JPH039544B2 - - Google Patents
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- JPH039544B2 JPH039544B2 JP58045487A JP4548783A JPH039544B2 JP H039544 B2 JPH039544 B2 JP H039544B2 JP 58045487 A JP58045487 A JP 58045487A JP 4548783 A JP4548783 A JP 4548783A JP H039544 B2 JPH039544 B2 JP H039544B2
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Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明はレーザ等の光により情報の記録・再
生・消去等を行なう磁気光学記憶素子に関する。
生・消去等を行なう磁気光学記憶素子に関する。
＜従来技術＞
近年、光メモリ素子は高密度・大容量のメモリ
である為に将来性を期待され多方面で種々の研究
開発が行なわれている。中でも使用者が追加記録
をなし得る光メモリ素子（消去は不可能）、及び
使用者が追加記録と消去をなし得る光メモリ素子
については強い期待が寄せられ既に種々の記録媒
体や光メモリシステムが発表されている。前者の
光メモリ素子の記録媒体としてはTeOx，TeSe，
TeC等が知られ、後者の光メモリ素子の記録媒体
としてはGdTbFe，GdTbDyFe，TbFe等が知ら
れている。しかしこれらの記録媒体の大半は耐食
性に欠ける為従来その対策として光メモリ素子構
造に色々な工夫がなされて来た。
である為に将来性を期待され多方面で種々の研究
開発が行なわれている。中でも使用者が追加記録
をなし得る光メモリ素子（消去は不可能）、及び
使用者が追加記録と消去をなし得る光メモリ素子
については強い期待が寄せられ既に種々の記録媒
体や光メモリシステムが発表されている。前者の
光メモリ素子の記録媒体としてはTeOx，TeSe，
TeC等が知られ、後者の光メモリ素子の記録媒体
としてはGdTbFe，GdTbDyFe，TbFe等が知ら
れている。しかしこれらの記録媒体の大半は耐食
性に欠ける為従来その対策として光メモリ素子構
造に色々な工夫がなされて来た。
次に記録媒体が腐食（酸化）された場合の光メ
モリ素子の不都合な点について説明を行なう。本
発明者は記録媒体が希土類遷移金属合金を用いて
形成される、使用者が追加記録と消去とをなし得
る光メモリ素子（所謂磁気光学記憶素子）につい
て研究調査を行なつた。第１図にその磁気光学記
憶素子の従来の具体的構造を示す。１はガラス基
板であり、その上に膜厚100〜200ÅのGdTbFe非
晶質合金薄膜２（記録媒体）がスパツタリングに
よつて形成され、その上に膜厚300〜400Åの
SiO2膜３（透明誘電体膜）がスパツタリングに
よつて形成され、その上に膜厚300〜500ÅのCu
膜４（反射膜）がスパツタリングによつて形成さ
れている。
モリ素子の不都合な点について説明を行なう。本
発明者は記録媒体が希土類遷移金属合金を用いて
形成される、使用者が追加記録と消去とをなし得
る光メモリ素子（所謂磁気光学記憶素子）につい
て研究調査を行なつた。第１図にその磁気光学記
憶素子の従来の具体的構造を示す。１はガラス基
板であり、その上に膜厚100〜200ÅのGdTbFe非
晶質合金薄膜２（記録媒体）がスパツタリングに
よつて形成され、その上に膜厚300〜400Åの
SiO2膜３（透明誘電体膜）がスパツタリングに
よつて形成され、その上に膜厚300〜500ÅのCu
膜４（反射膜）がスパツタリングによつて形成さ
れている。
この構造の磁気光学記憶素子について第２図に
示す光学系で磁気光学回転角の磁場依存性を測定
した。第２図において５は単色光を出力する光源
（レーザ光源）であり、該光源５から出力された
光は偏光子６を通過することにより直線偏向に変
えられ、更にハーフミラー７を通過して上述した
磁気光学記憶素子８に面に垂直に入射される。上
記素子８の記録媒体２への光の入射はガラス基板
１を通じて行なわれる。上記磁気光学記憶素子８
からの反射光は上記ハーフミラー７によつて進路
を変えられた後で光検出器９（光の偏向面の回転
角を検出）に入射する。１０は磁場を変える電磁
石である。
示す光学系で磁気光学回転角の磁場依存性を測定
した。第２図において５は単色光を出力する光源
（レーザ光源）であり、該光源５から出力された
光は偏光子６を通過することにより直線偏向に変
