥにつ
いてはＧｄ、Ｔｂ、ＤＹの順でθにの値が大きいという
点から良好であり、ＴＭについてはＣｏ、Ｆｅの順で膜
の光反射率が大きいという理由から良好である。微小記
録ビットの安定性（保持温度における保磁力の大きさ）
に対しては、ＲＥについてＴｂ、Ｄｙ、Ｇｄの順で良好
である。さらに記録媒体の耐腐蝕性という観点からは、
ＴＭがｌ”ｅであるよりＣＯである方が格段に有利であ
り、逆に均一特性の垂直磁化膜を大面積にわたり一様に
作製するという観点からは、ＴＭがＣＯである方がｌ”
ｅである場合よりも難しい。
このように、単層のＲＥ、−７Ｍ膜では光熱磁気記録媒
体への要求性能を全て満足することは困難である。この
問題を解決する有効な手段として、特性の異なる２層の
ＲＥ−７Ｍ膜を積層することが提案されている。ＲＥ−
７Ｍ膜の２層化による光熱磁気記録・光磁気再生特性の
向上については、例えば文献（１）サイエンスフォーラ
ム社発行「光磁気メモリー総合技術集成」第３節 アモ
ルファス材料 ■ アモルファス多層膜２交献（２）Ｊ
、 Ａｐｐｌ 、 Ｐｈｙｓ、 ５５ （６）、 １５
Ｍａｒｃｈ１９８４ 、特開昭５６−１５３５４６
号公報、特開昭５７−７８６５２号公報等に開示されて
いる。
体への要求性能を全て満足することは困難である。この
問題を解決する有効な手段として、特性の異なる２層の
ＲＥ−７Ｍ膜を積層することが提案されている。ＲＥ−
７Ｍ膜の２層化による光熱磁気記録・光磁気再生特性の
向上については、例えば文献（１）サイエンスフォーラ
ム社発行「光磁気メモリー総合技術集成」第３節 アモ
ルファス材料 ■ アモルファス多層膜２交献（２）Ｊ
、 Ａｐｐｌ 、 Ｐｈｙｓ、 ５５ （６）、 １５
Ｍａｒｃｈ１９８４ 、特開昭５６−１５３５４６
号公報、特開昭５７−７８６５２号公報等に開示されて
いる。
これらの公知例においては、光ビームの入射方向に極力
−効果が大きいＧｄＦｅ１ｌｌ、ＧｄＣｏ膜を形成し、
それに積層して常温で保磁力の大きいＴｂＦｅ１ｌｌ、
ＤｙＦｅ膜を形成した構造のものが具体的に述べられて
おり、記録特性、再生特性、および記録ビットの安定性
が単層のものに比べて改善された結果が報告されている
。
−効果が大きいＧｄＦｅ１ｌｌ、ＧｄＣｏ膜を形成し、
それに積層して常温で保磁力の大きいＴｂＦｅ１ｌｌ、
ＤｙＦｅ膜を形成した構造のものが具体的に述べられて
おり、記録特性、再生特性、および記録ビットの安定性
が単層のものに比べて改善された結果が報告されている
。
しかしながら、このような２層のＲＥ−７Ｍ膜を実用的
構成の光熱磁気記録媒体、すなわち望ましくは樹脂系材
料からなる基体と、この基体上に再生層および記録層を
積層した構造の媒体に適用した場合には、例えば再生層
がＧｄＦｅ１ｌの場合は基板側から透過する空気中の酸
素によってＧｄＦｅ１ｌＱの酸化が進行するため、寿命
の点で問題がある。ＧｄＦｅ膜に対するこのような問題
点を回避するために、基体とＧｄ Ｆ ａｌｌとの間に
透明保ｍ層を介在させるという方法が考えられるが、樹
脂系材料からなる基体が熱的に耐え得るような成膜方法
によっては大面積にわたりピンホールのない透明保護層
の形成は現状の技術レベルでは困難であり、ピンホール
を通しての腐蝕の進行に対しては効′果がない。また、
再生層にＧｄＣｏ膜を用いた場合は、寿命の点では極め
て有利となる反面、ＧｃｌＣｏ膜は成膜方法にバイアス
・スパッタリング法を使用しなければ垂直磁化膜となり
得ないため、成膜中に樹脂基体が熱負荷に耐えられない
という問題がある。
構成の光熱磁気記録媒体、すなわち望ましくは樹脂系材
料からなる基体と、この基体上に再生層および記録層を
積層した構造の媒体に適用した場合には、例えば再生層
がＧｄＦｅ１ｌの場合は基板側から透過する空気中の酸
素によってＧｄＦｅ１ｌＱの酸化が進行するため、寿命
の点で問題がある。ＧｄＦｅ膜に対するこのような問題
点を回避するために、基体とＧｄ Ｆ ａｌｌとの間に
透明保ｍ層を介在させるという方法が考えられるが、樹
脂系材料からなる基体が熱的に耐え得るような成膜方法
によっては大面積にわたりピンホールのない透明保護層
の形成は現状の技術レベルでは困難であり、ピンホール
を通しての腐蝕の進行に対しては効′果がない。また、
再生層にＧｄＣｏ膜を用いた場合は、寿命の点では極め
て有利となる反面、ＧｃｌＣｏ膜は成膜方法にバイアス
・スパッタリング法を使用しなければ垂直磁化膜となり
得ないため、成膜中に樹脂基体が熱負荷に耐えられない
という問題がある。
このように２層のＲＥ−ＴＭＩＩによる光熱磁気記録媒
体では、再生層および記録層共に、無バイアスもしくは
低バイアス・スパッタリング法または蒸着法等の成膜中
における基体面への熱負荷の小さい成膜法で容易に垂直
磁化膜とすることができ、しかも光ビームが入射する側
の再生層が耐腐蝕性に優れるということが要求されるの
であるが、公知の構成ではこのような要求を満たすこと
が困難であった。
体では、再生層および記録層共に、無バイアスもしくは
低バイアス・スパッタリング法または蒸着法等の成膜中
における基体面への熱負荷の小さい成膜法で容易に垂直
磁化膜とすることができ、しかも光ビームが入射する側
の再生層が耐腐蝕性に優れるということが要求されるの
であるが、公知の構成ではこのような要求を満たすこと
が困難であった。
本発明の目的は、記録特性と再生特性が共に良好であっ
て、垂直磁化膜を基体への熱負荷の小さい方法で成膜で
