JP4282236B2 - 光データ記憶ディスク - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一方のディスク表面からディスクの厚さの方向に向けて、それぞれ記憶する情報に応じた溝のある境界表面が少なくとも二つ設けられ、所与の波長で入射角＜９０℃の光に対して、最も内側の、溝のある境界表面は反射層を、その他の少なくとも一つの境界表面は部分反射／部分透過層をそれぞれ有し、さらに表面と反射層との間のその他のディスク材料は、前記光を基本的に透過し、反射層は第一の金属合金から、部分反射層は第二の金属合金からなる、光データ記憶ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
そのようなデータ記憶ディスクは、ＵＳ−Ａ−５ ６４０ ３８２から周知である。一方のディスク表面からディスクの厚みの方向に向けて、このディスクはまず透明基板と、次に情報が刻み込まれた第一の境界表面上の部分反射層と、透過スペーサ層と、最後に、情報が刻み込まれた第二の境界表面上の高反射層とを有する。
【０００３】
最初に挙げられた透明基板は、例えばポリカーボネートまたは無定形ポリオレフィンのようなポリマ材料製であり得る。一方また、これにガラスやポリメチルメタクリラートを使用することも可能である。（前掲文献において）周知のように、この基板はまたＰＭＭＡ製でもあり得る。スペーサ層はさらに、例えばポリマ製であり得る。６００から８５０ｎｍのレーザー光のための高反射層は、アルミニウム、金、銀、銅またはそれらの合金のうちの一つから形成される。レーザー光線の波長領域は、他の箇所で述べられるように、５００ｎｍにまで達し得る。
【０００４】
前掲の米国特許文献によると、部分反射層には、その光学的特性および特にその環境の影響に対する安定性から、金が使用されるのが好ましい。いずれにせよ、金は高価であるという認識がある。したがって、前記部分反射層にはさらに、コスト削減のために、より安価な金属と金を合金するよう、提案される。その際には、環境の影響に対する安定性を維持するために、部分反射層の合金には少なくとも１０ａｔ％、好ましくは２０ａｔ％の金が保持される。
【０００５】
金との合金金属には銀または銅が挙げられる。
ＵＳ−５ ６４０ ３８２は、この発明の前提となる光データ記憶装置の構造に関して、この発明の一部を成すものとして引用される。
【０００６】
そのような光データ記憶ディスクでは、それが例えばＤＶＤ９として、すなわち１９６６年８月のＤＶＤ標準「読み出し専用ディスク用ＤＶＤ仕様」Version １．０の定義によるデジタル・ヴァーサタイル・ディスクDigital Versatile Diskとして形成されると、レーザー光線の波長が所与の値、特に６５０ｎｍである場合、部分反射層ならびに反射層における反射によって再び出射するレーザ光線が、レーザーから入射する光の、それぞれ必ず１８から３０％と成るよう求められる。ＤＶＤ９とは今日では、片側二重層ディスク（Single sided dual layer disc） のことである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の課題は、
・光分割について、上記仕様を遵守しながら、
・製造については、はるかにコスト安で、かつ
・その層は、例えば腐食のような環境の影響に対して化学的安定性を有し、従来のデータ記憶ディスクと同程度に諸要求を満たす、
上述のような光データ記憶ディスクを提案することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この課題は、前記データ記憶ディスクにおいて、以下によって解決される。すなわち、
・少なくとも二つの層の合金が、一つまたは複数の同じ金属を含み、かつこの一つまたは複数の金属成分が全体で、それぞれの合金の５０ａｔ％より多くを占め、
・合金が金を含む場合、その成分はそれぞれの合金の最大５０ａｔ％までにすぎない。
【０００９】
