JPS63140058A - 光磁気記録材料 - Google Patents
光磁気記録材料Info
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- JPS63140058A JPS63140058A JP28661286A JP28661286A JPS63140058A JP S63140058 A JPS63140058 A JP S63140058A JP 28661286 A JP28661286 A JP 28661286A JP 28661286 A JP28661286 A JP 28661286A JP S63140058 A JPS63140058 A JP S63140058A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザ光を用いて情報の記録・再生・消去を行
う光磁気記録に係り、特に磁気光学効果大の光磁気記録
材料に関する。
う光磁気記録に係り、特に磁気光学効果大の光磁気記録
材料に関する。
書き換え可能な光記録方式である光磁気記録の記録材料
として、比較的大きなカー回転角が得らFeあるいはT
b−Fe−CoのFa系非晶質膜及びT b −G o
、 T b −G d −Co等のCO系非晶質膜で
実用性のある記録膜としての研究開発が活発化している
(例えば特開昭56−126907 、特開昭58−7
3746 、特開昭58−125251 を参照)。
として、比較的大きなカー回転角が得らFeあるいはT
b−Fe−CoのFa系非晶質膜及びT b −G o
、 T b −G d −Co等のCO系非晶質膜で
実用性のある記録膜としての研究開発が活発化している
(例えば特開昭56−126907 、特開昭58−7
3746 、特開昭58−125251 を参照)。
しかし、上述の合金膜も含めて、従来の非晶質膜を用い
た光磁気記録膜では、(1)レーザ光照射による熱履歴
により再生出力の搬送波対雑音比(C/N)が次第に劣
化したり、あるいは(2)酸化等によりその膜特性が劣
化する等膜寿命の点で問題があった。
た光磁気記録膜では、(1)レーザ光照射による熱履歴
により再生出力の搬送波対雑音比(C/N)が次第に劣
化したり、あるいは(2)酸化等によりその膜特性が劣
化する等膜寿命の点で問題があった。
本発明の目的は、いわゆる垂直磁気記録用膜として用い
た場合、十分な再生出力を得ることが出来る新規な光磁
気記録材料を提供するものである。
た場合、十分な再生出力を得ることが出来る新規な光磁
気記録材料を提供するものである。
この目的は次の組成式で表わされる材料にて達成される
。
。
組成式 Cotoo−y(Rt−cTc)y
・−(。
・−(。
但し、rRJはPrおよびNdから成る群から選ばれた
少なくとも一者、rTJはGd、Tb。
少なくとも一者、rTJはGd、Tb。
DyおよびHOより成る群より選ばれた少なくとも一者
である。
である。
尚 0<c<1.14<y<36
(単位は原子パーセント)が好ましい。
即ち1本発明は、Go−Pr系あるいはG o −Nd
系の合金膜を基にして、PrあるいはNdの一部をr’
l’J群元素(aa、rb、D7+ Ho)により置換
し、垂直磁気異方性を十分確保し、高再生出力を得るこ
とを可能ならしめるものである。
系の合金膜を基にして、PrあるいはNdの一部をr’
l’J群元素(aa、rb、D7+ Ho)により置換
し、垂直磁気異方性を十分確保し、高再生出力を得るこ
とを可能ならしめるものである。
更に1本発明の光磁気材料は次の改良によって垂直磁気
異方性を確保しつつ、結晶化温度を上昇せしめ得ると共
に、耐食性を改善することが出来る。即ち、co元素の
一部をAl、Ti、Ni。
異方性を確保しつつ、結晶化温度を上昇せしめ得ると共
に、耐食性を改善することが出来る。即ち、co元素の
一部をAl、Ti、Ni。
Zr、Nb、Ta、Cr、P、B、白金族元素(Pt、
Ph、Ag)より成る群から選ばれた少なくとも一者で
置換せしめるものである。
Ph、Ag)より成る群から選ばれた少なくとも一者で
置換せしめるものである。
又、Go元素の一部をFeで置換することによす、カー
回転角の上昇がことさら大な〉≦ることが出来、より大
きな再生出力の膜が得られる。勿論、Feと前述のA
Q p T l ? N 1等列挙した元素と合わせて
添加することも可能である。
回転角の上昇がことさら大な〉≦ることが出来、より大
きな再生出力の膜が得られる。勿論、Feと前述のA
Q p T l ? N 1等列挙した元素と合わせて
添加することも可能である。
これら種々の添加元素によって材料の補償温度、キュリ
一温度を最適化するが出来、これらを考慮して実用上最