き、さらに耐腐蝕性に優れた長寿命の光熱磁気記録媒体
を提供することにある。
て、垂直磁化膜を基体への熱負荷の小さい方法で成膜で
き、さらに耐腐蝕性に優れた長寿命の光熱磁気記録媒体
を提供することにある。
本発明は、基体上に該基体面に対して垂直な方向に磁化
容易軸を有する記録層および再生層を積層して構成され
、少なくとも光ビームの照射に基く熱によって情報を記
録し、光ビームの照射によって情報を再生する光熱磁気
記録媒体において、再生層がＴｂＣｏ非晶質フェリ磁性
合金膜でありさらに記録層が再生層よりキューリー温度
の低い磁性膜によって形成されることを特徴とする。
容易軸を有する記録層および再生層を積層して構成され
、少なくとも光ビームの照射に基く熱によって情報を記
録し、光ビームの照射によって情報を再生する光熱磁気
記録媒体において、再生層がＴｂＣｏ非晶質フェリ磁性
合金膜でありさらに記録層が再生層よりキューリー温度
の低い磁性膜によって形成されることを特徴とする。
再生層−の組成としては、記録特性の上から組成式Ｔｂ
ｘＣＯｔ−ｘにおいてＸ≦２１［ａｔ、％］、すなわち
ＴｂＣ０の補償組成よりもＣＯ過剰の組成が望ましく、
またＴｂＣｏの常温における保磁力が２．５ ［ｋＯｅ
］以下となる組成比とするのがより望ましい。
ｘＣＯｔ−ｘにおいてＸ≦２１［ａｔ、％］、すなわち
ＴｂＣ０の補償組成よりもＣＯ過剰の組成が望ましく、
またＴｂＣｏの常温における保磁力が２．５ ［ｋＯｅ
］以下となる組成比とするのがより望ましい。
再生層より低キユーリ一温度である記録層を構成する磁
性膜としては、例えばＴｂＦｅ膜。
性膜としては、例えばＴｂＦｅ膜。
［）ｙＦｅ膜、ＴｂＦｅＣｏ膜等を用いることができる
。また、記録層の組成は再生層であるＴｂＣｏ非晶質フ
ェリ磁性合金膜の磁化反転が記録層のキューリー温度以
下の温度領域で起り得る組成比とすることが望ましい。
。また、記録層の組成は再生層であるＴｂＣｏ非晶質フ
ェリ磁性合金膜の磁化反転が記録層のキューリー温度以
下の温度領域で起り得る組成比とすることが望ましい。
また、本発明は基体の材料が、プリグループの形成が容
易であって、高速回転時の安全性の点でも問題のないポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネイト、エポキシ
等の透明な樹脂系材料である場合に特に有効である。
易であって、高速回転時の安全性の点でも問題のないポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネイト、エポキシ
等の透明な樹脂系材料である場合に特に有効である。
本発明によれば、再生層として極力−回転角が大きく反
射光ｍの大きいＴｂＣｏ非晶質フェリ磁性合金膜を使用
しているため、再生特性が良好である。また、記録特性
についても再生層であるＴｂＣｏ非晶質フェリ磁性合金
膜に、これよりキューリー温度の低い磁性膜からなる記
録層を組合わせて使用してい゛ることによって、再生層
の磁化反転が記録層のキューリー温度近傍で起こるよう
になるため、ＴｂＣｏ膜単層の場合に比べて高感度で、
例えばＴｂＦｅ膜のみの単層膜を用いた場合と同程度の
良好な記録感度が得られる。
射光ｍの大きいＴｂＣｏ非晶質フェリ磁性合金膜を使用
しているため、再生特性が良好である。また、記録特性
についても再生層であるＴｂＣｏ非晶質フェリ磁性合金
膜に、これよりキューリー温度の低い磁性膜からなる記
録層を組合わせて使用してい゛ることによって、再生層
の磁化反転が記録層のキューリー温度近傍で起こるよう
になるため、ＴｂＣｏ膜単層の場合に比べて高感度で、
例えばＴｂＦｅ膜のみの単層膜を用いた場合と同程度の
良好な記録感度が得られる。
さらに、本発明においては再生層および記録層共にＧ
ｄ Ｃｏ Ｉｌｌのようなバイアス・スパッタリングで
なく、無バイアス・スパッタリング法や蒸着法といった
基体への熱負荷の小さい成膜法を用いて作製できるの・
で、この種の記録媒体で通常必要とされるプリグループ
を設は易いポリメチルメタクリレート、ポリカーボネイ
ト、エポキシ等の樹脂系基体を使用することができる。
ｄ Ｃｏ Ｉｌｌのようなバイアス・スパッタリングで
なく、無バイアス・スパッタリング法や蒸着法といった
基体への熱負荷の小さい成膜法を用いて作製できるの・
で、この種の記録媒体で通常必要とされるプリグループ
を設は易いポリメチルメタクリレート、ポリカーボネイ
ト、エポキシ等の樹脂系基体を使用することができる。
また、このような樹脂系基体は気体透過性が良いため、
磁性膜の腐蝕が問題なるが、本発明によれば例えば樹脂
系基体として光ビームに対して透明な材料を使用し、再
生層と記録層のうち再生層を基体側に成膜して基体の裏
面側から光ビームを照射して記録。
磁性膜の腐蝕が問題なるが、本発明によれば例えば樹脂
系基体として光ビームに対して透明な材料を使用し、再
生層と記録層のうち再生層を基体側に成膜して基体の裏
面側から光ビームを照射して記録。
再生を行なえば、再生層であるＴｂ・Ｇｏ非晶質フェリ
磁性合金膜の耐腐蝕性が良好であるために、基体を介し
ての記録層の腐蝕のおそれがなく、長寿命化が図られる
ことになる。
磁性合金膜の耐腐蝕性が良好であるために、基体を介し
ての記録層の腐蝕のおそれがなく、長寿命化が図られる
ことになる。
第１図は本発明の一実施例に係る光熱磁気記録媒体の記
録断面図である。第１図において、基体１１は例えば直
径２００ａｒｓ、厚さ１．５ｍｍのポリメチルメタクリ
