JP2600953B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2600953B2 JP2600953B2 JP4612090A JP4612090A JP2600953B2 JP 2600953 B2 JP2600953 B2 JP 2600953B2 JP 4612090 A JP4612090 A JP 4612090A JP 4612090 A JP4612090 A JP 4612090A JP 2600953 B2 JP2600953 B2 JP 2600953B2
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- film
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- recording medium
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体、特に、書換え可能な光磁
気記録媒体などに用いられ、磁気カー効果あるいはファ
ラデー効果などの磁気光学効果を用いて読み出すことの
できる積層構造の光磁気記録媒体に関する。
気記録媒体などに用いられ、磁気カー効果あるいはファ
ラデー効果などの磁気光学効果を用いて読み出すことの
できる積層構造の光磁気記録媒体に関する。
第２図は、従来の一例を示す概略断面図である。
第２図に示す光磁気記録媒体は、基板１上に誘電体の
保護膜５として窒化珪素を800Åの厚さに成膜し、耐腐
食性を向上させる元素（Ｍ）を含まない磁性膜２として
TbFeCoを800Åの厚さに成膜し、最後に誘電体保護膜６
として窒化珪素を800Åの厚さに成膜したもので、試料
Ａとよぶ。
保護膜５として窒化珪素を800Åの厚さに成膜し、耐腐
食性を向上させる元素（Ｍ）を含まない磁性膜２として
TbFeCoを800Åの厚さに成膜し、最後に誘電体保護膜６
として窒化珪素を800Åの厚さに成膜したもので、試料
Ａとよぶ。
この試料Ａを1800rpmで回転しながら、波長8300Åの
半導体レーザ光を基板１を通して磁性膜２の表面で直径
約1.5μｍに集光し照射して記録再生しC/Nを測定したと
ころ、51〜52dBであった。また、試料Ａを80℃の温水に
２日間浸しておき、その後光学顕微鏡を用いて観察した
ときの媒体表面の孔食密度を調べたところ約100000個/c
m2と非常に多かった。
半導体レーザ光を基板１を通して磁性膜２の表面で直径
約1.5μｍに集光し照射して記録再生しC/Nを測定したと
ころ、51〜52dBであった。また、試料Ａを80℃の温水に
２日間浸しておき、その後光学顕微鏡を用いて観察した
ときの媒体表面の孔食密度を調べたところ約100000個/c
m2と非常に多かった。
光磁気記録媒体の磁性膜として稀土類遷移金属と鉄族
遷移金属とのアモルファス合金膜を用いる場合、稀土類
遷移金属は化学的に極めて活性でその合金は非常に酸化
しやすいため、磁性膜の酸化を防ぐための工夫が必要で
ある。
遷移金属とのアモルファス合金膜を用いる場合、稀土類
遷移金属は化学的に極めて活性でその合金は非常に酸化
しやすいため、磁性膜の酸化を防ぐための工夫が必要で
ある。
そこで、工夫された方法が磁性膜に耐腐食性を向上さ
せる元素を添加する方法である。
せる元素を添加する方法である。
第３図は従来の他の例を示す概略断面図である。
第３図に示す光磁気記録媒体は上述の組方をとり入れ
たもので、基板１の上に誘電体の保護膜５として窒化珪
素を800Åの厚さに成膜し、耐腐食性を向上させる元素
（Ｍ）を含む磁性膜３としてTbFeCoTiを800Åの厚さに
成膜し、最後に誘電体の保護膜６として窒化珪素を800
Åの厚さに成膜した試料Ｂである。
たもので、基板１の上に誘電体の保護膜５として窒化珪
素を800Åの厚さに成膜し、耐腐食性を向上させる元素
（Ｍ）を含む磁性膜３としてTbFeCoTiを800Åの厚さに
成膜し、最後に誘電体の保護膜６として窒化珪素を800
Åの厚さに成膜した試料Ｂである。
試料Ｂについても、試料Ａと同様の方法で孔食密度お
よびC/Nを評価したところ孔食密度は約130個/cm2であり
C/Nは48〜49dBであった。
よびC/Nを評価したところ孔食密度は約130個/cm2であり
C/Nは48〜49dBであった。
第２表に、試料Ａおよび試料Ｂにおける孔食密度とC/
Nの測定結果を示す。