適な記録感度を実現する。
一温度を最適化するが出来、これらを考慮して実用上最
適な記録感度を実現する。
ここで本発明の合金膜では通常のスパッタ法、あるいは
蒸着法で容易に垂直磁化膜が得られる合金組成としてy
は14原子パ一セント以上36J77を子パーセント以
下にする必要がある。さらに角型特性の良い、高保磁力
の垂直磁化膜を得るにはyは20R子パ一セント以上2
9原子パーセント以下にした方がより好ましい、またよ
り大きな磁気光学効果を得るためにはCOをFeで置換
することにより達成出来るが、置換量が0.5 より
も大きくなるとキュリ一温度、補償温度が高くなりすぎ
実用に適さなくなる。さらにCOをP’d、 Pt等の
白金属元素や、Al、Ti、Ni、Zr。
蒸着法で容易に垂直磁化膜が得られる合金組成としてy
は14原子パ一セント以上36J77を子パーセント以
下にする必要がある。さらに角型特性の良い、高保磁力
の垂直磁化膜を得るにはyは20R子パ一セント以上2
9原子パーセント以下にした方がより好ましい、またよ
り大きな磁気光学効果を得るためにはCOをFeで置換
することにより達成出来るが、置換量が0.5 より
も大きくなるとキュリ一温度、補償温度が高くなりすぎ
実用に適さなくなる。さらにCOをP’d、 Pt等の
白金属元素や、Al、Ti、Ni、Zr。
Nb、Ta等の元素で置換することにより、結晶化温度
、耐食性を向上させ、補償温度、キュリ一温度を実用に
合わせて最適化することが出来る。
、耐食性を向上させ、補償温度、キュリ一温度を実用に
合わせて最適化することが出来る。
aが0.5 よりも大きくなると磁気光源効果の劣化が
大きくなるので0.5 以下にするのが望ましく、より
好ましくは0.05〜0.10が良い、またPdあるい
はNdを他種の希土類元素のGd。
大きくなるので0.5 以下にするのが望ましく、より
好ましくは0.05〜0.10が良い、またPdあるい
はNdを他種の希土類元素のGd。
Tb、D)’* Ho等で置換することにより、垂直磁
気異方性を大きくし、キュリ一温度、補償温度を最適化
することが出来、記録感度、カー回転角を向上すること
が出来る。これら希土類元素の添加f&CはPrあるい
はNd元素本来の特性を失なわないようにするために0
.6以下にする方がより好ましい。
気異方性を大きくし、キュリ一温度、補償温度を最適化
することが出来、記録感度、カー回転角を向上すること
が出来る。これら希土類元素の添加f&CはPrあるい
はNd元素本来の特性を失なわないようにするために0
.6以下にする方がより好ましい。
以上説明して来た本発明の基本となる光磁気記録材料、
および耐食性における改善、再生出力の改善の改良され
た光磁気記録材料をまとめて整理し表現すると次の如く
表わすことが出来る。
および耐食性における改善、再生出力の改善の改良され
た光磁気記録材料をまとめて整理し表現すると次の如く
表わすことが出来る。
本発明の光磁気記録材料は下記一般式で現わされる。
組成式(Co x−aMa) 100−F (Rt−c
T c)y但し、4M”はAl、Ti、Fe、Ni、
Zr。
T c)y但し、4M”はAl、Ti、Fe、Ni、
Zr。
Nb、Ta、Cr、P、Bおよび白金属元素pt。
Rh、Agより成る群から選ばれた少なくとも一者であ
る ”R”はPrおよびNdから成る群から選ばれた少
なくとも一者、更に11 T 11はGd。
る ”R”はPrおよびNdから成る群から選ばれた少
なくとも一者、更に11 T 11はGd。
Tb、DyおよびHoより成る群から選ばれた少なくと
も一者である。
も一者である。
尚、O<a<0.5 、O<c<1゜14<y<36
(単位は原子パーセント)が好ましい。
(単位は原子パーセント)が好ましい。
以下本発明を実施例を用いて説明する。
本発明の非晶質合金膜はマグネトロン・スパッタ法或い
はバイアス・スパッタ法や電子ビーム蒸着法等で実現出
来る。直径110mの60円板上に5X5ma”の希土
類元素あるいは他の添加元素を、面積比で所定の組成に
なるように配置した複合ターゲットを用いる。又、基板
に−50V〜−150Vの負のバイアス電圧をかけたバ
イアス・スパッタ法でスパッタすることによっても実現
出来る。更に所定組成の合金を真空アーク溶解で作製し
、これらの母合金を用いて電子ビーム蒸着することによ
り作製出来る。
はバイアス・スパッタ法や電子ビーム蒸着法等で実現出
来る。直径110mの60円板上に5X5ma”の希土
類元素あるいは他の添加元素を、面積比で所定の組成に
なるように配置した複合ターゲットを用いる。又、基板
に−50V〜−150Vの負のバイアス電圧をかけたバ
イアス・スパッタ法でスパッタすることによっても実現