レート基板であり、この基体１１上に再生層１２として
膜厚１０００人のＴ ｂ、。ｃｏ、、、 ＩＩが形成さ
れ、この再生層１２上に記録層１３として例えば膜厚１
０００人のＴ−０Ｆ ｅ、。膜が形成されている。記録
層１３の上にはさらに保Ｔａ層１４とし７．例えば膜厚
１０００人のＳｉ３Ｎ＋Ｉｌｌが形成されている。
録断面図である。第１図において、基体１１は例えば直
径２００ａｒｓ、厚さ１．５ｍｍのポリメチルメタクリ
レート基板であり、この基体１１上に再生層１２として
膜厚１０００人のＴ ｂ、。ｃｏ、、、 ＩＩが形成さ
れ、この再生層１２上に記録層１３として例えば膜厚１
０００人のＴ−０Ｆ ｅ、。膜が形成されている。記録
層１３の上にはさらに保Ｔａ層１４とし７．例えば膜厚
１０００人のＳｉ３Ｎ＋Ｉｌｌが形成されている。
第２図は本実施例で各層の成膜に使用した不パッタリン
グ装置の概略構成図である。第２図において、２１は成
膜室、２２はガス供給系、２３は排気系、２４はマグネ
トロンスパッタガン、２５はシャッタ、２６は電源、２
７は基体ホルダ、２８はサンプル基体である。マグネト
ロンスパッタガン２４は基体ホルダ２７に対して対称な
位置に４つ設置されている。また、基体ホルダ２７には
適宜バイアスを印加することができるようになっている
。
グ装置の概略構成図である。第２図において、２１は成
膜室、２２はガス供給系、２３は排気系、２４はマグネ
トロンスパッタガン、２５はシャッタ、２６は電源、２
７は基体ホルダ、２８はサンプル基体である。マグネト
ロンスパッタガン２４は基体ホルダ２７に対して対称な
位置に４つ設置されている。また、基体ホルダ２７には
適宜バイアスを印加することができるようになっている
。
第２図の構成において、ガス供給系２２からスパッタ雰
囲気となるガス（主にＡｒ）を成膜室２１内に導入し、
排気系２３のバルブを調整して成膜室２１内のガス圧力
を５ｍＴＯ，ｒｒ程度に維持した後、マグネトロンスパ
ッタガン２４に電！２６から直流または高周波電力を印
加してスパッタを開始する。次に、基体ホルダ２７を６
Ｏｒｐｍ程度で回転させ、シャッタ２５を開いてサン
プル基体２８上に所定の膜厚が得られるまで成膜を行な
った。使用したターゲットはＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ。
囲気となるガス（主にＡｒ）を成膜室２１内に導入し、
排気系２３のバルブを調整して成膜室２１内のガス圧力
を５ｍＴＯ，ｒｒ程度に維持した後、マグネトロンスパ
ッタガン２４に電！２６から直流または高周波電力を印
加してスパッタを開始する。次に、基体ホルダ２７を６
Ｏｒｐｍ程度で回転させ、シャッタ２５を開いてサン
プル基体２８上に所定の膜厚が得られるまで成膜を行な
った。使用したターゲットはＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ。
Ｃｏ、Ｓ ｉ３Ｎ４の５種類であり、これらのうち４つ
を適宜マグネトロンスパッタガン２４に設置して合金成
膜、連続成膜を行なった。合金成膜の際の組成は各マグ
ネトロンスパッタガン２４へ印加する電力比で制御し、
膜厚は時間制御とした。
を適宜マグネトロンスパッタガン２４に設置して合金成
膜、連続成膜を行なった。合金成膜の際の組成は各マグ
ネトロンスパッタガン２４へ印加する電力比で制御し、
膜厚は時間制御とした。
ＲＥ−ＴＭｌｌの形成時はスパッタ雰囲気として純Ａｒ
ガスを使用し、ターゲットに直流電圧を印加した。さら
に、Ｓ＋３Ｎ４の形成時は２５％Ｎ２−Ａｒ混合ガスを
使用して、ターゲットに高周波電力を印加した。
ガスを使用し、ターゲットに直流電圧を印加した。さら
に、Ｓ＋３Ｎ４の形成時は２５％Ｎ２−Ａｒ混合ガスを
使用して、ターゲットに高周波電力を印加した。
第１図に示した本発明の一実施例による光熱磁気記録媒
体の有効性を調べるために、本発明者らは次に述べる実
験を行なった。
体の有効性を調べるために、本発明者らは次に述べる実
験を行なった。
第３図は試作した種々のＲＥ−ＴＭ光熱磁気記録媒体の
サンプルを示したものであり、（ａ）はガラス基体３１
上にＴ ｂ、、 Ｆ ｅ、。膜３２．Ｔｂｌ。
サンプルを示したものであり、（ａ）はガラス基体３１
上にＴ ｂ、、 Ｆ ｅ、。膜３２．Ｔｂｌ。
ｃｏａｓ膜３３を順次形成し、” ｂｌ ９０ Ｏｎ
、膜３３側から光ビーム３４を照射するようにした本発
明に基く構造の媒体、（ｂ） （ｃ）Ｌはそれぞれ（ａ
）に示すＴ ｂｔｏ Ｃ０４１膜３３をＧ ｄｔｏ Ｆ
ｅｇｏ膜３５゜Ｇｄ２．ｃｏｌ、ｌ１Ｉ３６に置換え
た従来構造の媒体である。但し、各ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚
は全て１０００人とした。また、Ｇ ｄｔｏ Ｃα−３
６の形成時は一１ｏｏｖのバイアス電圧を基体３１に印
加した。
、膜３３側から光ビーム３４を照射するようにした本発
明に基く構造の媒体、（ｂ） （ｃ）Ｌはそれぞれ（ａ
）に示すＴ ｂｔｏ Ｃ０４１膜３３をＧ ｄｔｏ Ｆ
ｅｇｏ膜３５゜Ｇｄ２．ｃｏｌ、ｌ１Ｉ３６に置換え
た従来構造の媒体である。但し、各ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚
は全て１０００人とした。また、Ｇ ｄｔｏ Ｃα−３
６の形成時は一１ｏｏｖのバイアス電圧を基体３１に印
加した。