Nの測定結果を示す。
〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、このような上述した従来の光磁気記録
媒体はC/Nは良好であるが耐腐食性が極めて悪く実用化
は望めず、また耐腐食性を向上させる元素を磁性膜に添
加すると耐腐食性は向上するが一般に添加量の増加によ
って磁気カー回転角あるいはファラデー回転角が減少し
それが原因でC/Nの低下を引き起こすため、添加元素の
磁性膜への添加量に大きな制限ができ元素の添加によっ
て耐腐食性を向上させるという目的を有効に活用できな
いという欠点がある。
媒体はC/Nは良好であるが耐腐食性が極めて悪く実用化
は望めず、また耐腐食性を向上させる元素を磁性膜に添
加すると耐腐食性は向上するが一般に添加量の増加によ
って磁気カー回転角あるいはファラデー回転角が減少し
それが原因でC/Nの低下を引き起こすため、添加元素の
磁性膜への添加量に大きな制限ができ元素の添加によっ
て耐腐食性を向上させるという目的を有効に活用できな
いという欠点がある。
本発明の目的は、耐腐食性を向上させる元素の添加に
よって磁気カー回転角あるいはファラデー回転角をほと
んど低下させることなく良好なC/Nを確保しかつ磁性膜
の耐腐食性を向上させるような信頼性の優れた光磁気記
録媒体を提供することにある。
よって磁気カー回転角あるいはファラデー回転角をほと
んど低下させることなく良好なC/Nを確保しかつ磁性膜
の耐腐食性を向上させるような信頼性の優れた光磁気記
録媒体を提供することにある。
本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、保護膜，磁性
膜，保護膜の順番に作製しそのうち磁性膜が膜面と垂直
方向に磁化容易軸を有しかつ少なくとも３層あり、第１
層および第３層の磁性膜が稀土類遷移金属と鉄族遷移金
属とTiから成るアモルファス合金であり第１層と第３層
との間の第２層の磁性膜は稀土類遷移金属と鉄族遷移金
属からなるアモルファス合金であり、第１層および第３
層の磁性膜よりTiの含有量が少ないように構成される。
膜，保護膜の順番に作製しそのうち磁性膜が膜面と垂直
方向に磁化容易軸を有しかつ少なくとも３層あり、第１
層および第３層の磁性膜が稀土類遷移金属と鉄族遷移金
属とTiから成るアモルファス合金であり第１層と第３層
との間の第２層の磁性膜は稀土類遷移金属と鉄族遷移金
属からなるアモルファス合金であり、第１層および第３
層の磁性膜よりTiの含有量が少ないように構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図である。
第１図に示す光磁気記録媒体は、スパッタ法を用いて
基板１上に誘電体の保護膜５として窒化珪素を800Åの
厚さに成膜し、耐腐食性を向上させる元素（Ｍ）を含む
磁性膜３としてTbFeCo＋Ｍを150Åの厚さに成膜し、耐
腐食性を向上させる元素（Ｍ）を含まない磁性膜２とし
てTbFeCoを500Åの厚さに成膜し、耐腐食性を向上させ
る元素（Ｍ）を含む磁性膜４としてTbFeCo＋Ｍを150Å
の厚さに成長し、最後に誘電体の保護膜６として窒化珪
素を800Åの厚さに成膜して作製していた。
基板１上に誘電体の保護膜５として窒化珪素を800Åの
厚さに成膜し、耐腐食性を向上させる元素（Ｍ）を含む
磁性膜３としてTbFeCo＋Ｍを150Åの厚さに成膜し、耐
腐食性を向上させる元素（Ｍ）を含まない磁性膜２とし
てTbFeCoを500Åの厚さに成膜し、耐腐食性を向上させ
る元素（Ｍ）を含む磁性膜４としてTbFeCo＋Ｍを150Å
の厚さに成長し、最後に誘電体の保護膜６として窒化珪
素を800Åの厚さに成膜して作製していた。
ここで、耐腐食性を向上させる元素（Ｍ）はTi（チタ
ン）,Cr（クロム）およびTa（タンタル）の３種類と
し、およそ４原子％とした。それぞれTi,CrおよびTaを
含む光磁気記録媒体をそれぞれ試料C,試料Ｄおよび試料
Ｅと呼ぶ。
ン）,Cr（クロム）およびTa（タンタル）の３種類と
し、およそ４原子％とした。それぞれTi,CrおよびTaを
含む光磁気記録媒体をそれぞれ試料C,試料Ｄおよび試料
Ｅと呼ぶ。
第１表に、この３種類の試料を80℃の温水に２日間浸
しておきその後光学顕微鏡を用いて観察したときの媒体
表面の孔食密度と1800rpmで回転しながら波長8300Åの
半導体レーザ光を基板を通して磁性膜表面で直径約1.5