えられ、更にハーフミラー７を通過して上述した
磁気光学記憶素子８に面に垂直に入射される。上
記素子８の記録媒体２への光の入射はガラス基板
１を通じて行なわれる。上記磁気光学記憶素子８
からの反射光は上記ハーフミラー７によつて進路
を変えられた後で光検出器９（光の偏向面の回転
角を検出）に入射する。１０は磁場を変える電磁
石である。
以上の光学系を用いて磁気光学回転角の磁場依
存性を測定したところ第３図の結果が得られた。
同図において横軸は印加した磁場Ｈの強さを示
し、縦軸はカー回転角θkの角度を示している。
同図のHcは保磁力（磁化を反転する磁力）の値
である。この保磁力の値は磁気光学記憶素子にお
いて極めて重要な要素である。保磁力が大き過ぎ
れば情報の記録に過大な熱が必要となり半導体レ
ーザ等の小型レーザでは記録が困難な場合があ
る。又情報の記録時に付与する磁場も過大なもの
が要求される。一方保磁力が小さ過ぎれば外部温
度あるいは外部磁場の比較的僅かな上昇によつて
記録情報が誤まつて消滅する虞れがある。一般的
に記録媒体の保磁力の値が経時変化した場合、記
録に必要な温度、磁場の値は変化するので、理想
的には保磁力の値が一定であることが望ましい。
存性を測定したところ第３図の結果が得られた。
同図において横軸は印加した磁場Ｈの強さを示
し、縦軸はカー回転角θkの角度を示している。
同図のHcは保磁力（磁化を反転する磁力）の値
である。この保磁力の値は磁気光学記憶素子にお
いて極めて重要な要素である。保磁力が大き過ぎ
れば情報の記録に過大な熱が必要となり半導体レ
ーザ等の小型レーザでは記録が困難な場合があ
る。又情報の記録時に付与する磁場も過大なもの
が要求される。一方保磁力が小さ過ぎれば外部温
度あるいは外部磁場の比較的僅かな上昇によつて
記録情報が誤まつて消滅する虞れがある。一般的
に記録媒体の保磁力の値が経時変化した場合、記
録に必要な温度、磁場の値は変化するので、理想
的には保磁力の値が一定であることが望ましい。
さて、上記磁気光学記憶素子の記録媒体の保磁
力の値は上記記録媒体が希土類と遷移金属の合金
の場合上記希土類の組成比によつて大きく変化す
るものである。第４図はGdTbFe非晶質合金薄膜
における希土類（Gd，Tb）の組成比と保磁力の
値との関係を示すグラフ図である。同図の横軸は
スパツタリングの際に鉄ターゲツト上に置かれた
希土類の面積比を示す。尚Gd，Tbは同量であ
る。同図のグラフから室温が補償温度である
GdTbFeの非晶質合金薄膜の希土類％は約26.3％
であることがわかる。ここで磁気光学効果の変化
特性（第３図に示す如きカー回転角の変化特性）
はGdTbFe非晶質合金薄膜の希土類％の値が上記
26.3％の点を境に逆転し、上記26.3％より希土類
％が多い（希土類リツチ）の場合右上がりの変化
を示し上記26.3％より希土類％が少ない（鉄リツ
チ）場合左上がりの変化を示す。
力の値は上記記録媒体が希土類と遷移金属の合金
の場合上記希土類の組成比によつて大きく変化す
るものである。第４図はGdTbFe非晶質合金薄膜
における希土類（Gd，Tb）の組成比と保磁力の
値との関係を示すグラフ図である。同図の横軸は
スパツタリングの際に鉄ターゲツト上に置かれた
希土類の面積比を示す。尚Gd，Tbは同量であ
る。同図のグラフから室温が補償温度である
GdTbFeの非晶質合金薄膜の希土類％は約26.3％
であることがわかる。ここで磁気光学効果の変化
特性（第３図に示す如きカー回転角の変化特性）
はGdTbFe非晶質合金薄膜の希土類％の値が上記
26.3％の点を境に逆転し、上記26.3％より希土類
％が多い（希土類リツチ）の場合右上がりの変化
を示し上記26.3％より希土類％が少ない（鉄リツ
チ）場合左上がりの変化を示す。
本発明者は第４図のＡで示す組成の記録媒体を
備えた構造の磁気光学記憶素子を作成し、その信
頼性を調べる為に70℃の状態で42時間放置した。
すると保磁力Hcが3kOeのＢで示す組成の記録媒
体に変化（変化状態を矢印で示す）していた。こ
れはGdTbFe非晶質合金膜中の希土類（Gd，
Tb）が特にGdTbFe非晶質合金膜に臨接する
SiO2膜から分離した酸素によつて酸化され、そ
の酸化されただけの量の希土類が磁気的特性に関
与できなくなつた為と考えられる。
備えた構造の磁気光学記憶素子を作成し、その信
頼性を調べる為に70℃の状態で42時間放置した。
すると保磁力Hcが3kOeのＢで示す組成の記録媒
体に変化（変化状態を矢印で示す）していた。こ
れはGdTbFe非晶質合金膜中の希土類（Gd，
Tb）が特にGdTbFe非晶質合金膜に臨接する
SiO2膜から分離した酸素によつて酸化され、そ