第３図（ａ）〜（ｃ）の３つのサンプル−を７゜℃、８
５％ＲＨの恒温恒湿槽中に放置し、極力−回転角θにと
放置時間との関係を調べた（カー回転角θにの測定はＨ
ｅ−Ｎｅレーザビームを膜面側から照射して行なった）
。その結果を第４図に示す。第４図において、４１は第
３図（ａ）（Ｃ）のサンプルの特性、４２は第３図（ｂ
）のサンプルの特性である。この結果かられかるように
、空気にさらされる面にＧｄＦｅ膜が形成されている第
３図（ｂ）に示すサンプルでは、酸化により容易に光磁
気特性が失われる。
５％ＲＨの恒温恒湿槽中に放置し、極力−回転角θにと
放置時間との関係を調べた（カー回転角θにの測定はＨ
ｅ−Ｎｅレーザビームを膜面側から照射して行なった）
。その結果を第４図に示す。第４図において、４１は第
３図（ａ）（Ｃ）のサンプルの特性、４２は第３図（ｂ
）のサンプルの特性である。この結果かられかるように
、空気にさらされる面にＧｄＦｅ膜が形成されている第
３図（ｂ）に示すサンプルでは、酸化により容易に光磁
気特性が失われる。
第５図は第３図（ｂ）のサンプルを７０℃、８５％ＲＨ
の雰囲気に２日間放置した後の膜面の一部の反射型光学
顕微鏡写真（Ｘ４００）である。
の雰囲気に２日間放置した後の膜面の一部の反射型光学
顕微鏡写真（Ｘ４００）である。
この写真で黒い枝状の部分は腐蝕が特に著しく進行した
部分であり、第４図の４２に示したデータはこのような
黒い枝状の部分を避けてＨｅ−Ｎｅレーザビームを照射
することにより得たものである。第４図および第５図か
ら明らかなように、ＧｄＦｅ膜を表面に形成した媒体は
、メモリ寿命の面から実用上使用困難である。また、図
には示していないが、第３図（ｂ）と同様の構造でＧｄ
Ｆｅ１ｌに代えＧ ｄｔｏ （Ｆ ｅ Ｙ Ｃ０１−
ｙ ）＠。
部分であり、第４図の４２に示したデータはこのような
黒い枝状の部分を避けてＨｅ−Ｎｅレーザビームを照射
することにより得たものである。第４図および第５図か
ら明らかなように、ＧｄＦｅ膜を表面に形成した媒体は
、メモリ寿命の面から実用上使用困難である。また、図
には示していないが、第３図（ｂ）と同様の構造でＧｄ
Ｆｅ１ｌに代えＧ ｄｔｏ （Ｆ ｅ Ｙ Ｃ０１−
ｙ ）＠。
（ｙ＞８０ａｔ％）のサンプルを作製し同様の試験を行
なったところ、第５図に見られるのと同様の腐蝕パター
ンを呈した。第３図（ａ）（Ｃ）のサンプルについては
、第５図のような局部的に腐蝕の著しい部分は全く見ら
れなかった。
なったところ、第５図に見られるのと同様の腐蝕パター
ンを呈した。第３図（ａ）（Ｃ）のサンプルについては
、第５図のような局部的に腐蝕の著しい部分は全く見ら
れなかった。
また、第３図（ｂ）のサンプルのＧｄＦｅ１ｉ３５の上
に保護層として５ｉｉＮ４膜を１０００人連続成膜した
サンプルを作製し、同様に７０℃。
に保護層として５ｉｉＮ４膜を１０００人連続成膜した
サンプルを作製し、同様に７０℃。
８５％ＲＨの雰囲気に１ｉｌ１間放置した。第６図は１
週間経過後の膜面側から観測した反射型光学顕微鏡写真
（ｘ４００）である、Ｓｉ３Ｎ＋ｌｌからなる保護層の
サンプル端部に存在するピンホールを通してＧｄＦｅ層
の酸化が進行している様子が明確に示されており、ＴＭ
としてｌ”ｅを主成分とするＲ、Ｅ −Ｔ Ｍ ＩＩは
実用的な寿命を有していないことが理解されよう。
週間経過後の膜面側から観測した反射型光学顕微鏡写真
（ｘ４００）である、Ｓｉ３Ｎ＋ｌｌからなる保護層の
サンプル端部に存在するピンホールを通してＧｄＦｅ層
の酸化が進行している様子が明確に示されており、ＴＭ
としてｌ”ｅを主成分とするＲ、Ｅ −Ｔ Ｍ ＩＩは
実用的な寿命を有していないことが理解されよう。
１ｍ・
５０１１１１１１Ｘ５０＃Ｉｍ、 １．５＃ＩＩｎ厚（
７）注型ホ’Ｊメチルメタクリレート基体を２枚用意し
、そのうちの１枚にはＴｂ１．Ｃ０６１膜を１０００人
の厚さに基体バイアス無しのスパッタリング法で成膜し
、他の１枚にはＧ ｄ！１ Ｇ ０１Ｂ膜を一５０Ｖの
基体バイアスを印加してバイアススパッタリング法で成
膜した。これらをサンプル４．５とする。なお、サンプ
ル４で基体バイアス電圧を一５０Ｖとしたのは、基体バ
イアスの絶対値が５０Ｖに満たない領域ではＧｄＣｏ膜
の場合、垂直磁化膜が得られないためである。成膜後の
サンプル４．５の膜面を反射型光学顕微鏡で観察した結
果を第７図および第８図に示す。第８図から明らかなよ
うに、ＧｄＣ０膜の場合は、垂直磁化膜が得られる条件
下（バイアス電圧の絶対値が５０構以上）では、基体へ
の熱負荷が大きいためにポリメチルメタクリレートから
なる基体が熱的に耐えられない。これに対し、ＴｂＣｏ
膜は無バイアスで垂直磁化膜となるので、第７図に見ら
れるようにポリメチルメタクリレート基体上に鏡面膜と
して形成される利点がある。
７）注型ホ’Ｊメチルメタクリレート基体を２枚用意し
、そのうちの１枚にはＴｂ１．Ｃ０６１膜を１０００人
の厚さに基体バイアス無しのスパッタリング法で成膜し
、他の１枚にはＧ ｄ！１ Ｇ ０１Ｂ膜を一５０Ｖの
基体バイアスを印加してバイアススパッタリング法で成
膜した。これらをサンプル４．５とする。なお、サンプ
ル４で基体バイアス電圧を一５０Ｖとしたのは、基体バ
イアスの絶対値が５０Ｖに満たない領域ではＧｄＣｏ膜
の場合、垂直磁化膜が得られないためである。成膜後の
サンプル４．５の膜面を反射型光学顕微鏡で観察した結
果を第７図および第８図に示す。第８図から明らかなよ