合金が、それぞれの合金の５０ａｔ％より多くを占める一つまたは複数の金属を含むことによって、このそれぞれの合金部分について同じ被覆ソース配置を使用することが可能となる。これによって、前記データディスクの製造プロセスを大幅に合理化するための土台ができる。さらに、そもそも一方、および／または他方の合金に金が用いられても、その成分は合金材料の最大５０ａｔ％までにすぎないので、使用される合金材料自体のコストからしても、この発明のディスクの製造コストは低くなる。
【００１０】
それぞれの合金材料において５０ａｔ％より多くを占める、前記複数の同一金属の成分比を層毎に別々に指定することは、もちろん可能であるが、好ましい一実施形態においては、合金における前記同一金属の成分比を同じとし、さらに好ましくは、この同一金属全体の合金材料における成分比もまた同じとするよう、提案される。
【００１１】
これによって、前記同一金属のための被覆ソース配置を、双方の層を布設する際、層毎に特定せず同様に操作することが可能となる。
【００１２】
さらにもう一つの好ましい実施形態では、合金全体が同じ金属で、さらに好ましくは同じ合金成分比で形成されるよう提案される。その場合は当然、Ｎ、Ｏ、Ａｒのようなさらなる元素が微粒に含まれ得る。したがって、層は引き続き同じ被覆ソース配置によって布設され得る。
【００１３】
この発明によるデータ記憶ディスクの第一の、特に好ましい実施形態では、それぞれの合金材料の５０ａｔ％より多くを各々占める前記共通の金属、ないし特に好ましくは合金全体が、
Ａｇ_xＭａ_yＭｂ_zまたは
Ｃｕ_xＭａ_yＭｂ_zであり、
ｘ＞５０％であるが、
ｘは層毎に、所与の範囲内で自由に変化し得る。ＭａおよびＭｂは、第二ないし第三の金属を表す。
【００１４】
さらに、特に好ましい実施形態において、特にＡｇ_xＭａ_yＭｂ_zが使用される場合、第二の金属Ｍａとしてパラジウムがｙ＞ｚで使用されるよう、すなわち場合によっては使用される第三の金属Ｍｂより高い成分比で使用されるよう、提案される。ただし、この明細書ならびに特許請求項にｘ、ｙ、ｚとして挙げられる数量表示は全て、層材料合金１００ａｔ％のうちのａｔ％である。
【００１５】
その場合、さらに以下のように提案される。すなわち、
０＜ｙ≦１０、好ましくは１≦ｙ＜１０であり、かつ
０＜ｚ≦１０、好ましくは１≦ｚ＜１０である。
【００１６】
したがって、上述の合金が前記三つの金属からなる場合、それぞれＡｇないしＣｕについて以下のとおりとなる。すなわち、
ｘ＝１００−ｙ−ｚ
第三の金属を用いない、もう一つの好ましい実施形態では、以下のとおりである。すなわち、
０＜ｙ≦１５、好ましくは１≦ｙ＜１５であり、かつ
ｚ≒０
したがってこれは、銀−パラジウム合金層および／または銅−パラジウム層となるが、銀−パラジウム層の方が明らかに好ましい。
【００１７】
この場合さらに、以下のように提案される。すなわち、
５≦ｙ≦１０、好ましくは５＜ｙ＜１０であり、かつ
ｚ≒０
これは、特にパラジウムを有する銀合金層の場合、好ましくは銀−パラジウム合金からのみなる層の場合に望ましい。
【００１８】
このためには、すなわち銀−パラジウム合金を使用する場合には、以下が選択されるよう提案される。
【００１９】
ｙ＝８およびｚ≒０
上記の値はまた
Ｃｕ_x、Ｍａ_y、Ｍｂ_z
についてもあてはまるのが好ましく、特に銅−パラジウム合金にもあてはまるが、はるかに好ましくは、それぞれ一つの銀−パラジウム合金が使用されるか、またはそれぞれ銀およびパラジウムを５０ａｔ％より多く含有する合金が使用される場合である。
【００２０】
この場合、上述の第二または第三の金属ＭａないしＭｂ、特にＭａには、上記において好ましいとされたパラジウムの代わりに、金がまた、
ｙ＞ｚで、使用可能である。
【００２１】
前記少なくとも二つの層に同じ合金が使用され、したがって両合金の屈折率がｎで、吸収係数がｋで示されると、好ましくは以下のとおりである。
【００２２】
０＜ｎ／ｋ≦０．２８、特に好ましくは、
０＜ｎ／ｋ≦０．２０
これは、光がλ＝６５０ｎｍであり、層材料がバルク状の場合である。この場合、反射層における比率は、その厚さのため、バルクにおける比率に完全に対応する。さらに、それぞれの金属合金については、ｋ＞２である。
【００２３】