の酸化されただけの量の希土類が磁気的特性に関
与できなくなつた為と考えられる。
以上のように従来構造の磁気光学記憶素子にお
いては酸化による記録媒体の経時変化を防止する
ことができず、一定した保磁力特性を得ることが
できない為情報の記録を安定して行なえなかつ
た。
いては酸化による記録媒体の経時変化を防止する
ことができず、一定した保磁力特性を得ることが
できない為情報の記録を安定して行なえなかつ
た。
＜目的＞
本発明は以上の従来問題点を解消する為になさ
れたものであり磁気光学記憶素子の構造に改良を
加えることによつて記録媒体の酸化を防止しもつ
て保磁力特性の安定化及び情報の記録特性の安定
化を計ることを目的とするものである。
れたものであり磁気光学記憶素子の構造に改良を
加えることによつて記録媒体の酸化を防止しもつ
て保磁力特性の安定化及び情報の記録特性の安定
化を計ることを目的とするものである。
＜実施例＞
以下、本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施
例について図面を用いて詳細に説明する。第５図
は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の構
造を示す一部側面断面図である。１１はガラス基
板であり、その上に膜厚150〜200ÅのGdTbFe非
晶質合金薄膜１２（記録媒体）がスパツタリング
によつて形成され、その上に膜厚400〜500Åの
AlN（窒化アルミニウム膜）膜１３（透明誘電体
膜）が窒素雰囲気中でのアルミニウムの反応性ス
パツタリングによつて形成され、その上に膜厚
500〜600Åのステンレス（例えばSUS304）膜１
４（反射膜）がスパツタリングによつて形成され
る。
例について図面を用いて詳細に説明する。第５図
は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の構
造を示す一部側面断面図である。１１はガラス基
板であり、その上に膜厚150〜200ÅのGdTbFe非
晶質合金薄膜１２（記録媒体）がスパツタリング
によつて形成され、その上に膜厚400〜500Åの
AlN（窒化アルミニウム膜）膜１３（透明誘電体
膜）が窒素雰囲気中でのアルミニウムの反応性ス
パツタリングによつて形成され、その上に膜厚
500〜600Åのステンレス（例えばSUS304）膜１
４（反射膜）がスパツタリングによつて形成され
る。
本発明者は以上の構造の磁気光学記憶素子を４
種類作成し70℃の温度状態での保存テストを行な
つた。その保存テストの結果を第６図に示す（４
種の素子のテスト結果をΓ，×，・，△で示す。△
は多く・と重なる。）。同図に示す如く上記実施例
の構造の磁気光学記憶素子では上記保存テスト下
の状態に約100日置いた時点において初期の保磁
力（1.8〜2.2kOeの範囲内）より約0.4kOeの僅か
な保磁力増加が見られた。この保磁力増加の度合
は従来構造の磁気光学素子と比較すれば極端に減
少していることが判る。この理由は従来構造にお
いて透明誘電体膜として使われたSiO2膜に比べ
窒化アルミニウム膜を用いた場合はその膜自体に
酸素の成分が無い為、アルミニウムターゲツトを
用いて窒素雰囲気中で反応性スパツタリングして
上記膜形成すればその膜形成時において記録媒体
に酸素が侵入する虞れがない為である。この点に
鑑みれば上記透明誘電体膜を他の酸素を含有しな
い材質のもの（例えばMgF2，ZnS，CeF3，
AlF3，3NaF）で形成しても構わないが、しかし
上記他の材質にて上記透明誘電体膜をスパツタリ
ングにて形成した場合、上記他の材質のターゲツ
トが多く多孔質でありその孔中にとり込まれた酸
素や水分がスパツタリング中に放出された記録媒
体を酸化する場合がありあまり好ましくない。そ
れに比してアルミニウムの窒化膜であればターゲ
ツトがアルミニウムのみである為ターゲツトの節
約にもなり更にアルミニウムターゲツトが多孔質
でない為にその孔中に酸素や水分をとり込む虞れ
がないのである。又、窒化アルミニウムはその構
造上非常に緻密な膜を形成できるので外部からの
酸素、水分を通し難く、この点においても記録媒
体の酸化を防止するものである。更に、窒化アル
ミニウムの膜を形成する場合、他の透明誘電体膜
に比べて成膜スピードが非常に速いので、磁気光
学記憶素子を作成する場合に生産スピードを向上
できるというメリツトがある。ちなみに窒化アル
ミニウムをスパツタリングによつて成膜する場合
は400Å／分の成膜スピードに対して、窒化シリ
コンをスパツタリングによつて成膜する場合は
200Å／分の成膜スピードしか得ることができな