うに、ＧｄＣ０膜の場合は、垂直磁化膜が得られる条件
下（バイアス電圧の絶対値が５０構以上）では、基体へ
の熱負荷が大きいためにポリメチルメタクリレートから
なる基体が熱的に耐えられない。これに対し、ＴｂＣｏ
膜は無バイアスで垂直磁化膜となるので、第７図に見ら
れるようにポリメチルメタクリレート基体上に鏡面膜と
して形成される利点がある。
支１１１
実験例１，２から明らかになったように、低温で成膜が
でき、しかも耐腐蝕性の良好なＲＥ−ＴＭ膜材料はＴｂ
Ｃｏ膜であることがわかった。
でき、しかも耐腐蝕性の良好なＲＥ−ＴＭ膜材料はＴｂ
Ｃｏ膜であることがわかった。
この認識に基き、実験例３として、直径２００ｍ。
１．５ｓ厚のガラス基体上に単層のＴ ｂｌｏｃ Ｏａ
ｔ膜を１０００人の厚さに無バイアススパッタリング法
で成膜し、Ｎ１３−Ｎ１３レーザを特徴とする特性評価
システムにて記録試験を実施した。動特性評価システム
の基本構成は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ。
ｔ膜を１０００人の厚さに無バイアススパッタリング法
で成膜し、Ｎ１３−Ｎ１３レーザを特徴とする特性評価
システムにて記録試験を実施した。動特性評価システム
の基本構成は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ。
ＡＯ変変調器及反射ミラー偏光ビームスプリッタ。
対物レンズ、ビームスプリッタ、焦点位置ＩＩ ｔＲｌ
４１構、主信号検出器からなる通常のものであり、補
助磁界発生用ｆｆ１１１石はディスクを挟んで対物レン
ズと反対側に設置される。記録用光ビームは繰返し周期
４μｓｅｃ 、パルス幅５ Ｑ Ｑ ｎ５ｅｃのパルス
変調波であり、ガラス基体面側から膜面に照射される。
４１構、主信号検出器からなる通常のものであり、補
助磁界発生用ｆｆ１１１石はディスクを挟んで対物レン
ズと反対側に設置される。記録用光ビームは繰返し周期
４μｓｅｃ 、パルス幅５ Ｑ Ｑ ｎ５ｅｃのパルス
変調波であり、ガラス基体面側から膜面に照射される。
この光ビームの膜面での最大パワーは７ｍＷ。
ビームスポット径は約１．２μｍφ、また補助磁界の膜
面上での最大値は９５０ ［Ｏｅｌ］である。
面上での最大値は９５０ ［Ｏｅｌ］である。
この動特性評価システムにてＴ ｂｓｅ ＣＯａｔ ｌ
！の記録試験をディスク回転速度４７ＦＬ／３１３０で
行なったところ、９５０［Ｏｅｌの補助磁界印加時の記
録ビット形成同値パワー（以下、記録閾値という）はｍ
面で８ｍＷであった。これら記Ｂ１Ｂ１値および補助磁
界の大きさは、通常光学系を構成する上で望ましいとさ
れている。補助磁界５００ ［Ｏｅｌ以下で、記録量１
！［５ｍＷという数値に比べがなり大きく、単層のＴｂ
Ｃａ１ｌ！では光熱磁気記録媒体として十分なものが得
られないことがわかる。
！の記録試験をディスク回転速度４７ＦＬ／３１３０で
行なったところ、９５０［Ｏｅｌの補助磁界印加時の記
録ビット形成同値パワー（以下、記録閾値という）はｍ
面で８ｍＷであった。これら記Ｂ１Ｂ１値および補助磁
界の大きさは、通常光学系を構成する上で望ましいとさ
れている。補助磁界５００ ［Ｏｅｌ以下で、記録量１
！［５ｍＷという数値に比べがなり大きく、単層のＴｂ
Ｃａ１ｌ！では光熱磁気記録媒体として十分なものが得
られないことがわかる。
上記の動特性評価に供したと同一条件でガラス基体上に
Ｔ ｂ＋＊’ｃ Ｏ＠ｓ膜を１０００人の厚さに成膜し
、Ｈｅ−Ｎｅレーザを光源とするサンプル加熱機構を設
けたカーヒステリシスループ測定系を使用して、膜の保
磁力ＨＣと極力−回転角θにの大きさの温度依存性を調
べた結果を第９図に示す。
Ｔ ｂ＋＊’ｃ Ｏ＠ｓ膜を１０００人の厚さに成膜し
、Ｈｅ−Ｎｅレーザを光源とするサンプル加熱機構を設
けたカーヒステリシスループ測定系を使用して、膜の保
磁力ＨＣと極力−回転角θにの大きさの温度依存性を調
べた結果を第９図に示す。
図に示すように膜を２００℃まで加熱してもＴ ｂＢ
ＣＯｓｔ ｍｌの保磁力Ｈａは常温下の保磁力１．５
［ｋＯｅｉの約７０％までしか減少しておらず、前述し
た記録特性評価での記録閾値が大き過ぎるという結果と
対応している。また、上記と同じカーループ測定をＴｂ
２３Ｃ０７７の組成の膜で試みたところ、膜の保磁力は
常温下での値１．５［ｋ Ｏｅ’ｌからＴ ｂ２ｓ Ｃ
Ｏｔｔの補償温度（約１３０℃）まで上昇し、それ以上
の温度で漸減したが、２００℃でも１．５ ［ｋＯｅ１
Ｏ上の大きな値を示しており、動的な記録特性！ｉＩ！
価を行なうまでもなく、ＴｂＣｏの組成が補償組成（Ｔ
ｂ岬２１ａｔ；％）よりもＴｂが多い方向では、少なく
とも単層では記録が困難であることがわかった。
ＣＯｓｔ ｍｌの保磁力Ｈａは常温下の保磁力１．５
［ｋＯｅｉの約７０％までしか減少しておらず、前述し
た記録特性評価での記録閾値が大き過ぎるという結果と
対応している。また、上記と同じカーループ測定をＴｂ
２３Ｃ０７７の組成の膜で試みたところ、膜の保磁力は
常温下での値１．５［ｋ Ｏｅ’ｌからＴ ｂ２ｓ Ｃ
Ｏｔｔの補償温度（約１３０℃）まで上昇し、それ以上
の温度で漸減したが、２００℃でも１．５ ［ｋＯｅ１
Ｏ上の大きな値を示しており、動的な記録特性！ｉＩ！
価を行なうまでもなく、ＴｂＣｏの組成が補償組成（Ｔ
ｂ岬２１ａｔ；％）よりもＴｂが多い方向では、少なく
とも単層では記録が困難であることがわかった。
叉１」ＬＬ