この発明によるデータ記憶ディスクの、もう一つの好ましい実施形態では、特に層の光学特性、すなわち反射率、透過率、吸収率の安定性は、２４時間空気に晒されると、±２％より優れており、好ましくはさらに±１％より優れている。
【００２４】
この発明による製造方法は、請求項１１の文言を特徴とし、好ましい実施例は請求項１２、この発明によるターゲットは請求項１７の特徴において優れている。
【００２５】
さらに、仕様内容、コスト安の製造および化学的安定性に関する上述の課題はまた、反射層の形成は別として、部分反射層が、
Ａｇ_xＭａ_yＭｂ_zから、または
Ｃｕ_xＭａ_yＭｂ_zからなり、
ｘ＞５０％であることによって既に解決し、ただしここで
Ｍａは、金以外の第二の金属
Ｍｂは、好ましくは金以外の、第三の金属を示す。
【００２６】
これによって、例えば反射層がアルミニウム合金から形成される場合でも、部分反射層に従来の合金を布設する場合に比して、基本的にコストを大幅に削減することが可能である。
【００２７】
ある好ましい実施形態では、部分反射層はＡｇ_xＭａ_yＭｂ_zからなり、第二の金属Ｍａにはパラジウムが使用される。その際、ｙ＞ｚである。
【００２８】
さらに、この部分反射層において好ましくは以下のとおりである。
０＜ｙ≦１０、好ましくは１≦ｙ＜１０かつ
０＜ｚ≦１０、好ましくは１≦ｚ＜１０
一方、もう一つの好ましい実施形態の部分反射層は以下のとおりである。
【００２９】
０＜ｙ≦１５、好ましくは１≦ｙ＜１５
ｚ≒０、かつさらに好ましくは
５≦ｙ＜１０、特に好ましくは５＜ｙ＜１０であり、
さらに、
ｚ≒０である。
【００３０】
今日特に好ましい、特にＡｇＰｄ合金からなる部分反射層では、
ｙ＝８
ｚ≒０
である。
【００３１】
この場合、以下において詳述されるように、前記合金、特にＡｇＰｄ合金が部分反射層として使用されると、その高い環境安定性が指摘される。
【００３２】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参考に、この発明の詳細が説明される。
【００３３】
図１には、この出願において述べられたような光データ記憶ディスクが概略的に示される。このディスクは、ディスク表面の一方からｄの方向へ内側へ向けて、特にλ＝６５０ｎｍの光に対して透明の、好ましくはポリカーボネートからなる基板１を含み、部分反射、部分透過する層Ｌ₀がこれに続く。さらに、特に前記光を同様に透過する、例えば接着層のスペーサ層３、ならびに反射層Ｌ₁が続き、これら全ては、例えばまたポリカーボネートからなるキャリヤ５上にある。前記層Ｌ₀とＬ₁がそれぞれ設けられる境界表面１／３および３／５には情報刻印紋がある。
【００３４】
５００ｎｍ≦λ≦８５８０ｎｍ、好ましくはλ＝６５０ｎｍのレーザー光Ｉ_Eは、α＜９０°の角度で記憶ディスクにあてられ、部分反射層Ｌ₀で部分反射され、成分Ｉ₀が再び出射する。Ｌ₀で部分透過された光は反射層Ｌ₁で完全に反射され、成分Ｉ₁が出射する。
【００３５】
この発明の極めて好ましい一実施形態によると、層Ｌ₁およびＬ₀の金属合金が同じであり、したがって双方の合金について屈折率をほぼｎに、吸収係数をｋに設定することが可能であることが前提となる。この場合、金属ないし金属合金の吸収係数ｋは通常、ｋ＞２である。
【００３６】
図２には、算出された比率ｎ／ｋの関数で吸収係数の変化が示される。この場合、信号Ｉ₀およびＩ₁は完全にバランスがとれており、さらにディスク板上における反射分布は完璧（±０％）であって、その他の損失は全く生じないことを前提とした。図２からわかるように、信号値が１８％より大きくなり得るように、
０＜ｎ／ｋ≦０．２８さらに好ましくは
０＜ｎ／ｋ≦０．２０
のｎ／ｋ比率が遵守される。
【００３７】
この場合、図２に示された様態はさらに、波長がλ＝６５０ｎｍの光、ならびにバルク材料についてのものである。図１の反射層Ｌ₁における諸条件は、バルク材料における光学的諸条件に十二分に対応する。
【００３８】
実際には、以下の影響について考慮せねばならない。すなわち、
例えば基板１での二重屈折による、５から１０％の信号損失、情報刻印紋による散乱損失、