い。磁気光学記憶素子を作成する場合、透明誘電
体膜の成膜スピードが他の膜の成膜スピードに比
べて極端に遅いことが全体の生産スピードを遅ら
せる大きな一因となつており、この点においても
窒化アルミニウムを用いることは有用である。
種類作成し70℃の温度状態での保存テストを行な
つた。その保存テストの結果を第６図に示す（４
種の素子のテスト結果をΓ，×，・，△で示す。△
は多く・と重なる。）。同図に示す如く上記実施例
の構造の磁気光学記憶素子では上記保存テスト下
の状態に約100日置いた時点において初期の保磁
力（1.8〜2.2kOeの範囲内）より約0.4kOeの僅か
な保磁力増加が見られた。この保磁力増加の度合
は従来構造の磁気光学素子と比較すれば極端に減
少していることが判る。この理由は従来構造にお
いて透明誘電体膜として使われたSiO2膜に比べ
窒化アルミニウム膜を用いた場合はその膜自体に
酸素の成分が無い為、アルミニウムターゲツトを
用いて窒素雰囲気中で反応性スパツタリングして
上記膜形成すればその膜形成時において記録媒体
に酸素が侵入する虞れがない為である。この点に
鑑みれば上記透明誘電体膜を他の酸素を含有しな
い材質のもの（例えばMgF2，ZnS，CeF3，
AlF3，3NaF）で形成しても構わないが、しかし
上記他の材質にて上記透明誘電体膜をスパツタリ
ングにて形成した場合、上記他の材質のターゲツ
トが多く多孔質でありその孔中にとり込まれた酸
素や水分がスパツタリング中に放出された記録媒
体を酸化する場合がありあまり好ましくない。そ
れに比してアルミニウムの窒化膜であればターゲ
ツトがアルミニウムのみである為ターゲツトの節
約にもなり更にアルミニウムターゲツトが多孔質
でない為にその孔中に酸素や水分をとり込む虞れ
がないのである。又、窒化アルミニウムはその構
造上非常に緻密な膜を形成できるので外部からの
酸素、水分を通し難く、この点においても記録媒
体の酸化を防止するものである。更に、窒化アル
ミニウムの膜を形成する場合、他の透明誘電体膜
に比べて成膜スピードが非常に速いので、磁気光
学記憶素子を作成する場合に生産スピードを向上
できるというメリツトがある。ちなみに窒化アル
ミニウムをスパツタリングによつて成膜する場合
は400Å／分の成膜スピードに対して、窒化シリ
コンをスパツタリングによつて成膜する場合は
200Å／分の成膜スピードしか得ることができな
い。磁気光学記憶素子を作成する場合、透明誘電
体膜の成膜スピードが他の膜の成膜スピードに比
べて極端に遅いことが全体の生産スピードを遅ら
せる大きな一因となつており、この点においても
窒化アルミニウムを用いることは有用である。
ここで上記実施例において反射膜としてステン
レス膜を用いているがこのステンレス膜は磁気光
学記憶素子の反射膜として非常に優れている。次
にステンレス膜による反射膜の利点について説明
を行なう。
レス膜を用いているがこのステンレス膜は磁気光
学記憶素子の反射膜として非常に優れている。次
にステンレス膜による反射膜の利点について説明
を行なう。
(1) 耐蝕性……周知のステンレスは耐蝕性におい
て非常に優れたものである。例えばCuによつ
て反射膜を形成した場合はその膜に指紋を付け
れば暫くして微小な穴が開く。しかしステンレ
スによつて反射膜を形成した場合はその膜に指
紋を付けても穴は全く開かないことが確認され
た（尚、Niによる反射膜も同様に穴は開かな
かつた。）。以上の様にステンレスは耐蝕性に優
れているので記録媒体の耐蝕性にも寄与できる
ものである。
て非常に優れたものである。例えばCuによつ
て反射膜を形成した場合はその膜に指紋を付け
れば暫くして微小な穴が開く。しかしステンレ
スによつて反射膜を形成した場合はその膜に指
紋を付けても穴は全く開かないことが確認され
た（尚、Niによる反射膜も同様に穴は開かな
かつた。）。以上の様にステンレスは耐蝕性に優
れているので記録媒体の耐蝕性にも寄与できる
ものである。
(2) 熱伝導性……ステンレスはCu，Au，Ag，
Al等の金属に比べて熱伝導性が悪い。この為
記録媒体にレーザを照射して加熱した時熱の逃
げを少なくできるのでレーザによる記録エネル
ギーを少なくできるものである。本発明では上
記した透明誘電体膜の材質として窒化アルミニ
ウムを用いているが、窒化アルミニウムは比較
的熱伝導性が良く熱が逃げ易いので窒化アルミ
ニウムを透明誘電体膜の材質として用いた場合
はステンレスによる反射膜が特に適している。
Al等の金属に比べて熱伝導性が悪い。この為
記録媒体にレーザを照射して加熱した時熱の逃
げを少なくできるのでレーザによる記録エネル
ギーを少なくできるものである。本発明では上