第１図に示した本発明の一実施例に係る光熱磁気記録媒
体を実験例３で述べたと同一の記録試験に供したところ
、６５０ ［Ｏｅｌの補助磁界印加時の記録閾値は５ｍ
Ｗであった。この値は実験例３で述べたと同一組成、同
一膜厚のＴｂ１゜ｃ’ｏｓｔ膜単層の記録同値よりかな
り小さく、Ｔｂ、。Ｆ ′ｅ、。
体を実験例３で述べたと同一の記録試験に供したところ
、６５０ ［Ｏｅｌの補助磁界印加時の記録閾値は５ｍ
Ｗであった。この値は実験例３で述べたと同一組成、同
一膜厚のＴｂ１゜ｃ’ｏｓｔ膜単層の記録同値よりかな
り小さく、Ｔｂ、。Ｆ ′ｅ、。
膜を積層したことによってＴ ｂ、、ｃ ｏ、、 ＷＡ
の記録特性が改善されたことを示している。このように
Ｔ ｂｚｏ Ｆ ｅｇｏ ｌＧｉを積層したことで記録
特性が改善される理由は、以下の通りである。
の記録特性が改善されたことを示している。このように
Ｔ ｂｚｏ Ｆ ｅｇｏ ｌＧｉを積層したことで記録
特性が改善される理由は、以下の通りである。
Ｔ ｂｏｏ ＣＯａｔ ＩＩの保磁力をＨｃｔ ＣＯ
ｅ〕、磁化の大きさをＭｓｌ ［Ｇ］、［ｉ厚を１１
［人］とし、Ｔ ｂｚｏ Ｆ ｅａｏ ＭＡの保磁力
をＮ０２ ［Ｏｅｌ。
ｅ〕、磁化の大きさをＭｓｌ ［Ｇ］、［ｉ厚を１１
［人］とし、Ｔ ｂｚｏ Ｆ ｅａｏ ＭＡの保磁力
をＮ０２ ［Ｏｅｌ。
磁化の大きざをＭＳ２［Ｇ］、１１厚をｔｌ ［人］と
したとき、Ｔ ｂｏｏ Ｃｏｌｌ／’ Ｔ ｂｔｏ Ｆ
ｅｍ。２層膜の磁化反転に要する外部印加磁界強度Ｈ
ｅｘは、前記文献（１ンより次式で与えられる。
したとき、Ｔ ｂｏｏ Ｃｏｌｌ／’ Ｔ ｂｔｏ Ｆ
ｅｍ。２層膜の磁化反転に要する外部印加磁界強度Ｈ
ｅｘは、前記文献（１ンより次式で与えられる。
１（ｅｘ＝ （ｆａｃｔ ＭＳｔ ｔｌ ＋）（Ｃ２Ｍ
ｓ２ ｔ２ン／ （ＭＳＩ ｔｌ ＋ＭＳ２ ｔｌ ）
［Ｏｅｌ記録用光ビームの照射により２１！膜の温度が
１３０℃程度に上昇したとき、Ｈ０１４１０００［Ｏｅ
ｌ、ＭＳｔ ＃４０ ［Ｇ］、ＨＣｚ ＃２００［Ｏｅ
ｌ 、ＭＳ２ ｔｈＦ４０ ［Ｇ］ ｔ’あルノテ、コ
レをｔｌ ＝ｔ２−１０００ ［人１と共に上記の式に
代入すれば、Ｈｅｘ−６００［Ｏｅｌとなり、５ｍＷ程
度のレーザビーム照射時に６５０ ［Ｏｅｌの補助磁界
の印加によって２層膜の磁化反転が起こることになる。
ｓ２ ｔ２ン／ （ＭＳＩ ｔｌ ＋ＭＳ２ ｔｌ ）
［Ｏｅｌ記録用光ビームの照射により２１！膜の温度が
１３０℃程度に上昇したとき、Ｈ０１４１０００［Ｏｅ
ｌ、ＭＳｔ ＃４０ ［Ｇ］、ＨＣｚ ＃２００［Ｏｅ
ｌ 、ＭＳ２ ｔｈＦ４０ ［Ｇ］ ｔ’あルノテ、コ
レをｔｌ ＝ｔ２−１０００ ［人１と共に上記の式に
代入すれば、Ｈｅｘ−６００［Ｏｅｌとなり、５ｍＷ程
度のレーザビーム照射時に６５０ ［Ｏｅｌの補助磁界
の印加によって２層膜の磁化反転が起こることになる。
上記実施例と同じ構成でＴ ｂｓｓ ＣＯｓｔ １１の
膜厚を５００人とした場合は、５ｍＷのレーザビーム照
射時に５００［Ｏｄ］の補助磁界の印加で記録ビットの
形成ができた。この記録感度は実用的な光熱磁気記録媒
体として十分なものである。
膜厚を５００人とした場合は、５ｍＷのレーザビーム照
射時に５００［Ｏｄ］の補助磁界の印加で記録ビットの
形成ができた。この記録感度は実用的な光熱磁気記録媒
体として十分なものである。
また、Ｔ ｂＸ Ｃ０１−Ｘ 躾からなる再生層のＸ
を上記した１９［ａｔ、％〕の他にいくつか選び、記録
試験とカーヒステリシスループの測定を同様に行なった
。その結果を第１表に示す。但し、ＴｂＣｏ再生層の膜
厚は全て５００人とした。
を上記した１９［ａｔ、％〕の他にいくつか選び、記録
試験とカーヒステリシスループの測定を同様に行なった
。その結果を第１表に示す。但し、ＴｂＣｏ再生層の膜
厚は全て５００人とした。
１工１
第１表の結果かられかるように、ＴｂｔｏＦｅｓ。
１０００人の膜を記録層とした場合、ＴｂｘＣＯ，−膜
５００人からなる再生層の組成が２１［ａｔ、％］≦Ｘ
≦２５［ａｔ、％］では全くビット形成ができない。ｘ
−２０［ａｔ、％］と２７［ａｔ、％］の閾値磁界強度
は同一であるが、極力−回転角θにの大きさはｘ−２０
［ａｔ、％］の方がＣＯが多い分だけ大きい。第１表に
示したｘ−２０〜２７［ａ【０％］の全ての組成に対し
てＴｂＣｏ１１＊の光反射率は約６０％と大きく、また
カー回転角θにの大きさは再生用光ビームの入射による
Ｉｌ温度の上昇によっても第９図に示すごとく常温の値
からそれほど減少しなかった。しかして、記録・再生特
性を良好にする上では、ＴｂＣ０再生層の組成としては
補償濃度が常温より低い組成が好ましくさらにいえば記
録ピット保持温度（通常、常温）における保磁力Ｈｃの
大きさは２．５ ［ｋＯｅ］Ｏｅｌ組成が好ましい。
５００人からなる再生層の組成が２１［ａｔ、％］≦Ｘ
≦２５［ａｔ、％］では全くビット形成ができない。ｘ
−２０［ａｔ、％］と２７［ａｔ、％］の閾値磁界強度
は同一であるが、極力−回転角θにの大きさはｘ−２０
［ａｔ、％］の方がＣＯが多い分だけ大きい。第１表に
示したｘ−２０〜２７［ａ【０％］の全ての組成に対し
てＴｂＣｏ１１＊の光反射率は約６０％と大きく、また
カー回転角θにの大きさは再生用光ビームの入射による
Ｉｌ温度の上昇によっても第９図に示すごとく常温の値
からそれほど減少しなかった。しかして、記録・再生特
性を良好にする上では、ＴｂＣ０再生層の組成としては
補償濃度が常温より低い組成が好ましくさらにいえば記
