JPS63140058A - 光磁気記録材料 - Google Patents
光磁気記録材料Info
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- JPS63140058A JPS63140058A JP28661286A JP28661286A JPS63140058A JP S63140058 A JPS63140058 A JP S63140058A JP 28661286 A JP28661286 A JP 28661286A JP 28661286 A JP28661286 A JP 28661286A JP S63140058 A JPS63140058 A JP S63140058A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザ光を用いて情報の記録・再生・消去を行
う光磁気記録に係り、特に磁気光学効果大の光磁気記録
材料に関する。
う光磁気記録に係り、特に磁気光学効果大の光磁気記録
材料に関する。
書き換え可能な光記録方式である光磁気記録の記録材料
として、比較的大きなカー回転角が得らＦｅあるいはＴ
ｂ−Ｆｅ−ＣｏのＦａ系非晶質膜及びＴ ｂ −Ｇ ｏ
、 Ｔ ｂ −Ｇ ｄ −Ｃｏ等のＣＯ系非晶質膜で
実用性のある記録膜としての研究開発が活発化している
（例えば特開昭５６−１２６９０７ 、特開昭５８−７
３７４６ 、特開昭５８−１２５２５１ を参照）。
として、比較的大きなカー回転角が得らＦｅあるいはＴ
ｂ−Ｆｅ−ＣｏのＦａ系非晶質膜及びＴ ｂ −Ｇ ｏ
、 Ｔ ｂ −Ｇ ｄ −Ｃｏ等のＣＯ系非晶質膜で
実用性のある記録膜としての研究開発が活発化している
（例えば特開昭５６−１２６９０７ 、特開昭５８−７
３７４６ 、特開昭５８−１２５２５１ を参照）。
しかし、上述の合金膜も含めて、従来の非晶質膜を用い
た光磁気記録膜では、（１）レーザ光照射による熱履歴
により再生出力の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）が次第に劣
化したり、あるいは（２）酸化等によりその膜特性が劣
化する等膜寿命の点で問題があった。
た光磁気記録膜では、（１）レーザ光照射による熱履歴
により再生出力の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）が次第に劣
化したり、あるいは（２）酸化等によりその膜特性が劣
化する等膜寿命の点で問題があった。
本発明の目的は、いわゆる垂直磁気記録用膜として用い
た場合、十分な再生出力を得ることが出来る新規な光磁
気記録材料を提供するものである。
た場合、十分な再生出力を得ることが出来る新規な光磁
気記録材料を提供するものである。
この目的は次の組成式で表わされる材料にて達成される
。
。
組成式 Ｃｏｔｏｏ−ｙ（Ｒｔ−ｃＴｃ）ｙ
・−（。
・−（。
但し、ｒＲＪはＰｒおよびＮｄから成る群から選ばれた
少なくとも一者、ｒＴＪはＧｄ、Ｔｂ。
少なくとも一者、ｒＴＪはＧｄ、Ｔｂ。
ＤｙおよびＨＯより成る群より選ばれた少なくとも一者
である。
である。
尚 ０＜ｃ＜１．１４＜ｙ＜３６
（単位は原子パーセント）が好ましい。
即ち１本発明は、Ｇｏ−Ｐｒ系あるいはＧ ｏ −Ｎｄ
系の合金膜を基にして、ＰｒあるいはＮｄの一部をｒ’
ｌ’Ｊ群元素（ａａ、ｒｂ、Ｄ７＋ Ｈｏ）により置換
し、垂直磁気異方性を十分確保し、高再生出力を得るこ
とを可能ならしめるものである。
系の合金膜を基にして、ＰｒあるいはＮｄの一部をｒ’
ｌ’Ｊ群元素（ａａ、ｒｂ、Ｄ７＋ Ｈｏ）により置換
し、垂直磁気異方性を十分確保し、高再生出力を得るこ
とを可能ならしめるものである。
更に１本発明の光磁気材料は次の改良によって垂直磁気
異方性を確保しつつ、結晶化温度を上昇せしめ得ると共
に、耐食性を改善することが出来る。即ち、ｃｏ元素の