出来る。更に所定組成の合金を真空アーク溶解で作製し
、これらの母合金を用いて電子ビーム蒸着することによ
り作製出来る。
本発明の一実施例を第1図により説明する。第1図に示
した試料は電子ビーム蒸着法で、真空度10−8Tor
rで作製した0作製した非晶質膜の膜厚は約1000人
と一定にした。第1図はCo7sNdx4−xTx
(T=Gd 、 Tb、 Dyt Ha)の各間
における垂直磁気異方性エネルギーKuの添加元素濃度
依存性を示す0図から明らかなようにGd、Tb、Dy
、Hoを添加することによりKuは大きくなり、十分な
特性を確保した垂直磁後の膜の光透過率の変化を従来の
TbzsFe7a膜(曲線5)と本発明のCo7oNd
zaNbs (曲線6)。
した試料は電子ビーム蒸着法で、真空度10−8Tor
rで作製した0作製した非晶質膜の膜厚は約1000人
と一定にした。第1図はCo7sNdx4−xTx
(T=Gd 、 Tb、 Dyt Ha)の各間
における垂直磁気異方性エネルギーKuの添加元素濃度
依存性を示す0図から明らかなようにGd、Tb、Dy
、Hoを添加することによりKuは大きくなり、十分な
特性を確保した垂直磁後の膜の光透過率の変化を従来の
TbzsFe7a膜(曲線5)と本発明のCo7oNd
zaNbs (曲線6)。
Co7oPrzaTia (曲線7)、Co55Ndz
iPtzo (曲線8) 、 Coe8FetoNdt
mTbzo (曲線9)。
iPtzo (曲線8) 、 Coe8FetoNdt
mTbzo (曲線9)。
CoeeA Q xoNds4Tbxo (曲線10)
。
。
Co7zTiaNdt4Tbto(曲a11)膜とを比
較した結果を示す0図から明らかなように、従来のFe
系に比べて、本発明の合金膜は耐食性が極めて高いこと
がわかる。
較した結果を示す0図から明らかなように、従来のFe
系に比べて、本発明の合金膜は耐食性が極めて高いこと
がわかる。
また1表1に本発明に係わる光磁気材料の作成例を示す
が、これらも十分に本発明の目的を達し得た。
が、これらも十分に本発明の目的を達し得た。
表 1
次に直径130mガラス基板上にSiO膜(厚さ約80
0人) 、Co7oNbIINdtoTbts非晶質膜
(厚さ1000人)、SiO膜(厚さ約1000人)の
順に電子ビーム蒸着法で被着し、非磁気記録媒体を作製
した。該記録媒体の再生時の搬送波対雑音比C/Nを測
定周波数I M Hz、バンド幅Δf=30kHzで測
定したところ、ビット長1.3μm でC/N=59d
Bと実用に適した高い再生出力を得た。また記録レーザ
光パワー7mW、読み出しレーザ光パワー1.5mW、
外部磁場3000eの条件で、106回の繰り返し記録
・読み出し、消去を行なっても再生出力のC/Nの劣化
は認められず、高熱安定性を示した。
0人) 、Co7oNbIINdtoTbts非晶質膜
(厚さ1000人)、SiO膜(厚さ約1000人)の
順に電子ビーム蒸着法で被着し、非磁気記録媒体を作製
した。該記録媒体の再生時の搬送波対雑音比C/Nを測
定周波数I M Hz、バンド幅Δf=30kHzで測
定したところ、ビット長1.3μm でC/N=59d
Bと実用に適した高い再生出力を得た。また記録レーザ
光パワー7mW、読み出しレーザ光パワー1.5mW、
外部磁場3000eの条件で、106回の繰り返し記録
・読み出し、消去を行なっても再生出力のC/Nの劣化
は認められず、高熱安定性を示した。
本発明は十分な再生出力を得ることが可能な垂直磁気記
録用の光磁気記録材料をCoを基材とした非晶質膜とし
て提供出来るものである。
録用の光磁気記録材料をCoを基材とした非晶質膜とし
て提供出来るものである。
更には、結晶化温度を上昇せしめ(熱安定性)や耐食性
等の改善を施こすことが出来る。
等の改善を施こすことが出来る。
第1図はCo7eNdza−xTx (’r = G
d 、 T b 。 Dy、Ho)における垂直磁気異方性エネルギーKuの
添加濃度X依存性を示す図、第2図は7N、Q −N a CJ中に浸漬した時の浸漬時間に対する膜の
光透過率の変化を示す図である。 1・・・T=Tb、2・・・TぞDy、3・・・T=H
o、4・T = G d、5−TbzISFe7a 、
6−Co7oNdzaNbe。 7−Co7oPrzaTie 、 8”・CoeaNd
zaPtto 。
d 、 T b 。 Dy、Ho)における垂直磁気異方性エネルギーKuの
添加濃度X依存性を示す図、第2図は7N、Q −N a CJ中に浸漬した時の浸漬時間に対する膜の
光透過率の変化を示す図である。 1・・・T=Tb、2・・・TぞDy、3・・・T=H
o、4・T = G d、5−TbzISFe7a 、
6−Co7oNdzaNbe。 7−Co7oPrzaTie 、 8”・CoeaNd