録ピット保持温度（通常、常温）における保磁力Ｈｃの
大きさは２．５ ［ｋＯｅ］Ｏｅｌ組成が好ましい。
上記実施例ではＴｂＦｅ記録層１３の保；！［Ｆ１１４
としてＳｉ３Ｎ＋ｌ！１０００人を形成したが、実験例
１から明らかなように、このような保護層ではＴｂＦｅ
１ｌのａｍを完全に抑えることはできない。しかし、こ
の場合のＴｂＦｅｍは記録層であり、従ってこれに積層
してなる保護層はなんら光学的特性を要求されないこと
がら膜厚の制限は事実上なく、また透明であやことも要
求されないため、実用的にはこのような保護層で十分に
ＴｂＦｅ膜からなる記録層３の保護が可能である。
としてＳｉ３Ｎ＋ｌ！１０００人を形成したが、実験例
１から明らかなように、このような保護層ではＴｂＦｅ
１ｌのａｍを完全に抑えることはできない。しかし、こ
の場合のＴｂＦｅｍは記録層であり、従ってこれに積層
してなる保護層はなんら光学的特性を要求されないこと
がら膜厚の制限は事実上なく、また透明であやことも要
求されないため、実用的にはこのような保護層で十分に
ＴｂＦｅ膜からなる記録層３の保護が可能である。
本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、例
えば実施例では記録層としてＴｂＦｅ１ｌを示したが、
ＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ。
えば実施例では記録層としてＴｂＦｅ１ｌを示したが、
ＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ。
ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ１”ｅ等の膜を使用した場合で
も同様の効果を得ることができ、頁するにそのキューリ
ー温度が再生層であるＴｂＣｏ１１ｉのそれより低い材
料であればよい。また、実施例では基体として樹脂系材
料を示したが、ガラスでもよい。さらに、実施例では基
体を透明として基体の裏面側から光ビームを入射させる
ようにしたが、基体を不透明とし基体と反対側から光ビ
ームを入射させるようにした光熱磁気記録媒体にも本発
明を適用することができる。その他、本発明は要旨を逸
脱しない範・囲で種々変形実施が可能である。
も同様の効果を得ることができ、頁するにそのキューリ
ー温度が再生層であるＴｂＣｏ１１ｉのそれより低い材
料であればよい。また、実施例では基体として樹脂系材
料を示したが、ガラスでもよい。さらに、実施例では基
体を透明として基体の裏面側から光ビームを入射させる
ようにしたが、基体を不透明とし基体と反対側から光ビ
ームを入射させるようにした光熱磁気記録媒体にも本発
明を適用することができる。その他、本発明は要旨を逸
脱しない範・囲で種々変形実施が可能である。
第１図は本発明の一実施例に係る光熱磁気記録媒体の構
成を示す断面図、第２図は光熱磁気記録媒体における垂
直磁化膜の成膜に使用するスパッタリング装置の一例を
示す断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の光熱磁気
記録媒体の有効性を調べるために試作した各種の光熱磁
気記録媒体サンプルの断面図、第４図は第３図（ａ）〜
（Ｃ）に示した各サンプルの寿命特性を示す図、第５図
は第３図（ｂ）のサンプルを７０℃、８５％ＲＨ雰囲気
中に２日間放置した後の膜面の表面状態を示す反射型光
学顕微鏡写真、第６図は第３図（ｂ）のサンプルの上に
保護層を形成したサンプルを７０℃、８５％ＲＨ雰囲気
中に２日間放置した後の膜面の表面状態を示す反射型光
学顕微鏡写真、第７図および第８図はポリメチルメタク
リレート基体上２に本発明および従来技術に基く２層磁
化膜をそれぞれ成膜した各サンプルの成膜後の表面状態
を示す反射型顕微鏡写真、第９図は本発明に、基く光熱
磁気記録媒体における再生層の保磁力および極力−回転
角の温度依存特性を示す図である。 １１・・・基体、１２・・・再生層、１３・・・記録層
、１４・・・保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１因 ・ 第２ｖ！Ｊ 第３図 、 第４図 ７０°Ｃ，８５ＲＨ’／、框’４４Ｎ湿雪１軒入江置日
数第５図 一場 、第６図 第７１： １、事件の表示 特願昭５９−１６８９８３号 ２、発明の名称 、光熱磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 株式会社 東芝 ４、代理人 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第゛１．７森ピル
昭和５９年１１月２７日 ７、補正の内容 （１）明ＩＩ第２７頁第１３行の「表面状態」を「金属
組織」と訂正する。 （′２Ｊ 明４１１Ｉ書第２７頁第１７行の「表面状
態」を「金属組織」と訂正する。 （３明細書第２７頁第２０行の「表面状態」を「膜面の
金属組織」と訂正する。
成を示す断面図、第２図は光熱磁気記録媒体における垂
直磁化膜の成膜に使用するスパッタリング装置の一例を
示す断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の光熱磁気
記録媒体の有効性を調べるために試作した各種の光熱磁
気記録媒体サンプルの断面図、第４図は第３図（ａ）〜
（Ｃ）に示した各サンプルの寿命特性を示す図、第５図