一部をＡｌ、Ｔｉ、Ｎｉ。
異方性を確保しつつ、結晶化温度を上昇せしめ得ると共
に、耐食性を改善することが出来る。即ち、ｃｏ元素の
一部をＡｌ、Ｔｉ、Ｎｉ。
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐ、Ｂ、白金族元素（Ｐｔ、
Ｐｈ、Ａｇ）より成る群から選ばれた少なくとも一者で
置換せしめるものである。
Ｐｈ、Ａｇ）より成る群から選ばれた少なくとも一者で
置換せしめるものである。
又、Ｇｏ元素の一部をＦｅで置換することによす、カー
回転角の上昇がことさら大な〉≦ることが出来、より大
きな再生出力の膜が得られる。勿論、Ｆｅと前述のＡ
Ｑ ｐ Ｔ ｌ ？ Ｎ １等列挙した元素と合わせて
添加することも可能である。
回転角の上昇がことさら大な〉≦ることが出来、より大
きな再生出力の膜が得られる。勿論、Ｆｅと前述のＡ
Ｑ ｐ Ｔ ｌ ？ Ｎ １等列挙した元素と合わせて
添加することも可能である。
これら種々の添加元素によって材料の補償温度、キュリ
一温度を最適化するが出来、これらを考慮して実用上最
適な記録感度を実現する。
一温度を最適化するが出来、これらを考慮して実用上最
適な記録感度を実現する。
ここで本発明の合金膜では通常のスパッタ法、あるいは
蒸着法で容易に垂直磁化膜が得られる合金組成としてｙ
は１４原子パ一セント以上３６Ｊ７７を子パーセント以
下にする必要がある。さらに角型特性の良い、高保磁力
の垂直磁化膜を得るにはｙは２０Ｒ子パ一セント以上２
９原子パーセント以下にした方がより好ましい、またよ
り大きな磁気光学効果を得るためにはＣＯをＦｅで置換
することにより達成出来るが、置換量が０．５ より
も大きくなるとキュリ一温度、補償温度が高くなりすぎ
実用に適さなくなる。さらにＣＯをＰ’ｄ、 Ｐｔ等の
白金属元素や、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｚｒ。
蒸着法で容易に垂直磁化膜が得られる合金組成としてｙ
は１４原子パ一セント以上３６Ｊ７７を子パーセント以
下にする必要がある。さらに角型特性の良い、高保磁力
の垂直磁化膜を得るにはｙは２０Ｒ子パ一セント以上２
９原子パーセント以下にした方がより好ましい、またよ
り大きな磁気光学効果を得るためにはＣＯをＦｅで置換
することにより達成出来るが、置換量が０．５ より
も大きくなるとキュリ一温度、補償温度が高くなりすぎ
実用に適さなくなる。さらにＣＯをＰ’ｄ、 Ｐｔ等の
白金属元素や、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｚｒ。
Ｎｂ、Ｔａ等の元素で置換することにより、結晶化温度
、耐食性を向上させ、補償温度、キュリ一温度を実用に
合わせて最適化することが出来る。
、耐食性を向上させ、補償温度、キュリ一温度を実用に
合わせて最適化することが出来る。
ａが０．５ よりも大きくなると磁気光源効果の劣化が
大きくなるので０．５ 以下にするのが望ましく、より
好ましくは０．０５〜０．１０が良い、またＰｄあるい
はＮｄを他種の希土類元素のＧｄ。
大きくなるので０．５ 以下にするのが望ましく、より
好ましくは０．０５〜０．１０が良い、またＰｄあるい
はＮｄを他種の希土類元素のＧｄ。
Ｔｂ、Ｄ）’＊ Ｈｏ等で置換することにより、垂直磁
気異方性を大きくし、キュリ一温度、補償温度を最適化
することが出来、記録感度、カー回転角を向上すること
が出来る。これら希土類元素の添加ｆ＆ＣはＰｒあるい
はＮｄ元素本来の特性を失なわないようにするために０
．６以下にする方がより好ましい。
気異方性を大きくし、キュリ一温度、補償温度を最適化
することが出来、記録感度、カー回転角を向上すること
が出来る。これら希土類元素の添加ｆ＆ＣはＰｒあるい
はＮｄ元素本来の特性を失なわないようにするために０
．６以下にする方がより好ましい。
以上説明して来た本発明の基本となる光磁気記録材料、