記した透明誘電体膜の材質として窒化アルミニ
ウムを用いているが、窒化アルミニウムは比較
的熱伝導性が良く熱が逃げ易いので窒化アルミ
ニウムを透明誘電体膜の材質として用いた場合
はステンレスによる反射膜が特に適している。
(3) 膜形成上の容易性……ステンレスはスパツタ
リングがし易い材質であるので膜形成が容易で
あり製造上有利である。
リングがし易い材質であるので膜形成が容易で
あり製造上有利である。
以上の本発明に係る実施例においては記録媒体
としてGdTbFe非晶質合金を用いたが、他の希土
類遷移金属合金（GdTbDyFe，TbFe，TbDyFe
等）であつても本発明において適用可能である。
又透明誘電体膜である窒化アルミニウム膜は蒸着
等他の製法によつて形成してもよい。又磁気光学
記憶素子の各膜の膜厚は上記実施例の値に必ずし
も限らなくてもよい。
としてGdTbFe非晶質合金を用いたが、他の希土
類遷移金属合金（GdTbDyFe，TbFe，TbDyFe
等）であつても本発明において適用可能である。
又透明誘電体膜である窒化アルミニウム膜は蒸着
等他の製法によつて形成してもよい。又磁気光学
記憶素子の各膜の膜厚は上記実施例の値に必ずし
も限らなくてもよい。
＜効果＞
本発明によれば磁気光学記憶素子の記録媒体の
酸化を防止することができるので素子の信頼性が
大きく向上するものである。
酸化を防止することができるので素子の信頼性が
大きく向上するものである。
第１図は従来の磁気光学記憶素子の構造の一部
側面断面図、第２図は測定光学系の構成説明図、
第３図は磁気光学回転角の磁場依存性を示すグラ
フ図、第４図はGdTbFe非晶質合金薄膜の希土類
の組成比と保磁力の値との関係を示すグラフ図、
第５図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施
例の構造の一部側面断面図、第６図は保存テスト
のグラフ図を示す。 図中、１：ガラス基板、２：GdTbFe非晶質合
金薄膜、３：SiO2膜、４：Cu膜、５：光源、
６：偏向子、７：ハーフミラー、８：磁気光学記
憶素子、９：光検出器、１０：電磁石、１１：ガ
ラス基板、１２：GdTbFe非晶質合金薄膜、１
３：AlN膜、１４：ステンレス膜。
側面断面図、第２図は測定光学系の構成説明図、
第３図は磁気光学回転角の磁場依存性を示すグラ
フ図、第４図はGdTbFe非晶質合金薄膜の希土類
の組成比と保磁力の値との関係を示すグラフ図、
第５図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施
例の構造の一部側面断面図、第６図は保存テスト
のグラフ図を示す。 図中、１：ガラス基板、２：GdTbFe非晶質合
金薄膜、３：SiO2膜、４：Cu膜、５：光源、
６：偏向子、７：ハーフミラー、８：磁気光学記
憶素子、９：光検出器、１０：電磁石、１１：ガ
ラス基板、１２：GdTbFe非晶質合金薄膜、１
３：AlN膜、１４：ステンレス膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に希土類遷移金属合金薄膜と、酸素を
含有しない透明誘電体膜である窒化アルミニウム
膜と、反射膜とをこの順にて積層したことを特徴
とする磁気光学記憶素子。 ２ 前記反射膜がステンレスからなる膜であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
光学記憶素子。
Priority Applications (14)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4548783A JPS59171054A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 磁気光学記憶素子 |
| DE3382791T DE3382791T2 (de) | 1982-12-15 | 1983-04-20 | Magneto-optischer Speicher. |
| DE8888104160T DE3382672T2 (de) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optischer speicher. |
| DE8888104159T DE3382671T2 (de) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optischer speicher. |