μｍに集光し照射して記録再生したときのC/Nの値を示
す。
しておきその後光学顕微鏡を用いて観察したときの媒体
表面の孔食密度と1800rpmで回転しながら波長8300Åの
半導体レーザ光を基板を通して磁性膜表面で直径約1.5
μｍに集光し照射して記録再生したときのC/Nの値を示
す。
すべての試料において孔食密度は、〔従来の技術〕の
ところで挙げた試料Ａよりも極端に減少しており添加元
素（Ｍ）としてTiを含む試料Ｃについては試料Ｂと同じ
孔食密度（130個/cm2）であった。また、C/Nについては
試料Ｂより２〜3dB良く試料Ａと同程度であった。
ところで挙げた試料Ａよりも極端に減少しており添加元
素（Ｍ）としてTiを含む試料Ｃについては試料Ｂと同じ
孔食密度（130個/cm2）であった。また、C/Nについては
試料Ｂより２〜3dB良く試料Ａと同程度であった。
以上より、本発明の光磁気記録媒体は、添加元素のな
い媒体と同程度にC/Nが良好であるにもかかわらず、耐
腐食性も良好であることが確認された。以上のほかに、
稀土類遷移金属と鉄族遷移金属とのアモルファス合金膜
がTbFe,GdFe,GdFeCoのときにも同様の結果が認められ
た。
い媒体と同程度にC/Nが良好であるにもかかわらず、耐
腐食性も良好であることが確認された。以上のほかに、
稀土類遷移金属と鉄族遷移金属とのアモルファス合金膜
がTbFe,GdFe,GdFeCoのときにも同様の結果が認められ
た。
本発明の光磁気記録媒体は、磁気カー回転角をほとん
ど低下させないことによってC/Nが良好になりかつ耐腐
食性を向上できるという効果がある。
ど低下させないことによってC/Nが良好になりかつ耐腐
食性を向上できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図、第２図は
従来の一例を示す概略断面図、第３図は従来の他の例を
示す概略断面図である。 １……基板、2,3,4……磁性膜、5,6……保護膜。
従来の一例を示す概略断面図、第３図は従来の他の例を
示す概略断面図である。 １……基板、2,3,4……磁性膜、5,6……保護膜。
Claims (1)
- 【請求項１】基板と、 前記基板の上に成膜された第１の保護膜と、 膜面と垂直方向に磁化容易軸を有し稀土類遷移金属と鉄
族遷移金属とTiとからなるアモルファス合金を前記第１
の保護膜の上に成膜した第１の磁性膜と、 前記第１の磁性膜の上に成膜され、膜面と垂直方向に磁
化容易軸を有し稀土類遷移金属と鉄族遷移金属とTiとか
らなるアモルファス合金よりなる第２の磁性膜であり、
前記第１の磁性膜に比してTiの含有量が少ない第２の磁
性膜と、 前記第２の磁性膜の上に成膜され、前記第１の磁性膜と
同様の組成の第３の磁性膜と、 前記第３の磁性膜の上に成膜された第２の保護膜 とを含むことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4612090A JP2600953B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4612090A JP2600953B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248354A JPH03248354A (ja) | 1991-11-06 |
| JP2600953B2 true JP2600953B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=12738133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4612090A Expired - Lifetime JP2600953B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600953B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP4612090A patent/JP2600953B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03248354A (ja) | 1991-11-06 |
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