反射の再現可能性、±１％ないし±１．５％になり得るディスクに沿った反射分布。バルクの諸条件について算出され、図１のＩ₁に完全に対応する信号は、工業的大量生産においても信号が引き続き＞１８％に留まるには、＞２２から２３％Ｉ_Eであるべきである。したがって、この工業生産については、粗悪品をできるだけ少なくするよう保証するには、
０＜ｎ／ｋ≦０．２
を前提とするのが好ましい。
【００３９】
合金の選択については、Ｌ₀、Ｌ₁の双方の層において同じ金属成分比の同じ合金であるのが好ましく、所望の化学的安定性を維持しつつ、かつ金の含有量をできるだけ少なく抑えるとすると、普遍的な層材料としてまず以下の合金が挙げられる。
【００４０】
・銀−パラジウム−合金
銀−パラジウム−合金ターゲットをＤＣスパッタすることによって、Ａｇ₉₂Ｐｄ₈層が布設された。反射層Ｌ₁としては、厚さが＞６０ｎｍ、好ましくは＞７５ｎｍの合金層が布設された。スパッタは、１３ｎｍ／ｋＷ秒の成長率で行われた。その光学値は、バルク状の銀−パラジウム−合金の光学値に十二分に対応する。以下の値が測定された。
反射率： ９０％
吸収率： １０％
ｎ： ０．５１１
ｋ： ３．７４
ｎ／ｋ： ０．１３６
これらの値からわかるように、上述の銀−パラジウム−合金については結果として０．１３６のｎ／ｋ値が得られる。バルク材料における算出値としては、図１のＬ₀のような部分反射層の適切な層厚として１３から１７ｎｍが算出され得る。
【００４１】
そのような部分反射層については、透過率、反射率および吸収率に関して図３ａに示されたような光学様態が、前記層の製造直後に得られた。
【００４２】
１３時間後では、図３ｂの様態が、最後に３７．５時間空気に晒した後では、図３ｃの様態が得られた。
【００４３】
したがって、この発明によって設けられる層は極めて安定したものとして実現可能であり、少なくとも２４時間空気に晒されるなら、その光学特性、すなわち反射率、透過率および吸収率は安定しており、５００から９００ｎｍの全計測領域において±２％より優れている、と結論づけられる。図によると、極めて好ましい銀−パラジウム−合金の安定性は、さらに±１％より優れている。
【００４４】
この材料は、従来のＤＣスパッタプロセスで、極めて高率で布設可能である。金による被覆と比較すると、銀−パラジウム−被覆のコストは約８０％から９０％低い。
【００４５】
したがって、この銀−パラジウム−合金によって、上述のような光データディスクにおける層の普遍的材料が得られたことになる。
【００４６】
パラジウムの合金成分ｙが０＜ｙ≦１５、好ましくは１≦ｙ＜１５であり、したがって、ｘ＝１００−ｙである、その他の銀−パラジウム合金Ａｇ_xＰｄ_yを使用しても、同様の優れた結果が得られ、また０＜ｙ≦１０、好ましくは１≦ｙ＜１０であり、かつ０＜ｚ≦１０、好ましくは１≦ｚ＜１０の合金Ａｇ_xＰｄ_yＭｂ_zについても全く同様である。この場合、Ｍｂは例えば金でもよい。
【００４７】
銀−パラジウム合金についての実験によって、この発明の根底にある課題解決策の規則性および実現可能性が確認された以上、例えば銀−金の合金もまた双方の層の普遍的材料として適していることになるが、Ａｇ₆₀Ａｕ₄₀合金のｎ／ｋ値は０．０７９であり、Ａｇ₅₀Ａｕ₅₀合金のそれは０．１０８である。
【００４８】
０＜ｙ＜５０、好ましくは１≦ｙ＜５０の、したがってｘ＝１００−ｙの全ての合金Ａｇ_xＡｕ_y、ないしｘ＞５０、０＜ｙ＜５０、好ましくは１≦ｙ＜５０、かつ０＜ｚ≦１０、好ましくは１≦ｚ＜１０であり、したがってｘ＝１００−ｙ−ｚである合金Ａｇ_xＡｕ_yＭｂ_zは普遍的材料として考慮され得る。
【００４９】
また、銅−金の合金も普遍的材料として適している。すなわち、
Ｃｕ₅₀Ａｕ₅₀合金のｎ／ｋ値は０．１４２
Ｃｕ₆₀Ａｕ₄₀のそれは、０．１５６、である。
【００５０】
一般に、０＜ｙ＜５０、好ましくは１≦ｙ＜５０の、したがってｘ＝１００−ｙの全ての合金Ｃｕ_xＡｕ_y、ないしｘ＞５０、０＜ｙ＜５０、好ましくは１≦ｙ＜５０、かつ０＜ｚ≦１０、好ましくは１≦ｚ＜１０であり、したがってｘ＝１００−ｙ−ｚである合金Ｃｕ_xＡｕ_yＭｂ_zは普遍的材料として使用され得る。これはまた、銅−亜鉛の合金（ブロンズ）ならびに銅パラジウム合金にもあてはまる。