および耐食性における改善、再生出力の改善の改良され
た光磁気記録材料をまとめて整理し表現すると次の如く
表わすことが出来る。
および耐食性における改善、再生出力の改善の改良され
た光磁気記録材料をまとめて整理し表現すると次の如く
表わすことが出来る。
本発明の光磁気記録材料は下記一般式で現わされる。
組成式（Ｃｏ ｘ−ａＭａ） １００−Ｆ （Ｒｔ−ｃ
Ｔ ｃ）ｙ但し、４Ｍ”はＡｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｚｒ。
Ｔ ｃ）ｙ但し、４Ｍ”はＡｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｚｒ。
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐ、Ｂおよび白金属元素ｐｔ。
Ｒｈ、Ａｇより成る群から選ばれた少なくとも一者であ
る ”Ｒ”はＰｒおよびＮｄから成る群から選ばれた少
なくとも一者、更に１１ Ｔ １１はＧｄ。
る ”Ｒ”はＰｒおよびＮｄから成る群から選ばれた少
なくとも一者、更に１１ Ｔ １１はＧｄ。
Ｔｂ、ＤｙおよびＨｏより成る群から選ばれた少なくと
も一者である。
も一者である。
尚、Ｏ＜ａ＜０．５ 、Ｏ＜ｃ＜１゜１４＜ｙ＜３６
（単位は原子パーセント）が好ましい。
（単位は原子パーセント）が好ましい。
以下本発明を実施例を用いて説明する。
本発明の非晶質合金膜はマグネトロン・スパッタ法或い
はバイアス・スパッタ法や電子ビーム蒸着法等で実現出
来る。直径１１０ｍの６０円板上に５Ｘ５ｍａ”の希土
類元素あるいは他の添加元素を、面積比で所定の組成に
なるように配置した複合ターゲットを用いる。又、基板
に−５０Ｖ〜−１５０Ｖの負のバイアス電圧をかけたバ
イアス・スパッタ法でスパッタすることによっても実現
出来る。更に所定組成の合金を真空アーク溶解で作製し
、これらの母合金を用いて電子ビーム蒸着することによ
り作製出来る。
はバイアス・スパッタ法や電子ビーム蒸着法等で実現出
来る。直径１１０ｍの６０円板上に５Ｘ５ｍａ”の希土
類元素あるいは他の添加元素を、面積比で所定の組成に
なるように配置した複合ターゲットを用いる。又、基板
に−５０Ｖ〜−１５０Ｖの負のバイアス電圧をかけたバ
イアス・スパッタ法でスパッタすることによっても実現
出来る。更に所定組成の合金を真空アーク溶解で作製し
、これらの母合金を用いて電子ビーム蒸着することによ
り作製出来る。
本発明の一実施例を第１図により説明する。第１図に示
した試料は電子ビーム蒸着法で、真空度１０−８Ｔｏｒ
ｒで作製した０作製した非晶質膜の膜厚は約１０００人
と一定にした。第１図はＣｏ７ｓＮｄｘ４−ｘＴｘ
（Ｔ＝Ｇｄ 、 Ｔｂ、 Ｄｙｔ Ｈａ）の各間
における垂直磁気異方性エネルギーＫｕの添加元素濃度
依存性を示す０図から明らかなようにＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ
、Ｈｏを添加することによりＫｕは大きくなり、十分な
特性を確保した垂直磁後の膜の光透過率の変化を従来の
ＴｂｚｓＦｅ７ａ膜（曲線５）と本発明のＣｏ７ｏＮｄ
ｚａＮｂｓ （曲線６）。
した試料は電子ビーム蒸着法で、真空度１０−８Ｔｏｒ
ｒで作製した０作製した非晶質膜の膜厚は約１０００人
と一定にした。第１図はＣｏ７ｓＮｄｘ４−ｘＴｘ
（Ｔ＝Ｇｄ 、 Ｔｂ、 Ｄｙｔ Ｈａ）の各間
における垂直磁気異方性エネルギーＫｕの添加元素濃度
依存性を示す０図から明らかなようにＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ
、Ｈｏを添加することによりＫｕは大きくなり、十分な
特性を確保した垂直磁後の膜の光透過率の変化を従来の
ＴｂｚｓＦｅ７ａ膜（曲線５）と本発明のＣｏ７ｏＮｄ
ｚａＮｂｓ （曲線６）。
Ｃｏ７ｏＰｒｚａＴｉａ （曲線７）、Ｃｏ５５Ｎｄｚ