zaPtto 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、組成式(Co_1_−_aM_a)_1_0_0_
−_y(R_1_−_cT_c)_y(但し:MはAl
、Ti、Fe、Ni、Zr、Nb、Ta、Cr、P、B
および白金属元素より成る群から選ばれた少なくとも一
者、RはPrおよびNdから成る群から選ばれた少なく
と一者、TはGd、Tb、DyおよびHoより成る群か
ら選ばれた少なくとも一者、 0≦a<0.5、0<c<1、 14≦y≦36(単位は原子パーセント))で示される
光磁気記録材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28661286A JPS63140058A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 光磁気記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28661286A JPS63140058A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 光磁気記録材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63140058A true JPS63140058A (ja) | 1988-06-11 |
Family
ID=17706664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28661286A Pending JPS63140058A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 光磁気記録材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63140058A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01224960A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
US5576100A (en) * | 1993-07-01 | 1996-11-19 | U.S. Philips Corporation | Magneto-optical recording medium |
US6331338B1 (en) * | 1995-10-28 | 2001-12-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Amorphous alloy of light rare earth-transition metal and semi-metal, magneto-optical recording layer made of the alloy, and magneto-optical disk adopting the layer |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6115308A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
JPS6122608A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
JPS62128043A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録材料 |
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JPS63100636A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-05-02 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH0782670A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-28 | Nitto Boseki Co Ltd | 石目模様コンポジションタイルの製造方法 |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP28661286A patent/JPS63140058A/ja active Pending
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