【００５１】
光データ記憶ディスクを製造する際には、全ての層について主要被覆ソースが使用され、好ましくはさらに、全ての層について只一つの被覆ソースが使用される。これには、前述の合金成分をターゲット材料とする、ＤＣマグネトロンソースのような、特にＤＣスパッタソースが適している。場合によっては、これらのソースにおいて様々なプロセスを実施することによって、金属成分が層毎に変化するよう調整可能である。さらに、これらの層を布設する際には、基板とソースとの間隔を極めて小さく保つことが可能であり、かつ基板はソースに対して固定して被覆され得るので、全体としてコンパクトで、低コストの製造装置が得られる。
【００５２】
特に好ましい銀パラジウム合金についてはさらに説明を加えると、この合金は環境からの影響に対して極めて安定しており、製造の際には高いスパッタ高で布設可能である。
【００５３】
上に提案された普遍的材料は金よりはるかに廉価である。双方の層の合金の少なくとも主成分が同じ金属から成り、好ましくはそれらの層が同じ合金から製造される、という特徴によって、この発明によるデータ記憶ディスクを、只一つの被覆装置、特にスパッタ装置において、好ましくは只一つのソースを用いて実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 二重情報キャリヤ境界表面を備える、光データ記憶ディスクの概略横断面図である。
【図２】 層材料の比率ｎ／ｋの関数で示された、吸収率の変化を示す。
【図３ａ】 この発明による光データ記憶ディスクの好ましい一実施例において、製造直後の部分反射層で測定された吸収率、透過率および反射率の関係を示す図。
【図３ｂ】 １３時間空気に晒した後の、上記の諸関係を示す、図２ａと同様の図。
【図３ｃ】 ３７．５時間空気に晒した後の、上記諸関係を示す、図２ａ、２ｂと同様の図。

Claims (25)

1. 一方のディスク表面からディスクの厚さの方向に向けて、少なくとも二つの境界表面が設けられ、前記境界表面はそれぞれ、記憶される情報に応じて溝を付けられ、かつ、所与の波長を有し、かつ＜９０°の同じ入射角の光に対して、最も内部にある、溝のある境界表面は反射層を、少なくとももう一つの、溝のある境界表面は部分反射／部分透過層を有し、さらに前記表面と反射層との間のその他のディスク材料は前記光を基本的に透過し、かつさらに前記反射層は第一の金属合金から、前記部分反射層は第二の金属合金からなる、データ記憶ディスクであって、
   ・前記少なくとも二つの層の合金は、一つまたは複数の同一金属を含み、前記一つまたは複数の金属の合計量は、それぞれの合金の５０ａｔ％より多くを占め、
   ・前記合金が金を含む場合は、その成分比はそれぞれの合金の５０ａｔ％以下であり、
   部分反射層の金属合金が、
   Ａｇ_xＭａ_yＭｂ_zからなり、
   ｘ＞５０％であり、
   Ｍａは、パラジウムであり、ｙ＞ｚであり、
   Ｍｂは、金以外の、第三の金属である、データ記憶ディスク。
2. 前記合金が、前記一つまたは複数の同一金属を同じ成分比で有する、請求項１に記載のデータ記憶ディスク。
3. 前記合金が、同じ成分比の、同一金属によって形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載のデータ記憶ディスク。
4. 空気に２４時間晒された場合の測定値で、光学特性の安定性が±２％より優れていることを特徴とし、その際、合金に金が含まれていない、請求項１から３のいずれか１項に記載のデータ記憶ディスク。
5. 前記少なくとも二つの層が、同じ金属合金のＤＣスパッタリングによって布設されることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載のデータ記憶ディスクの製造方法。
6. 前記層が同じターゲットのＤＣスパッタリングによって布設される、請求項５に記載の方法。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載のデータ記憶ディスクであって、