ｉＰｔｚｏ （曲線８） 、 Ｃｏｅ８ＦｅｔｏＮｄｔ
ｍＴｂｚｏ （曲線９）。
ｉＰｔｚｏ （曲線８） 、 Ｃｏｅ８ＦｅｔｏＮｄｔ
ｍＴｂｚｏ （曲線９）。
ＣｏｅｅＡ Ｑ ｘｏＮｄｓ４Ｔｂｘｏ （曲線１０）
。
。
Ｃｏ７ｚＴｉａＮｄｔ４Ｔｂｔｏ（曲ａ１１）膜とを比
較した結果を示す０図から明らかなように、従来のＦｅ
系に比べて、本発明の合金膜は耐食性が極めて高いこと
がわかる。
較した結果を示す０図から明らかなように、従来のＦｅ
系に比べて、本発明の合金膜は耐食性が極めて高いこと
がわかる。
また１表１に本発明に係わる光磁気材料の作成例を示す
が、これらも十分に本発明の目的を達し得た。
が、これらも十分に本発明の目的を達し得た。
表 １
次に直径１３０ｍガラス基板上にＳｉＯ膜（厚さ約８０
０人） 、Ｃｏ７ｏＮｂＩＩＮｄｔｏＴｂｔｓ非晶質膜
（厚さ１０００人）、ＳｉＯ膜（厚さ約１０００人）の
順に電子ビーム蒸着法で被着し、非磁気記録媒体を作製
した。該記録媒体の再生時の搬送波対雑音比Ｃ／Ｎを測
定周波数Ｉ Ｍ Ｈｚ、バンド幅Δｆ＝３０ｋＨｚで測
定したところ、ビット長１．３μｍ でＣ／Ｎ＝５９ｄ
Ｂと実用に適した高い再生出力を得た。また記録レーザ
光パワー７ｍＷ、読み出しレーザ光パワー１．５ｍＷ、
外部磁場３０００ｅの条件で、１０６回の繰り返し記録
・読み出し、消去を行なっても再生出力のＣ／Ｎの劣化
は認められず、高熱安定性を示した。
０人） 、Ｃｏ７ｏＮｂＩＩＮｄｔｏＴｂｔｓ非晶質膜
（厚さ１０００人）、ＳｉＯ膜（厚さ約１０００人）の
順に電子ビーム蒸着法で被着し、非磁気記録媒体を作製
した。該記録媒体の再生時の搬送波対雑音比Ｃ／Ｎを測
定周波数Ｉ Ｍ Ｈｚ、バンド幅Δｆ＝３０ｋＨｚで測
定したところ、ビット長１．３μｍ でＣ／Ｎ＝５９ｄ
Ｂと実用に適した高い再生出力を得た。また記録レーザ
光パワー７ｍＷ、読み出しレーザ光パワー１．５ｍＷ、
外部磁場３０００ｅの条件で、１０６回の繰り返し記録
・読み出し、消去を行なっても再生出力のＣ／Ｎの劣化
は認められず、高熱安定性を示した。
本発明は十分な再生出力を得ることが可能な垂直磁気記
録用の光磁気記録材料をＣｏを基材とした非晶質膜とし
て提供出来るものである。
録用の光磁気記録材料をＣｏを基材とした非晶質膜とし
て提供出来るものである。
更には、結晶化温度を上昇せしめ（熱安定性）や耐食性
等の改善を施こすことが出来る。
等の改善を施こすことが出来る。
第１図はＣｏ７ｅＮｄｚａ−ｘＴｘ （’ｒ ＝ Ｇ
ｄ 、 Ｔ ｂ 。 Ｄｙ、Ｈｏ）における垂直磁気異方性エネルギーＫｕの
添加濃度Ｘ依存性を示す図、第２図は７Ｎ、Ｑ −Ｎ ａ ＣＪ中に浸漬した時の浸漬時間に対する膜の
光透過率の変化を示す図である。 １・・・Ｔ＝Ｔｂ、２・・・ＴぞＤｙ、３・・・Ｔ＝Ｈ
ｏ、４・Ｔ ＝ Ｇ ｄ、５−ＴｂｚＩＳＦｅ７ａ 、
６−Ｃｏ７ｏＮｄｚａＮｂｅ。 ７−Ｃｏ７ｏＰｒｚａＴｉｅ 、 ８”・ＣｏｅａＮｄ
ｚａＰｔｔｏ 。
ｄ 、 Ｔ ｂ 。 Ｄｙ、Ｈｏ）における垂直磁気異方性エネルギーＫｕの
添加濃度Ｘ依存性を示す図、第２図は７Ｎ、Ｑ −Ｎ ａ ＣＪ中に浸漬した時の浸漬時間に対する膜の
光透過率の変化を示す図である。 １・・・Ｔ＝Ｔｂ、２・・・ＴぞＤｙ、３・・・Ｔ＝Ｈ
ｏ、４・Ｔ ＝ Ｇ ｄ、５−ＴｂｚＩＳＦｅ７ａ 、
６−Ｃｏ７ｏＮｄｚａＮｂｅ。 ７−Ｃｏ７ｏＰｒｚａＴｉｅ 、 ８”・ＣｏｅａＮｄ
ｚａＰｔｔｏ 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、組成式（Ｃｏ＿１＿−＿ａＭ＿ａ）＿１＿０＿０＿
−＿ｙ（Ｒ＿１＿−＿ｃＴ＿ｃ）＿ｙ（但し：ＭはＡｌ
、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐ、Ｂ
および白金属元素より成る群から選ばれた少なくとも一
者、ＲはＰｒおよびＮｄから成る群から選ばれた少なく
と一者、ＴはＧｄ、Ｔｂ、ＤｙおよびＨｏより成る群か
ら選ばれた少なくとも一者、 ０≦ａ＜０．５、０＜ｃ＜１、 １４≦ｙ≦３６（単位は原子パーセント））で示される
光磁気記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28661286A JPS63140058A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 光磁気記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28661286A JPS63140058A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 光磁気記録材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63140058A true JPS63140058A (ja) | 1988-06-11 |
Family
ID=17706664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28661286A Pending JPS63140058A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 光磁気記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63140058A (ja) |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH01224960A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| US5576100A (en) * | 1993-07-01 | 1996-11-19 | U.S. Philips Corporation | Magneto-optical recording medium |
| US6331338B1 (en) * | 1995-10-28 | 2001-12-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Amorphous alloy of light rare earth-transition metal and semi-metal, magneto-optical recording layer made of the alloy, and magneto-optical disk adopting the layer |
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| JPS6122608A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
| JPS62128043A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録材料 |
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| JPH0782670A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-28 | Nitto Boseki Co Ltd | 石目模様コンポジションタイルの製造方法 |
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1986
- 1986-12-03 JP JP28661286A patent/JPS63140058A/ja active Pending
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