は第３図（ｂ）のサンプルを７０℃、８５％ＲＨ雰囲気
中に２日間放置した後の膜面の表面状態を示す反射型光
学顕微鏡写真、第６図は第３図（ｂ）のサンプルの上に
保護層を形成したサンプルを７０℃、８５％ＲＨ雰囲気
中に２日間放置した後の膜面の表面状態を示す反射型光
学顕微鏡写真、第７図および第８図はポリメチルメタク
リレート基体上２に本発明および従来技術に基く２層磁
化膜をそれぞれ成膜した各サンプルの成膜後の表面状態
を示す反射型顕微鏡写真、第９図は本発明に、基く光熱
磁気記録媒体における再生層の保磁力および極力−回転
角の温度依存特性を示す図である。 １１・・・基体、１２・・・再生層、１３・・・記録層
、１４・・・保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１因 ・ 第２ｖ！Ｊ 第３図 、 第４図 ７０°Ｃ，８５ＲＨ’／、框’４４Ｎ湿雪１軒入江置日
数第５図 一場 、第６図 第７１： １、事件の表示 特願昭５９−１６８９８３号 ２、発明の名称 、光熱磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 株式会社 東芝 ４、代理人 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第゛１．７森ピル
昭和５９年１１月２７日 ７、補正の内容 （１）明ＩＩ第２７頁第１３行の「表面状態」を「金属
組織」と訂正する。 （′２Ｊ 明４１１Ｉ書第２７頁第１７行の「表面状
態」を「金属組織」と訂正する。 （３明細書第２７頁第２０行の「表面状態」を「膜面の
金属組織」と訂正する。
Claims (3)
- （１）基体上に該基体面に対して垂直な方向に磁化容易
軸を有する記録層および再生層を積層して構成され、少
なくとも光ビームの照射に基く熱によって情報を記録し
、光ビームの照射によって情報を再生する光熱磁気記録
媒体において、前記再生層がＴｂＣｏ非晶質フェリ磁性
合金膜であり、前記記録層が前記再生層よりキューリー
温度の低い磁性膜であることを特徴とする光熱磁気記録
媒体。 - （２）前記基体が前記光ビームに対して透明であり、前
記再生層および記録層が該基体上に再生層、記録層の順
で積層されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光熱磁気記録媒体。 - （３）基体が樹脂系材料により形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の光熱
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16898384A JPS6148150A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 光熱磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16898384A JPS6148150A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 光熱磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148150A true JPS6148150A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15878175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16898384A Pending JPS6148150A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 光熱磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148150A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778652A (en) * | 1980-11-01 | 1982-05-17 | Daido Steel Co Ltd | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
| JPS57177517A (en) * | 1981-04-24 | 1982-11-01 | Canon Inc | Manufacture of perpendicular magnetic thin film |
-
1984
- 1984-08-13 JP JP16898384A patent/JPS6148150A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778652A (en) * | 1980-11-01 | 1982-05-17 | Daido Steel Co Ltd | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
| JPS57177517A (en) * | 1981-04-24 | 1982-11-01 | Canon Inc | Manufacture of perpendicular magnetic thin film |
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