   ０＜ｙ≦１０であり、かつ
   ０＜ｚ≦１０である、データ記憶ディスク。
8. 請求項１から６のいずれかに記載のデータ記憶ディスクであって、
   ０＜ｙ≦１５であり、かつ
   ｚ≒０である、データ記憶ディスク。
9. データ記憶ディスクを製造するための方法であって、
   基板を布設するステップと、
   基板の上に第１の金属合金の第１の層を施すステップと、
   選択された波長の光を伝送する材料のスペーサ層を前記第１の層の上に布設するステップと、
   第２の金属合金の第２の層を前記スペーサ層の上に布設するステップと、
   前記第１および第２の層の前記第１および第２の金属合金のうちの１つを、前記光に対して部分透過になるよう堆積させるステップと、
   前記合金の各々において第１および第２の層に共通する成分が５０ａｔ％を上回っている少なくとも１つの同じ金属を前記第１および第２の金属合金において布設するステップとを含み、
   前記合金のうちのいずれかが金を含む場合、前記金の量は０〜５０ａｔ％であり、
   本質的にＡｇ_xＭａ_yＭｂ_zからなる前記第１および第２の金属合金のうちの少なくとも１つをさらに選択し、Ｍａがパラジウムであり、ｙ＞ｚである、方法。
10. ６５０ｎｍ未満となる前記選択された波長を選択するステップを含む、請求項９に記載の方法。
11. ５００ｎｍ≦λ≦８５８０ｎｍとなる前記波長をさらに選択する、請求項９に記載の方法。
12. 本質的にＡｇ_xＭａ_yＭｂ_zまたはＣｕ_xＭａ_yＭｂ_zからなる他の金属合金を選択するステップをさらに含み、ｘ＞５０ａｔ％であり、ＡｇまたはＣｕが前記同じ金属であり、Ｍａは第２の金属であり、Ｍｂは第３の金属である、請求項９から１１のいずれか１項に記載の方法。
13. ０＜ｙ＜１０および０＜ｚ＜１０をさらに選択する、請求項１２に記載の方法。
14. ０＜ｙ＜１５と０にほぼ等しいｚとをさらに選択する、請求項９から１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 同じ金属を有する前記第１および第２の金属合金を選択するステップを含む、請求項９から１４のいずれか１項に記載の方法。
16. ０＜ｎ／ｋ≦０．２８となるように、バルクでの金属合金および６５０ｎｍの光についての反射係数ｎと吸収係数ｋとの比ｎ／ｋを有する前記第１および第２の金属合金のうちの少なくとも１つを選択するステップをさらに含む、請求項９から１５のいずれか１項に記載の方法。
17. ０＜ｎ／ｋ≦０．２をさらに選択する、請求項１６に記載の方法。
18. 前記第１および第２の層のうちの少なくとも１つが、前記それぞれの層を少なくとも２４時間空気に晒した後に測定された多くて±２％の光学特性の安定性をそれぞれ有するように、前記第１および第２の金属合金のうちの少なくとも１つを選択する、請求項９から１７のいずれか１項に記載の方法。
19. スパッタリングにより、前記第１および第２の層のうちの少なくとも１つを堆積させるステップをさらに含む、請求項９から１８のいずれか１項に記載の方法。
20. ＤＣスパッタリングにより、前記第１および第２の層のうちの少なくとも１つを堆積させるステップをさらに含む、請求項９から１８のいずれか１項に記載の方法。
21. 同じ金属源から前記第１および第２の層の両方において前記同じ金属を堆積させるステップをさらに含む、請求項９から２０のいずれか１項に記載の方法。
22. スパッタリング源である前記金属源を選択するステップを含む、請求項２１に記載の方法。
23. ＤＣスパッタリング源である前記スパッタリング源を選択するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
24. 前記光のための部分透過層として前記第２の層を堆積させるステップをさらに含む、請求項９から２３のいずれか１項に記載の方法。
25. 前記光のための反射層として前記第１の層を堆積させるステップをさらに含む、請求項９から２４のいずれか１項に記載の方法。

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