| EP92110340A EP0509555B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | A method of making a magneto-optic memory device |
| EP88104159A EP0316508B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optic memory device |
| DE8383302419T DE3380539D1 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optic memory device |
| DE88104161T DE3382702T2 (de) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optischer Speicher. |
| EP88104161A EP0314859B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optic memory device |
| EP83302419A EP0111988B2 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optic memory device |
| EP88104160A EP0319636B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optic memory device |
| CA000427088A CA1209698A (en) | 1982-12-15 | 1983-04-29 | Magneto-optic memory device |
| US08/443,760 US5738765A (en) | 1982-12-15 | 1995-05-18 | Magneto-optic memory device |
| US08/450,219 US5714251A (en) | 1982-12-15 | 1995-05-25 | Magneto-optic memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4548783A JPS59171054A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171054A JPS59171054A (ja) | 1984-09-27 |
| JPH039544B2 true JPH039544B2 (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=12720754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4548783A Granted JPS59171054A (ja) | 1982-12-15 | 1983-03-17 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171054A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2017284C (en) * | 1989-07-04 | 1995-10-03 | Kazutomi Suzuki | Optical recording medium |
| JPH0413251A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-17 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674844A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS586542A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP4548783A patent/JPS59171054A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674844A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS586542A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59171054A (ja) | 1984-09-27 |
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